CN104508841A - 半导体发光器件 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：支撑基板，该支撑基板具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧；形成在所述第一侧上的具有多个半导体层的至少一个半导体叠层；结合层，其用于将该多个半导体层中的第二半导体层结合到支撑基板的第一侧；以及结合层去除面，其形成在该第一侧上，并且朝向所述多个半导体层开口，并且被布置成向该多个半导体层提供电流。

Description

半导体发光器件
技术领域
本公开(Disclosure)总体涉及半导体发光器件，更具体地，涉及具有在支撑基板上的结合层去除面和/或电传递通道的半导体发光器件。
在这里的背景下，术语“半导体发光器件”指一种通过电子-空穴复合而产生光的半导体光学器件，并且其典型示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体由Al(x)Ca(y)In(1-x-y)N(0＝x＝1,0＝y＝1,0＝x+y＝1)组成。其另一个示例是用于发红光的基于GaAs的半导体发光器件。
背景技术
该部分提供与不必是现有技术的本公开有关的背景信息。
图1是例示现有技术中的半导体发光器件(横向芯片(Lateral Chip))的一个示例的图，其中，半导体发光器件包括基板100，并且缓冲层200、具有第一导电性的第一半导体层300、用于通过电子空穴复合产生光的有源层400、和具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层500，缓冲层200、第一半导体层300、有源层400和第二半导体层500按照上述顺序沉积在基板100上，以及另外，用于电流散布的光透射导电膜600并且在光透射导电膜600上形成有充当焊盘的电极700，并且在第一半导体层300的蚀刻露出部上有形成充当焊盘的电极800。
图2是例示现有技术中的半导体发光器件(倒装芯片)的另一个示例的图，其中，半导体发光器件包括基板100，并且具有第一导电性的第一半导体层300、用于通过电子空穴复合产生光的有源层400、和具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层500，第一半导体层300、有源层400和第二半导体层500按照上述顺序沉积在基板100上，以及另外，在第二半导体层500上形成有用于朝向基板100反射光的三层电极膜，即，电极膜901、电极膜902和电极膜903，并且在第一半导体层300的蚀刻露出部上形成有充当焊盘的电极800。
图3是例示现有技术中的半导体发光器件(垂直芯片)的又一个示例的图，其中，半导体发光器件包括具有第一导电性的第一半导体层300、用于通过电子空穴复合产生光的有源层400、和第二半导体层500(该第二半导体层500具有与第一导电性不同的第二导电性，第一半导体层300、有源层400和第二半导体层500按照上述顺序沉积)，并且另外，在第二半导体层500上形成有用于朝向第一半导体层300反射光的金属反射膜910，并且在支撑基板930侧上形成有电极940。金属反射膜910和支撑基板930经由晶片结合层920接合到一起。在第一半导体层300上形成有充当焊盘的电极800。
图4和图5例示现有技术中的半导体发光器件的进一步的示例。如图4所例示，图2所示的半导体发光器件(倒装芯片)安装在布线板(1000)上，然后，如图5所示去除基板100，从而获得半导体发光器件(垂直芯片；其这样命名，以指示已经去除了基板100)。具体地，该半导体发光器件可以通过对电极膜901、902和903和电极图案1010进行对准，随后对电极800与电极图案1020进行对准而获得。然后，该半导体发光器件使用凸块、糊状物或易熔金属950和960安装在布线板1000上，并且借助激光来去除基板100。
然而，因为上述处理需要以在芯片级别执行，所以处理变长且变得复杂，并且电极膜901、902和903、电极800和电极图案1010和1020的对准也带来困难。除此之外，与以芯片级别进行磷光剂涂布关联的成本增加造成另一问题。
因此，虽然芯片级别的TFFC(薄膜倒装芯片)技术的商业化代表半导体发光器件的高水平制造技术，但是另一方面，其也公开地表明尚未容易地进行这种技术以晶片级别的应用。为了以晶片级别应用该概念，已经提出许多建议。然而，未提出这样半导体发光器件及其制造方法：其可以大致克服电极膜901、902和903、电极800与电极图案1010和1020的对准困难，以及在晶片级别结合操作之后，在去除基板100期间和后续处理中的半导体层200、300和400中出现的破裂。
图22是例示本领域中的半导体发光器件的又一个示例的图，其中，该半导体发光器件包括形成在单个生长基板100上的半导体堆A和B，各个半导体堆A和B都包括具有第一导电性的第一半导体层300、用于通过电子空穴复合来产生光的有源层400和具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层500，第一半导体层300、有源层400和第二半导体层500按照上述顺序沉积。此外，形成有充当焊盘或反射膜的电极700，并且在第一半导体层300的蚀刻露出部上形成有充当焊盘的电极800。半导体堆A的电极700和半导体堆B的电极800通过电连接件780相连接，使得半导体堆A和半导体堆B也被电连接。
发明内容
技术问题
本公开所解决的问题将在之后具体实施方式部分中描述。
技术方案
该部分提供本公开的总体总结并且不是其全部范围或所有其特征的综合公开。
根据本公开的一个方面，提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括支撑基板，其具有第一面和与所述第一面相反的第二面；形成在所述第一面上的至少一个半导体堆，其中，各个堆都包括利用生长基板依次生长的多个半导体层，所述多个半导体层由具有第一导电性的第一半导体层、具有与所述第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层以及插入所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且通过电子空穴的复合来产生光的有源层组成，并且其中，在所述第一半导体层侧上形成有生长基板去除面；结合层，其将所述多个半导体层的所述第二半导体层侧结合到所述支撑基板的所述第一面侧；以及并且在所述第一面上形成的结合层去除面，该结合层去除面朝向所述多个半导体层开口以向所述多个半导体层提供电流。结合层去除面与扩展到所述多个半导体层、引线和穿透所述支撑基板的电传递通道组合起来可以允许制造多种半导体发光器件。
有益效果
本公开的有益效果将在后面具体实施方式部分中描述。
附图说明
图1是例示现有技术中半导体发光器件(横向芯片)的一个示例的图。
