CN203551817U - 透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片 - Google Patents

透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片 Download PDF

Info

Publication number
CN203551817U
CN203551817U CN201320777688.5U CN201320777688U CN203551817U CN 203551817 U CN203551817 U CN 203551817U CN 201320777688 U CN201320777688 U CN 201320777688U CN 203551817 U CN203551817 U CN 203551817U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
thickness
sio
optical filter
flame detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201320777688.5U
Other languages
English (en)
Inventor
王继平
吕晶
余初旺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Multi Ir Technology Co ltd
Original Assignee
MULTI IR OPTOELECTRONICS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MULTI IR OPTOELECTRONICS CO Ltd filed Critical MULTI IR OPTOELECTRONICS CO Ltd
Priority to CN201320777688.5U priority Critical patent/CN203551817U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203551817U publication Critical patent/CN203551817U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

本实用新型所设计的一种峰值透过率高,能极大的提高信噪比,提高火焰探测精度的透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Si、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,该透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片,其T=50%,波长:2400±200nm,在火焰探测过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度。该滤光片2460~3600nnm、Tavg≥92%,400~2350nm、Tavg≤0.5%。

Description

透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片
技术领域
本实用新型涉及红外滤光片领域,尤其是一种透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片。
背景技术
在自然界,任何物体在绝对零度(-273度)以上,都有红外谱线发出,而每种物质都有其特殊的发射或吸收特征峰。滤光片过滤、截止可见光同时允许特定的红外线通过。利用带通红外滤光片的这种允许物体的特征红外谱线透过的特性,可以探测出特定物质的存在,广泛应用于安防、环保、工业、科研等。滤光片的质量直接影响探测的精度和灵敏度。由于任何物体都在发出红外线,温度越高,辐射的红外线越强。在用于火焰探测中红外滤光片可以通过指定的红外线,因此对滤光片检测的要求精度要高。就目前用于火焰探测中的滤光片,检测精度不高、透过率和信噪比低,精度差,有时候出现误测的现象,不能满足市场发展的需要。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种峰值透过率高,能极大的提高信噪比,提高火焰探测精度的透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片。
为了达到上述目的,本实用新型所设计的透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Si、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:189nm厚度的Si层、129nm厚度的SiO层、90nm厚度的Si层、272nm厚度的SiO层、91nm厚度的Si层、232nm厚度的SiO层、118nm厚度的Si层、238nm厚度的SiO层、98nm厚度的Si层、262nm厚度的SiO层、115nm厚度的Si层、217nm厚度的SiO层、104nm厚度的Si层、279nm厚度的SiO层、106nm厚度的Si层、170nm厚度的SiO层、122nm厚度的Si层和480nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:100nm厚度的Ge层、102nm厚度的SiO层、69nm厚度的Ge层、165nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层、156nm厚度的SiO层、75nm厚度的Ge层、119nm厚度的SiO层、62nm厚度的Ge层、177nm厚度的SiO层、56nm厚度的Ge层、277nm厚度的SiO层、99nm厚度的Ge层、125nm厚度的SiO层、127nm厚度的Ge层和437nm厚度的SiO层。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本实用新型所得到的透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片,其T=50%,波长:2400±200nm,在火焰探测过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度。该滤光片2460~3600nnm、Tavg≥92%,400~2350nm、Tavg≤0.5%。
附图说明
图1是实施例整体结构示意图;
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
实施例1:
如图1、图2所示,本实施例描述的透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片,包括以Si为原材料的基板2,以Si、SiO为第一镀膜层1和以Ge、SiO为第二镀膜层3,且所述基板2位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间,所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有:189nm厚度的Si层、129nm厚度的SiO层、90nm厚度的Si层、272nm厚度的SiO层、91nm厚度的Si层、232nm厚度的SiO层、118nm厚度的Si层、238nm厚度的SiO层、98nm厚度的Si层、262nm厚度的SiO层、115nm厚度的Si层、217nm厚度的SiO层、104nm厚度的Si层、279nm厚度的SiO层、106nm厚度的Si层、170nm厚度的SiO层、122nm厚度的Si层和480nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:100nm厚度的Ge层、102nm厚度的SiO层、69nm厚度的Ge层、165nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层、156nm厚度的SiO层、75nm厚度的Ge层、119nm厚度的SiO层、62nm厚度的Ge层、177nm厚度的SiO层、56nm厚度的Ge层、277nm厚度的SiO层、99nm厚度的Ge层、125nm厚度的SiO层、127nm厚度的Ge层和437nm厚度的SiO层。

