CN104518120A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明旨在提供一种具有封装层结构的有机电致发光器件，该封装层包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层，所述聚对苯二甲酸乙二酯膜层与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且所述发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内；所述封装层可有效地防止外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，可延长有机电致发光器件的使用寿命。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料廉价，易于大面积制备。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。

有机电致发光材料对氧气及水汽侵入特别敏感。一方面因为氧气是淬灭剂，会使发光的量子效率显著下降，氧气对空穴传输层的氧化作用也会使其传输能力下降；另一方面，水汽会对有机化合物产生水解作用，使其稳定性大大下降，从而导致器件失效，缩短OLED器件的寿命。因此，常常需要对OLED进行封装保护处理，使发光器件与外界环境隔离，以防止水分、有害气体等的侵入，进而提高OLED的稳定性和使用寿命。

对于柔性OLED产品来说，若使用传统的OLED封装技术，在器件背部加上封装盖板，会产生重量大、造价高、机械强度差等问题，限制了柔性OLED产品的性能发挥。目前，多数柔性OLED的防水氧能力不强，且使用寿命较短，制备工艺复杂、成本高。

发明内容

为了解决上述问题，本发明旨在提供一种具有封装层结构的有机电致发光器件，该封装层结构可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，延长有机电致发光器件的使用寿命。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料廉价，易于大面积制备。

第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装层，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述封装层包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层，所述聚对苯二甲酸乙二酯膜层与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且所述发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内；

所述保护层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、一氧化硅、氟化镁和硫化锌中的一种；

所述氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪和五氧化二钽中的一种；

所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]和聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]中的一种；

所述聚对苯二甲酸乙二酯膜层的材质为聚对苯二甲酸乙二酯（PET）。

封装层设置在阴极外侧，包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层。保护层可以在不破坏真空的条件下保护阴极，防止后续工艺对阴极和有机层的破坏；氧化物层致密性好，是主要的水氧阻隔层；有机硅化物层兼具有机无机特性，对PET膜阻挡能力有增强作用；外层PET膜韧性好，耐冲击、耐摩擦，可以起防刮擦的作用，同时自身也提供一定的阻挡作用。

保护层的材质为酞菁铜（CuPc）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、8-羟基喹啉铝（Alq₃）、一氧化硅（SiO）、氟化镁（MgF₂）和硫化锌（ZnS）中的一种。

优选地，保护层的厚度为200～300nm。

氧化物层的材质为二氧化硅（SiO₂）、三氧化二铝（Al₂O₃）、二氧化钛（TiO₂）、二氧化锆（ZrO₂）、二氧化铪（HfO₂）和五氧化二钽（Ta₂O₅）中的一种。

优选地，氧化物层的厚度为100～150nm。

所述聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]和聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]由2,2,6,6-四(三氟甲基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷、2,2,6,6-四(五氟乙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷和2,2,6,6-四(七氟丙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷通过光固化聚合而成，所述2,2,6,6-四(三氟甲基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷、2,2,6,6-四(五氟乙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷和2,2,6,6-四(七氟丙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷的结构分别如下所示：

优选地，有机硅化合物层的厚度为1～1.5μm。

聚对苯二甲酸乙二酯膜层的材质为聚对苯二甲酸乙二酯（PET）。

优选地，聚对苯二甲酸乙二酯膜层的厚度为1～1.5μm。

优选地，阳极导电基板的材质为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。更优选地，阳极导电基板为铟锡氧化物（ITO）。

优选地，阳极导电基板的厚度为100nm。

发光功能层设置在阳极导电基板上。

发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

优选地，空穴注入层的材质为MoO₃与NPB按照质量比3:7混合形成的混合物。

优选地，空穴注入层的厚度为10nm。

优选地，空穴传输层的材质为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。

优选地，空穴传输层的厚度为30nm。

优选地，发光层的材质为三(2-苯基吡啶)合铱（Ir(ppy)₃）与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）按照质量比5:95混合形成的混合物。