图2是例示现有技术中半导体发光器件(倒装芯片)的另一个示例的图。
图3是例示现有技术中半导体发光器件(垂直芯片)的又一个示例的图。
图4和图5是例示现有技术中的半导体发光器件的进一步的示例的图。
图6是描述根据本公开的半导体发光器件的技术概念的图。
图7至图11是例示根据本公开的半导体发光器件的制造方法的一个示例的图。
图12是例示根据本公开的电连接件的形成处理的一个示例的图。
图13是例示根据本公开的电连接件的形成处理的另一个示例的图。
图14是例示根据本公开的电连接件的形成处理的又一个示例的图。
图15是例示根据本公开的电连接件的形成处理的又一个示例的图。
图16是例示图12所示的半导体发光器件中的生长基板去除面的形式的示例的图。
图17是例示根据本公开的电连接件的形式的示例的图。
图18至图20是例示本公开中磷光剂的涂覆的示例的图。
图21是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。
图22是例示本领域中的半导体发光器件的另一个示例的图。
图23是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。
图24例示半导体堆A和半导体堆B之间的电耦接关系的示例。
图25是例示半导体堆A和半导体堆B之间的电连接件的实例的图。
图26是例示半导体堆A和半导体堆B之间的电连接件的另一个实例的图。
图27到图31例示图23中示出的半导体堆A和半导体堆B之间的电耦接关系的示例。
图32是例示其中图12的半导体发光器件被应用于图25中示出的电连接件的示例的图。
图33是例示其中图12的半导体发光器件被应用于图26中示出的电连接件的示例的图。
图34是例示其中图12的半导体发光器件被应用于图25中示出的电连接件的另一个示例的图。
图35是例示其中图14的半导体发光器件被应用于图25中示出的电连接件的示例。
图36是例示在US专利No.6,911,676中提出的半导体发光器件的示例的图。
图37是例示本领域中的半导体发光器件的另一个示例的图。
图38是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。
图39是例示图38中示出的半导体发光器件的电耦接关系的图。
图40是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。
图41是根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。
图42是根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。
图43是根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。
图44是根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。
图45是根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。
图46是例示其中图44的半导体发光器件的概念被应用于图12中示出的半导体发光器件的示例的图。
图47是例示其中图45的半导体发光器件的概念被应用于图12中示出的半导体发光器件的示例的图。
图48和图49是例示图43中示出的半导体发光器件中的电耦接的各种方法的图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细地描述本公开。
图6是描述根据本公开的半导体发光器件的技术概念的图，其中，半导体发光器件具有多个半导体层，该多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层30(例如，n型GaN)；具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层50(例如，p型GaN)；以及插入在第一半导体层30与第二半导体层50之间并且通过电子空穴复合产生光的有源层40(例如，InGaN/GaN多量子阱结构)。可以改变第一半导体层30的导电性和第二半导体层50的导电性。多个半导体层30、40和50具有由于生长基板10的去除而露出的生长基板去除面31(参见图7)。依赖于去除生长基板和牺牲层的条件，生长基板去除面31可以包括掺杂n层、未掺杂n层或如图1中的缓冲层200。生长基板去除面31也可以是粗糙面，以提高光提取效率。进一步地，半导体发光器件具有带有第一面101a和与第一面101a相对的第二面101b的支撑基板101。支撑基板101具有第一电传递通道91和第二电传递通道92。在图6中，第一电传递通道91和第二电传递通道92从第二面101a持续到第一面101b。多个半导体层30、40和50以及支撑基板101经由结合层90接合或结合。结合层90可以经由制造如图3中的半导体发光器件时所采用的常规晶片结合法来形成。第一电传递通道91经由结合层90将电子或空穴转移到多个半导体层30、40和50。通过去除结合层90，第二电传递通道92露出在第一面101a上。借助于去除结合层90，第二电传递通道92朝向多个半导体层30、40和50开口。第一面101a的该开口、露出区域被定义为结合层去除面102。电连接件93可以将第二电传递通道92电连接到第一半导体层30或电连接到第二半导体层50。
图7至图11是例示根据本公开的半导体发光器件的制造方法的一个示例的图。现在参照图7，首先经由已经形成的结合层90将按顺序生长在生长基板10(例如，蓝宝石基板)上的第一半导体层30、有源层40和第二半导体层40结合到设置有第一电传递通道91和第二电传递通道92的支撑基板101。生长基板10的示例性材料可以包括Si、AlN、AlGaN、SiC等，但不限于此。对于支撑基板101，防止多个半导体层30、40和50在去除生长基板期间破裂并且呈现优异的散热性能的任何材料都是合适的，并且其示例可以包括SiC、AlSiC、AlN、AlGaN、GaN、蓝宝石、LTCC(低温共烧陶瓷)、HTCC(高温共烧陶瓷)等。优选地，在生长多个半导体层30、40和50期间，具有如图1中的缓冲层200。接着，参照图8，生长基板10与多个半导体层30、40和50分开并从生长基板10去除。可以经由激光剥离、使用牺牲层的湿法蚀刻、研磨、CMP(化学机械抛光)等，来实现生长基板10的去除。接着，参照图9，在晶片级别状态下，该晶片级别应当被理解为对于芯片级别的相对概念。正常地，晶片级别指示多个半导体层30、40和50叠置在生长基板10上的状态。然而，人们应当理解其还包括在芯片级别之前，多个半导体层30、40和50在被切割为比芯片级别大的块的生长基板10上的状态(即，在变为被切割成实际使用的形状的芯片之前，在被划分成各个芯片之前，部分地去除和隔离多个半导体层30、40和50)。