CN203551822U - 中心波长2230nm的水分测试滤光片 - Google Patents

中心波长2230nm的水分测试滤光片 Download PDF

Info

Publication number
CN203551822U
CN203551822U CN201320777829.3U CN201320777829U CN203551822U CN 203551822 U CN203551822 U CN 203551822U CN 201320777829 U CN201320777829 U CN 201320777829U CN 203551822 U CN203551822 U CN 203551822U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
thickness
sio
optical filter
sio2
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201320777829.3U
Other languages
English (en)
Inventor
王继平
吕晶
胡伟琴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Multi Ir Technology Co ltd
Original Assignee
MULTI IR OPTOELECTRONICS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MULTI IR OPTOELECTRONICS CO Ltd filed Critical MULTI IR OPTOELECTRONICS CO Ltd
Priority to CN201320777829.3U priority Critical patent/CN203551822U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203551822U publication Critical patent/CN203551822U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本实用新型所设计的一种测试精度高、能极大提高信噪比的中心波长2230nm的水分测试滤光片,包括以BK7为原材料的基板,以Si、SiO为第一镀膜层和以Si、SiO2为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,该中心波长2230nm的水分测试滤光片,其中心波长2230±5nm,其在水分测量过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度。该滤光片的峰值透过率Tp≥80%、带宽=20±5nm,1000~3000nm(除通带外),Tavg<0.5%。

Description

中心波长2230nm的水分测试滤光片
技术领域
本实用新型涉及水分测试滤光片,尤其是一种中心波长2230nm的水分测试滤光片。
背景技术
红外滤光片过滤、截止可见光同时允许通过红外线。红外线的波长很容易地穿透任何的物体,也就是红外线在经过物体时不会发生折射。利用红外线的这个特性,只让长波长的红外线通过,滤除短波长的紫外线和可见光。应用于很多领域,目前对于水分测试过程中所使用的滤光片存在的问题是透过率和截止区的信噪比不高,不能满足高精度的测量要求。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的中心波长2230nm的水分测试滤光片。
为了达到上述目的,本实用新型所设计的中心波长2230nm的水分测试滤光片,包括以BK7为原材料的基板,以Si、SiO为第一镀膜层和以Si、SiO2为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:60nm厚度的Si层、116nm厚度的SiO层、67nm厚度的Si层、108nm厚度的SiO层、66nm厚度的Si层、139nm厚度的SiO层、67nm厚度的Si层、101nm厚度的SiO层、85nm厚度的Si层、150nm厚度的SiO层、62nm厚度的Si层、117nm厚度的SiO层、89nm厚度的Si层、191nm厚度的SiO层、89nm厚度的Si层、187nm厚度的SiO层、100nm厚度的Si层、163nm厚度的SiO层、114nm厚度的Si层、186nm厚度的SiO层、116nm厚度的Si层、177nm厚度的SiO层、78nm厚度的Si层、249nm厚度的SiO层、146nm厚度的Si层、612nm厚度的SiO层、154nm厚度的Si层、327nm厚度的SiO层、282nm厚度的Si层和131nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、2268nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、1512nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、292nm厚度的Si层和230nm厚度的SiO2层。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本实用新型所得到的中心波长2230nm的水分测试滤光片,其中心波长2230±5nm,其在水分测量过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度。该滤光片的峰值透过率Tp≥80%、带宽=20±5nm,1000~3000nm(除通带外),Tavg<0.5%。
附图说明
图1是实施例整体结构示意图;
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
实施例1:
如图1、图2所示,本实施例描述的中心波长2230nm的水分测试滤光片,包括以BK7为原材料的基板2,以Si、SiO为第一镀膜层1和以Si、SiO2为第二镀膜层3,且所述基板2位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间,所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有:60nm厚度的Si层、116nm厚度的SiO层、67nm厚度的Si层、108nm厚度的SiO层、66nm厚度的Si层、139nm厚度的SiO层、67nm厚度的Si层、101nm厚度的SiO层、85nm厚度的Si层、150nm厚度的SiO层、62nm厚度的Si层、117nm厚度的SiO层、89nm厚度的Si层、191nm厚度的SiO层、89nm厚度的Si层、187nm厚度的SiO层、100nm厚度的Si层、163nm厚度的SiO层、114nm厚度的Si层、186nm厚度的SiO层、116nm厚度的Si层、177nm厚度的SiO层、78nm厚度的Si层、249nm厚度的SiO层、146nm厚度的Si层、612nm厚度的SiO层、154nm厚度的Si层、327nm厚度的SiO层、282nm厚度的Si层和131nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、2268nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、1512nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、292nm厚度的Si层和230nm厚度的SiO2层。

