CN104599950A - 一种osp基板的蚀刻清洗设备及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OSP基板的蚀刻清洗方法，包括以下步骤：第一步骤：将H2SO4溶剂、H2O2溶剂、添加剂AGS2116，添加剂AGS2115，纯水进行混合，将按比例混合好的化学药剂添加于蚀刻清洗设备腔内；第二步骤：OSP基板通过蚀刻清洗设备轨道依次进入蚀刻喷淋室和清洗喷淋室；第三步骤：蚀刻喷淋室完成对OSP基板的蚀刻，清洗喷淋室完成对OSP基板的清洗；第四步骤：检查蚀刻效果，确认OSP层与氧化层是否从焊盘被蚀刻掉。本发明还提供了一种OSP基板的蚀刻清洗设备，本发明的化学药剂蚀刻效果好，蚀刻更均匀。通过蚀刻装置将H2SO4、H2O2等化学药剂分开，用时根据现场生产情况和OSP基板的实际情况，随时控制配比，进而控制蚀刻值的大小，操作方便，效率高。

Description

一种OSP基板的蚀刻清洗设备及方法
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种药水蚀刻的OSP基板植球前蚀刻清洗设备以及植球前蚀刻清洗方法。
背景技术
OSP是有机可焊性保护剂(Organic Solderanility Preservative的缩写)，OSP就是在洁净的裸铜表面上，以化学的方法长出一层有机皮膜，这层膜具有防氧化，耐热冲击，耐湿性，用以保护铜表面于常态环境中不再继续生锈(氧化或硫化等)；由于成本低，可焊性高，现在越来越多用于OSP基板类封装。但在焊接前，由于OSP基板上焊盘在经过多工序过程中，OSP受力损伤，铜层受热氧化等因素，业界往往会做清洗OSP的步骤，再植球回流焊接。传统的OSP清洗利用助焊剂的还原性，在回流炉的高温下去除OSP，还原氧化铜层，焊盘铜层清洁后植球。如图1，涂胶机1为OSP基板2涂覆助焊剂，进回流炉3受热助焊剂达到活性，去除OSP与氧化层，然后OSP基板进入水清洗机4，清洁OSP基板表面。这种OSP基板植球前清洗虽然在工艺上能满足OSP基板类封装植球时焊盘焊接要求，但是这样整个产品多受热一次必然会对芯片的使用寿命带来一定的影响。同时，该流程占用的设备过多，使得生产资源没能得到充分利用，生产耗用过高。方可使露出的干净铜表面得以在极短时间内与熔融焊锡立即结合成为牢固的焊点，现有技术中也有化学蚀刻方式处理，如申请号为CN201310527158.XD专利公开了一种微蚀液处理OSP基板，所述微蚀液包含有80-120g/L的H2SO4、40-70g/L的H2O2及余量的水，选用的H2SO4、H2O2作为原料，并优化二者的用量，二者协效在对铜面微蚀的过程中并未与金层发生的反应，保持微蚀过程中金层的完整。但是蚀刻的效率不高，均匀性不好,并且蚀刻的药剂不能方便的改变组分，无法根据不同的蚀刻要求随时控制化学蚀刻药剂组分。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种OSP基板的蚀刻清洗方法。
一种OSP基板的蚀刻清洗方法，包括以下步骤：
第一步骤：将由H2SO4溶剂、H2O2溶剂、添加剂AGS2116，添加剂AGS2115、纯水混合的化学药剂添加于蚀刻设备腔16内；
第二步骤：OSP基板通过蚀刻清洗设备轨道10依次进入设备蚀刻喷淋室5和清洗喷淋室6；
第三步骤：蚀刻喷淋室5完成对OSP基板的蚀刻，清洗喷淋室6完成对OSP基板2的清洗；
第四步骤：检查蚀刻效果，确认OSP层与氧化层7是否从焊盘8被蚀刻掉。
