CN104503632B - 缓冲单元、触控驱动电路、显示装置及其驱动方法 - Google Patents

缓冲单元、触控驱动电路、显示装置及其驱动方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种用于触控驱动电路的缓冲单元，所述触控驱动电路用于显示装置中，显示装置包括显示面板，显示面板包括栅线、公共电极线、像素电极和公共电极，公共电极线用作触控驱动电路中的触控扫描信号线，所述缓冲单元包括用于与栅极驱动电路的移位寄存器单元的输出端相连的缓冲单元输入端和用于与相应的栅线相连的缓冲单元输出端，所述缓冲单元用于在触控阶段将输入至栅线的电压调节至目标电压，目标电压至少在触控扫描信号线上接入高电平信号时与像素电极上的电压之差小于预定值。本发明还提供一种触控驱动电路、显示装置及其驱动方法。本发明能够减少像素单元内的薄膜晶体管的跨导曲线偏移现象的发生，从而延长薄膜晶体管的使用寿命。

Description

缓冲单元、触控驱动电路、显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种用于触控驱动电路的缓冲单元、一种触控驱动电路、一种显示装置及其驱动方法。
背景技术
随着移动产品如手机、平板电脑等产品越来越轻薄化和精细化，对屏幕分辨率的要求越来越高，对屏幕厚度要求越来越薄，结构简单的内嵌式触摸显示屏越来越成为市场发展的主流。
内嵌式触摸显示屏包括显示面板，所述显示面板包括栅线、公共电极线、像素电极和公共电极，所述公共电极线用作所述触控驱动电路中的触控扫描信号线。
内嵌式触摸显示屏的工作周期包括显示阶段和触控阶段，在触控阶段，所述公共电极线用作所述触控驱动电路中的触控扫描信号线进行分时驱动。在触控阶段，不再向显示面板提供显示信号，因此，在触控阶段只需要利用像素电极和公共电极之间的压差保持液晶分子的偏转角度即可。由于触控扫描信号线与公共电极相连，因此，公共电极上的电压不同于显示阶段时的电压，为了维持液晶分子的偏转角度，需要改变像素电极上的电压，以保持像素电极与公共电极之间的压差。触摸屏工作一定时间后，经常出现像素单元的薄膜晶体管的曲线产生漂移的现象，从而影响薄膜晶体管的寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于触控驱动电路的缓冲单元、触控驱动电路、显示装置及其驱动方法，以减少像素单元内的薄膜晶体管的跨导曲线发生漂移的现象。
为了实现上述目的，本发明提供一种用于触控驱动电路的缓冲单元，所述触控驱动电路用于显示装置中，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括栅线、公共电极线、像素电极和公共电极，所述公共电极线用作所述触控驱动电路中的触控扫描信号线，所述缓冲单元包括用于与栅极驱动电路的移位寄存器单元的输出端相连的缓冲单元输入端和用于与相应的栅线相连的缓冲单元输出端，所述缓冲单元用于在触控阶段将输入至栅线的电压调节至目标电压，所述目标电压至少在所述触控扫描信号线上接入高电平信号时与所述像素电极上的电压之差小于预定值。
优选地，所述目标电压至少在所述触控扫描信号线上接入高电平信号时大于所述栅极驱动电路的移位寄存单元的输出电压。
优选地，所述目标电压在触控扫描信号线上接入高电平信号时大于所述移位寄存器单元的输出电压，在触控扫描信号线上接入低电平信号时等于所述移位寄存器单元的输出电压。
优选地，所述目标电压在整个触控阶段均大于所述移位寄存器单元的输出电压。
优选地，在触控阶段，所述触控扫描信号线上分时接入10V的高电平和0V的低电平，所述移位寄存器单元的输出电压为-8V，所述像素电极和所述公共电极之间的压差的绝对值为5V，所述预定值为23V。
优选地，所述缓冲单元包括高电平输入端、低电平输入端、提供目标电压的目标电压输入端、第一选通模块和第二选通模块，所述第一选通模块的第一输入端与所述高电平输入端相连，所述第一选通模块的第二输入端形成为所述缓冲单元输入端，所述第一选通模块的第三输入端与所述第二选通模块的输出端相连，所述第一选通模块的输出端形成为所述缓冲单元输出端；所述第二选通模块的第一输入端与所述低电平输入端相连，所述第二选通模块的第二输入端与所述目标电压输入端相连；其中，
在显示阶段的充电子阶段，所述高电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通；
在显示阶段的电压保持子阶段，所述低电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通；
