CN104513017A - 玻璃基板表面的预处理过程及纤薄腐蚀玻璃基板的方法 - Google Patents
玻璃基板表面的预处理过程及纤薄腐蚀玻璃基板的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104513017A CN104513017A CN201410496123.9A CN201410496123A CN104513017A CN 104513017 A CN104513017 A CN 104513017A CN 201410496123 A CN201410496123 A CN 201410496123A CN 104513017 A CN104513017 A CN 104513017A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glass substrate
- preprocessing process
- hydrofluoric acid
- acid
- processing solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明提供一种在用于减少玻璃基板厚度的纤薄腐蚀过程之前进行的预处理过程。所述预处理过程包括:将多个玻璃基板彼此分开并垂直于地面设置,并从所述玻璃基板上方的多个喷洒点朝向所述玻璃基板向下喷洒包括硫酸和氢氟酸的表面处理溶液。
Description
技术领域
本申请要求2013年10月1日提交的韩国专利申请No.10-2013-0117246的优先权,在此通过引用的方式将其全部并入本文。
背景技术
本发明公开涉及一种在玻璃基板的纤薄腐蚀过程之前进行的玻璃基板表面的预处理过程,更具体地说,涉及一种纤薄腐蚀方法的预处理过程,其在纤薄腐蚀玻璃基板的同时,能够在玻璃基板表面上限制例如划痕或凹坑的缺陷的增加并获得具有优异品质的玻璃表面。此外,本发明公开涉及一种使用预处理过程的纤薄腐蚀玻璃基板的方法。
通过机械抛光方法或化学腐蚀方法,对形成例如薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)面板、有机发光显示(OLED)面板和触摸面板的显示装置面板的玻璃基板进行处理以使面板减轻并变薄,使其被加工成具有小厚度的玻璃基板。到了2000年,纤薄显示面板的需求增加。因此,与机械抛光方法相比具有更优异的生产率并且更容易纤薄化面板的化学腐蚀方法的纤薄腐蚀方法被广泛地使用。
为了腐蚀玻璃基板,有必要着重考虑玻璃基板特性之间的并行传输。可以通过腐蚀表面使其变得光滑来降低透射光的漫射和反射光的漫反射。为了获得优异的光学特性,在纤薄腐蚀过程中,使用了如氢氟酸、氟化铵和氟化氢铵的包括氟的腐蚀剂。然而,由于这种腐蚀剂具有很强的渗透性,腐蚀剂渗透到例如存在于玻璃表面的划痕和凹坑的缺陷,使缺陷变得更大。
另一方面,这样的缺陷可能发生在玻璃制造公司生产玻璃的过程中。此外,在生产形成玻璃上的电路和形成显示面板的玻璃基板时,可能会产生缺陷。即,通过大量的操作可能在玻璃基板上产生缺陷,这些操作例如是电路图案形成过程、气相沉积过程、在形成有电路的表面在其中彼此相对以形成面板时使两块玻璃基板彼此相对的过程、高于几百摄氏度的高温过程以及在过程之间使用传送带的传送过程。
当通过腐蚀没有电路图案形成的玻璃表面的纤薄腐蚀过程以减轻玻璃基板时,由于如上所述的腐蚀剂,如上所述产生的缺陷尺寸增加,引起玻璃基板上的瑕疵。
为了限制缺陷的增加,在进行腐蚀玻璃基板的过程之前,有用于预先处理玻璃表面上缺陷的预处理过程。增加有预处理过程的纤薄化玻璃基板的整个过程包括:预处理过程、第一次清洗过程、纤薄腐蚀过程和第二次清洗过程。