所述添加剂AGS2115,包括1.25g/L硫氰酸钾，1.25g/L硫酸肼，烯丙基硫脲0.2-0.4g/L，吐温0.1-0.4g/L、季铵盐0.1-0.2g/L，碘化钠0.08-0.25g/L，余量为水。
所述添加剂AGS2116，包括基乙叉二膦酸20-80g/L，乙醇50-100g/L，异硫氰酸酯10-20g/L，十二烷基硫酸钠2-6g/L，钼酸钠25-50g/L，三聚磷酸钠8-12g，柠檬酸钾10-20g/L，脂肪醇聚氧乙烯醚20-40g/L，壬基酚聚氧乙烯醚20-40g/L，烷基酚聚氧乙烯醚25-40g/L，二烷基二苯醚二磺酸钠15-30g/L，余量为水。
本发明还提供了一种OSP基板的清洗设备，包括蚀刻喷淋室5和清洗喷淋室6，蚀刻喷淋室5和清洗喷淋室6相连通，所述蚀刻喷淋室包括工作台、保持部件、轨道10和驱动机构、蚀刻装置；所述清洗喷淋室6包括与蚀刻喷淋室相同的工作台、驱动机构，轨道、保持部件，主喷头9、辅助喷头20、托盘21、托盘轴23、驱动电机，所述轨道10上包括托盘21，所述托盘21中心连接托盘轴23，所述托盘轴23连接驱动电机，所述OSP基板2放置在托盘21上。
所述蚀刻装置包括能通过蚀刻药剂的第一到第五蚀刻药剂供给管(11,12,13,14,15)，以及控制器，蚀刻设备腔，所述第一到第五蚀刻药剂供给管分别通入第一到第五蚀刻药剂，其中，第一蚀刻药剂采用硫酸H2SO4，第二蚀刻药剂采用双氧水H2O2，第三蚀刻药剂采用AGS2116,第四蚀刻药剂采用AGS2115，第五蚀刻药剂采用水，在第一至第五蚀刻药剂供给管分别设置有第一至第五开闭阀第一至第五开闭阀17的开闭动作由控制器控制，所述第一到第五蚀刻药剂供给管都连通蚀刻设备腔16，所述蚀刻设备腔16下方设有液体管路24、气体管路19和喷嘴9，所述液体管路24下端连接喷嘴9，气体管路19连通液体管路24，所述液体管路24上设有开闭阀17。
优选地，所述轨道10两侧等距分布辅助喷头20，辅助喷头由连接臂与工作台固定连接，所述辅助喷头的喷嘴22为扁平的长条形。
优选地，所述气体管路19的下端外侧壁设有与其贴合的环形结构的压电晶体。
一种基于OSP基板的蚀刻清洗设备的蚀刻清洗方法，OSP基板2进入蚀刻喷淋室后，控制器控制第一到第五蚀刻药剂供给管(11-15)上的开闭阀17打开，第一到第五蚀刻药剂供给管11-15内的药剂分别流入蚀刻设备腔16，在蚀刻设备腔16配制好化学药剂后，蚀刻设备腔16下端的液体管路(24)打开，同时气体管路19的开闭阀17打开，通入氮气等惰性气体，与液体管路24中的化学药剂混合加压，经过喷嘴9喷出雾状化学药剂对OSP基板2进行蚀刻；
控制蚀刻温度在20-40℃，每次蚀刻喷淋时间在20-60秒；
清洗喷淋室6对OSP基板2进行清洗步骤包括，OSP基板2在轨道10内移动到清洗喷淋室中，驱动电机带动托盘轴23转动，托盘轴23带动托盘21绕托盘轴23转动，当运动到主喷头25和辅助喷头20位置时，主喷头25和辅助喷头20喷出高压水对OSP基板2进行清洗。
本发明的有益效果：
本发明利用化学药剂H2SO4溶剂、H2O2溶剂、添加剂AGS2116/AGS2115按比例混合与OSP层及氧化层发生化学蚀刻，来达到蚀刻清洗的效果。化学药剂通过带有喷嘴的清洗设备均匀地喷淋在OSP基板上，焊盘被蚀刻一定厚度后，OSP层与氧化层被反应，再用纯水清洁OSP基板表面。相比较传统的OSP清洗工艺，不但简化了工艺步骤，由原来三台设备的工艺流程只需要一台设备就能完成，节约了封装设备与材料；同时该新工艺器件无需受高温，避免多次受热对半导体器件的影响。