在触控阶段，所述目标电压输入端与所述第一选通模块的输出端导通。
优选地，所述第一选通模块包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极均与所述移位寄存器单元的输出端相连，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述高电平输入端相连，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述第二薄膜晶体管的第一极相连，所述第二薄膜晶体管的第二极与所述第二选通模块的输出端相连；其中，
所述移位寄存器单元的输出电压控制所述第一薄膜晶体管在显示阶段的充电子阶段导通，在触控阶段关断；
所述移位寄存器单元的输出电压控制所述第二薄膜晶体管在显示阶段的充电子阶段关断，在显示阶段的电压保持子阶段以及触控阶段导通。
优选地，第二选通模块包括第一选通开关和第二选通开关，所述第一选通开关连接在所述低电平输入端和所述第二选通模块的输出端之间，所述第二选通开关连接在所述目标电压输入端和所述第二选通模块的输出端之间，其中，
所述第一选通开关在显示阶段的充电子阶段导通，在显示阶段的电压保持子阶段和触控阶段关断；所述第二选通开关在触控阶段导通，在显示阶段关断。
优选地，所述缓冲单元还包括控制模块，该控制模块用于控制所述第一选通开关在显示阶段的充电子阶段导通，在触控阶段关断；并且控制所述第二选通开关在触控阶段导通，在显示阶段关断。
相应地，本发明还提供一种触控驱动电路，包括本发明提供的上述缓冲单元。
相应地，本发明还提供一种显示装置，包括本发明提供的上述触控驱动电路和栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括级联的多级移位寄存器单元，每级所述移位寄存器单元均对应一个所述缓冲单元，所述移位寄存器单元的输出端与所述缓冲单元输入端相连。
优选地，所述移位寄存器单元在显示阶段的充电子阶段输出高电平，所述移位寄存器单元在显示阶段的电压保持子阶段和触控阶段输出低电平。
相应地，本发明还提供一种显示装置的驱动方法，其中，所述显示装置为本发明提供的上述显示装置，所述驱动方法包括：
在触控阶段将输入至栅线的电压调节至目标电压，所述目标电压至少在触控扫描信号线上接入高电平信号时与像素电极电压之差小于预定值。
优选地，所述缓冲单元包括高电平输入端、低电平输入端、提供目标电压的目标电压输入端、第一选通模块和第二选通模块，所述第一选通模块的第一输入端与所述高电平输入端相连，所述第一选通模块的第二输入端形成为所述缓冲单元输入端，所述第一选通模块的第三输入端与所述第二选通模块的输出端相连，所述第一选通模块的输出端形成为所述缓冲单元输出端；所述第二选通模块的第一输入端与所述低电平输入端相连，所述第二选通模块的第二输入端与所述目标电压输入端相连；
在触控阶段将输入至栅线的电压调节至目标电压的步骤包括：控制目标电压输入端与所述第一选通模块的输出端导通；
所述驱动方法还包括：
在显示阶段的充电子阶段，控制所述高电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通；
在显示阶段的电压保持子阶段，控制所述低电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通。
优选地，所述第一选通模块包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极均与所述移位寄存器单元的输出端相连，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述高电平输入端相连，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述第二薄膜晶体管的第一极相连，所述第二薄膜晶体管的第二极与所述第二选通模块的输出端相连；所述第二选通模块包括第一选通开关和第二选通开关，所述第一选通开关连接在所述低电平输入端和所述第二选通模块的输出端之间，所述第二选通开关连接在所述目标电压输入端和所述第二选通模块的输出端之间；
控制目标电压信号输入端与所述第一选通模块的输出端导通的步骤包括：控制第二选通开关和第二薄膜晶体管导通、第一薄膜晶体管关断；
控制所述高电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通的步骤包括：控制所述第一薄膜晶体管导通、第二薄膜晶体管关断；