优选地，发光层的厚度为20nm。

优选地，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）

优选地，电子传输层的厚度为10nm。

优选地，电子注入层的材质为叠氮化铯（CsN₃）与Bphen按照质量比3:7混合形成的混合物。

优选地，电子注入层的厚度为20nm。

阴极设置在发光功能层上。

优选地，阴极的材质为非透明金属单质。更优选地，阴极的材质为铝（Al）、银（Ag）、金（Au）。

也优选地，阴极的结构为ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS。

优选地，阴极的厚度为100nm。

第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

S1、提供清洁的阳极导电基板，并对所述阳极导电基板进行活化处理；

S2、在所述阳极导电基板表面真空蒸镀制备发光功能层和阴极，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；

S3、在所述阴极表面采用真空蒸发的方式制备保护层，所述保护层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、一氧化硅、氟化镁和硫化锌中的一种；

S4、在所述保护层表面磁控溅射制备氧化物层，所述氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪和五氧化二钽中的一种；

S5、提供聚对苯二甲酸乙二酯膜；

S6、在惰性氛围下，将2,2,6,6-四(三氟甲基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷、2,2,6,6-四(五氟乙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷和2,2,6,6-四(七氟丙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷中的一种旋涂在所述聚对苯二甲酸乙二酯膜上，然后用紫外光进行固化，光强10～15mW/cm²，曝光时间200～300s，得到形成于聚对苯二甲酸乙二酯膜上的有机硅化合物层，所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]或聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]，所述聚苯二甲酸乙二酯膜层的材质为聚苯二甲酸乙二酯；

S7、用封装胶将聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内，所述有机硅化合物层覆盖在所述氧化物层上；

S3～S7步骤完成后得到封装层，包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层；

最终得到所述有机电致发光器件。

步骤S1中，通过对阳极导电基板的清洗，除去阳极导电基板表面的有机污染物。

具体地，阳极导电基板的清洁操作为：将阳极导电基板依次用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇在超声波清洗机中清洗，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到清洁的阳极导电基板。

对洗净后的阳极导电基板进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数。

优选地，阳极导电基板的材质为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。更优选地，阳极导电基板为铟锡氧化物（ITO）。

优选地，阳极导电基板的厚度为100nm。

步骤S2中，发光功能层通过真空蒸镀设置在阳极导电基板上。

优选地，真空蒸镀发光功能层时条件为真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

优选地，空穴注入层的材质为MoO₃与NPB按照质量比3:7混合形成的混合物。

优选地，空穴注入层的厚度为10nm。

优选地，空穴传输层的材质为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。

优选地，空穴传输层的厚度为30nm。

优选地，发光层的材质为三(2-苯基吡啶)合铱（Ir(ppy)₃）与1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）按照质量比5:95混合形成的混合物。

优选地，发光层的厚度为20nm。

优选地，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）

优选地，电子传输层的厚度为10nm。

优选地，电子注入层的材质为叠氮化铯（CsN₃）与Bphen按照质量比3:7混合形成的混合物。

优选地，电子注入层的厚度为20nm。

阴极通过真空蒸镀设置在发光功能层上。

优选地，真空蒸镀阴极时条件为真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

优选地，阴极的材质为非透明金属单质。更优选地，阴极的材质为铝（Al）、银（Ag）、金（Au）。

也优选地，阴极的结构为ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS。

优选地，阴极的厚度为100nm。

步骤S3中，保护层通过真空蒸发的方式设置在阴极表面。

优选地，真空蒸发条件为真空度8×10^-5Pa～3×10^-5Pa，蒸发速度

保护层的材质为酞菁铜（CuPc）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、8-羟基喹啉铝（Alq₃）、一氧化硅（SiO）、氟化镁（MgF₂）和硫化锌（ZnS）中的一种。保护层的材质都可用蒸镀工艺制作，制作完电极后就可直接制作，避免破坏真空条件。