在一个现有预处理过程中,玻璃基板面板被安装到作为玻璃基板支撑物的箱上然后被浸入到填充有惰性液体的池子中,以使惰性液体被添入到缺陷中。通过这样的方法,有缺陷的部分在纤薄腐蚀过程中被腐蚀较少,从而限制了缺陷的扩展。在另一个方法中,玻璃基板被浸入到填充有具有例如约5μm或小于5μm每分钟的低腐蚀速率的腐蚀剂的池子中,并且腐蚀一点表面以平坦化,从而在随后的纤薄腐蚀过程中限制缺陷的扩展。在这种情况下,在纤薄腐蚀过程中,使用约5μm或大于5μm每分钟的腐蚀剂进行腐蚀。作为另一种方法,玻璃基板被浸入到填充有高浓度硫酸和低浓度氢氟酸的混合物的池子中,以部分浸渍由划痕和凹坑引起的存在于表面上的凹陷。将玻璃基板浸入到高浓度硫酸的方法具有限制缺陷扩展的作用,但在玻璃表面上会产生不平坦的曲线和明显的污渍,这已经被发明人注意到。
在使用浸渍的预处理方法中,预处理溶液不具有相对于玻璃的相对流动性。预处理溶液与玻璃反应的机制可以被划分为四个操作。所述四个操作分别是吸附化学物到玻璃表面(第一操作)、化学物与玻璃表面之间的化学反应(第二操作)、从玻璃表面分离反应产物(第三操作)以及通过扩散除去反应产物(第四操作)。由于四个操作的其他速度比第二操作速度慢很多,根据第一、第三和第四操作的特性确定玻璃表面的特性。特别地,在浸渍法中,由于难以给予表面处理溶液流动性,从玻璃基板分离并除去反应产物不是很容易。因此,在浸渍法中使用泡沫,这不是根本的解决办法。
由于这样的原因,当通过浸渍法进行预处理过程时,如图1所示,在进行纤薄玻璃基板100的整个过程之后,检查到在玻璃基板100上产生了大量不平坦的曲线102并且在整个玻璃基板100上用肉眼观察到明显的污渍。虽然使用了在池子中产生泡沫以使预处理溶液具有相对于玻璃基板的相对流动性的改进的浸渍法,检查到明显的污渍仍然没有被除去。
发明内容
实施方式提供能够在限制玻璃基板表面上缺陷增长的同时显著地减少污渍的一种预处理过程,以及使用所述预处理过程的纤薄腐蚀玻璃基板的方法。
在一个实施方式中,在用于减少玻璃基板厚度的纤薄腐蚀过程之前进行的预处理过程包括将多个玻璃基板彼此分开并垂直于地面设置,以及从所述玻璃基板上方的多个喷洒点朝向玻璃基板向下喷洒包括硫酸和氢氟酸的表面处理溶液。
在另一个实施方式中,纤薄腐蚀玻璃基板的方法包括朝向彼此分开的多个玻璃基板向下喷洒包括硫酸和氢氟酸的预处理溶液的预处理过程,以及朝向经过预处理过程的玻璃基板向下喷洒包括从约1wt%至约20wt%(重量百分比)的硫酸和氟化氢铵中的至少一种的腐蚀剂的腐蚀过程。
根据用于玻璃基板的预处理过程,由使用通用浸渍法预处理玻璃基板产生的不平坦的曲线,当通过使用高浓度硫酸和低浓度氢氟酸的混合物限制缺陷增长时,如图2所示,曲线104显著地变低并且尺寸减小以使玻璃基板的污渍变淡,从而生产具有优异光学特性的玻璃基板。
将结合附图详细解释并在下文中描述一个或多个实施方式的细节。从说明书和附图以及从权利要求书中,其它特征是显而易见的。
附图说明
图1是一个示意图,示出了应用了通过通用浸渍法进行的预处理过程的玻璃基板表面的曲线,该通用浸渍法使用硫酸溶液和氢氟酸溶液;
图2是一个示意图,示出了根据一个实施方式的通过使用向下喷洒硫酸溶液和氢氟酸溶液进行的预处理过程获得的玻璃基板表面的曲线;
图3是一个示意图,示出了通过使用所述实施方式的向下喷洒方法的玻璃基板的预处理过程;
图4示出了在所述实施方式中使用的用于装载玻璃基板的箱以及支撑玻璃基板的夹子和凹槽;
图5示出了根据所述实施方式从喷嘴中喷洒的玻璃表面处理溶液的液滴,液滴与玻璃基板接触;
图6示出了玻璃基板的上表面没有暴露于玻璃表面处理溶液的一种情况;
图7示出了根据所述实施方式使用凹痕标记形成凹痕;
图8A和8B示出了根据所述实施方式用于实验的玻璃基板;
图9A是根据所述实施方式的初始凹痕的尺寸和形状的一个实施例的一张照片,图9B是在纤薄腐蚀过程之后获得的扩展被限制和最小化的最终凹痕的尺寸和形状的一个实施例的照片,以及图9C是扩展的凹痕的一个放大侧视图;以及
图10A和10B分别是具有70%和15%污渍区别的玻璃基板的实施例的照片。
具体实施方式
现在将详细地描述本发明公开的实施方式,附图中示出其实施例。
如图3所示,根据所述实施方式的预处理过程使用向下喷洒方法将用于预处理的表面处理溶液200喷洒到玻璃基板100。下文中,将描述作为所述实施方式的一个要素的进行向下喷洒方法的装置和机制,然后将描述表面处理溶液200的组成。
喷嘴