控制所述低电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通的步骤包括：控制所述第一选通开关和第二薄膜晶体管导通、第一薄膜晶体管关断。
在本发明中，所述缓冲单元至少在所述触控扫描信号线上接入高电平信号时将栅线电压调节至目标电压，从而使得栅线电压与像素电极电压的差值减小，因而可以使得与栅线相连的栅极和与像素电极相连的源极之间电压减小；而对于薄膜晶体管而言，薄膜晶体管的跨导曲线出现漂移现象与栅极和源极之间电压有直接关系，电压越大，越容易出现漂移现象，因此，本发明的缓冲单元将薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压减小后，可以有效地减少薄膜晶体管的跨导曲线漂移现象的发生，从而延长薄膜晶体管的使用寿命，进而改善显示装置的质量。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是现有技术中触摸屏像素单元的各电极电压的时序图；
图2是本发明的第一种实施方式中像素单元的各电极电压的时序图；
图3是本发明的第二种实施方式中像素单元的各电极电压的时序图；
图4是本发明的实施方式中提供的缓冲单元的结构示意图；
其中，附图标记为：10、第一选通模块；20、第二选通模块；30、移位寄存器单元；40、控制模块；M1、第一薄膜晶体管；M2、第二薄膜晶体管；SW1、第一选通开关；SW2、第二选通开关；VDD、高电平输入端；Vlow、低电平输入端；Vgoal、目标电压输入端。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
作为本发明的第一个方面，提供一种用于触控驱动电路的缓冲单元，所述触控驱动电路用于显示装置中，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括栅线、公共电极线、像素电极，所述公共电极线用作所述触控驱动电路中的触控扫描信号线，其中，所述缓冲单元包括用于与栅极驱动电路的移位寄存器单元的输出端相连的缓冲单元输入端和用于与相应的栅线相连的缓冲单元输出端，所述缓冲单元用于在触控阶段将输入至栅线的电压调节至目标电压，所述目标电压至少在触控扫描信号线上接入高电平信号时与像素电极电压之差小于预定值。
在现有的触控驱动电路中的触控阶段(图1中的TN和TN+1阶段)，栅极驱动电路向栅线提供低电平信号，公共电极线用作触控扫描信号线。为了维持液晶分子的偏转角度，需要改变像素电极上的电压，以保持像素电极与公共电极之间的压差。考虑极性反转，在正极性时，在触控扫描信号线上接入高电平信号时(即图1中的th阶段中Vcom为高电平时)，像素电极电压Vpix高于触控扫描信号线上的电压。本发明中的预定值可以为像素电极电压Vpix与触控扫描线上的高电平信号之差和触控扫描线上的高电平信号与移位寄存器单元输出的低电平信号之差的总和。本发明通过所述缓冲单元的调节作用，使栅线电压Vgate与像素电极电压Vpix的差值小于预定值，从而使得薄膜晶体管的与栅线相连的栅极和与像素电极相连的源极之间电压Vgs减小；而对于薄膜晶体管而言，薄膜晶体管的跨导曲线出现漂移现象与栅极和源极之间电压Vgs有直接关系，Vgs越大，越容易出现漂移现象，因而，本发明的缓冲单元将薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压Vgs减小后，可以有效地减少薄膜晶体管的跨导曲线漂移现象的发生，进而延长薄膜晶体管的使用寿命。
为了使得所述目标电压至少在触控扫描信号线上接入高电平信号时(图2和图3中的th阶段)与像素电极电压之差小于预定值，所述目标电压至少在触控扫描信号线上接入高电平信号时大于栅极驱动电路的移位寄存单元的输出电压。即栅线电压Vgate至少在触控扫描信号线上接入高电平信号时大于移位寄存器单元的输出电压。当所述预定值为像素电极电压Vpix与触控扫描线上的高电平信号之差和触控扫描线上的高电平信号与移位寄存器单元输出的低电平信号之差的总和时，栅线电压Vgate与像素电极电压Vpix之差将小于所述预定值。换言之，相对于现有技术而言，缓冲单元使得栅线电压Vgate至少在th阶段时有所提高，而通常在th信号时，薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压Vgs较大，因此，栅线电压Vgate的提高使得薄膜晶体管栅极和源极之间的电压Vgs降低。