此后，如图10所示，去除结合层90，以形成结合层去除面102，然后使第二电传递通道92露出。结合层90的去除可以经由已知的干法蚀刻或湿法蚀刻处理来实现。不总是要求结合层90的去除应当在将多个半导体层30、40和50隔离成单个芯片之后。例如，为了形成结合层90，首先，可以去除多个半导体层30、40和50以及结合层90，使得形成结合层去除面102，并且此后，多个半导体层30、40和50可以针对各个芯片而隔离。下面，参照图11，如果需要，则设置绝缘层110(例如，SiO2)，并且形成电连接件93。该电连接件93可以通过沉积各种半导体处理中所使用的任何金属形成。结合层90可以通过将结合材料设置到多个半导体层30、40和50以及设置到支撑基板101，或通过将结合材料设置到任意一侧，而形成。支撑基板101被穿孔，并且将导电材料插入在孔中，使得形成第一电传递通道91和第二电传递通道92。这可以通过电镀来完成。第一电传递通道91和第二电传递通道92可以从第一面持续到第二面101b(参见图6)，或者可以随着研磨第二面101b露出。
图12是例示根据本公开的电连接件的形成处理的一个示例的图。这里，第一电连接件91经由结合层90电连接到第一半导体层30，使得电子经由第一半导体层30转移到有源层40。第二电连接件92通过电连接件93经由第一导电层94电连接到第二半导体层50，使得空穴经由第二半导体层50转移到有源层40。
由于去除了多个半导体层30、40和50，所以使第一导电层94露出并且与电连接件93电连接。第一导电层94优选地由不仅将电流分散到第二半导体层50中还将有源层40中产生的光朝向第一半导体层30反射的材料组成。第一导电层94可以由Au、Pt、Ag、Al、Rh、Cr、Cu、Ta、Ni、Pd、Mg、Ru、Ir、Ti、V、Mo、W、TiW、CuW、ITO、ZnO、SnO2、In2O3或其合金以多层(例如，至少两层)构造形成。
电连接件93可以由Au、Pt、Ag、Al、Rh、Cr、Cu、Ta、Ni、Pd、Mg、Ru、Ir、Ti、V、Mo、W、TiW、CuW或其合金以多层(例如，至少两层)构造形成。
结合层90包括设置到支撑基板101上的导电结合层96；和设置在多个半导体层30、40和50的一侧上并穿过第二半导体层50和有源层40持续到第一半导体层30的第二导电层95。第二导电层95可以由单种材料组成，或者具有用于结合在与导电结合层96邻接的一侧上的另一种合适材料。
第二导电层95可以由与GaN材料形成欧姆接触的任何材料、和充当结合物的任何材料组成，并且可以由Au、Pt、Ag、Al、Rh、Cu、Ta、Ni、Pd、Ti、V、Mo、W、TiW、CuW、Sn、In、Bi或其合金以多层(例如，至少两层)构造形成。
导电结合层96可以由与支撑基板优异粘合的任何材料、和充当结合物的任何材料组成，并且可以由Ti、Ni、W、Cu、Ta、V、TiW、CuW、Au、Pd、Sn、In、Bi或其合金以多层(例如，至少两层)构造形成。
附图标记110和111表示绝缘层。
利用上述构造，多个半导体层30、40和50的整个表面和支撑基板101的整个表面用于结合，并且这些整个表面即使在去除生长基板10期间也保持在结合状态(参见图7)，使得可以防止多个半导体层30、40和50破裂。而且，第一电传递通道91和第二电传递通道92与多个半导体层30、40和50之间的对准可以无困难地执行。然而，在去除生长基板10之后，需要第二电传递通道92与多个半导体层30、40和50之间的电连接件。为此，已经结合的结合层90被去除，以形成结合层去除面102，并且使用电连接件93来将第二电传递通道92和第二半导体层50电连接。本领域技术人员应当认识到除了本公开之外，还可以在形成结合层90之前，在第二导电层95中或导电结合层96中形成小孔。优选地，将后电极120和后电极121设置到支撑基板101的第二面101b上并且与第一电传递通道91和第二电传递通道92连接，使得它们可以充当引线框。
图13是例示根据本公开的电连接件的形成处理的另一个示例的图。这里，将第一导电层94和导电结合层96结合，以形成结合层90，并且将第二导电层95和电连接件93连接，借此从第二电传递通道92向第一半导体层30供给电流。
图14是例示根据本公开的电连接件的形成处理的又一个示例的图。这里，将导电结合层96和第二导电层95结合，以形成结合层90。然而，仅第二导电层95涉及结合，并且不向第一半导体层30供给电流。第一电传递通道91经由结合层90和第一导电层94与第二半导体层50电连接。这里，第一导电层94可以充当反射膜和/或电流分散层。向第一半导体层30的电流供给可以由从第二电传递通道92持续到生长基板去除面31的电连接件93来实现。
图15是例示根据本公开的电连接件的形成处理的又一个示例的图。这里，在结合之前，去除第二半导体层50和有源层40，由此，在多个半导体层30、40、50中的第一半导体层30上形成凸形面(mesa surface)32。在形成了凸形面32时，还可以提前对多个半导体层30、40和50进行隔离处理。凭借该构造，在形成凸形面32之后，有源层40可以具有保护层(例如，SiO2；其变为绝缘层110的一部分)，这转而会提高后续处理中器件的可靠性。
图16是例示图12所示的半导体发光器件中的生长基板去除面的形式的示例的图。生长基板去除面102可以形成在半导体发光器件的一侧、两侧(未示出)、三侧或四侧上，或可以简单地是开口形式。为了避免解释冗余，将不对由相同附图标记指定的相同或类似的元件进行说明。电连接件93可以位于生长基板去除面102中，或在将芯片彼此分开的接口上。
图17是例示根据本公开的电连接件的形式的示例的图，其中，(a)示出形成两个电连接件93，并且(b)和(d)示出手指电极93a设置到电连接件93。该构造应用于图14中所示的半导体发光器件。在(c)中，通过去除绝缘层111以露出结合层90，设置电接触件81。通过采用电接触件81和电连接件93，可以在器件的制造过程中促进探测和分选。
图18至图20是例示本公开中磷光剂的涂覆的示例的图。如图18中所示，可以直接涂覆含有磷光剂的密封剂1；或者，如图19所示，可以使用无磷光剂的密封剂2，并且密封剂1仅设置到半导体发光器件的上部；或者，如图20所示，可以使用无磷光剂的密封剂2，并且密封剂1在距半导体发光器件特定距离处涂覆。
图21是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。可以看到，在单个支撑基板101上，去除了第二电传递通道92，并且半导体发光器件或半导体堆A和半导体发光器件或半导体堆B通过结合层去除面102上的电连接件93连接。
图23是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图，其中，一个支撑基板101设置有两个半导体堆A和B。半导体堆A和B中的每个都具有第一半导体层30、有源层40和第二半导体层50，第二半导体层50通过结合层90结合到支撑基板101。半导体堆A的第一电传递通道91a以及半导体堆B的第一电传递通道91b与结合层90电连接；半导体堆A的第二电传递通道92a和半导体堆B的第二电传递通道92b通过电连接件92和电连接件93分别与半导体堆A和半导体堆B电连接。