在所述实施方式中,多个喷嘴300被设置在多个玻璃基板100的上方。喷嘴300可以与喷嘴头302结合。喷嘴300可以被安装到预处理装置内的上部。喷嘴300可以具有全锥形喷嘴。喷嘴300使液滴可以在基于贯穿喷嘴300的顶部和底部虚拟线的圆锥的所有方向喷射。在图3或其他附图中,为了方便,喷洒的表面处理溶液200被示为几条虚线。实际上,喷洒的表面处理溶液200被均匀地喷洒成液滴。可以选择各种喷洒的表面处理溶液200的喷洒角θ。例如,喷洒角θ可以是30度、45度和60度中的一个。当考虑到喷嘴300之间的间隔以及喷嘴300和玻璃基板之间的间隔时,可以选择比这些角度更小或更大的角度。除了全锥形喷嘴之外,例如,如果适当地设置多个喷嘴,平喷式喷嘴可以提供与全锥形喷嘴类似的效果。然而,由于直线喷嘴没有喷洒角并且不能使液体变成液滴,直线地喷洒液体的直线喷嘴在所述实施方案中不可用。
箱
如图4所示,多个玻璃基板100可以被安装到箱400中。箱400由带有间隔以支撑几个玻璃基板100的支撑夹子402和凹槽404中的一个形成。支撑夹子402和凹槽404中的一个的位置在箱400的顶部和底部被调整,以便使玻璃基板100具有朝向箱400底表面或地面的一个角度。例如,当在箱400顶部上的凹槽404和在箱400底部上的凹槽404被制造成垂直于箱400底表面时,安装玻璃基板100时,玻璃基板100被设置为垂直于地面。当在箱400顶部上的凹槽404和在箱400底部上的凹槽404被制造成彼此有差异时,安装玻璃基板100时,玻璃基板100被设置为以锐角倾斜于地面。当使用支撑夹子402时,在最小化与玻璃基板100的接触面积的同时可以支撑玻璃基板100。此外,不允许玻璃基板100被紧密地插入到支撑夹子402中,在安装玻璃基板100的同时可以形成一点空间。
玻璃基板和地面之间的角度
当假定位于玻璃基板100上方的多个喷嘴300朝向正下方的地面时,玻璃基板100可以被设置为与箱400底表面或地面(下文中,称为地面)保持直角。
虽然玻璃基板100被设置为垂直于地面,由于在预处理过程中的预处理装置中产生气流的原因使玻璃基板100移动,玻璃基板100不能连续地垂直于地面。虽然箱400的支撑夹子402或凹槽404没有牢固地固定玻璃基板100并有一点空间,安装玻璃基板100到箱400中以精确地垂直于地面是不可能的。因此,在所述实施方式中,指定玻璃基板100和地面之间的直角为接近直角的角度。
此外,在所述实施方式中,玻璃基板100可以被设置为比从约45度到约90度的一定角度范围内的直角更倾斜于地面。当仅处理玻璃基板100的一个表面时,可以容易地理解玻璃基板100的表面处理在所述角度范围内是否可行。虽然必须处理玻璃基板100的两面,作为由发明人进行的实验结果,核实了在所述角度范围内处理是可行的。当玻璃基板100被设置为以一个小于45度的角度倾斜于地面时,由于在玻璃基板100上的喷洒液滴的压力增强,不仅处理玻璃基板100的两面是困难的,支撑玻璃基板100以及同时设置和处理多个玻璃基板100也是困难的。
玻璃表面和用于预处理的表面处理溶液之间的接触和反应机制
由于喷雾压力,喷嘴300喷洒的表面处理溶液200的液滴直接到达玻璃基板100的顶部边缘108和玻璃基板100表面110的顶部或中部。然后,由于增加了重力,表面处理溶液200沿着玻璃基板100的表面110流下并与玻璃基板100的表面110反应(参见图5)。当玻璃基板100之间的距离较远并且玻璃基板100的尺寸较小时,液滴可以直接到达玻璃基板100的底部。
安装有多个玻璃基板100的箱400被插入到预处理装置中,并且位于安装在预处理装置上部的多个喷嘴300下面。如果均匀地设置多个喷嘴300,在其下方将形成均匀的喷洒区202。在喷洒区202中,没有必要使多个玻璃基板100与喷嘴300的设置对齐,并且玻璃基板100的阵列可以相对于喷嘴300阵列成直角或者以对角线形式对应喷嘴300的阵列。
喷嘴之间的距离、喷嘴的喷洒角、喷嘴末端和玻璃基板顶部边缘之间的相关性以及玻璃基板之间的间隔
