CN203551816U - 通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002127 nanobelt Substances 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型所设计的一种峰值透过率高,能极大的提高信噪比的通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片,包括以BK7为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,该通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片,其BK7材质的基板配合表面SiO、Ge材质的镀膜层,大大提高了信噪比,配合红外热成像仪使用,提升红外热成像仪的成像结果。该滤光片50%Cut on=2000±60nm、50%Cut off=2400±60nm;2000~2400nm、Tavg≥70%;400~6500nm(除通带外)、Tavg≤0.1%。
Description
技术领域
本实用新型涉及红外滤光片领域,尤其是一种通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片。
背景技术
红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量),并将其转换为电信号,进而在显示器上生成热图像和温度值,并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化,或测量,使您不仅能够观察热图像,还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。
红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键,由于各种生物所发出来的红外能量(热量)是不同的,所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像,人们往往会在探测器中添加红外滤光片,通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能),保证红外热成像仪的成像结果。
但是,目前用于红外热成像的2000到2400纳米带通红外滤光片,其信噪比低,精度差,不能满足市场发展的需要。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种峰值透过率高,能极大的提高信噪比的通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片。
为了达到上述目的,本实用新型所设计的通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片,包括以BK7为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:58nm厚度的Ge层、157nm厚度的SiO层、52nm厚度的Ge层、121nm厚度的SiO层、50nm厚度的Ge层、129nm厚度的SiO层、90nm厚度的Ge层、149nm厚度的SiO层、50nm厚度的Ge层、184nm厚度的SiO层、252nm厚度的Ge层、573nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、569nm厚度的SiO层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、228nm厚度的Ge层、514nm厚度的SiO层、209nm厚度的Ge层和249nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:55nm厚度的Ge层、137nm厚度的SiO层、50nm厚度的Ge层、258nm厚度的SiO层、137nm厚度的Ge层、288nm厚度的SiO层、58nm厚度的Ge层、93nm厚度的SiO层、129nm厚度的Ge层、303nm厚度的SiO层、106nm厚度的Ge层、620nm厚度的SiO层、128nm厚度的Ge层、299nm厚度的SiO层、227nm厚度的Ge层、441nm厚度的SiO层、132nm厚度的Ge层、604nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层和308nm厚度的SiO层。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本实用新型所得到的通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片,其BK7材质的基板配合表面SiO、Ge材质的镀膜层,大大提高了信噪比,配合红外热成像仪使用,提升红外热成像仪的成像结果。该滤光片50%Cut on=2000±60nm、50%Cut off=2400±60nm;2000~2400nm、Tavg≥70%;400~6500nm(除通带外)、Tavg≤0.1%。
附图说明
图1是实施例整体结构示意图;
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
具体实施方式
下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
实施例1:
如图1、图2所示,本实施例描述的通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片,包括以BK7为原材料的基板2,以Ge、SiO为第一镀膜层1和以Ge、SiO为第二镀膜层3,且所述基板2位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间,所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有:58nm厚度的Ge层、157nm厚度的SiO层、52nm厚度的Ge层、121nm厚度的SiO层、50nm厚度的Ge层、129nm厚度的SiO层、90nm厚度的Ge层、149nm厚度的SiO层、50nm厚度的Ge层、184nm厚度的SiO层、252nm厚度的Ge层、573nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、569nm厚度的SiO层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、228nm厚度的Ge层、514nm厚度的SiO层、209nm厚度的Ge层和249nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:55nm厚度的Ge层、137nm厚度的SiO层、50nm厚度的Ge层、258nm厚度的SiO层、137nm厚度的Ge层、288nm厚度的SiO层、58nm厚度的Ge层、93nm厚度的SiO层、129nm厚度的Ge层、303nm厚度的SiO层、106nm厚度的Ge层、620nm厚度的SiO层、128nm厚度的Ge层、299nm厚度的SiO层、227nm厚度的Ge层、441nm厚度的SiO层、132nm厚度的Ge层、604nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层和308nm厚度的SiO层。
Claims (1)
1.一种通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片,包括以BK7为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,其特征是:所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:58nm厚度的Ge层、157nm厚度的SiO层、52nm厚度的Ge层、121nm厚度的SiO层、50nm厚度的Ge层、129nm厚度的SiO层、90nm厚度的Ge层、149nm厚度的SiO层、50nm厚度的Ge层、184nm厚度的SiO层、252nm厚度的Ge层、573nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、569nm厚度的SiO层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、228nm厚度的Ge层、514nm厚度的SiO层、209nm厚度的Ge层和249nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:55nm厚度的Ge层、137nm厚度的SiO层、50nm厚度的Ge层、258nm厚度的SiO层、137nm厚度的Ge层、288nm厚度的SiO层、58nm厚度的Ge层、93nm厚度的SiO层、129nm厚度的Ge层、303nm厚度的SiO层、106nm厚度的Ge层、620nm厚度的SiO层、128nm厚度的Ge层、299nm厚度的SiO层、227nm厚度的Ge层、441nm厚度的SiO层、132nm厚度的Ge层、604nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层和308nm厚度的SiO层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201320777657.XU CN203551816U (zh) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201320777657.XU CN203551816U (zh) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN203551816U true CN203551816U (zh) | 2014-04-16 |
Family
ID=50469913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201320777657.XU Expired - Lifetime CN203551816U (zh) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 通过带为2000-2400nm的红外成像滤光片 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN203551816U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105487156A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-04-13 | 杭州麦乐克电子科技有限公司 | 应用于中波红外成像的红外滤光片 |
CN106199803A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-12-07 | 镇江爱豪科思电子科技有限公司 | 一种温度探测用宽带红外滤光片及其制备方法 |
-
2013
- 2013-11-29 CN CN201320777657.XU patent/CN203551816U/zh not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105487156A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-04-13 | 杭州麦乐克电子科技有限公司 | 应用于中波红外成像的红外滤光片 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Xingguo Qianjiang Economic Development Zone 503-2-101 311188 Hangzhou Road, Zhejiang Province Patentee after: HANGZHOU MULTI IR TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: Xingguo Qianjiang Economic Development Zone 503-2-101 311188 Hangzhou Road, Zhejiang Province Patentee before: MULTI IR OPTOELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
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