图24例示半导体堆A和半导体堆B之间的电耦接关系的示例。更具体地，在(a)中，半导体堆A和半导体堆B串联连接；在(b)中，半导体堆A和半导体堆B并联连接，并且在(c)中，半导体堆A和半导体堆B反向并联连接。例如，通过将第二电传递通道92a与第一电传递通道91b连接，可以实现串联连接。例如，通过将第一电传递通道91a与第一电传递通道91b连接，并且通过将第二电传递通道92a与第二电传递通道92b连接，可以实现并联连接。通过将第一电传递通道91a与第二电传递通道92b连接，并且通过将第二电传递通道92a与第一电传递通道91b连接，可以实现反向并联连接。
图25是例示半导体堆A和半导体堆B之间的电连接件的实例的图，其中半导体堆A的第二电传递通道92a与半导体堆B的第一电传递通道91b通过电连接件122串联连接。优选地，分别地，半导体堆A的第一电传递通道91a设置有后电极120，并且半导体堆B的第二电传递通道92b设置有后电极121。为了形成电连接件122，可以应用例如物理气相沉积(包括蒸发器沉积、溅射沉积和脉冲激光沉积(PLD))或电化学沉积。
图26是例示半导体堆A和半导体堆B之间的电连接件的另一个实例的图，其中半导体堆A的第二电传递通道92a和半导体堆B的第一电传递通道91b被集成，并且提供了电连接件122。这个电连接件122可以省略。电连接件122被绝缘层111覆盖，并且后电极120形成绝缘层111上。绝缘层111被后电极121全覆盖也是可接受的。后电极120具有较大宽度可以有助于半导体发光器件的散热。后电极120和后电极121被设计成具有相同的高度。但是，应当注意，未对后电极120和后电极121所在的位置以及它们的形状进行具体限制，但是它们的形状可以按照需要针对给定设计进行改变。
图27到图31例示图23中示出的半导体堆A和半导体堆B之间的电耦接关系的示例。参照图27，六个半导体堆A至F在单个支撑基板101上串联连接。通过电连接件122将各个半导体堆的第二电传递通道92a和第一电传递通道91b连接，使得该结构成为可能。参照图28，半导体堆A、半导体堆B和半导体堆C串联连接，并且半导体堆D、半导体堆E和半导体堆F串联连接，半导体堆A、B、C与半导体堆D、E、F并联连接。参照图29，半导体堆A和半导体堆D并联连接，半导体堆B和半导体堆E并联连接，并且半导体堆C和半导体堆F并联连接，半导体堆A、B、C与半导体堆D、E、F串联连接。除了半导体堆B与半导体堆E集成以外，图30示出了与图29相同的电连接。参照图31，半导体堆A、B、C与半导体堆D、E、F反向并联连接。此外，由于第一电传递通道91a和第二电传递通道92b在支撑基板101的第二面101b上电连接，可以利用PN节二极管形成不同的电构造(例如，整流器电路-惠斯通电桥、肖特基型AC LED阵列)。
图32是例示其中图12的半导体发光器件被应用于图25中示出的电连接件的示例的图，其中半导体堆A的第二电传递通道92a通过电连接件122与半导体堆B的第一电传递通道91b相连接。电连接件93与第二电传递通道92a连接。在图中，附图标记110表示绝缘层。
图33是例示其中图12的半导体发光器件被应用于图26中示出的电连接件的示例的图，其中半导体堆A的第二电传递通道92a与半导体堆B的第一电传递通道91b集成。
图34是例示其中图12的半导体发光器件被应用于图25中示出的电连接件的另一个示例的图，其中电连接件93、第二电传递通道92a和第一电传递通道91b与半导体堆B的结合层90连接。
图35是例示其中图14的半导体发光器件被应用于图25中示出的电连接件的示例，其中除了电连接件93持续到生长基板去除层31以外，电连接件93与图32的相同。此外，本公开的电连接件可以应用于图13的半导体发光器件以及各种类型的半导体发光器件。
图36是例示在US专利No.6,911,676中提出的半导体发光器件的示例的图，其中两个PN结二极管A和B形成在基板100上。根据这里提出的结构，PN结二极管A的第二半导体层500与PN结二极管B的第一半导体层300应通过电连接件780连接，并且PN结二极管B的第一半导体层300和PN结二极管A的第二半导体层500还应被电连接(未示出)，由此允许PN结二极管A充当半导体发光器件，同时允许PN结二极管B充当静电保护元件。
图37是例示本领域中的半导体发光器件的另一个示例的图。根据这里提出的结构，半导体发光器件100-1、100-2、…、100-n-1和100-n串联连接以形成发光部2000，并且发光部2000被引线连接到四个PN结D10、D20、D30和D40。
图38是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。与图12中示出的半导体发光器件相反，在作为支撑基板101的底表面的第二面101b侧形成第一导电部150和第二导电部160，第一导电部150具有与第一半导体层30的第一导电性(例如，n型)不同的导电性(例如，p型)，并且第二导电部160具有与第一半导体层30的第一导电性相同的导电性(例如，n型)。支撑基板101由例如诸如AIN、未掺杂的Si和Sic以及通过离子注入而引入半导体中的杂质组成，使得支撑基板101示出n型导电性、p型导电性或中性。导电性是一种相对的概念。所述杂质可以在第一电传递通道91和第二电传递通道92形成在支撑基板101上之前或之后被引入。将不对由相同的附图标记指示的相同或相似的元件进行说明。为了设计的需要，在第一导电部150和第二导电部160之间，可以存在或可以不存在上掺杂层170。
图39是例示图38中示出的半导体发光器件的电耦接关系的图，其中由多个半导体层30、40和50形成的发光部Q与由第一导电部150和第二导电部160形成的PN结二极管S通过由第一电传递通道91和第二电传递通道92提供的引线反向并联连接，由此允许PN结二极管S充当静电保护元件。在图38示出的发光器件中，发光部Q并不必须具有图12中示出的半导体发光器件的全部特征。这种电耦接关系可以应用于包括图12到图35中示出的半导体发光器件在内的各种半导体发光器件。
图40是例示根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的、从支撑基板101的第二面看时的图。与图38中示出的半导体发光器件相反，第一导电部150—第二导电部160—第一导电部150—第二导电部160依次形成在支撑基板101上，形成了两个PN结二极管S和S。不是使用一个PN结二极管S，而是依赖于支撑基板101的要求属性或规格，可以采用多个PN结二极管S和S。如果适当，则第一导电部150可以由金属引线56与第二导电部160电连接。此外，如图21所示，将多个半导体层30、40和50划分成多个发光部(例如，半导体堆A和半导体堆B)并且接着利用电连接件93将所述多个发光部串联连接也是可能的。
