CN204374467U - 4600nm带通红外滤光敏感元件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种4600nm带通红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种4600nm带通红外滤光敏感元件，其中心波长4600 ±40nm，其在医用红外气体检测分析过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70％，带宽=138±20nm，400～5500nm（除通带外），Tavg<0.1%。

Description

4600nm带通红外滤光敏感元件

技术领域

本实用新型涉及医用红外气体检测滤光敏感元件，尤其是一种4600nm带通红外滤光敏感元件。

背景技术

红外滤光敏感元件过滤、截止可见光同时允许通过红外线。红外线的波长很容易地穿透任何的物体，也就是红外线在经过物体时不会发生折射。利用红外线的这个特性，只让长波长的红外线通过，滤除短波长的紫外线和可见光。应用于很多领域，目前对于医用红外气体检测过程中所使用的滤光敏感元件存在的问题是透过率和截止区的信噪比不高，不能满足高精度的测量要求。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的4600nm带通红外滤光敏感元件。

为了达到上述目的，本实用新型所设计的一种4600nm带通红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有120nm厚度的Ge层、257nm厚度的SiO层、110nm厚度的Ge层、267nm厚度的SiO层、112nm厚度的Ge层、278nm厚度的SiO层、161nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、110nm厚度的Ge层、239nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、294nm厚度的SiO层、233nm厚度的Ge层、287nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、393nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、201nm厚度的SiO层、270nm厚度的Ge层、303nm厚度的SiO层、325nm厚度的Ge层、284nm厚度的SiO层、71nm厚度的Ge层、180nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、1308nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、566nm厚度的Ge层、602nm厚度的SiO层、259nm厚度的Ge层、150nm厚度的SiO层。

上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。

本实用新型所得到的一种4600nm带通红外滤光敏感元件，其中心波长4600 ±40nm，其在医用红外气体检测分析过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70％，带宽=138±20nm，400～5500nm（除通带外），Tavg<0.1%。

附图说明

图1是实施例整体结构示意图。

图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。

图中：第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。

具体实施方式

下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。

实施例1。

如图1、图2所示，本实施例描述的一种4600nm带通红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板2，以Ge、SiO为第一镀膜层1和以Ge、SiO为第二镀膜层3，且所述基板2设于第一镀膜层1与第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有120nm厚度的Ge层、257nm厚度的SiO层、110nm厚度的Ge层、267nm厚度的SiO层、112nm厚度的Ge层、278nm厚度的SiO层、161nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、110nm厚度的Ge层、239nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、294nm厚度的SiO层、233nm厚度的Ge层、287nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、393nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、201nm厚度的SiO层、270nm厚度的Ge层、303nm厚度的SiO层、325nm厚度的Ge层、284nm厚度的SiO层、71nm厚度的Ge层、180nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、1308nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、566nm厚度的Ge层、602nm厚度的SiO层、259nm厚度的Ge层、150nm厚度的SiO层。

Claims (1)

1.一种4600nm带通红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板（2），以Ge、SiO为第一镀膜层（1）和以Ge、SiO为第二镀膜层（3），且所述基板（2）设于第一镀膜层（1）与第二镀膜层（3）之间，其特征是所述第一镀膜层（1）由内向外依次排列包含有120nm厚度的Ge层、257nm厚度的SiO层、110nm厚度的Ge层、267nm厚度的SiO层、112nm厚度的Ge层、278nm厚度的SiO层、161nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、110nm厚度的Ge层、239nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、294nm厚度的SiO层、233nm厚度的Ge层、287nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、393nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、201nm厚度的SiO层、270nm厚度的Ge层、303nm厚度的SiO层、325nm厚度的Ge层、284nm厚度的SiO层、71nm厚度的Ge层、180nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层（3）由内向外依次排列包含有283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、1308nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、566nm厚度的Ge层、602nm厚度的SiO层、259nm厚度的Ge层、150nm厚度的SiO层。