CN202305861U - 3000到5000纳米带通红外滤光片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种3000到5000纳米带通红外滤光片,包括成分为SI的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层,第一镀膜层包含从内向外依次间隔排列,且厚度不一的Ge层和SiO层;第二镀膜层也包含从内向外依次排列,且厚度不一的Ge层和SiO层;本实用新型得到的3000到5000纳米带通红外滤光片,其Si材质的基板配合表面Ge、SiO材质的镀膜层,实现中心波长定位在3000±1%到5000±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比,配合红外热成像仪使用,使得红外热成像仪的探测器部分接受3000±1%到5000±1%纳米的红外能量,提升红外热成像仪的成像结果。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种红外热成像仪组件,特别是3000到5000纳米带通红外滤光片。
背景技术
红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量),并将其转换为电信号,进而在显示器上生成热图像和温度值,并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化,或测量,使您不仅能够观察热图像,还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。
红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键,由于各种生物所发出来的红外能量(热量)是不同的,所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像,人们往往会在探测器中添加红外滤光片,通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能),保证红外热成像仪的成像结果。
但是,目前用于红外热成像的3000到5000纳米带通红外滤光片,其信噪比低,精度差,不能满足市场发展的需要。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种峰值透过率高,能极大的提高信噪比的3000到5000纳米带通红外滤光片。
为了实现上述目的,本实用新型所设计的3000到5000纳米红外滤光片,包括成分为Si的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层,其特征是所述第一镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为232纳米的SiO层、厚度为75纳米的Ge层、厚度为446纳米的SiO层、厚度为130纳米的Ge层、厚度为203纳米的SiO层、厚度为170纳米的Ge层、厚度为401纳米的SiO层、厚度为93纳米的Ge层、厚度为303纳米的SiO层、厚度为176纳米的Ge层、厚度为332纳米的SiO层、厚度为90纳米的Ge层、厚度为380纳米的SiO层、厚度为172纳米的Ge层、厚度为244纳米的SiO层、厚度为119纳米的Ge层、厚度为413纳米的SiO层、厚度为79纳米的Ge层、厚度为1244纳米的SiO层、厚度为416纳米的Ge层、厚度为893纳米的SiO层、厚度为403纳米的Ge层、厚度为872纳米的SiO层、厚度为401纳米的Ge层、厚度为880纳米的SiO层、厚度为395纳米的Ge层、厚度为901纳米的SiO层、厚度为391纳米的Ge层、厚度为918纳米的SiO层、厚度为394纳米的Ge层、厚度为951纳米的SiO层、厚度为404纳米的Ge层和厚度为431纳米的SiO层;所述第二镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为82纳米的SiO层、厚度为82纳米的Ge层、厚度为159纳米的SiO层、厚度为58纳米的Ge层、厚度为169纳米的SiO层、厚度为61纳米的Ge层、厚度为142纳米的SiO层、厚度为80纳米的Ge层、厚度为146纳米的SiO层、厚度为135纳米的Ge层、厚度为189纳米的SiO层、厚度为90纳米的Ge层、厚度为205纳米的SiO层、厚度为74纳米的Ge层、厚度为181纳米的SiO层、厚度为171纳米的Ge层、厚度为121纳米的SiO层、厚度为142纳米的Ge层和厚度为574纳米的SiO层。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本实用新型得到的3000到5000纳米带通红外滤光片,其Si材质的基板配合表面Ge、SiO材质的镀膜层,使得本发明创造只能让3000到5000纳米波长的红外能量(热能)通过,实现中心波长定位在3000±1%到5000±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比,配合红外热成像仪使用,使得红外热成像仪的光电探测器部分接受3000±1%到5000±1%纳米的红外热能,提升红外热成像仪的成像结果。
附图说明
图1是实施例1的结构示意图;
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
图中:基板1、第一镀膜层11、第二镀膜层12。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
实施例1:
