CN104578015A - 抑制高压瞬态电流的位线电路 - Google Patents

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刘芳芳
沈文超
姚翔
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Abstract

本发明公开了一种抑制高压瞬态电流的位线电路，该位线电路除原有的M1、M2、M3、M4、M5、M6和电荷泵外，还在M5和电荷泵之间增加了一个开关控制管，用于在高压启动初期关断从位线电路中间节点BL0至电荷泵负高压VNEG的大电流通路。本发明通过在原有电路基础上增加一个开关控制管，在高压启动初期关断大电流通路，使FLASH位线电路高压瞬态电流得到了有效抑制，从而使FLASH位线电路能成功应用于EF130新型shrink3平台上，避免了FLASH的Charge？pump电位被钳位而至功能失效。

Description

抑制高压瞬态电流的位线电路
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种抑制高压瞬态电流的位线电路。
背景技术
传统的FLASH（闪存）位线电路如图1所示，包括M1、M2、M3、M4、M5、M6和电荷泵。其中，M1为nshort管（即普通nMOS管），M2为pshort管（即普通pMOS管），M1和M2组成逻辑电路，M3、M4、M5、M6这四管组成NVM flash标准操作单元，电荷泵用于产生NVM flash的写操作必需的正高压VPOS和负高压VNEG、VNEG_HALF。
电流产生机理为：Charge pump（电荷泵）正常工作时输出两个电位：VNEG和VNEG-HALF。在高压启动初期，由M3、M4、M5、M6组成的位线电路中，在Pe(Charge pump电荷泵启动的使能信号)至高的一段时间内(图2的A区域)，由于负载的不同，VNEG-HALF值小于VNEG，此时，图1中的M1和M2关闭，位线电路中间节点wl处于悬空状态，电位将高于VNEG_HALF和VNEG，M3和M4导通；由于电荷泵产生的VPOS为正高压，M5和M6导通；位线电路中间节点BL0的电位高于VNEG。至此，大电流由BL0经由M6、M4、M3、M5通路形成，瞬态大电流由BL0流向M5的源端，而M5源端所接电位为Charge pump的输出端VNEG，由此导致功耗大幅增加，更为严重的是在新型shrink3平台上，瞬态大电流会导致FLASH的Charge pump输出的VNEG电位被钳位而至产生高压失败，导致Charge pump功能失效。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种抑制高压瞬态电流的位线电路，它可以有效抑制FLASH位线电路在高压启动初期的瞬态电流。
为解决上述技术问题，本发明的抑制高压瞬态电流的位线电路，包括有M1、M2、M3、M4、M5、M6和电荷泵，其中，M1为普通nMOS管，M2为普通pMOS管，M1与M2组成一逻辑电路；M3、M4、M5、M6组成NVM flash标准操作单元；此外，该位线电路还包括有一个开关控制管，连接在M5和电荷泵之间，用于在高压启动初期关断从位线电路中间节点BL0至电荷泵负高压VNEG的大电流通路。
所述开关控制管可以是一个NHV高压NMOS管。
本发明的抑制高压瞬态电流的位线电路，通过在原有电路基础上增加一个开关控制管，在高压启动初期关断从BL0至VNEG的大电流通路，使FLASH位线电路高压瞬态电流得到有效抑制，从而使FLASH位线电路能成功应用于EF130新型shrink3平台上，避免了FLASH的Chargepump电位被钳位而至功能失效。
附图说明
图1是传统FLASH的位线电路图。
图2是传统位线电路各电压时序图。
图3是本发明的抑制高压瞬态电流的位线电路图。
图4是本发明的抑制高压瞬态电流的位线电路各电压时序图。其中，虚线表示电路优化前位线电路中间节点wl的电流。
具体实施方式
为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下：
为了抑制大电流，本发明的抑制高压瞬态电流的位线电路，在原有电路基础上增加了一个M7作为开关控制管。如图3所示，该M7为一个NHV高压NMOS管，连接在M5与电荷泵之间，用于控制M5源端电压的关闭和开启。
如图4所示，在电荷泵高压启动初期，即处于A时序区域内时，M6、M4、M3、M5导通（此时VNEG-HALF<VNEG），M7关闭，使从位线电路中间节点BL0至电荷泵负高压VNEG的电流通路在A时序区域内被关断，高压瞬态大电流被抑制；当处于A时序区域外时，将M7导通，此时VNEG_CS=VNEG，瞬态大电流被有效抑制达90%。
这样，通过控制M5源端电压的开闭，使M5源端在A时序区域外时才打开，就有效地抑制了电荷泵启动初期瞬态大电流的产生。

Claims (2)

1.抑制高压瞬态电流的位线电路，包括有M1、M2、M3、M4、M5、M6和电荷泵，其中，M1为普通nMOS管，M2为普通pMOS管，M1与M2组成一逻辑电路；M3、M4、M5、M6组成NVMflash标准操作单元；其特征在于，还包括有一个开关控制管，连接在M5和电荷泵之间，用于在高压启动初期关断从位线电路中间节点BL0至电荷泵负高压VNEG的大电流通路。
2.根据权利要求1所述的位线电路，其特征在于，所述开关控制管为NHV高压NMOS管。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1679111A (zh) * 2002-09-02 2005-10-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 同时向存储矩阵中的多个行进行写入的装置
CN101740099A (zh) * 2009-12-08 2010-06-16 中国科学院声学研究所 一种单端位线敏感放大器
CN101881982A (zh) * 2009-05-05 2010-11-10 瑞萨电子(中国)有限公司 一种防止过冲的稳压电路及基准电路
CN102063935A (zh) * 2010-11-30 2011-05-18 中国科学院声学研究所 一种单端低摆幅读位线电路
CN202150695U (zh) * 2011-07-26 2012-02-22 深圳市亿道数码技术有限公司 浪涌电流抑制电路
CN103137204A (zh) * 2011-11-23 2013-06-05 上海华虹Nec电子有限公司 闪存存储器的位线控制电路
CN103177759A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 上海华虹Nec电子有限公司 一种存储单元门极控制电路

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1679111A (zh) * 2002-09-02 2005-10-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 同时向存储矩阵中的多个行进行写入的装置
CN101881982A (zh) * 2009-05-05 2010-11-10 瑞萨电子(中国)有限公司 一种防止过冲的稳压电路及基准电路
CN101740099A (zh) * 2009-12-08 2010-06-16 中国科学院声学研究所 一种单端位线敏感放大器
CN102063935A (zh) * 2010-11-30 2011-05-18 中国科学院声学研究所 一种单端低摆幅读位线电路
CN202150695U (zh) * 2011-07-26 2012-02-22 深圳市亿道数码技术有限公司 浪涌电流抑制电路
CN103137204A (zh) * 2011-11-23 2013-06-05 上海华虹Nec电子有限公司 闪存存储器的位线控制电路
CN103177759A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 上海华虹Nec电子有限公司 一种存储单元门极控制电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
邹静: "高压NMOS器件和SCR的高鲁棒性ESD保护研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》 *

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