图41是根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图，其可以应用于图32中示出的半导体发光器件。半导体堆A的第二电传递通道92a通过电连接件122与半导体堆B的第一电传递通道91b电连接，使得半导体堆A和半导体堆B串联连接。在设置有电连接件122的区域上不掺杂杂质，这防止了与两个串联连接的PN结二极管S和S的电接触，以形成图中所示的电耦接关系。另外，可以按照多种构造形成电耦接关系。
图42是根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。这里，作为磷光体的半导体堆A和半导体堆B通过电连接件93串联连接，形成了与图37中示出的发光部2000相对应的结构，以确保用于支撑基板101的足够空间，并且利用第一导电部150和第二导电部160形成四个PN结二极管D10、D20、D30和D40，并且通过采用金属引线56来连接四个PN结二极管D10、D20、D30和D40，以形成图37中的整流器电路。此外，PN结二极管和/或金属引线56也可以例如用于在支撑基板101上形成具有特定功能的不同二极管、晶体管和电路。
图43是根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。与图6中的半导体发光器件相反，按照使电连接件93通过引线97从外部接收电力的方式构造电连接件93。
图44是根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图，其中支撑基板101具有第一电传递通道91，并且第一电传递通道91连接到结合层90。
图45是根据本公开的半导体发光器件的又一个示例的图。与图44中的支撑基板不同，支撑基板101不具有第一电传递通道91，并且结合层90通过引线98连接。优选地，结合层90具有便于引线结合的焊盘电极99，该焊盘电极99的最上层由Au组成。尽管焊盘电极99可以是单个Au层，但是焊盘电极99也可以具有Cr/Ni/Au构造。
图46是例示其中图44的半导体发光器件的概念被应用于图12中示出的半导体发光器件的示例的图，其中引线97与电连接件93相连接。将不对由相同的附图标记指示的相同或相似的元件进行说明。
图47是例示其中图45的半导体发光器件的概念被应用于图12中示出的半导体发光器件的示例的图，其中不存在第一电传递通道91，并且结合层90通过焊盘电极99连接到引线98。将不对由相同的附图标记指示的相同或相似的元件进行说明。可以省略后电极120。
毋庸置疑，通过使用引线来替换第二电连接件92，图44和图45中提出的概念可以应用于在图13、图14和图15中示出的半导体发光器件。
图48和图49是在图43中示出的半导体发光器件中进行电耦接的各种方法的图。在图48中，在单个支撑基板101上，半导体发光器件或半导体堆A的电连接件93通过引线98串联连接到半导体发光器件或半导体堆B的焊盘电极99。在图49中，半导体发光器件或半导体堆A以及半导体发光器件或半导体堆B被设置在分立的基板131的电气图案130(诸如PCB或COB)上，并且半导体发光器件或半导体堆A的电连接件93通过电气图案130串联连接到第一电传递通道91。包括串联连接以及并联连接在内的多种电连接可以是可能的。在图48中，支撑基板101可以被分开。
这里，下面，将说明本公开的各种实施方式。
(1)一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层，该多个半导体层顺序生长在生长基板上，所述多个半导体层包括具有第一导电性和形成在其一侧上的生长基板去除面的第一半导体层、具有与所述第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层、以及插入在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间并且通过电子空穴复合产生光的有源层；具有第一面和与该第一面相对的第二面的支撑基板，其中，第一电传递通道(经由该第一电传递通道，电子或空穴被转移到多个半导体层)和第二电传递通道(经由该第二电传递通道，未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴被转移到该多个半导体层)从所述第二面持续到所述第一面；结合层，该结合层将所述多个半导体层的所述第二半导体层侧与所述支撑基板的所述第一面侧结合，并且与所述第一电传递通道电连接；结合层去除面，该结合层去除面形成在所述第一面上，使所述第二电传递通道露出并且朝向所述多个半导体层开口；以及电连接件，该电连接件用于将所述多个半导体层与露出在所述结合层去除面上的所述第二电传递通道电连接，使得未经由所述第一电传递通道转移的电子或空穴转移到所述多个半导体层。这里，结合层指的是在结合之后形成的层，而不是由给多个半导体或支撑基板形成的、在结合之前要结合的任何层。
(2)一种半导体发光器件，其中，所述第一电传递通道经由所述结合层电连接到所述第一半导体层，并且所述第二电传递通道经由所述电连接件电连接到所述第二半导体层。
(3)一种半导体发光器件，该半导体发光器件还包括：第一导电层，该第一导电层在去除所述多个半导体层时露出，用于与所述电连接件连接，并且电连接到所述第二半导体层。这里，第一导电层可以仅是金属(例如：Ag、Ni、Ag/Ni)或金属与任意金属氧化物(例如：ITO)。其通常具有反射功能，并且可以与非导电结构(诸如，ODR和/或DBR)组合使用。
(4)一种半导体发光器件，其中，所述第一电传递通道经由所述结合层电连接到所述第二半导体层，并且所述第二电传递通道经由所述电连接件电连接到所述第一半导体层。
(5)一种半导体发光器件，该半导体发光器件还包括：第二导电层，该第二导电层在去除所述多个半导体层时露出，用于与所述电连接件连接，并且电连接到所述第一半导体层。这里，所述第二导电层用于向所述第一半导体层供电，并且可以用作所述结合层的一部分。
(6)一种半导体发光器件，其中，所述多个半导体层当沿从所述多个半导体层到所述支撑基板的方向突出时，都被所述结合层覆盖。
(7)一种半导体发光器件，该半导体发光器件还包括：电接触件，该电接触件露出在所述支撑基板的相对于所述结合层的相对侧上，并且与所述电连接件互相作用，用于探测所述半导体发光器件。