优选地，保护层的厚度为200～300nm。

步骤S4中，氧化物层通过磁控溅射设置在保护层表面。

优选地，磁控溅射制备条件为本底真空度1×10^-5～1×10^-3Pa。

氧化物层的材质为二氧化硅（SiO₂）、三氧化二铝（Al₂O₃）、二氧化钛（TiO₂）、二氧化锆（ZrO₂）、二氧化铪（HfO₂）和五氧化二钽（Ta₂O₅）中的一种。氧化物层的材质可用相同工艺条件制作，同时防水氧能力较好。

优选地，氧化物层的厚度为100～150nm。

步骤S6中，有机硅化合物层采用先旋涂后曝光的工艺制作，先将有机硅化合物旋涂在PET膜上，用波长为365nm的紫外光进行固化，光强10～15mW/cm²，曝光时间200～300s。然后，将有机硅化合物层覆盖在氧化物层上，得到依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层。

有机硅化合物有一定的防水氧能力，同时应力也比无机物小，能起到一定的应力缓冲作用。

所述聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]和聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]由2,2,6,6-四(三氟甲基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷、2,2,6,6-四(五氟乙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷和2,2,6,6-四(七氟丙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷通过光固化聚合而成，所述2,2,6,6-四(三氟甲基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷、2,2,6,6-四(五氟乙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷和2,2,6,6-四(七氟丙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷的结构分别如下所示：

优选地，有机硅化合物层的厚度为1～1.5μm。

步骤S7中，用封装胶将聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内。

具体地，在PET膜边缘涂布环氧树脂封装胶，然后用波长为365nm的紫外光进行固化，光强10～15mW/cm²，曝光时间300～400s。将步骤S1～S6完成的产品封装在所述PET膜及基板内。

本发明具有如下有益效果：

（1）本发明提供的一种具有封装层结构的有机电致发光器件，其封装层为层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层，可有效地防止外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，具有较好的密封性和较长的使用寿命。

（2）本发明提供的一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料廉价，易于大面积制备。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例6提供的有机电致发光器件的结构图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1：

一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：

（1）提供清洁的阳极导电基板：

将ITO玻璃基板依次用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇在超声波清洗机中清洗，单项洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃进行表面活化处理；ITO厚度为100nm；

（2）在ITO玻璃基板上真空蒸镀发光功能层：

具体地，发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；

空穴注入层的制备：将MoO₃与NPB按照质量比3:7混合得到的混合物作为空穴注入层的材质，厚度10nm，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度

空穴传输层的制备：采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm；

发光层的制备：采用Ir(ppy)₃与TPBi按照质量比5:95混合形成的混合物作为发光层的材质，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；

电子传输层的制备：蒸镀一层4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输材料，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm；

电子注入层的制备：将CsN₃与Bphen按照质量比3:7混合形成的混合物作为电子注入层的材质，真空度3×10^-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；

（3）在发光功能层表面制备阴极：

金属阴极采用铝（Al），厚度为100nm，真空度5×10-⁵Pa，蒸发速度

（4）在阴极外侧制备封装层：

封装层包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层；

保护层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极上制备一层CuPc，制备条件真空度3×10^-5Pa，蒸发速度得到厚度为200nm；

氧化物层的制作：以SiO₂作为氧化物层的材质，采用磁控溅射方法制作，本底真空度2×10^-4Pa，厚度100nm；

有机硅化合物层的制作：在惰性氛围下，将2,2,6,6-四(三氟甲基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷旋涂在PET膜上，厚度为1.5μm，然后用波长为365nm的紫外光进行固化，光强15mW/cm²，曝光时间300s，得到形成于聚对苯二甲酸乙二酯膜上的有机硅化合物层，所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]；

聚对苯二甲酸乙二酯膜层的制作：用封装胶将聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内，所述有机硅化合物层覆盖在所述氧化物层上；

最终制得有机电致发光器件。

实施例2：

一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）在阴极外侧制备封装层：

封装层包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层；

保护层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极上制备一层NPB，制备条件真空度3×10^-5Pa，蒸发速度得到厚度为300nm；