本发明的添加剂AGS2116和添加剂AGS2115蚀刻效果好，蚀刻更均匀，作用是保证蚀蚀刻后的基板平整性更好，有效的防止过度腐蚀。本发明添加剂能起到缓蚀剂，表面活性剂以及抗氧化性的作用，混合后的添加剂各个组分能够互相协同地发挥作用，本发明的添加剂的组合物化学性质稳定，具有优良的缓蚀性能，配合本发明的硫酸和双氧水比例，能达到极佳的蚀刻效果，处理过程简单且效果明显。
通过蚀刻喷淋设备将硫酸、双氧水等化学药剂分开，用时根据现场生产情况和OSP基板的实际情况，随时控制配比，进而控制蚀刻值的大小，操作方便，效率高。
气体管路通过压电晶体的设置，精确的控制蚀刻药剂喷射量的大小，更节约高效。
清洗喷淋室的辅助喷头能在OSP基板表面形成保护水幕，防止对基板的损伤，托盘在旋转时借助离心力将主喷头喷出的水清洗OSP基板表面更有效，清洁更彻底。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为现有的OSP基板清洗设备结构示意图；
图2为蚀刻清洗设备结构示意图；
图3为蚀刻喷淋室结构示意图；
图4为清洗喷淋室结构示意图；
图5为蚀刻装置结构示意图；
图6为OSP基板蚀刻清洗前结构示意图；
图7为OSP基板蚀刻清洗后结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明的一个具体实施方式提供了一种OSP基板植球前蚀刻清洗方法，
一种OSP基板的蚀刻清洗方法包括：
如图2所示，第一步骤：化学药剂按比例混合添加于蚀刻清洗设备腔内；
所述化学药剂，各组分以重量百分比计，各组分为H202 2-10％,H2SO44-20％,AGS2116 1-5％,AGS2115 10-50％,其余为纯水。
所述添加剂AGS2115,包括1.25g/L硫氰酸钾，1.25g/L硫酸肼，烯丙基硫脲0.2-0.4g/L，吐温0.1-0.4g/L、季铵盐0.1-0.2g/L，碘化钠0.08-0.25g/L，余量为水。
所述添加剂AGS2116，包括羟基乙叉二膦酸20-80g/L，乙醇50-100g/L，异硫氰酸酯10-20g/L，十二烷基硫酸钠2-6g/L，钼酸钠25-50g/L，三聚磷酸钠8-12g，柠檬酸钾10-20g/L，脂肪醇聚氧乙烯醚20-40g/L，壬基酚聚氧乙烯醚20-40g/L，烷基酚聚氧乙烯醚,25-40g/L，二烷基二苯醚二磺酸钠15-30g/L，余量为水。
本具体实施方式中，添加剂AGS2115,采用各组分浓度为1.25g/L硫氰酸钾，1.25g/L硫酸肼，烯丙基硫脲0.3g/L，吐温0.2g/L、季铵盐0.1g/L，碘化钠0.1g/L，余量为水。
添加剂AGS2116，采用各组分浓度为过羟基乙叉二膦酸40g/L，乙醇75g/L，异硫氰酸酯15g/L，十二烷基硫酸钠4g/L，钼酸钠30g/L，三聚磷酸钠10g，柠檬酸钾15g/L，脂肪醇聚氧乙烯醚30g/L，壬基酚聚氧乙烯醚30g/L，烷基酚聚氧乙烯醚,30g/L，二烷基二苯醚二磺酸钠20g/L，余量为水。
采用上述浓度的添加剂AGS2115，添加剂AGS2116混合硫酸H2SO4，双氧水H2O2，纯水进行混合，并进行蚀刻，蚀刻结果如表1所示。
蚀刻值为蚀刻前焊盘深度h与蚀刻后焊盘深度H的差值。
如表1所示，优选地，化学药剂为H2O2 2％，H2SO4 4％,AGS21161％,AGS2115 10％,纯水83％时，此时蚀刻值为0.8mm。
优选地，化学药剂为H2O2 4％，H2SO4 8％,AGS2116 2％,AGS2115 20％,纯水66％。此时蚀刻值为1.1mm。
优选地，化学药剂为H2O2 6％，H2SO4 12％,AGS2116 3％,AGS2115 30％,纯水49％。此时蚀刻值为1.7mm。