Claims (1)

1.一种中心波长2230nm的水分测试滤光片,包括以BK7为原材料的基板,以Si、SiO为第一镀膜层和以Si、SiO2为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,其特征是:所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:60nm厚度的Si层、116nm厚度的SiO层、67nm厚度的Si层、108nm厚度的SiO层、66nm厚度的Si层、139nm厚度的SiO层、67nm厚度的Si层、101nm厚度的SiO层、85nm厚度的Si层、150nm厚度的SiO层、62nm厚度的Si层、117nm厚度的SiO层、89nm厚度的Si层、191nm厚度的SiO层、89nm厚度的Si层、187nm厚度的SiO层、100nm厚度的Si层、163nm厚度的SiO层、114nm厚度的Si层、186nm厚度的SiO层、116nm厚度的Si层、177nm厚度的SiO层、78nm厚度的Si层、249nm厚度的SiO层、146nm厚度的Si层、612nm厚度的SiO层、154nm厚度的Si层、327nm厚度的SiO层、282nm厚度的Si层和131nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、2268nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、1512nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、156nm厚度的Si层、378nm厚度的SiO2层、292nm厚度的Si层和230nm厚度的SiO2层。
CN201320777829.3U 2013-11-29 2013-11-29 中心波长2230nm的水分测试滤光片 Expired - Lifetime CN203551822U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320777829.3U CN203551822U (zh) 2013-11-29 2013-11-29 中心波长2230nm的水分测试滤光片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320777829.3U CN203551822U (zh) 2013-11-29 2013-11-29 中心波长2230nm的水分测试滤光片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203551822U true CN203551822U (zh) 2014-04-16

Family

ID=50469919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320777829.3U Expired - Lifetime CN203551822U (zh) 2013-11-29 2013-11-29 中心波长2230nm的水分测试滤光片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203551822U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104714265A (zh) * 2015-04-10 2015-06-17 苏州奥科辉光电科技有限公司 一种3.46微米窄带滤光片及其制作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104714265A (zh) * 2015-04-10 2015-06-17 苏州奥科辉光电科技有限公司 一种3.46微米窄带滤光片及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106990466B (zh) 一种窄带滤光片及其制备方法
CN202472022U (zh) 4530纳米带通红外滤光片
CN105842770A (zh) 一种co2气体检测用红外滤光片及其制备方法
CN202275174U (zh) 3400纳米带通红外滤光片
CN203551822U (zh) 中心波长2230nm的水分测试滤光片
CN103713344B (zh) 中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片
CN202275177U (zh) 4260纳米带通红外滤光片
CN203551825U (zh) 中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片
CN204389725U (zh) 一种双峰滤光片
CN103335600B (zh) 基于双f-p干涉仪的比值条纹计数法及其位移传感器解调系统
CN204374467U (zh) 4600nm带通红外滤光敏感元件
CN202472020U (zh) 4640纳米带通红外滤光片
CN202305861U (zh) 3000到5000纳米带通红外滤光片
CN103713349B (zh) 中心波长6557nm的医用红外气体检测分析滤光片
CN203551818U (zh) 透过波长3700nm以上的航空尾气气体检测滤光片
CN104597549A (zh) 4600nm带通红外滤光敏感元件
CN102540313A (zh) 7.6微米前截止红外滤光片及其制作方法
CN204374474U (zh) 4430nm带通红外滤光敏感元件
CN203572995U (zh) 中心波长6557nm的医用红外气体检测分析滤光片
CN203551823U (zh) 中心波长4800nm的航空尾气气体检测滤光片
CN203551828U (zh) 通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片
CN203572996U (zh) 中心波长1450nm的水分测试滤光片
CN203551821U (zh) 观察图形光谱的天文滤光片
CN204374466U (zh) 4270nm带通红外滤光敏感元件
CN202472016U (zh) 1680纳米带通红外滤光片

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Xingguo Qianjiang Economic Development Zone 503-2-101 311188 Hangzhou Road, Zhejiang Province

Patentee after: HANGZHOU MULTI IR TECHNOLOGY CO.,LTD.

Address before: Xingguo Qianjiang Economic Development Zone 503-2-101 311188 Hangzhou Road, Zhejiang Province

Patentee before: MULTI IR OPTOELECTRONICS Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140416