喷嘴300之间的间隔、喷嘴300的喷洒角θ以及喷嘴300末端和玻璃基板100顶部边缘108之间的距离b可以被相关地确定以使玻璃基板100表面110被暴露于表面处理溶液200的喷洒液滴下。当喷嘴300之间的距离增加时,喷洒角θ变小,或者喷嘴300末端和玻璃基板100顶部边缘108之间的距离b变得更近,可能出现玻璃基板100表面110未被暴露在表面处理溶液200液滴下的未被暴露的顶部112(参见图6)。另一方面,玻璃基板100和喷嘴300之间的距离过分地疏远,在喷洒的液滴到达玻璃基板100之前喷雾压力降低,从而使得液滴竖直自由下落。在这种情况下,没有液滴直接到达玻璃基板100的表面110,这将妨碍所述实施方式的取得效果。
考虑到这一点,有必要确定喷嘴300之间的距离a、喷嘴300的喷洒角θ以及喷嘴300末端和玻璃基板100顶部边缘108之间的距离b,如图5所示,以便使液滴被喷洒向每个玻璃基板100的顶部边缘108和表面110,至少喷洒向玻璃基板100表面110的顶部。在根据所述实施方式的向下喷洒方法中,液滴直接到达玻璃基板100的表面110,然后流下并与玻璃基板100表面110反应。有必要使液滴没有遗漏地到达每个玻璃基板100表面110的最上部。此外,液滴直接到达的区域可以从每个玻璃基板100表面的最上部增加到每个玻璃基板100表面的较低部分。在此,为了使液滴直接到达玻璃基板100表面110的顶部边缘108正下方的最上部,有必要向玻璃基板100的顶部边缘108喷洒液滴。
考虑到能够一次处理玻璃基板100的生产率,可以密集地排列玻璃基板100。当玻璃基板100被设置为垂直于地面或喷嘴300之间的距离较短时,玻璃基板100可以被密集地设置。
表面处理溶液的组分
表面处理溶液包括大于60wt%且小于80wt%的硫酸和大于0.5wt%且小于2wt%的氢氟酸,更具体地,包括从约65wt%至约75wt%的硫酸和从约0.75wt%至约1.5wt%的氢氟酸。
玻璃基板的纤薄腐蚀过程
在根据所述实施方式的玻璃基板预处理过程之后,可以使用预处理装置的同类装置进行玻璃基板的清洗和纤薄腐蚀。纤薄腐蚀溶液可以是包括从约1wt%至约20wt%的氢氟酸和氟化氢铵中至少一种的腐蚀剂。除了从约1wt%至约20wt%的氢氟酸之外,所述腐蚀剂可以包括硫酸、硝酸、盐酸、磷酸和乙酸。
下文中,将描述根据所述实施例和比较例进行玻璃表面处理过程的示例性实施例。
【示例性实施例1】
根据所述实施方式使用向下喷洒方法进行预处理,然后使用向下喷洒方法进行清洗和腐蚀过程。在实验的小系统中进行所述示例性实施例。在此,用于预处理的表面处理溶液是20kg的75wt%硫酸和1wt%氢氟酸的混合物,表面处理溶液的温度为30℃,喷嘴的数目是9,喷嘴的容量为2L,喷嘴的压力为1.1kg/cm2,预处理时间为15min,并且作为玻璃样品,具有尺寸90mm×60mm×630μm的由日本Asahi Corporation(朝日公司)生产的两片无碱AN-100玻璃被设置为垂直于地面。如图7所示,在每块玻璃板100上使用凹痕标记形成凹痕106。凹痕106为通过有力地击打表面形成的玻璃板100表面上的凹陷部分。如图7中示出的箭头,用于形成凹痕106的作用在玻璃板100上3秒钟的瞬时负荷约为10g。使用光学显微镜测量人为形成的每个凹痕106的初始尺寸。在所述示例性实施例中,凹痕106的初始尺寸为15±1μm。如图8A所示,仅在玻璃板100一面的上部、中间和底部三点上形成凹痕106。如图8B所示,使用耐酸胶带114贴住另一面以使得只有一面被预处理,从而容易测量凹痕106和污渍的扩展程度。在根据上述条件的预处理后进行的第一次清洗、腐蚀和第二次腐蚀过程之后,使用光学显微镜测量扩展的凹痕106的最终尺寸。图9A示出了凹痕106的初始尺寸和形状,图9B是通过预处理限制扩展来最小化的凹痕106的最终尺寸和形状的实施例的一张照片,所述照片是在腐蚀过程之后拍摄的,以及图9C是扩展的凹痕106的一个放大侧视图。
此外,在第一次清洗、腐蚀和第二次清洗过程之后观察由于增加了预处理过程产生的由表面曲线造成的污渍程度。由于测量表面曲线程度或污渍程度是困难的,用肉眼观察程度并且用%确定和表示被指定为“污渍区别”的如何区分整个表面上出现的污渍。当污渍区别较低时,提供更优良的光学特性。由同一发明人确定污渍区别以使所述示例性实施例的相对比较精确。图10A和10B是70%和15%的污渍区别的照片,所述照片是在使用荧光灯照射玻璃基板时拍摄的。