优选地，化学药剂为H2O2 8％，H2SO4 16％,AGS2116 4％,AGS2115 40％,纯水32％。此时蚀刻值为3.2mm。
优选地，化学药剂为H2O2 10％，H2SO4 20％,AGS2116 5％,AGS2115 50％,纯水15％。此时蚀刻值为5.7mm。
上述化学药剂成本低，使用方便，蚀刻更加均匀。
表1
本具体实施方式的添加剂AGS2116/AGS2115蚀刻效果好，蚀刻更均匀，作用是保证蚀蚀刻后的基板平整性更好，有效的防止过度腐蚀。本发明添加剂的各个组分能够互相协同地发挥作用，并且各组分的组合物化学性质稳定，具有优良的缓蚀性能，加量少，处理过程简单且效果明显。
第二步骤：OSP基板2通过蚀刻清洗设备轨道10依次进入蚀刻喷淋室5和清洗喷淋室6；
第三步骤：蚀刻喷淋室5完成对OSP基板的蚀刻，再由清洗喷淋室6完成对OSP基板2的清洗；
所示上述第二、三步骤，包括以下步骤：
如图3所示，所述OSP基板2随轨道10进入蚀刻喷淋室5后，打开蚀刻药剂供给管上开闭阀，与蚀刻药剂供给管连接的喷嘴喷出蚀刻喷淋设备腔内的蚀刻药剂对OSP基板2进行蚀刻；
如图4所示，蚀刻完成后OSP基板2随轨道进入清洗喷淋室6，所述托盘21带动OSP基板2旋转，所述铺助喷头20、主喷头25同步对OSP基板2喷射水进行清洗。
上述步骤包括将上述组分的化学药剂混合添加于蚀刻清洗设备腔内；
OSP基板2通过蚀刻清洗设备轨道10依次进入蚀刻喷淋室5和清洗喷淋室6；控制蚀刻温度在20-40℃，每次蚀刻喷淋时间在20-60秒，蚀刻的更加均匀。进一步优选地，蚀刻温度控制在28-35℃，每次蚀刻喷淋时间在30-45秒，在此温度、和蚀刻喷淋时间下配合本发明化学药剂可以蚀刻的更加均匀，效果最好。
所述蚀刻药剂供给管能通过配制好的蚀刻药剂，蚀刻药剂供给管上设有开闭阀，所述开闭阀有控制器控制，蚀刻药剂供给管一端连接蚀刻清洗设备腔另一端连接喷嘴，所述喷嘴上述喷出配制好的蚀刻药剂对OSP基板2进行蚀刻。
所述蚀刻药剂为双氧水H202 2-10％,硫酸H2SO4 4-20％,AGS21161-5％,AGS2115 10-50％,其余为纯水。经验证，当蚀刻药剂配比在上述范围内时，OSP蚀刻后焊盘铜层的深度符合设计与生产要求，效果最佳。
所述托载OSP基板的托盘21为陶瓷材料，耐腐蚀。
如图6、7所示，第四步骤：检查蚀刻效果，确认OSP层与氧化层7是否从焊盘8被蚀刻掉。
蚀刻完成后用高精密蚀刻深度测量仪对蚀刻深度进行测量，同时检查OSP层与氧化层是否被蚀刻掉。
本发明的另一个具体实施方式提供了一种OSP基板蚀刻清洗设备，包括，蚀刻喷淋室5和清洗喷淋室6，蚀刻喷淋室5和清洗喷淋室6相连通，所述蚀刻喷淋室包括工作台、保持部件、轨道和驱动机构、蚀刻装置，所述蚀刻装置设置于轨道上方，轨道设置于工作台上，驱动机构驱动轨道水平输送OSP基板，蚀刻装置能够对轨道上的OSP基板进行蚀刻。
所述清洗喷淋室包括与蚀刻喷淋室相同的工作台、驱动机构，轨道、保持部件，主喷头25、辅助喷头20、托盘21、托盘轴23、驱动电机。
在蚀刻喷淋室5内设有工作台，所述工作台能保持OSP基板2在蚀刻清洗时的水平，在工作台上设有多个保持部件，保持部件内侧是轨道10，优选的，所述保持部件为两两相对的多个立柱，所述保持部件能够卡住OSP基板边缘从而限制OSP基板在水平面内垂直于轨道输送方向的运动。
所述工作台还设有轨道10和驱动机构，所述驱动机构能驱动OSP基板2沿轨道水平输送。
