CN104600222B - 封装方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种封装方法、显示面板及显示装置，该封装方法包括：在第一基板的封装区域上形成玻璃料层；在所述第一基板上的所述玻璃料层上形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜，在第二基板的封装区域上均形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜，且形成在所述玻璃料层上的最外层薄膜与形成在所述第二基板封装区域上的最外层薄膜中一个为金属薄膜，另一个为硅薄膜；将所述第一基板与所述第二基板进行真空压合。本发明在封装过程中不需要使用激光照射玻璃料层，因此能够避免激光产生的高温对封装产生的不良影响。

Description

封装方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种封装方法、显示面板及显示装置。
背景技术
近年来，有机发光二极管(OLED)显示器作为一种新兴的平板显示器，被引起广泛的关注。然而传统的OLED，特别是位于其中的低功函电极和有机功能层，很容易因周围环境中的氧气和湿气进入OLED显示器中而使性能劣化，严重影响OLED的使用寿命。为了解决这个问题，现有技术中主要是利用各种材料将OLED的有机层与外界隔离，从而达到一定的密封性能，目前主要的密封方法为：在氮气氛围中，在OLED显示面板的上下基板的封装区域填充玻璃料，然后将激光设备发出的激光直接照射在玻璃料上面，激光产生的高温将玻璃料融化，融化后的材料会与上下基板紧密结合，从而实现了OLED器件的封装。
然而，在上述的密封方法中，当采用激光照射玻璃料的时候会造成玻璃料的急剧升温，通常温度会达到800℃以上，这样在快速冷却的时候会积聚大量的应力，严重的时候会导致玻璃料的破裂，从而导致封装失效。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是如何解决现有技术中由于采用激光照射所造成的封装失效。
(二)技术方案
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种封装方法，包括：
在第一基板的封装区域上形成玻璃料层；
在所述第一基板上的所述玻璃料层上形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜，在第二基板的封装区域上均形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜，且形成在所述玻璃料层上的最外层薄膜与形成在所述第二基板封装区域上的最外层薄膜中一个为金属薄膜，另一个为硅薄膜；
将所述第一基板与所述第二基板进行真空压合。
进一步地，在所述第一基板上的所述玻璃料层上形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜，在第二基板的封装区域上均形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜包括：
在所述第一基板上的所述玻璃料层上以及所述第二基板的封装区域上均形成多层金属薄膜和多层硅薄膜，且每一层金属薄膜与每一层硅薄膜交替形成。
进一步地，所述多层金属薄膜中每一层金属薄膜的厚度为2nm～20nm，所述多层硅薄膜中每一层硅薄膜的厚度为2nm～30nm。
进一步地，所述多层金属薄膜中每一层金属薄膜的材料为以下的任意一种或多种：Fe、Cu、Al、Au、Sn。
进一步地，所述玻璃料层的厚度为3μm～10μm。
进一步地，所述真空压合的真空度不高于10-5Pa，封装压力为1MPa～10MPa。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示面板，包括第一基板、第二基板以及位于封装区域以将所述第一基板与所述第二基板密封的封装结构，所述封装结构包括位于所述第一基板与第二基板之间的玻璃料层以及位于所述玻璃料层与所述第二基板之间由金属薄膜和硅薄膜形成的堆叠结构，且每一层金属薄膜与其相邻的硅薄膜之间还形成有金属硅化物层。
进一步地，所述堆叠结构包括多层金属薄膜和多层所述硅薄膜，且在所述堆叠结构中，每一层金属薄膜与每一层硅薄膜间隔设置。
进一步地，所述金属薄膜的材料为以下的任意一种或多种：Fe、Cu、Al、Au、Sn。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，其特征在于，包括上述任一的显示面板。
(三)有益效果
本发明通过在玻璃料的表面以及与之对应的基板的表面形成金属薄膜和硅薄膜，再在高真空环境加压，使各层薄膜相互反应从而完成两基板间的密封，由于上述过程中不需要使用激光照射玻璃料层，因此能够避免激光产生的高温对封装产生的不良影响。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的一种封装方法的流程图；
图2是本发明实施方式提供的一种OLED显示面板的制作流程图；