使用工业用水向下喷洒方法进行在应用到所述示例性实施例的预处理之后的第一次清洗,其中喷嘴的容量为2L,喷嘴压力为2kg/cm2,并且进行向下喷洒3分钟。通过使用向下喷洒方法向玻璃基板喷洒包括从约3%至约5%的氢氟酸和从约15%至约20%的硝酸的腐蚀剂进行纤薄腐蚀过程,其中腐蚀剂的量为20kg,腐蚀剂温度为32℃,腐蚀速度E/R为1.3μm/min并且腐蚀的量为从约280μm至约290μm。使用在水槽中喷洒五分钟的方法作为通用清洗进行在纤薄腐蚀过程之后的第二次清洗。
【比较例1和2】
在比较例1中,示例性实施例1的过程条件的预处理过程被省略,并且在腐蚀和清洗过程之后就测量扩展的凹痕的尺寸。在这种情况下,由于没有进行预处理过程,没有额外地测量污渍区别。
在比较例2中,示例性实施例1的过程条件的预处理过程被使用泡沫的浸渍法和与示例性实施例1过程相同的其他过程代替。
表1示出了示例性实施例和比较例1和2的实验结果。通过测量由凹痕标记人为形成的凹痕的初始尺寸并在进行所有的腐蚀和清洗后测量扩展凹痕的最终尺寸来计算在各自情况下的凹痕的扩展量。分别具有三个凹痕的两块玻璃板被用于实验并且得到总共六个点的平均值。两块玻璃板的平均值被记录为污渍区别。
【表1】
当根据所述实施方式使用示例性实施例1的向下喷洒方法和比较例2的泡沫型浸渍法中的一个增加预处理过程时,凹痕的长度仅被扩展为比较例1的扩展长度的40%和48%中的一个,比较例1进行了未经预处理过程的腐蚀过程,比较例1的扩展长度为13.9/34.6和16.6/34.4中的一个。因此,核实了预处理过程显著地限制凹痕的增长。然后,核实了示例性实施例1预处理的向下喷洒方法非常显著地更加减少了污渍的产生,示例性实施例1预处理的向下喷洒方法具有15%的污渍区别而比较例2的泡沫型浸渍法具有75%的污渍区别,与泡沫型浸渍法相比更加限制凹痕的扩展。当如在比较例2中示出的污渍区别为75%时,没有实用性。
【示例性实施例2至4】
与示例性实施例1比较,当氢氟酸浓度等于1wt%但硫酸的浓度分别为60wt%、65wt%和70wt%时进行预处理。然后,进行所有的第一次清洗、腐蚀和第二次清洗然后测量凹痕的扩展程度和污渍区别。包括示例性实施例1的结果,示例性实施例1至4的结果示于如下表2。
【表2】
参照表2,核实了当硫酸浓度增加时,限制凹痕扩展的作用改善并且污渍变得越来越明显。据观察,在所有示例性实施例1至4中污渍区别都很低且优良。另一方面,在限制凹痕扩展的方面,在具有65wt%的硫酸浓度的示例性实施例3中,凹痕被扩展17.0μm。与具有60wt%的硫酸浓度的示例性实施例4中示出的34.8μm相比,凹痕的扩展被限制到少于50%,这是在限制凹痕扩展中的显著差异。另一方面,当硫酸浓度高于示例性实施例1的75%,例如为80%时,由于硫酸浓度太高而不能在过程中实际操作,没有实用性。此外,考虑到表2中示出的污渍区别的性质,预计污渍区别相应地增加。因此,硫酸浓度可以具有大于60wt%且小于80wt%的范围,更具体地说,具有从约65wt%至约75wt%的范围。
【示例性实施例5至8】
在示例性实施例5至8中,当硫酸浓度为类似于示例性实施例1的75wt%并且氢氟酸浓度彼此不同的为0.5wt%、0.75wt%、1.5wt%和2wt%时,进行实验,然后检验凹痕的扩展程度和污渍区别。具有1wt%氢氟酸浓度的示例性实施例1和示例性实施例5至8中的实验结果示于如下表3。
【表3】
参照表3,所有的示例性实施例1和示例性实施例5至8显示出被观察为优异的低的污渍区别。在限制凹痕扩展的方面,最优异的效果出现在氢氟酸浓度为1wt%时。当氢氟酸浓度为如示例性实施例8中示出的小于或等于0.5wt%或者大于或等于2wt%时,与其他实施例相比效果被显著降低。因此,核实了在限制凹痕扩展和减少污渍区别的方面,氢氟酸浓度的优选范围为大于0.5wt%且小于2wt%,更特别地是从约0.75wt%至约1.5wt%,并且最特别地是约1wt%。