(8)一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括以下步骤：制备多个半导体层，该多个半导体层顺序生长在生长基板上，所述多个半导体层包括具有第一导电性和形成在其一侧上的生长基板去除面的第一半导体层、具有与所述第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层、以及插入在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间并且通过电子空穴复合产生光的有源层；制备支撑基板，该支撑基板具有第一面和与所述第一面相对的第二面，其中，设置第一电传递通道(经由该第一电传递通道，电子或空穴被转移到所述多个半导体层)和第二电传递通道(经由该第二电传递通道，未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴被转移到所述多个半导体层)；将所述生长基板的相对侧上的所述多个半导体层与所述支撑基板的所述第一面侧结合，使得结合层形成在所述结合区域上，并且所述第一电传递通道经由所述结合层连接到所述多个半导体层；去除所述基板；去除所述结合层，以使所述第二电传递通道露出；将所述第二电传递通道与所述多个半导体层电连接，使得未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴转移到所述多个半导体层。
(9)一种制造半导体发光器件的方法，其中，结合层去除步骤包括去除所述多个半导体层。
(10)一种制造半导体发光器件的方法，其中，去除所述结合层的步骤包括隔离用于制造各个芯片的所述多个半导体层，并且去除所述结合层，以使所述第二电传递通道露出。
(11)一种制造半导体发光器件的方法，其中，所述多个半导体层具有电连接到所述第一半导体层和第二半导体层中的一个半导体层的导电层，并且所述方法还包括在电连接步骤之前，去除所述多个半导体层以使所述导电层露出的步骤。
(12)一种制造半导体发光器件的方法，其中，所述导电层电连接到所述第二半导体层。
(13)一种制造半导体发光器件的方法，其中，所述导电层电连接到所述第一半导体层。
(14)一种制造半导体发光器件的方法，其中，在电连接步骤中，所述第二电传递通道持续到去除了所述生长基板的所述多个半导体层。
(15)一种制造半导体发光器件的方法，其中，在结合步骤之前，去除所述多个半导体层的一部分。
(16)一种制造半导体发光器件的方法，其中，在结合步骤中，将所述第一电传递通道和所述第二电传递通道这两者结合到所述结合层。
(17)一种制造半导体发光器件的方法，其中，在结合步骤中，在所述支撑基板的整个所述第一面上形成所述结合层。
(18)一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：支撑基板，该支撑基板具有第一面、与所述第一面相反的第二面以及从所述第一面持续到所述第二面的第一电传递通道和第二电传递通道；形成在所述第一面上的至少两个半导体堆(表示为第一半导体堆和第二半导体堆)，其中，各个堆都包括利用生长基板依次生长的多个半导体层，所述多个半导体层由具有第一导电性的第一半导体层、具有与所述第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层以及插入所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层组成并且通过电子空穴复合来产生光的所述有源层，在第一半导体层侧上形成生长基板去除面；结合层，该结合层将所述多个半导体层的所述第二半导体层侧结合到所述支撑基板的所述第一面侧；以及电连接件，该电连接件在第二侧上将所述第一半导体堆连接到所述第二半导体堆的所述第一电传递通道和所述第二电传递通道中的至少一方。
(19)一种半导体发光器件，其中，所述电连接件将所述第一半导体堆的所述第二电传递通道与所述第二半导体堆的所述第一电传递通道连接。
(20)一种半导体发光器件，其中，所述第一半导体堆的所述第二电传递通道和所述第二半导体堆的所述第一电传递通道合并。
(21)一种半导体发光器件，其中，所述电连接件被绝缘层覆盖，在所述绝缘层上形成与所述第一半导体堆和所述第二半导体堆中的一方电连接的后电极。
(22)一种半导体发光器件，其中，所述第一半导体堆的所述第一电传递通道与所述第二半导体堆的所述第一电传递通道相连接，并且其中，所述第一半导体堆的所述第二电传递通道与所述第二半导体堆的所述第二电传递通道相连接。在图28中，为了说明的目的例示了六个半导体堆，但是两个并联连接的半导体堆更容易被理解。
(23)一种半导体发光器件，其中，所述第一半导体堆的所述第一电传递通道与所述第二半导体堆的所述第二电传递通道相连接，并且其中，所述第一半导体堆的所述第二电传递通道与所述第二半导体堆的所述第一电传递通道相连接。这意味着反向并联的电连接。在图31中，为了说明的目的例示了六个半导体堆，但是两个反向并联连接的半导体堆更容易被理解。
(24)一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：形成在所述第一面上的结合层去除面，其朝向所述多个半导体层开口。从图23说明的本公开的技术概念可以容易地与图6中说明的技术概念结合。然而，图33和图34中的示例与图32中的不同之处在于在结合层去除面第二电传递通道92a不被被露出(或者其被结合层90覆盖)。
(25)一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：附加电连接件，该附加电连接件从所述第二电传递通道向所述多个半导体层提供电子和空穴中的另一方。
(26)一种半导体发光器件，其中，所述第二半导体堆的所述结合层被所述第一半导体堆的所述第二电传递通道覆盖。
(27)一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：利用生长基板依次生长的多个半导体层，所述多个半导体层由具有第一导电性的第一半导体层、具有与所述第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层以及插入所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且通过电子空穴复合来产生光的有源层组成；支撑基板，该支撑基板与所述多个半导体层结合以支撑所述多个半导体层并且由半导体材料制成，所述支撑基板具有第一面、与所述第一面相反的第二面以及从所述第二面持续到所述第一面的第一电传递通道和第二电传递通道，所述第一电传递通道向所述多个半导体层提供电子和空穴中的一方，同时所述第二电传递通道向所述多个半导体层提供电子和空穴中的另一方；以及至少一个PN结二极管，所述至少一个PN结二极管形成在所述支撑基板处并且通过所述第一电传递通道和所述第二电传递通道电连接到所述多个半导体层。
(28)一种半导体发光器件，其中，所述至少一个PN结二极管与所述多个半导体层反向并联连接。
(29)一种半导体发光器件，其中，所述至少一个PN结二极管中的每个都包括具有与所述第一导电性不同的导电性的第一导电部分和具有与所述第一导电性相同的导电性的第二导电部分，并且其中，所述第一电传递通道与所述第一导电部分电连接，并且所述第二电传递通道与所述第二导部分部电连接。