如图5所示，所述蚀刻装置包括能通过蚀刻药剂的第一到第五蚀刻药剂供给管(11,12,13,14,15)，以及控制器，蚀刻设备腔，所述第一到第五蚀刻药剂供给管分别通入第一到第五蚀刻药剂，其中，第一蚀刻药剂采用硫酸H2SO4，第二蚀刻药剂采用双氧水H2O2，第三蚀刻药剂采用AGS2116,第四蚀刻药剂采用AGS2115，第五蚀刻药剂采用水，在第一至第五蚀刻药剂供给管分别设置有第一至第五开闭阀第一至第五开闭阀17的开闭动作由控制器控制，所述第一到第五蚀刻药剂供给管都连通蚀刻设备腔16，所述蚀刻设备腔16下方设有液体管路24、气体管路19和喷嘴9，所述液体管路24下端连接喷嘴9，气体管路19连通液体管路24，所述液体管路24上设有开闭阀17。根据不同的刻蚀要求以及铜箔情况可以自动化控制配制不同比例的蚀刻药剂对OSP基板进行蚀刻，更加方便与高效。
所述进入蚀刻设备腔16的化学药剂，各组分以重量百分比计，各组分为
双氧水H202 2-10％,硫酸H2SO4 4-20％,AGS2116 1-5％,AGS2115 10-50％,其余为纯水。
所述蚀刻设备腔16下方有多个液体管路24和多个喷嘴9，所述每一液体管路24连接一喷嘴9，所述气体管路19有多个支管，分别连通每一液体管路24。
优选的，所述有液体管路24连通多个喷嘴9，气体管路19连通每一液体管路。
优选的，所述喷嘴9并排排列。
所述蚀刻设备腔16为漏斗形，可以更好地混合药剂。
优选的，所述气体管路19的下端外侧壁设有与其贴合的环形结构的压电晶体18，通过控制所述压电晶体18的电压使所述压电晶体18产生形变，从而控制所述气体管路19的孔径，改变所述气体管路19中气体介质的压力和流速。当气体管路19中有高速气流时，气体管路19与液体管路24连接处会形成负压，促使液体管路24中的液体介质经过该室形成雾化介质，动能增大，增加了垂直于OSP基板的物理力，加强了对OSP基板的冲击，可加快蚀刻的速率。
喷头流体流速降低，流量变大，对OSP基板的腐蚀效率提高。所述气体管路19的孔径随压电晶体的形变而变大或变小。当气体管路19孔径变大时，这时气体管路19与液体管路24的连接处的负压降低，喷头气液两相流体流速降低，流量变大，对OSP基板2的腐蚀效率提高；当气体管路孔径变小时，这时气体管路19与液体管路24的连接处的负压上升，喷头气液两相流体流速加快，流量变小，对OSP基板2的腐蚀效率降低。
所述喷头9的直径比OSP基板2的直径大。
如图4所示，所述清洗喷淋室6包括与蚀刻喷淋室5相同的工作台、驱动机构，轨道、保持部件，所述轨道上包括托盘，所述托盘中心连接托盘轴，所述托盘轴连接减速器，所述减速器连接驱动电机。所述OSP基板放置在托盘上。
所述轨道两侧等距分布辅助喷头20，辅助喷头20由连接臂与工作台固定连接，所述辅助喷头20的喷嘴22为扁平的长条形，铺助喷头20喷出少量的纯水进行清洗，并且在OSP基板2表面形成一层液体缓冲层。所述辅助喷头的喷嘴22形状可以增大喷洒面积同时节约水。
主喷头25包括：连接臂、喷嘴、液体导管，连接臂一端固定在工作台上，喷嘴固定在液体导管的一端，液体导管和喷嘴通过相互配合的螺旋或卡套结构连接。液体导管固定在连接臂上，可随连接臂转动，从而使得喷嘴在OSP基板2上方移动，连接臂可以为中空结构，液体导管位于连接臂内部；液体导管还可以位于连接臂外部。
所述主喷头25和所述辅助喷头20的位置相配合，使得每一主喷头25和每一辅助喷头20喷出的水能够喷射到同一OSP基板上。
所述主喷头25和所述辅助喷头20喷射时间是同步的，所述主喷头25和所述辅助喷头20各自的喷射是间断的。
所述主喷头25与辅助喷头20喷射的时间与OSP基板2的运动速率和位置相配合，保证能喷到OSP基板2上。
