CN204374473U - 通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Si、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50％Cut on=4200±20nm，50％Cut on=4450±20nm，4250～4400nm，T≥88%，Tavg≥92%，1000～4000nm，4600～7000nm，T≤3%。

Description

通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件

技术领域

本实用新型涉及红外滤光敏感元件领域，尤其是一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件。

背景技术

红外热成像仪（热成像仪或红外热成像仪）是通过非接触探测红外能量（热量），并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪（热成像仪或红外热成像仪）能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。

红外热成像仪的探测器是实现红外能量（热能）转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量（热能）是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光敏感元件，通过红外滤光敏感元件可以使探测器只接受特定波段的红外能量（热能），保证红外热成像仪的成像结果。

但是，目前的红外滤光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件。

为了达到上述目的，本实用新型所设计的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Si、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有127nm厚度的Ge层、253nm厚度的SiO层、127nm厚度的Ge层、283nm厚度的SiO层、109nm厚度的Ge层、260nm厚度的SiO层、150nm厚度的Ge层、247nm厚度的SiO层、243nm厚度的Ge层、328nm厚度的SiO层、165nm厚度的Ge层、317nm厚度的SiO层、128nm厚度的Ge层、609nm厚度的SiO层、260nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、93nm厚度的Ge层、612nm厚度的SiO层、265nm厚度的Ge层、1073nm厚度的SiO层、335nm厚度的Ge层、881nm厚度的SiO层、393nm厚度的Ge层、860nm厚度的SiO层、408nm厚度的Ge层、438nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有106nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、2500nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、572nm厚度的SiO层、326nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的SiO层、369nm厚度的Si层、499nm厚度的SiO层、300nm厚度的Si层、731nm厚度的SiO层。

上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。

本实用新型所得到的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50％Cut on=4200±20nm，50％Cut on=4450±20nm，4250～4400nm，T≥88%，Tavg≥92%，1000～4000nm，4600～7000nm，T≤3%。

附图说明

图1是实施例整体结构示意图。

图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。

图中：第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。

具体实施方式

下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。

实施例1。

如图1、图2所示，本实施例描述的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板2，以Ge、SiO为第一镀膜层1和以Si、SiO为第二镀膜层3，且所述基板2设于第一镀膜层1与第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有127nm厚度的Ge层、253nm厚度的SiO层、127nm厚度的Ge层、283nm厚度的SiO层、109nm厚度的Ge层、260nm厚度的SiO层、150nm厚度的Ge层、247nm厚度的SiO层、243nm厚度的Ge层、328nm厚度的SiO层、165nm厚度的Ge层、317nm厚度的SiO层、128nm厚度的Ge层、609nm厚度的SiO层、260nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、93nm厚度的Ge层、612nm厚度的SiO层、265nm厚度的Ge层、1073nm厚度的SiO层、335nm厚度的Ge层、881nm厚度的SiO层、393nm厚度的Ge层、860nm厚度的SiO层、408nm厚度的Ge层、438nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有106nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、2500nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、572nm厚度的SiO层、326nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的SiO层、369nm厚度的Si层、499nm厚度的SiO层、300nm厚度的Si层、731nm厚度的SiO层。

Claims (1)

1. 一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板（2），以Ge、SiO为第一镀膜层（1）和以Si、SiO为第二镀膜层（3），且所述基板（2）设于第一镀膜层（1）与第二镀膜层（3）之间，其特征是所述第一镀膜层（1）由内向外依次排列包含有127nm厚度的Ge层、253nm厚度的SiO层、127nm厚度的Ge层、283nm厚度的SiO层、109nm厚度的Ge层、260nm厚度的SiO层、150nm厚度的Ge层、247nm厚度的SiO层、243nm厚度的Ge层、328nm厚度的SiO层、165nm厚度的Ge层、317nm厚度的SiO层、128nm厚度的Ge层、609nm厚度的SiO层、260nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、93nm厚度的Ge层、612nm厚度的SiO层、265nm厚度的Ge层、1073nm厚度的SiO层、335nm厚度的Ge层、881nm厚度的SiO层、393nm厚度的Ge层、860nm厚度的SiO层、408nm厚度的Ge层、438nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层（3）由内向外依次排列包含有106nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、2500nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、572nm厚度的SiO层、326nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的SiO层、369nm厚度的Si层、499nm厚度的SiO层、300nm厚度的Si层、731nm厚度的SiO层。