虽然已经参照多个说明性的实施方式描述了实施方式,但是应当理解的是,本领域的技术人员能够想到在本发明公开的精神和原理范围内的许多其他的修改和实施方式。特别地,在组成部件和/或本公开、附图和所附的权利要求的范围内的主题组合安排的设置中,各种变化和修改都是可能的。除了在组成部分和/或设置中的变化和修改之外,对本领域的技术人员来讲替代使用也将是显而易见的。
Claims (9)
1.一种预处理过程,所述预处理过程在用于减少玻璃基板厚度的纤薄腐蚀过程之前进行,所述预处理过程包括:
将多个玻璃基板彼此分开并垂直于地面设置;以及
从所述玻璃基板上方的多个喷洒点朝向所述玻璃基板向下喷洒包括硫酸和氢氟酸的表面处理溶液。
2.如权利要求1所述的预处理过程,其中所述表面处理溶液包括大于60wt%且小于80wt%的硫酸和大于0.5wt%且小于w wt%的氢氟酸。
3.如权利要求2所述的预处理过程,其中所述表面处理溶液包括从约65wt%至约75wt%的硫酸和从约0.75wt%至约1.5wt%的氢氟酸。
4.如权利要求3所述的预处理过程,其中所述表面处理溶液中的氢氟酸浓度为1wt%。
5.如权利要求1至4中任一项所述预处理过程,其中所述表面处理溶液被喷洒向所述玻璃基板的顶部边缘和所述玻璃基板表面的至少一个上部。
6.如权利要求1至4中任一项所述预处理过程,其中所述喷洒点被设置在所述表面处理溶液被均匀地喷洒到所述玻璃基板上的喷洒区内。
7.如权利要求1至4中任一项所述预处理过程,其中所述玻璃基板是薄膜晶体管液晶显示器面板、有机发光二极管面板和触摸屏面板中的一个。
8.一种纤薄腐蚀玻璃基板的方法,所述方法包括:
预处理过程,其朝向彼此分开的多个玻璃基板向下喷洒包括硫酸和氢氟酸的预处理溶液;以及
腐蚀过程,其朝向经过所述预处理过程的玻璃基板向下喷洒包括从约1wt%至约20wt%的氢氟酸和氟化氢铵中的至少一种的腐蚀剂。
9.如权利要求8所述的方法,其中所述腐蚀剂包括从约1wt%至约20wt%的氢氟酸并且还包括硫酸、硝酸、盐酸、磷酸和乙酸中的至少一种。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130117246A KR101489241B1 (ko) | 2013-10-01 | 2013-10-01 | 전처리 공정을 포함한 유리기판 슬림에칭 방법 |
KR10-2013-0117246 | 2013-10-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104513017A true CN104513017A (zh) | 2015-04-15 |
Family
ID=52590158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410496123.9A Pending CN104513017A (zh) | 2013-10-01 | 2014-09-24 | 玻璃基板表面的预处理过程及纤薄腐蚀玻璃基板的方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101489241B1 (zh) |
CN (1) | CN104513017A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107698168A (zh) * | 2017-09-07 | 2018-02-16 | 凯盛科技股份有限公司 | 一种防破片单面减薄蚀刻承载篮具 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102491515B1 (ko) | 2017-07-07 | 2023-01-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치용 글래스 부재, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 |