作为本发明的一种具体实施方式，如图2所示，所述目标电压在触控扫描信号线上接入高电平信号时(th阶段)大于所述移位寄存器单元的输出电压，在触控扫描信号线上接入低电平信号时(tl阶段)等于所述移位寄存器单元的输出电压。在第N帧的触控阶段(TN阶段)，触控扫描信号线上分时接入高电平信号和低电平信号，像素电极电压Vpix大于触控扫描信号线上的高电平电压以表现为正极性，因此，在th阶段栅线电压Vgate升高以大于移位寄存器单元的输出电压时，可以减小像素电极电压Vpix和栅线电压Vgate之差；当触控扫描信号线上接入低电平电压时(tl阶段)，由于触控扫描信号线上的电压VTx较低，因此无需较高的像素电极电压Vpix即可维持压差。在整个触控阶段，像素电极电压Vpix和栅线电压Vgate之差也较小，对薄膜晶体管的跨导曲线影响较小。并且，在这种实施方式下，像素单元内薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压Vgs在th阶段和tl阶段的极性相同，防止极性跳变，提高触控的稳定性。
作为本发明的另一种实施方式，如图3所示，所述目标电压在整个触控阶段均大于移位寄存器单元的输出电压。例如，所述目标电压在整个触控阶段为零。在这种实施方式下，在整个触控阶段，栅线电压Vgate比调节前有所升高，使得调节后的像素单元内薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压Vgs在触控阶段的th阶段和tl阶段均减小。当目标电压在整个触控阶段保持一致时，用于提供目标电压的电路保持平稳的输出即可，不需要根据触控扫描信号线上的电压的变化来改变目标电压的值，从而更便于控制。
具体地，如图2和图3所示，在触控阶段，所述触控扫描信号线上分时接入10V的高电平和0V的低电平(即公共电极电压Vcom为10V、0V的方波信号)，所述移位寄存器单元的输出电压为-8V，所述像素电极和所述公共电极之间的压差的绝对值为5V，所述预定值为23V。
以像素电极和所述公共电极之间的压差在第N帧为正极性(+5V)、在第N+1帧为负极性(-5V)为例，在第N帧的触控阶段(TN阶段)，触控扫描信号线上的电压为10V时(th阶段)，像素电极电压Vpix为15V，触控扫描信号线上的电压为0V时(tl阶段)，像素电极的电压Vpix为5V；在第N+1帧的触控阶段(TN+1阶段)，触控扫描信号线上的电压为10V时，像素电极电压Vpix为5V，触控扫描信号线上的电压为0V时，像素电极电压Vpix为-5V。
因此，在缓冲单元对栅线电压Vgate进行调节之前，如图1所示，在第N帧th阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate电压之差为15+8＝23V，在tl阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate电压之差为5-(-8)＝13V；在第N+1帧的th阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate电压之差为5-(-8)＝13V，在tl阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差为-5-(-8)＝3V。可以看出，在触控阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差最大为23V，本发明中的缓冲单元对栅线电压Vgate进行调整后，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差将小于23V，从而使得薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压Vgs小于23V。
如图2所示的实施方式中，在第N帧的th阶段和第N+1帧的th阶段，栅线电压Vgate均升高至0V，因此，在第N帧的th阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差为15V，在第N帧的tl阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差为5-(-8)＝13V，在第N+1帧的th阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差为5-0＝5V，在第N+1帧的tl阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差为-5-(-8)＝3V，可以看出，触控阶段像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差最大为15V，即薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压最大为15V，小于现有技术中的23V。