所述OSP基板2进入清洗喷淋室6后，所述OSP基板2传输到了托盘21上并随着轨道10向前移动，所述驱动电机驱动托盘轴23转动，托盘轴23带动托盘21转动，托盘21带动OSP基板2旋转，同时位于轨道两侧的辅助喷头20喷出纯水，在OSP基板2表面形成一层液体缓冲层，这时主喷头25从竖直方向喷出高压水，喷射到OSP基板2表面后在离心力的作用下，对OSP基板2表面进行清洗。清洗效果更好。
本发明的另一个具体实施方式提供了一种基于OSP基板的蚀刻清洗设备的蚀刻清洗方法，包括，第一步骤：OSP基板2通过蚀刻清洗设备轨道10依次进入设备蚀刻喷淋室5和清洗喷淋室6；
第二步骤：蚀刻喷淋室完成对OSP基板的蚀刻，再由清洗喷淋室完成对OSP基板的清洗；
所述第二步骤包括，控制器控制第一到第五蚀刻药剂供给管(11-15)上的开闭阀17打开，第一到第五蚀刻药剂供给管内的药剂分别流入蚀刻设备腔16，在蚀刻设备腔16配制好化学药剂后，蚀刻设备腔下端的液体管路24打开，同时气体管路19的开闭阀17打开，通入氮气等惰性气体，与液体管路24中的化学药剂混合加压，经过喷嘴9喷出雾状化学药剂对OSP基板2进行蚀刻；
控制蚀刻温度在20-40℃，每次蚀刻喷淋时间在20-60秒，蚀刻的更加均匀。
进一步优选地，蚀刻温度控制在28-35℃，每次蚀刻喷淋时间在30-45秒，在此温度、和蚀刻喷淋时间下配合本发明化学药剂可以蚀刻的更加均匀，效果更好。
清洗喷淋室对OSP基板进行清洗步骤包括，OSP基板2在轨道10上移动到清洗喷淋室6中，
驱动电机带动托盘轴23转动，托盘轴23带动托盘21绕托盘轴转动，当运动到主喷头25和辅助喷头20位置时，主喷头25和辅助喷头20喷出高压水对OSP基板进2行清洗。
第三步骤，检查蚀刻效果，确认OSP层与氧化层7是否从焊盘8被蚀刻掉。如图6、7所示，该步骤使用高精密蚀刻深度测量仪对蚀刻深度进行测量，同时检查OSP层与氧化层是否被蚀刻掉。
上述说明示出并描述了本发明的优选实施例，如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种OSP基板的蚀刻清洗方法，其特征在于，包括：
第一步骤：将由H2SO4溶剂、H2O2溶剂、添加剂AGS2116，添加剂AGS2115、纯水混合的化学药剂添加于蚀刻设备腔(16)内；
第二步骤：OSP基板(2)通过蚀刻清洗设备轨道(10)依次进入设备蚀刻喷淋室(5)和清洗喷淋室(6)；
第三步骤：蚀刻喷淋室(5)完成对OSP基板(2)的蚀刻，清洗喷淋室(6)完成对OSP基板(2)的清洗；
第四步骤：检查蚀刻效果，确认OSP层与氧化层(7)是否从焊盘(8)被蚀刻掉。
2.如权利要求1所述的OSP基板的蚀刻清洗方法，其特征在于，所述化学药剂，各组分以重量百分比计，各组分为H2O2 2-10％,H2SO4 4-20％,AGS21161-5％,AGS2115 10-50％,其余为纯水。
3.如权利要求1所述的OSP基板的蚀刻清洗方法，其特征在于，各组分以重量百分比计，各组分为化学药剂为H2O2 6％，H2SO4 12％,AGS2116 3％,AGS211530％,纯水49％；所述添加剂AGS2115,包括1.25g/L硫氰酸钾，1.25g/L硫酸肼，烯丙基硫脲0.2-0.4g/L，吐温0.1-0.4g/L、季铵盐0.1-0.2g/L，碘化钠0.08-0.25g/L，余量为水；所述添加剂AGS2116，包括羟基乙叉二膦酸20-80g/L，乙醇50-100g/L，异硫氰酸酯10-20g/L，十二烷基硫酸钠2-6g/L，钼酸钠25-50g/L，三聚磷酸钠8-12g，柠檬酸钾10-20g/L，脂肪醇聚氧乙烯醚20-40g/L，壬基酚聚氧乙烯醚20-40g/L，烷基酚聚氧乙烯醚25-40g/L，二烷基二苯醚二磺酸钠15-30g/L，余量为水。