CN114249540A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-03-29 | 江苏美伦光电有限公司 | 一种蓝玻璃冷加工方法及装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3839113A (en) * | 1972-04-21 | 1974-10-01 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing thin plate glass |
SU457673A1 (ru) * | 1970-06-13 | 1975-01-25 | Ленинградский Завод Художественного Стекла | Травильный раствор |
CN101062838A (zh) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | 夏普株式会社 | 研磨玻璃基板的制造方法 |
CN102674700A (zh) * | 2008-01-09 | 2012-09-19 | 伊可尼股份有限公司 | 玻璃基板蚀刻方法、玻璃薄板及玻璃基板蚀刻装置 |
CN103241957A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-08-14 | 湖北优尼科光电技术有限公司 | 一种玻璃基板减薄蚀刻方法 |
CN103304145A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-09-18 | 苏州安洁科技股份有限公司 | 一种处理玻璃板表面微结构的加工方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101245278B1 (ko) * | 2009-08-07 | 2013-03-19 | 주식회사 엘지화학 | 전도성 기판 및 이의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-10-01 KR KR20130117246A patent/KR101489241B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-09-24 CN CN201410496123.9A patent/CN104513017A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU457673A1 (ru) * | 1970-06-13 | 1975-01-25 | Ленинградский Завод Художественного Стекла | Травильный раствор |
US3839113A (en) * | 1972-04-21 | 1974-10-01 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing thin plate glass |
CN101062838A (zh) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | 夏普株式会社 | 研磨玻璃基板的制造方法 |
CN102674700A (zh) * | 2008-01-09 | 2012-09-19 | 伊可尼股份有限公司 | 玻璃基板蚀刻方法、玻璃薄板及玻璃基板蚀刻装置 |
CN103241957A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-08-14 | 湖北优尼科光电技术有限公司 | 一种玻璃基板减薄蚀刻方法 |