图3是本发明实施方式提供的一种显示面板的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
图1是本发明实施方式提供的一种封装方法的流程图，包括：
S11：在第一基板的封装区域上形成玻璃料层；
S12：在所述第一基板上的所述玻璃料层上形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜，在第二基板的封装区域上均形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜，且形成在所述玻璃料层上的最外层薄膜与形成在所述第二基板封装区域上的最外层薄膜中一个为金属薄膜，另一个为硅薄膜；例如，若形成在所述玻璃料层上的最外层薄膜为金属薄膜，则形成在所述第二基板封装区域上的最外层薄膜为硅薄膜，若形成在所述玻璃料层上的最外层薄膜为硅薄膜，则形成在所述第二基板封装区域上的最外层薄膜为金属薄膜；
S13：将所述第一基板与所述第二基板进行真空压合。具体地，在真空的环境下，对第一基板与第二基板进行压合的过程中，金属薄膜中的金属离子和硅薄膜中的硅原子在一定距离的时候会发生价键的结合，从而形成金属硅化物，进而在第一基板与第二基板之间形成密封结构。
其中，本发明上述的封装方法可以适用于OLED显示面板的封装，且在上述的封装方法中，第一基板可以为封装基板(可以为玻璃基板)，也可以为阵列基板，在此不作具体限定，然而，当第一基板为封装基板时，第二基板为阵列基板，当第一基板为阵列基板时，第二基板为封装基板。
本发明实施方式提供的封装方法，通过在玻璃料的表面以及与之对应的基板的表面形成金属薄膜和硅薄膜，再在高真空环境加压，使各层薄膜相互反应从而完成两基板间的密封，由于上述过程中不需要使用激光照射玻璃料层，因此能够避免激光产生的高温对封装产生的不良影响。
其中，在上述封装方法的步骤S12中，可以在第一基板上的玻璃料层上以及第二基板的封装区域上均形成多层金属薄膜和多层硅薄膜，且每一层金属薄膜与每一层硅薄膜交替形成。
具体地，当上述的封装方法用于OLED显示面板的封装，并且玻璃料层形成在封装基板时，如图2所示，OLED显示面板的制作流程具体包括：
S21：首先完成阵列基板的制作，具体首先在衬底基板上制作薄膜晶体管(TFT)阵列，而后在高真空环境中在其上先后沉积不同功能的有机材料，和金属阴极等结构，得到OLED器件；
S22：在封装基板上的封装区域上形成玻璃料层，具体地，首先在真空环境下对该封装基板进行清洗，而后通过点胶或印刷的方法在封装基板的封装区域上形成与阵列基板的封装区域相配套的玻璃胶，而后将封装基板放在高温炉内进行高温烧结，从而去除玻璃胶里面的溶剂，得到玻璃料的图形(玻璃料层)，其中，该玻璃料的图形具体为条带状，其宽度可以为0.5mm～3.0mm，例如可以为1.0mm、2.0mm等，其厚度可以为3μm～10μm，例如可以为5μm、6μm、7μm、8μm、9μm等；
S23：在封装基板上的上述玻璃料层上交替形成金属薄膜和硅薄膜；
对于每一层金属薄膜，其具体可采用sputter(溅射离子镀膜)工艺进行制作，例如，可首先通过sputter(溅射离子镀膜)工艺在阵列基板上沉积一层Fe(铁)、Cu(铜)、Al(铝)、Au(金)或者Sn(锡)等金属薄膜，同时通过金属掩膜板来控制金属薄膜的图形，使金属薄膜沉积在封装区域的玻璃料层上，每一层金属薄膜的厚度可以为2nm～20nm，例如可以为5nm、8nm、12nm、15nm、18nm等；
而对于每一层硅薄膜，其具体可采用ion beam(离子束镀膜)工艺进行制作，例如，当制作一层金属薄膜后，再采用ion beam(离子束镀膜)工艺在形成的金属薄膜上沉积一层硅薄膜，同时通过金属掩膜板来控制硅薄膜的图形，使硅薄膜沉积在封装区域的上述金属薄膜上，其中，每一层硅薄膜的厚度可以为2nm～30nm，例如可以为8nm、15nm、18nm、25nm、28nm等；
其中，在本发明中，不对形成金属薄膜和硅薄膜的顺序作具体的限定，即在本发明中可以先形成一层金属薄膜再形成一层硅薄膜，也可以先形成一层硅薄膜再形成一层金属薄膜；
通过上述方法，可在封装基板上的玻璃料层上交替形成多层金属薄膜和多层硅薄膜，优选地，形成的金属薄膜的层数可以为2层或者3层，形成的硅薄膜的层数可以为2层或者3层；
S24：在阵列基板上的封装区域上交替形成金属薄膜和硅薄膜，并使最后形成的最外层薄膜与封装基板上的最外层薄膜不同，即一个为金属薄膜，另一个为硅薄膜；
其中，在该阵列基板上形成金属薄膜和硅薄膜的方法可与步骤S23中的方法相同，此处不再赘述，优选地，在该阵列基板上，形成的金属薄膜的层数可以为2层或者3层，形成的硅薄膜的层数可以为2层或者3层；
其中，在本发明中，不对阵列基板和封装盖板上形成活化薄膜(即上述的金属薄膜和硅薄膜)的顺序进行具体限定，即可以先在封装基板上制作再在阵列基板上制作，也可以先在阵列基板上制作再在封装基板上制作，也可以在两者上同时制作；
S25：将上述的阵列基板与封装基板进行真空压合，具体地，可以将阵列基板和封装盖在真空设备里面进行精密对合，将真空度控制在10-5Pa以下，再通过机械压合的方式将两基板紧密压合，其封装压力设定为1MPa-10MPa，例如，可以为3MPa、5MPa、6MPa、8MPa等，在该封装压力下，金属薄膜中的金属离子和硅薄膜中的硅原子在一定距离的时候会发生价键的结合，从而形成金属硅化物，进而在两基板之间形成密封结构，这样就完成了两基板的封装。