(30)一种半导体发光器件，其中，所述支撑基板由AIN制成。
(31)一种半导体发光器件，其中，所述支撑基板由Si制成。
(32)一种半导体发光器件，其中，所述多个半导体层包括位于所述第一半导体侧的生长基板去除面，所述器件包括结合层，所述结合层将所述多个半导体层的所述第二半导体层侧结合到所述支撑基板的所述第一面侧，并且所述结合层与所述第一电传递通道电连接，以及电连接件，该电连接件将在所述结合层去除面上露出的所述第二电传递通道与所述多个半导体层电连接以传递电子或空穴。
(33)一种半导体发光器件，其中，所述多个半导体层包括多个半导体堆。
(34)一种半导体发光器件，其中，所述多个半导体层被在所述支撑基板的所述第二面侧电连接。
(35)一种半导体发光器件，其中，所述多个半导体层被在所述支撑基板的所述第一面侧电连接。
(36)一种半导体发光器件，其中，所述至少一个PN结二极管与所述第一电传递通道和所述第二电传递通道电连接以形成整流电路。
(37)上述示例的任意组合以及基于上述示例对于本领域技术人员显而易见的任意组合。
(38)一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：利用生长基板依次生长的多个半导体层，所述多个半导体层由具有第一导电性的第一半导体层、具有与所述第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层以及插入所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且通过电子空穴复合来产生光的有源层组成；支撑基板，该支撑基板与所述多个半导体层结合以支撑所述多个半导体层并且由半导体材料制成，所述支撑基板具有第一面、与所述第一面相反的第二面以及从所述第二面持续到所述第一面的第一电传递通道和第二电传递通道，所述第一电传递通道向所述多个半导体层提供电子和空穴中的一方，并且所述第二电传递通道向所述多个半导体层提供电子和空穴中的另一方；以及集成到所述支撑基板中的至少一个静电保护元件，该静电保护元件通过所述第一电传递通道和所述第二电传递通道与所述多个半导体层电连接。
(39)一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：利用生长基板依次生长的多个半导体层，所述多个半导体层由具有第一导电性的第一半导体层、具有与所述第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层以及插入所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且通过电子空穴复合来产生光的有源层组成，在所述第一半导体层侧形成生长基板去除面；支撑基板，该支撑基板具有第一面和与所述第一面相反的第二面；结合层，该结合层将所述多个半导体层的所述第二半导体层侧结合到所述支撑基板的所述第一面侧；结合层去除面，该结合层去除面形成在所述第一面上，并且朝向所述多个半导体层开口；电连接件，该电连接件形成在所述第一面上并且从所述多个半导体成持续到所述结合层去除面以提供电子和空穴中的一方；以及引线，其将所述电连接连接到外部。
(40)一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：附加引线，该附加引线用于通过所述结合层将电子和空穴中的另一方传递到所述多个半导体层。
(41)一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：焊盘电极，其设置在所述附加引线与所述结合层之间。
(42)一种半导体发光器件，其中，所述第一电传递通道穿过所述结合层与所述第一半导体层电连接，并且所述引线穿过所述电连接件与所述第二半导体层电连接。
(43)一种半导体发光器件，其中，所述引线穿过所述电连接件与所述第一半导体层电连接。
(44)一种半导体发光器件，其中，提供至少两个半导体堆(称为第一半导体堆和第二半导体堆)，针对每个半导体堆，所述支撑基板设置有从所述第二面持续以提供电子和空穴中的一方的第一电传递通道和用于提供电子和空穴中的另一方的第二电传递通道，所述结合层与所述第一电传递通道电连接，并且在所述第二面处设置有的电连接件，该电连接件用于将所述第一半导体堆与所述第二半导体堆的所述第一电传递通道和所述第二电传递通道中的至少一方相连接。
根据本公开的半导体发光器件及其制造方法使得可以获得TFFC类型半导体发光器件。
根据本公开的另一个半导体发光器件及其制造方法使得可以实现更高的生产率，而不会在生长基板的去除处理期间以及在去除之后的处理中出现许多半导体的破裂。
根据本公开的又一个半导体发光器件及其制造方法使得可以实现以电极的容易对准为特征的、晶片级别的TFFC类型半导体发光器件。
在根据本公开的又一个半导体发光器件及其制造方法中，能够利用结合层去除面和持续到多个半导体层的电连接件、引线以及穿过支撑基板的电传递通道来获得各种类型的半导体发光器件。
在根据本公开的又一个半导体发光器件及其制造方法中，能够在支撑基板的后表面上实现多种类型的电连接。
在根据本公开的又一个半导体发光器件及其制造方法中，能够通过在支撑基板上形成PN结二极管向支撑基板提供各种功能。
在根据本公开的又一个半导体发光器件及其制造方法中，能够利用引线来帮助单个半导体发光器件或多个半导体发光器件的连接。

Claims (29)

1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：
支撑基板，其具有第一面和与所述第一面相反的第二面；
形成在所述第一面上的至少一个半导体堆，其中，各个半导体堆都包括利用生长基板顺序地生长的多个半导体层，并且所述多个半导体层由具有第一导电性的第一半导体层、具有与所述第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层、以及有源层组成，所述有源层插入在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间并且通过电子空穴复合来产生光，并且其中，在所述第一半导体层侧上形成有生长基板去除面；
结合层，所述结合层将所述多个半导体层的所述第二半导体层侧结合到所述支撑基板的第一面侧；以及
结合层去除面，所述结合层去除面形成在所述第一面上，并且朝向所述多个半导体层开口以向所述多个半导体层提供电流。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，
设置有至少两个半导体堆，其称为第一半导体堆和第二半导体堆，
针对各个半导体堆，所述支撑基板具有用于传递电子或空穴的第一电传递通道和用于传递空穴或电子的第二电传递通道，所述第一电传递通道从所述第二面持续到所述第一面，
所述结合层与所述第一电传递通道电连接，并且