CN103304145A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-09-18 | 苏州安洁科技股份有限公司 | 一种处理玻璃板表面微结构的加工方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107698168A (zh) * | 2017-09-07 | 2018-02-16 | 凯盛科技股份有限公司 | 一种防破片单面减薄蚀刻承载篮具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101489241B1 (ko) | 2015-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102151997B1 (ko) | 유리 기판을 에칭 절단하는 방법 | |
US20120052302A1 (en) | Method of strengthening edge of glass article | |
US9488857B2 (en) | Method of strengthening an edge of a glass substrate | |
CN101868428A (zh) | 玻璃基板的蚀刻处理方法 | |
CN104513017A (zh) | 玻璃基板表面的预处理过程及纤薄腐蚀玻璃基板的方法 | |
KR20090109198A (ko) | 액정디스플레이 장치용 유리기판의 세정 및 식각 조성물 및이를 이용한 유리기판의 식각 방법 | |
CN101684557A (zh) | 液晶显示器系统中的铜、铜/钼或铜/钼合金电极蚀刻液体 | |
JP2014527190A (ja) | ガラス物品の強化のための表面傷の変形 | |
US20090113935A1 (en) | Process for producing glass bar | |
CN101130870A (zh) | 钛、铝金属层叠膜蚀刻液组合物 | |
JP2006265017A (ja) | ガラス表面のエッチング方法 | |
JP2017081767A (ja) | ガラス板用エッチング液及びガラス板のエッチング方法 | |
US20170354999A1 (en) | Method for forming super water-repellent and super oil-repellent surface, and object manufactured thereby | |
TWI684214B (zh) | 基板底面處理方法及設備 | |
Vrancken et al. | Pattern collapse of high-aspect-ratio silicon nanostructures-A parametric study | |
KR102297566B1 (ko) | 유리 기판, 유리 기판의 제조 방법 및 블랙 매트릭스 기판 | |
CN1964000A (zh) | 一种去除硅片背面氮化硅的方法 | |
JP6463341B2 (ja) | 空乏層を備えたガラスおよびその上に構築された多結晶シリコンtft | |
CN102341892B (zh) | 将非金属沉积物从含铝基板移除的非破坏性及选择性沉积移除方法 | |
JP2018140892A (ja) | 薄型ガラス基板の製造方法 | |
KR100415261B1 (ko) | 전자표시장치및기판용세정및식각조성물 | |
US20130319833A1 (en) | Rigid substrate, touch panel, and processing method of rigid substrate | |
JP2006315929A (ja) | ガラス表面の研磨方法 | |
JP2016064926A (ja) | ガラス製造方法 | |
CN103396903A (zh) | 用于tft基板清洗的免损伤清洗液及其使用方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150415 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |