CN105487154A - 通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明所得到的通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光片具有以下特性：T＝50％3650±50nm、4950±50nm；3750～4850nm，Tavg≥92％；3950～4700nm，T≥90％；1500～3450nm、5200～7000nm，T≤1％。

Description

通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片

技术领域

本发明涉及红外滤光片领域，尤其是一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片。

背景技术

红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。

红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光片，通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能)，保证红外热成像仪的成像结果。

但是，目前的红外滤光片，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片。

为了达到上述目的，本发明所设计的一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的SiO层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的SiO层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的SiO层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的SiO层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的SiO层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的SiO层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的SiO层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的SiO层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的SiO层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的Ge层、975nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层。

上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。

本发明所得到的一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光片具有以下特性：T＝50％3650±50nm、4950±50nm；3750～4850nm，Tavg≥92％；3950～4700nm，T≥90％；1500～3450nm、5200～7000nm，T≤1％。

附图说明

图1是实施例整体结构示意图。

图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。

图中：第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。

具体实施方式

下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。

实施例1。

如图1、图2所示，本实施例描述的通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板2，以Ge、SiO为第一镀膜层1和以Ge、ZnS为第二镀膜层3，且所述基板2设于第一镀膜层1与第二镀膜层3之间，其特征是所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的SiO层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的SiO层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的SiO层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的SiO层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的SiO层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的SiO层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的SiO层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的SiO层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的SiO层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的Ge层、975nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层。

Claims (1)

1.一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板(2)，以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、ZnS为第二镀膜层(3)，且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间，其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的SiO层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的SiO层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的SiO层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的SiO层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的SiO层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的SiO层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的SiO层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的SiO层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的SiO层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的Ge层、975nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层。