CN202275174U - 3400纳米带通红外滤光片 - Google Patents

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吕晶
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Hangzhou Mai peak Polytron Technologies Inc
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Abstract

本实用新型公开了一种3400纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层,基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,主要是第一镀膜层包含了由内到外依次排列不同厚度的镀膜材料SiO层和Ge层,第二镀膜层包含了有内到外依次排列不同厚度的镀膜材料SiO层和Ge层。本实用新型得到的3400纳米带通红外滤光片,红外滤光片波长在3400nm时可对甲烷气体进行准确的测试,可测出准确的测试结果。该滤光片能实现中心波长定位为3400±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比。

Description

3400纳米带通红外滤光片
技术领域
本实用新型涉及一种滤光片,特别是3400纳米带通红外滤光片。
背景技术
对于许多安全性要求严格的场合都需对可燃气体浓度的测定,天然气是一种可燃气体,它主要包括主要成分的甲烷、烃类、惰性气体和痕量成分,故需要对天然气检测,检测器把气体浓度作为气体混合物的爆炸下限的百分数来测定。
可利用具有与甲烷的吸收波长之一相等的峰透射波长的滤光片,通过红外光谱在理论上能够测定气体混合物中的可燃气体成分(比如甲烷)的浓度,滤光片和光源共同限定出一个选定的波长范围,在该范围内对气体混合物进行光谱测定,以便看是否为安全范围的浓度,然而天然气的成分不是单一的对于测定现在检测器普遍都受其它成分的影响,对测试的气体混合物的爆炸下限的准确度出现了偏差。
但是,目前用于测量甲烷的3400纳米带通红外滤光片,其信噪比低,精度差,不能满足市场发展的需要。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种峰值透过率高,能极大的提高信噪比的3400纳米带通红外滤光片。
为了实现上述目的,本实用新型所设计的3400纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层,基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,其特征是第一镀膜层包含由内到外依次排列263nm厚度的SiO层、73nm厚度的Ge层、330nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、276nm厚度的SiO层、95nm厚度的Ge层、278nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、256nm厚度的SiO层、62nm厚度的Ge层、514nm厚度的SiO层、185nm厚度的Ge层、178nm厚度的SiO层、77nm厚度的Ge层、557nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、923nm厚度的SiO层、275nm厚度的Ge层、776nm厚度的SiO层、362nm厚度的Ge层、786nm厚度的SiO层、353nm厚度的Ge层、748nm厚度的SiO层、422nm厚度的Ge层、1067nm厚度的SiO层、466nm厚度的Ge层、1041nm厚度的SiO层、477nm厚度的Ge层、528nm厚度的SiO层;第二镀膜层包含由内到外依次排列的928nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、928nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、943nm厚度的SiO层、195nm厚度的Ge层、854nm厚度的SiO层。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本实用新型得到的3400纳米带通红外滤光片,红外滤光片波长在3400nm时可对甲烷气体进行准确的测试,可测出准确的测试结果。该滤光片能实现中心波长定位为3400±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比。
附图说明
图1是实施例整体结构示意图;
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
实施例:
如图1所示,本实施例提供的3400纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板2、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层1和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层3,基板2位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间,第一镀膜层1包含由内到外依次排列263nm厚度的SiO层、73nm厚度的Ge层、330nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、276nm厚度的SiO层、95nm厚度的Ge层、278nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、256nm厚度的SiO层、62nm厚度的Ge层、514nm厚度的SiO层、185nm厚度的Ge层、178nm厚度的SiO层、77nm厚度的Ge层、557nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、923nm厚度的SiO层、275nm厚度的Ge层、776nm厚度的SiO层、362nm厚度的Ge层、786nm厚度的SiO层、353nm厚度的Ge层、748nm厚度的SiO层、422nm厚度的Ge层、1067nm厚度的SiO层、466nm厚度的Ge层、1041nm厚度的SiO层、477nm厚度的Ge层、528nm厚度的SiO层;第二镀膜层3包含由内到外依次排列的928nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、928nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、943nm厚度的SiO层、195nm厚度的Ge层、854nm厚度的SiO层。
如图2所示,本实施例得到的3400纳米带通红外滤光片,能实现中心波长定位为3400±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比。

Claims (1)

1.一种3400纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板(2)、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层(3),基板(2)位于第一镀膜层(1)和第二镀膜层(3)之间,其特征是第一镀膜层(1)包含由内到外依次排列263nm厚度的SiO层、73nm厚度的Ge层、330nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、276nm厚度的SiO层、95nm厚度的Ge层、278nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、256nm厚度的SiO层、62nm厚度的Ge层、514nm厚度的SiO层、185nm厚度的Ge层、178nm厚度的SiO层、77nm厚度的Ge层、557nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、923nm厚度的SiO层、275nm厚度的Ge层、776nm厚度的SiO层、362nm厚度的Ge层、786nm厚度的SiO层、353nm厚度的Ge层、748nm厚度的SiO层、422nm厚度的Ge层、1067nm厚度的SiO层、466nm厚度的Ge层、1041nm厚度的SiO层、477nm厚度的Ge层、528nm厚度的SiO层;第二镀膜层(3)包含由内到外依次排列的928nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、928nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、943nm厚度的SiO层、195nm厚度的Ge层、854nm厚度的SiO层。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103105635A (zh) * 2013-02-07 2013-05-15 杭州麦乐克电子科技有限公司 滤光透镜
CN104597541A (zh) * 2014-12-07 2015-05-06 杭州麦乐克电子科技有限公司 通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件
CN104714265A (zh) * 2015-04-10 2015-06-17 苏州奥科辉光电科技有限公司 一种3.46微米窄带滤光片及其制作方法
CN106125184A (zh) * 2016-08-30 2016-11-16 镇江爱豪科思电子科技有限公司 一种甲醛气体检测用红外滤光片及其制备方法
CN106405708A (zh) * 2016-08-30 2017-02-15 镇江爱豪科思电子科技有限公司 一种甲烷气体检测用红外滤光片及其制备方法
CN111323862A (zh) * 2020-03-11 2020-06-23 上海翼捷工业安全设备股份有限公司 抗阳光干扰火焰探测用红外滤光片及其制备方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103105635A (zh) * 2013-02-07 2013-05-15 杭州麦乐克电子科技有限公司 滤光透镜
CN104597541A (zh) * 2014-12-07 2015-05-06 杭州麦乐克电子科技有限公司 通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件
CN104714265A (zh) * 2015-04-10 2015-06-17 苏州奥科辉光电科技有限公司 一种3.46微米窄带滤光片及其制作方法
CN106125184A (zh) * 2016-08-30 2016-11-16 镇江爱豪科思电子科技有限公司 一种甲醛气体检测用红外滤光片及其制备方法
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CN106125184B (zh) * 2016-08-30 2019-01-25 镇江爱豪科思电子科技有限公司 一种甲醛气体检测用红外滤光片及其制备方法
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