CN104597541A - 通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，包括以红外石英为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明所得到的一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50％Cut on=3000±30nm，50％Cut on=3500±30nm，3050～3400nm，Tavg≥80%，300～6500nm（通带区域除外），Tavg≤0.1%。

Description

通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件

技术领域

本发明涉及红外滤光敏感元件领域，尤其是一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件。

背景技术

红外热成像仪（热成像仪或红外热成像仪）是通过非接触探测红外能量（热量），并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪（热成像仪或红外热成像仪）能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。

红外热成像仪的探测器是实现红外能量（热能）转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量（热能）是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光敏感元件，通过红外滤光敏感元件可以使探测器只接受特定波段的红外能量（热能），保证红外热成像仪的成像结果。

但是，目前的红外滤光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件。

为了达到上述目的，本发明所设计的一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，包括以红外石英为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有103nm厚度的Ge层、455nm厚度的SiO层、66nm厚度的Ge层、265nm厚度的SiO层、189nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO层、141nm厚度的Ge层、145nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、397nm厚度的SiO层、180nm厚度的Ge层、463nm厚度的SiO层、108nm厚度的Ge层、161nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、437nm厚度的SiO层、231nm厚度的Ge层、613nm厚度的SiO层、339nm厚度的Ge层、494nm厚度的SiO层、219nm厚度的Ge层、649nm厚度的SiO层、324nm厚度的Ge层、516nm厚度的SiO层、234nm厚度的Ge层、813nm厚度的SiO层、219nm厚度的Ge层、400nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有75nm厚度的Ge层、203nm厚度的SiO层、72nm厚度的Ge层、102nm厚度的SiO层、90nm厚度的Ge层、191nm厚度的SiO层、51nm厚度的Ge层、160nm厚度的SiO层、75nm厚度的Ge层、197nm厚度的SiO层、97nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、256nm厚度的SiO层、130nm厚度的Ge层、252nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、534nm厚度的SiO层。

上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。

本发明所得到的一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50％Cut on=3000±30nm，50％Cut on=3500±30nm，3050～3400nm，Tavg≥80%，300～6500nm（通带区域除外），Tavg≤0.1%。

附图说明

图1是实施例整体结构示意图。

图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。

图中：第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。

具体实施方式

下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。

实施例1。

如图1和图2所示，本实施例描述的一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，包括以红外石英为原材料的基板2，以Ge、SiO为第一镀膜层1和以Ge、SiO为第二镀膜层3，且所述基板2设于第一镀膜层1与第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有103nm厚度的Ge层、455nm厚度的SiO层、66nm厚度的Ge层、265nm厚度的SiO层、189nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO层、141nm厚度的Ge层、145nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、397nm厚度的SiO层、180nm厚度的Ge层、463nm厚度的SiO层、108nm厚度的Ge层、161nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、437nm厚度的SiO层、231nm厚度的Ge层、613nm厚度的SiO层、339nm厚度的Ge层、494nm厚度的SiO层、219nm厚度的Ge层、649nm厚度的SiO层、324nm厚度的Ge层、516nm厚度的SiO层、234nm厚度的Ge层、813nm厚度的SiO层、219nm厚度的Ge层、400nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有75nm厚度的Ge层、203nm厚度的SiO层、72nm厚度的Ge层、102nm厚度的SiO层、90nm厚度的Ge层、191nm厚度的SiO层、51nm厚度的Ge层、160nm厚度的SiO层、75nm厚度的Ge层、197nm厚度的SiO层、97nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、256nm厚度的SiO层、130nm厚度的Ge层、252nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、534nm厚度的SiO层。

Claims (1)

1.一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，包括以红外石英为原材料的基板（2），以Ge、SiO为第一镀膜层（1）和以Ge、SiO为第二镀膜层（3），且所述基板（2）设于第一镀膜层（1）与第二镀膜层（3）之间，其特征是所述第一镀膜层（1）由内向外依次排列包含有103nm厚度的Ge层、455nm厚度的SiO层、66nm厚度的Ge层、265nm厚度的SiO层、189nm厚度的Ge层、452nm厚度的SiO层、141nm厚度的Ge层、145nm厚度的SiO层、134nm厚度的Ge层、397nm厚度的SiO层、180nm厚度的Ge层、463nm厚度的SiO层、108nm厚度的Ge层、161nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、437nm厚度的SiO层、231nm厚度的Ge层、613nm厚度的SiO层、339nm厚度的Ge层、494nm厚度的SiO层、219nm厚度的Ge层、649nm厚度的SiO层、324nm厚度的Ge层、516nm厚度的SiO层、234nm厚度的Ge层、813nm厚度的SiO层、219nm厚度的Ge层、400nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层（3）由内向外依次排列包含有75nm厚度的Ge层、203nm厚度的SiO层、72nm厚度的Ge层、102nm厚度的SiO层、90nm厚度的Ge层、191nm厚度的SiO层、51nm厚度的Ge层、160nm厚度的SiO层、75nm厚度的Ge层、197nm厚度的SiO层、97nm厚度的Ge层、292nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、256nm厚度的SiO层、130nm厚度的Ge层、252nm厚度的SiO层、119nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、534nm厚度的SiO层。