如图1所示,本实施例提供的3000到5000纳米带通红外滤光片,包括成分为Si的基板1以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层11和第二镀膜层12,所述第一镀膜层11包含从内向外依次排列的厚度为232纳米的SiO层、厚度为75纳米的Ge层、厚度为446纳米的SiO层、厚度为130纳米的Ge层、厚度为203纳米的SiO层、厚度为170纳米的Ge层、厚度为401纳米的SiO层、厚度为93纳米的Ge层、厚度为303纳米的SiO层、厚度为176纳米的Ge层、厚度为332纳米的SiO层、厚度为90纳米的Ge层、厚度为380纳米的SiO层、厚度为172纳米的Ge层、厚度为244纳米的SiO层、厚度为119纳米的Ge层、厚度为413纳米的SiO层、厚度为79纳米的Ge层、厚度为1244纳米的SiO层、厚度为416纳米的Ge层、厚度为893纳米的SiO层、厚度为403纳米的Ge层、厚度为872纳米的SiO层、厚度为401纳米的Ge层、厚度为880纳米的SiO层、厚度为395纳米的Ge层、厚度为901纳米的SiO层、厚度为391纳米的Ge层、厚度为918纳米的SiO层、厚度为394纳米的Ge层、厚度为951纳米的SiO层、厚度为404纳米的Ge层和厚度为431纳米的SiO层;所述第二镀膜层12包含从内向外依次排列的厚度为82纳米的SiO层、厚度为82纳米的Ge层、厚度为159纳米的SiO层、厚度为58纳米的Ge层、厚度为169纳米的SiO层、厚度为61纳米的Ge层、厚度为142纳米的SiO层、厚度为80纳米的Ge层、厚度为146纳米的SiO层、厚度为135纳米的Ge层、厚度为189纳米的SiO层、厚度为90纳米的Ge层、厚度为205纳米的SiO层、厚度为74纳米的Ge层、厚度为181纳米的SiO层、厚度为171纳米的Ge层、厚度为121纳米的SiO层、厚度为142纳米的Ge层和厚度为574纳米的SiO层。
上述中的硅(Si)、一氧化硅(SiO)和锗(Ge)材质都为现有市场内可直接购买的材质,故在此不多做详细介绍。
本实施例提供的滤光率的具体实测结果如图2所示。
本实施例中Si材质的基板配合表面Ge、SiO材质的镀膜层,实现中心波长定位在3000±1%到5000±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比,配合红外热成像仪使用,使得红外热成像仪的探测器部分接受3000±1%到5000±1%纳米的红外能量(热能),提升红外热成像仪的成像结果。
Claims (1)
1.一种3000到5000纳米带通红外滤光片,包括成分为Si的基板(1)以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层(11)和第二镀膜层(12),其特征是所述第一镀膜层(11)包含从内向外依次排列的厚度为232纳米的SiO层、厚度为75纳米的Ge层、厚度为446纳米的SiO层、厚度为130纳米的Ge层、厚度为203纳米的SiO层、厚度为170纳米的Ge层、厚度为401纳米的SiO层、厚度为93纳米的Ge层、厚度为303纳米的SiO层、厚度为176纳米的Ge层、厚度为332纳米的SiO层、厚度为90纳米的Ge层、厚度为380纳米的SiO层、厚度为172纳米的Ge层、厚度为244纳米的SiO层、厚度为119纳米的Ge层、厚度为413纳米的SiO层、厚度为79纳米的Ge层、厚度为1244纳米的SiO层、厚度为416纳米的Ge层、厚度为893纳米的SiO层、厚度为403纳米的Ge层、厚度为872纳米的SiO层、厚度为401纳米的Ge层、厚度为880纳米的SiO层、厚度为395纳米的Ge层、厚度为901纳米的SiO层、厚度为391纳米的Ge层、厚度为918纳米的SiO层、厚度为394纳米的Ge层、厚度为951纳米的SiO层、厚度为404纳米的Ge层和厚度为431纳米的SiO层;所述第二镀膜层(12)包含从内向外依次排列的厚度为82纳米的SiO层、厚度为82纳米的Ge层、厚度为159纳米的SiO层、厚度为58纳米的Ge层、厚度为169纳米的SiO层、厚度为61纳米的Ge层、厚度为142纳米的SiO层、厚度为80纳米的Ge层、厚度为146纳米的SiO层、厚度为135纳米的Ge层、厚度为189纳米的SiO层、厚度为90纳米的Ge层、厚度为205纳米的SiO层、厚度为74纳米的Ge层、厚度为181纳米的SiO层、厚度为171纳米的Ge层、厚度为121纳米的SiO层、厚度为142纳米的Ge层和厚度为574纳米的SiO层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012200908249U CN202305861U (zh) | 2012-03-12 | 2012-03-12 | 3000到5000纳米带通红外滤光片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012200908249U CN202305861U (zh) | 2012-03-12 | 2012-03-12 | 3000到5000纳米带通红外滤光片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN202305861U true CN202305861U (zh) | 2012-07-04 |
Family
ID=46374730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012200908249U Expired - Lifetime CN202305861U (zh) | 2012-03-12 | 2012-03-12 | 3000到5000纳米带通红外滤光片 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN202305861U (zh) |
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GR01 | Patent grant | ||
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