氧化物层的制作：以Al₂O₃作为氧化物层的材质，采用磁控溅射方法制作，本底真空度2×10^-4Pa，厚度120nm；

有机硅化合物层的制作：在惰性氛围下，将2,2,6,6-四(五氟乙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷旋涂在PET膜上，厚度为1.2μm，然后用波长为365nm的紫外光进行固化，光强12mW/cm²，曝光时间260s，得到形成于聚对苯二甲酸乙二酯膜上的有机硅化合物层，所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]；

聚对苯二甲酸乙二酯膜层的制作：用封装胶将聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内，所述有机硅化合物层覆盖在所述氧化物层上；

最终制得有机电致发光器件。

实施例3：

一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）在阴极外侧制备封装层：

封装层包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层；

保护层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极上制备一层Alq₃，制备条件真空度3×10^-5Pa，蒸发速度得到厚度为250nm；

氧化物层的制作：以TiO₂作为氧化物层的材质，采用磁控溅射方法制作，本底真空度2×10^-4Pa，厚度150nm；

有机硅化合物层的制作：在惰性氛围下，将2,2,6,6-四(七氟丙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷旋涂在PET膜上，厚度为1μm，然后用波长为365nm的紫外光进行固化，光强10mW/cm²，曝光时间200s，得到形成于聚对苯二甲酸乙二酯膜上的有机硅化合物层，所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]；

聚对苯二甲酸乙二酯膜层的制作：用封装胶将聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内，所述有机硅化合物层覆盖在所述氧化物层上；

最终制得有机电致发光器件。

实施例4：

一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）在阴极外侧制备封装层：

封装层包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层；

保护层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极上制备一层SiO，制备条件真空度5×10^-5Pa，蒸发速度得到厚度为200nm；

氧化物层的制作：以ZrO₂作为氧化物层的材质，采用磁控溅射方法制作，本底真空度2×10^-4Pa，厚度100nm；

有机硅化合物层的制作：在惰性氛围下，将2,2,6,6-四(三氟甲基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷旋涂在PET膜上，厚度为1.5_μm，然后用波长为365nm的紫外光进行固化，光强15mW/cm²，曝光时间300s，得到形成于聚对苯二甲酸乙二酯膜上的有机硅化合物层，所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]；

聚对苯二甲酸乙二酯膜层的制作：用封装胶将聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内，所述有机硅化合物层覆盖在所述氧化物层上；

最终制得有机电致发光器件。

实施例5：

一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）在阴极外侧制备封装层：

封装层包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层；

保护层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极上制备一层MgF₂，制备条件真空度5×10^-5Pa，蒸发速度得到厚度为300nm；

氧化物层的制作：以HfO₂作为氧化物层的材质，采用磁控溅射方法制作，本底真空度2×10^-4Pa，厚度150nm；

有机硅化合物层的制作：在惰性氛围下，将2,2,6,6-四(五氟乙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷旋涂在PET膜上，厚度为1.1μm，然后用波长为365nm的紫外光进行固化，光强11mW/cm²，曝光时间220s，得到形成于聚对苯二甲酸乙二酯膜上的有机硅化合物层，所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]；

聚对苯二甲酸乙二酯膜层的制作：用封装胶将聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内，所述有机硅化合物层覆盖在所述氧化物层上；

最终制得有机电致发光器件。

实施例6：

一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）在阴极外侧制备封装层：

封装层包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层；

保护层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极上制备一层ZnS，制备条件真空度5×10^-5Pa，蒸发速度得到厚度为250nm；

氧化物层的制作：以Ta₂O₅作为氧化物层的材质，采用磁控溅射方法制作，本底真空度2×10^-4Pa，厚度120nm；

有机硅化合物层的制作：在惰性氛围下，将2,2,6,6-四(七氟丙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷旋涂在PET膜上，厚度为1.1μm，然后用波长为365nm的紫外光进行固化，光强11mW/cm²，曝光时间210s，得到形成于聚对苯二甲酸乙二酯膜上的有机硅化合物层，所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]；