Claims (1)

1.一种透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Si、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,其特征是:所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:189nm厚度的Si层、129nm厚度的SiO层、90nm厚度的Si层、272nm厚度的SiO层、91nm厚度的Si层、232nm厚度的SiO层、118nm厚度的Si层、238nm厚度的SiO层、98nm厚度的Si层、262nm厚度的SiO层、115nm厚度的Si层、217nm厚度的SiO层、104nm厚度的Si层、279nm厚度的SiO层、106nm厚度的Si层、170nm厚度的SiO层、122nm厚度的Si层和480nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:100nm厚度的Ge层、102nm厚度的SiO层、69nm厚度的Ge层、165nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层、156nm厚度的SiO层、75nm厚度的Ge层、119nm厚度的SiO层、62nm厚度的Ge层、177nm厚度的SiO层、56nm厚度的Ge层、277nm厚度的SiO层、99nm厚度的Ge层、125nm厚度的SiO层、127nm厚度的Ge层和437nm厚度的SiO层。
CN201320777688.5U 2013-11-29 2013-11-29 透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片 Expired - Lifetime CN203551817U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320777688.5U CN203551817U (zh) 2013-11-29 2013-11-29 透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320777688.5U CN203551817U (zh) 2013-11-29 2013-11-29 透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203551817U true CN203551817U (zh) 2014-04-16

Family

ID=50469914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320777688.5U Expired - Lifetime CN203551817U (zh) 2013-11-29 2013-11-29 透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203551817U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202472019U (zh) 5300纳米带通红外滤光片
CN202472022U (zh) 4530纳米带通红外滤光片
CN202472017U (zh) 7350纳米带通红外滤光片
CN103713344B (zh) 中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片
CN202275174U (zh) 3400纳米带通红外滤光片
CN202472020U (zh) 4640纳米带通红外滤光片
CN203551817U (zh) 透过波长2400nm以上的火焰探测滤光片
CN203551827U (zh) 通过带为7600-9900nm的红外测温滤光片
CN204374467U (zh) 4600nm带通红外滤光敏感元件
CN203551820U (zh) 透过波长1700nm以上的火焰探测滤光片
CN203551824U (zh) 中心波长4580nm的一氧化氮气体检测滤光片
CN202472024U (zh) 5020纳米带通红外滤光片
CN104597549B (zh) 4600nm带通红外滤光敏感元件
CN202275173U (zh) 3650纳米长波通红外滤光片
CN203551819U (zh) 通过带为7550-13900nm的红外测温滤光片
CN203551825U (zh) 中心波长2700nm的航空尾气气体检测滤光片
CN203551828U (zh) 通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片
CN204374474U (zh) 4430nm带通红外滤光敏感元件
CN202472016U (zh) 1680纳米带通红外滤光片
CN203551826U (zh) 中心波长3800nm的火焰探测滤光片
CN203551818U (zh) 透过波长3700nm以上的航空尾气气体检测滤光片
CN203551821U (zh) 观察图形光谱的天文滤光片
CN204374466U (zh) 4270nm带通红外滤光敏感元件
CN203572999U (zh) 起始通过波长5700nm的测温滤光片
CN103713349A (zh) 中心波长6557nm的医用红外气体检测分析滤光片

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Xingguo Qianjiang Economic Development Zone 503-2-101 311188 Hangzhou Road, Zhejiang Province

Patentee after: HANGZHOU MULTI IR TECHNOLOGY CO.,LTD.

Address before: Xingguo Qianjiang Economic Development Zone 503-2-101 311188 Hangzhou Road, Zhejiang Province

Patentee before: MULTI IR OPTOELECTRONICS Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140416

CX01 Expiry of patent term