此外，对于玻璃料层制作在阵列基板上的OLED显示面板的制作流程，其具体方法与上述步骤S21～S25相似，在此不再赘述。
本发明实施方式提供的封装方法，不采用激光照射使玻璃料熔融烧结的封装方式，而是通过在玻璃料表面以及与之对应的基板表面沉积活化薄膜的方式，再通过高真空环境加压使两基板间的活化薄膜相互反应从而完成密封，从而能够避免激光产生的高温对封装产生的不良影响。此外，相比现有技术中采用激光照射的封装方法，本发明采用一次压合就可以完成封装，不再使用激光分区照射，大大减少了生产作业时间，降低生产成本，另外，由于最后封接制程避免了高温工艺，可以为OLED产品的设计争取了空间，例如可以实现窄边框OLED产品设计，还可以在封装基板和OLED器件之间填充有机材，提高封装强度。
此外，图3是本发明实施方式提供的一种显示面板的示意图，其特征在于，包括第一基板1、第二基板2以及位于封装区域以将所述第一基板与所述第二基板密封的封装结构，该封装结构包括位于所述第一基板1与第二基板2之间的玻璃料层31以及位于所述玻璃料层31与所述第二基板2之间由金属薄膜321和硅薄膜322形成的堆叠结构，且每一层金属薄膜与其相邻的硅薄膜之间还形成有金属硅化物层。
其中，本发明上述的显示面板可以为OLED显示面板，且在上述的显示面板中，第一基板可以为封装基板，也可以为阵列基板，在此不作具体限定，然而，当第一基板为封装基板时，第二基板为阵列基板，当第一基板为阵列基板时，第二基板为封装基板。
优选地，如图3所示，所述堆叠结构包括多层金属薄膜和多层所述硅薄膜，且在所述堆叠结构中，每一层金属薄膜与每一层硅薄膜间隔设置。
其中，所述金属薄膜的材料为以下的任意一种或多种：Fe、Cu、Al、Au、Sn。
此外，本发明实施方式还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。本发明实施方式提供的显示装置可以是笔记本电脑显示屏、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (8)

1.一种封装方法，其特征在于，包括：
在第一基板的封装区域上形成玻璃料层；
在所述第一基板上的所述玻璃料层上形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜，在第二基板的封装区域上均形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜，且形成在所述玻璃料层上的最外层薄膜与形成在所述第二基板封装区域上的最外层薄膜中一个为金属薄膜，另一个为硅薄膜；
将所述第一基板与所述第二基板进行真空压合；
其中，在所述第一基板上的所述玻璃料层上形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜，在第二基板的封装区域上均形成至少一层金属薄膜和/或至少一层硅薄膜包括：
在所述第一基板上的所述玻璃料层上以及所述第二基板的封装区域上均形成多层金属薄膜和多层硅薄膜，且每一层金属薄膜与每一层硅薄膜交替形成。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述多层金属薄膜中每一层金属薄膜的厚度为2nm～20nm，所述多层硅薄膜中每一层硅薄膜的厚度为2nm～30nm。
3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述多层金属薄膜中每一层金属薄膜的材料为以下的任意一种或多种：Fe、Cu、Al、Au、Sn。
4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述玻璃料层的厚度为3μm～10μm。
5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述真空压合的真空度不高于10-5Pa，封装压力为1MPa～10MPa。
6.一种显示面板，包括第一基板、第二基板以及位于封装区域以将所述第一基板与所述第二基板密封的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括位于所述第一基板与第二基板之间的玻璃料层以及位于所述玻璃料层与所述第二基板之间由金属薄膜和硅薄膜形成的堆叠结构，且每一层金属薄膜与其相邻的硅薄膜之间还形成有金属硅化物层；
其中，所述堆叠结构包括多层金属薄膜和多层所述硅薄膜，且在所述堆叠结构中，每一层金属薄膜与每一层硅薄膜间隔设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述金属薄膜的材料为以下的任意一种或多种：Fe、Cu、Al、Au、Sn。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6-7任一所述的显示面板。
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