所述半导体发光器件还包括：电连接件，该电连接件在所述第二表面侧上将所述第一半导体堆与所述第二半导体堆的所述第一电传递通道和所述第二电传递通道中的至少一方电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述电连接件将所述第一半导体堆的所述第二电传递通道与所述第二半导体堆的所述第一电传递通道连接。
4.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述第一半导体堆的所述第二电传递通道与所述第二半导体堆的所述第一电传递通道集成。
5.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述电连接件由绝缘层覆盖，并且在所述绝缘层上形成有后电极，该后电极与所述第一半导体堆和所述第二半导体堆中的至少一方电连接。
6.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述第一半导体堆的所述第一电传递通道与所述第二半导体堆的所述第一电传递通道相连接，并且所述第一半导体堆的所述第二电传递通道与所述第二半导体堆的所述第二电传递通道相连接。
7.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述第一半导体堆的所述第一电传递通道与所述第二半导体堆的所述第二电传递通道相连接，并且所述第一半导体堆的所述第二电传递通道与所述第二半导体堆的所述第一电传递通道相连接。
8.根据权利要求2所述的半导体发光器件，该半导体发光器件还包括：
附加电传递通道，该附加电传递通道将电子或空穴从所述第二电传递通道传递到所述多个半导体层。
9.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述第二半导体层的所述结合层覆盖所述第一半导体堆的所述第二电传递通道。
10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层是III族氮化物半导体。
11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述支撑基板由半导体组成，并且具有从所述第二面持续到所述第一面的第一电传递通道、以及第二电传递通道，所述第一电传递通道向所述多个半导体层传递电子或空穴，并且所述第二电传递通道向所述多个半导体层传递空穴或电子，并且
所述半导体发光器件还包括：形成在所述支撑基板上的至少一个PN结二极管，所述至少一个PN结二极管通过所述第一电传递通道和所述第二电传递通道与所述多个半导体层电连接。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述至少一个PN结二极管和所述多个半导体层反向并联连接。
13.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述至少一个PN结二极管中的每个都具有第一导电部和第二导电部，所述第一导电部具有与所述第一半导体层的所述第一导电性不同的导电性，并且所述第二导电部具有与所述第一半导体层的所述第一导电性相同的导电性，并且
所述第一电传递通道与所述第一导电部电连接，并且所述第二电传递通道与所述第二导电部电连接。
14.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述支撑基板由AIN组成。
15.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述支撑基板由未掺杂的Si组成。
16.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述结合层与所述第一电传递通道电连接，并且
所述半导体发光器件还包括：电连接件，该电连接件通过所述第二电传递通道露出到所述结合层去除面的电连接，并且将在所述结合层去除面上露出的所述第二电传递通道与所述多个半导体层电连接以传递电子或空穴。
17.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述至少两个半导体堆在所述支撑基板的所述第二面侧上电连接。
18.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述至少两个半导体堆在所述支撑基板的所述第一面侧上电连接。
19.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述至少一个PN结二极管与所述第一电传递通道和所述第二电传递通道电连接以形成整流器电路。
20.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中，所述支撑基板由半导体组成并且具有从所述第二面持续到所述第一面的第一电传递通道以及第二电传递通道，所述第一电传递通道用于向所述多个半导体层传递电子或空穴，并且所述第二电传递通道用于向所述多个半导体层传递空穴或电子，并且
所述半导体发光器件还包括：集成到所述支撑基板的至少一个静电保护元件，所述静电保护元件通过所述第一电传递通道和所述第二电传递通道与所述多个半导体层电连接。
21.根据权利要求1所述的半导体发光器件，该半导体发光器件还包括：
电连接件，该电连接件从所述多个半导体层持续到所述结合层去除面以向所述多个半导体层传递电子或空穴；以及
用于将所述电连接件连接到外部的引线。
22.根据权利要求21所述的半导体发光器件，该半导体发光器件包括：
第一电传递通道，该第一电传递通道从所述第二面持续到所述第一面并且通过所述结合层向所述多个半导体层传递空穴或电子。
23.根据权利要求21所述的半导体发光器件，该半导体发光器件包括：
附加引线，该附加引线用于通过所述结合层向所述多个半导体层传递空穴或电子。
24.根据权利要求23所述的半导体发光器件，该半导体发光器件包括：
焊盘电极，该焊盘电极设置在所述附加引线与所述结合层之间。
25.根据权利要求22所述的半导体发光器件，其中，所述第一电传递通道穿过所述结合层与所述第一半导体层电连接，并且所述引线穿过所述电连接件与所述第二半导体层电连接。
26.根据权利要求22所述的半导体发光器件，其中，所述第一电传递通道穿过所述结合层与所述第二半导体层电连接。
27.根据权利要求21所述的半导体发光器件，其中，所述引线穿过所述电连接与所述第一半导体层电连接。
28.根据权利要求21所述的半导体发光器件，其中，所述电连接件持续到所述生长基板去除面。
29.根据权利要求21所述的半导体发光器件，其中，所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层是III族氮化物半导体。
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