4.如权利要求1所述的OSP基板的蚀刻清洗方法，其特征在于，第一步骤中将由H2SO4、H2O2溶剂、添加剂AGS2116，添加剂AGS2115、纯水混合的化学药剂添加于蚀刻设备腔(16)内步骤包括，控制器控制第一到第五蚀刻药剂供给管(11-15)上的开闭阀(17)打开，第一到第五蚀刻药剂供给管(11-15)内的药剂分别流入蚀刻设备腔(16)。
5.如权利要求1所述的OSP基板的蚀刻清洗方法，其特征在于，第三步骤中蚀刻喷淋室(5)完成对OSP基板(2)的蚀刻，清洗喷淋室(6)完成对OSP基板(2)的清洗步骤包括，打开蚀刻药剂供给管上开闭阀，与蚀刻药剂供给管连接的喷嘴喷出蚀刻喷淋设备腔内的蚀刻药剂对OSP基板(2)进行蚀刻；
蚀刻完成后OSP基板(2)随轨道(10)进入清洗喷淋室(5)，所述托盘带动OSP基板(2)旋转，所述铺助喷头(20)、主喷头(25)同步对OSP基板(2)喷射水进行清洗。
6.如权利要求1所述的OSP基板的蚀刻清洗方法，其特征在于，第三步骤中蚀刻喷淋室(5)完成对OSP基板(2)的蚀刻步骤包括，在蚀刻设备腔(16)配制好化学药剂后，蚀刻设备腔(16)下端的液体管路(24)打开，同时气体管路(19)的开闭阀(17)打开，通入氮气等惰性气体，与液体管路(24)中的化学药剂混合加压，经过喷嘴(9)喷出雾状化学药剂对OSP基板(2)进行蚀刻。
7.如权利要求1和5和6所述的OSP基板的蚀刻清洗方法，其特征在于，
控制蚀刻温度在20-40℃，每次蚀刻喷淋时间在20-60秒。
8.一种OSP基板的蚀刻清洗设备，其特征在于，包括蚀刻喷淋室(5)和清洗喷淋室(6)，蚀刻喷淋室(5)和清洗喷淋室(6)相连通，所述蚀刻喷淋室(5)包括工作台、保持部件、轨道和驱动机构、蚀刻装置；所述清洗喷淋室(6)包括与蚀刻喷淋室(5)相同的工作台、驱动机构，轨道、保持部件，主喷头(25)、辅助喷头(20)、托盘(21)、托盘轴(23)、驱动电机，所述轨道(10)上包括托盘(21)，所述托盘(21)中心连接托盘轴(23)，所述托盘轴(23)连接驱动电机，所述OSP基板(2)放置在托盘(21)上。
9.如权利要求8所述OSP基板的蚀刻清洗设备，其特征在于，所述蚀刻装置包括能通过蚀刻药剂的第一到第五蚀刻药剂供给管(11-15)以及控制器，蚀刻设备腔，所述第一到第五蚀刻药剂供给管分别通入第一到第五蚀刻药剂，其中，第一蚀刻药剂采用硫酸H2SO4，第二蚀刻药剂采用双氧水H2O2，第三蚀刻药剂采用AGS2116,第四蚀刻药剂采用AGS2115，第五蚀刻药剂采用水，在第一至第五蚀刻药剂供给管分别设置有第一至第五开闭阀(17)，第一至第五开闭阀(17)的开闭动作由控制器控制，所述第一到第五蚀刻药剂供给管(11-15)都连通蚀刻设备腔(16)，所述蚀刻设备腔(16)下方设有液体管路(24)、气体管路(19)和喷嘴(9)，所述液体管路(24)下端连接喷嘴(9)，气体管路(19)连通液体管路(24)，所述液体管路(24)上设有开闭阀(17)。
10.如权利要求8所述的OSP基板的蚀刻清洗设备，其特征在于，所述轨道两侧等距分布辅助喷头(20)，辅助喷头(20)由连接臂与工作台固定连接，所述辅助喷头的喷嘴(22)为扁平的长条形。
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