CN205749965U - 应用于红外敏感元件的红外滤光片 - Google Patents

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王继平
吕晶
胡伟琴
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Hangzhou Mai peak Polytron Technologies Inc
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Abstract

本实用新型所设计的应用于红外敏感元件的红外滤光片，包括成分为Si单晶硅的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层，其特征是所述第一镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为110纳米的Ge层、厚度为319纳米的ZnS层、厚度为149纳米的Ge层、厚度为583纳米的ZnS层、厚度为1000纳米的YF3层、厚度为239纳米的ZnS层、所述第二镀膜层是厚度为1100纳米的C层。本实用新型得到的应用于红外敏感元件的红外滤光片，其Si单晶硅的基板配合表面的镀膜层，实现中心波长定位在8000到14000纳米，峰值透过率达80％以上，同时一面膜系结构降到6层，另一面直接为单层膜系结构，大大的简化了整体结构，从而提高了生产效率，降低了生产成本。

Description

应用于红外敏感元件的红外滤光片
技术领域
本实用新型涉及一种红外热成像仪组件，特别是应用于红外敏感元件的红外滤光片。
背景技术
红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。
红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光片，通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能)，保证红外热成像仪的成像结果。
但是，目前的红外滤光片，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比，且膜系结构简单的应用于红外敏感元件的红外滤光片。
为了达到上述目的，本实用新型所设计的应用于红外敏感元件的红外滤光片，包括成分为Si单晶硅的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层，其特征是所述第一镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为110纳米的Ge层、厚度为319纳米的ZnS层、厚度为149纳米的Ge层、厚度为583纳米的ZnS层、厚度为1000纳米的YF3层、厚度为239纳米的ZnS层、所述第二镀膜层是厚度为1100纳米的C层。
上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本实用新型得到的应用于红外敏感元件的红外滤光片，其Si单晶硅的基板配合表面的镀膜层，实现中心波长定位在8000到14000纳米，峰值透过率达80％以上，同时一面膜系结构降到6层，另一面直接为单层膜系结构，大大的简化了整体结构，从而提高了生产效率，降低了生产成本。
附图说明
图1是实施例整体结构示意图。
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
图中：第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
实施例1。
如图1、图2所示，本实施例描述的本实用新型所设计的应用于红外敏感元件的红外滤光片，包括成分为Si单晶硅的基板2以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层1和第二镀膜层3，所述第一镀膜层1包含从内向外依次排列的厚度为110纳米的Ge层、厚度为319纳米的ZnS层、厚度为149纳米的Ge层、厚度为583纳米的ZnS层、厚度为1000纳米的YF3层、厚度为239纳米的ZnS层、所述第二镀膜层3是厚度为1100纳米的C层。

Claims (1)

1.一种应用于红外敏感元件的红外滤光片，包括成分为Si单晶硅的基板(2)以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层(1)和第二镀膜层(3)，其特征是所述第一镀膜层(1)包含从内向外依次排列的厚度为110纳米的Ge层、厚度为319纳米的ZnS层、厚度为149纳米的Ge层、厚度为583纳米的ZnS层、厚度为1000纳米的YF3层、厚度为239纳米的ZnS层、所述第二镀膜层(3)是厚度为1100纳米的C层。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105589121A (zh) * 2015-12-30 2016-05-18 杭州麦乐克电子科技有限公司 应用于红外敏感元件的红外滤光片
CN107746187A (zh) * 2017-09-20 2018-03-02 湖北森浤光学有限公司 一种镀dlc膜的红外硫系玻璃镜片及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105589121A (zh) * 2015-12-30 2016-05-18 杭州麦乐克电子科技有限公司 应用于红外敏感元件的红外滤光片
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