聚对苯二甲酸乙二酯膜层的制作：用封装胶将聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内，所述有机硅化合物层覆盖在所述氧化物层上；

最终制得有机电致发光器件。

图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件的结构包括依次层叠的阳极导电基板10、发光功能层20、阴极30、封装层40（包括保护层401、氧化物层402、有机硅化合物层403、聚对苯二甲酸乙二酯膜层404）。

效果实施例

采用Ca膜电学测试系统测试有机电致发光器件的水蒸气渗透率（WVTR），

并测试有机电致发光器件的寿命（T701000cd/m²），从初始亮度1000cd/m²衰减到70%所需的时间。本发明实施例1～6制备的有机电致发光器件的WVTR和寿命如表1所示。从表中可以看出，WVTR均保持在10^-5g/(m²·day)数量级，最低可达到5.5×10^-5g/(m²·day)，可以满足柔性OLED的实用要求。有机电致发光器件的寿命时间保持在8000以上，最长可达到9117小时。这说明，本发明制备的具有封装层结构的有机电致发光器件可有效地防止外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，具有较好的密封性和较长的使用寿命。

表1

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装层，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，其特征在于，所述封装层包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层，所述聚对苯二甲酸乙二酯膜层与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且所述发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内；

所述保护层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、一氧化硅、氟化镁和硫化锌中的一种；

所述氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪和五氧化二钽中的一种；

所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]和聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]中的一种；

所述聚对苯二甲酸乙二酯膜层的材质为聚对苯二甲酸乙二酯。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度为200～300nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物层的厚度为100～150nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机硅化合物层的厚度为1～1.5μm。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述聚对苯二甲酸乙二酯膜层的厚度为1～1.5μm。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供清洁的阳极导电基板，并对所述阳极导电基板进行活化处理；

S2、在所述阳极导电基板表面真空蒸镀制备发光功能层和阴极，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；

S3、在所述阴极表面采用真空蒸发的方式制备保护层，所述保护层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、一氧化硅、氟化镁和硫化锌中的一种；

S4、在所述保护层表面磁控溅射制备氧化物层，所述氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪和五氧化二钽中的一种；

S5、提供聚对苯二甲酸乙二酯膜；

S6、在惰性氛围下，将2,2,6,6-四(三氟甲基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷、2,2,6,6-四(五氟乙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷和2,2,6,6-四(七氟丙基)-1,2,6-氧杂二硅氧烷中的一种旋涂在所述聚对苯二甲酸乙二酯膜上，然后用紫外光进行固化，光强10～15mW/cm²，曝光时间200～300s，得到形成于聚对苯二甲酸乙二酯膜上的有机硅化合物层，所述有机硅化合物层的材质为聚[(3-(二（三氟甲基）(甲氧基)硅基)丙基)二（三氟甲基）(甲基)硅烷]、聚[(3-(二（五氟乙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（五氟乙基）(甲基)硅烷]或聚[(3-(二（七氟丙基）(甲氧基)硅基)丙基)二（七氟丙基）(甲基)硅烷]，所述聚苯二甲酸乙二酯膜层的材质为聚苯二甲酸乙二酯；

S7、用封装胶将聚对苯二甲酸乙二酯膜与所述阳极导电基板粘结形成封闭区间，且发光功能层、阴极、保护层、氧化物层和有机硅化合物层均容置于所述封闭区间内，所述有机硅化合物层覆盖在所述氧化物层上；

S3～S7步骤完成后得到封装层，包括依次层叠的保护层、氧化物层、有机硅化合物层和聚对苯二甲酸乙二酯膜层；

最终得到所述有机电致发光器件。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为200～300nm。

8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为100～150nm。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机硅化合物层的厚度为1～1.5μm。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述聚对苯二甲酸乙二酯膜层的厚度为1～1.5μm。