如图3所示的实施方式中，在第N帧的TN阶段和第N+1帧的TN+1阶段，栅线电压Vgate均升高至0V，这时，在第N帧的th阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差为15V，在第N帧的tl阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差为5V，在第N+1帧的th阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差为5V，在N+1帧的tl阶段，像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差为5V，可以看出，触控阶段像素电极Vpix与栅线电压Vgate之差最大也为15V，小于现有技术中的23V。
通常，在栅极驱动电路中，移位寄存器单元输出的电压即为栅极驱动电路输出给栅线的电压。本发明所提供的缓冲单元适用这种情况。
本发明所提供的缓冲单元还适用于另外一种情况：移位寄存器单元输出的电压与栅极驱动电路输出给栅线的电压极性相反。在这种情况中，如图4所示，本发明中的所述缓冲单元可以包括高电平输入端VDD、低电平输入端Vlow、提供目标电压的目标电压输入端Vgoal、第一选通模块10和第二选通模块20，第一选通模块10的第一输入端与高电平输入端VDD相连，第一选通模块10的第二输入端形成为所述缓冲单元输入端，即与移位寄存器单元30的输出端相连，第一选通模块10的第三输入端与第二选通模块20的输出端相连，第一选通模块10的输出端形成为所述缓冲单元输出端，即与移位寄存器单元所对应的栅线相连；第二选通模块20的第一输入端与低电平输入端Vlow相连，第二选通模块20的第二输入端与目标电压输入端Vgoal相连；其中，
在显示阶段的充电子阶段(图2和图3中的sc阶段)，高电平输入端VDD与第一选通模块10的输出端导通，以使得高电压信号输入至相应的栅线，从而开启该行像素单元的薄膜晶体管；
在显示阶段的电压保持子阶段(图2和3中的ss阶段)，低电平输入端Vlow与第一选通模块10的输出端导通，从而将低电压信号输入至相应的栅线，将改行像素单元的薄膜晶体管关断；
在触控阶段，目标电压输入端Vgoal与第一选通模块10的输出端导通，以将目标电压信号输入至相应的栅线。
具体地，如图4所示，第一选通模块10可以包括第一薄膜晶体管M1和第二薄膜晶体管M2，第一薄膜晶体管M1的栅极和第二薄膜晶体管M2的栅极均与移位寄存器单元30的输出端相连，第一薄膜晶体管M1的第一极与高电平输入端VDD相连，第一薄膜晶体管M2的第二极与第二薄膜晶体管M2的第一极相连，第二薄膜晶体管M2的第二极与第二选通模块20的输出端相连；其中，
移位寄存器单元30的输出电压可以控制第一薄膜晶体管M1在显示阶段的充电子阶段导通，在触控阶段关断；
移位寄存器单元30输出端的电压可以控制所述第二薄膜晶体管M2在显示阶段关断，在触控阶段导通。
上述第一薄膜晶体管M1可以为P型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管M2可以N型薄膜晶体管。在显示阶段的充电子阶段，移位寄存器单元输出低电压信号，以使得第一薄膜晶体管M1导通，第二薄膜晶体管M2关断，高电平输入端VDD的高电压信号输入至栅线；在显示阶段的电压保持子阶段，移位寄存器单元输出高电压信号，以使得第二薄膜晶体管M2导通，第一薄膜晶体管M1关断，低电平输入端Vlow的低电压信号通过第二选通模块和第二薄膜晶体管M2输出至栅线；在触控阶段，移位寄存器单元输出高电压信号，以使得第二薄膜晶体管M2导通，第一薄膜晶体管M1关断，目标信号输入端Vgoal的目标电压通过第二选通模块和第二薄膜晶体管M2输出至栅线，从而将栅线电压Vgate调节为目标电压。
如图4所示，第二选通模块20可以包括第一选通开关SW1和第二选通开关SW2，第一选通开关SW1连接在低电平输入端Vlow和第二选通模块20的输出端之间，第二选通开关SW2连接在目标电压输入端Vgoal和第二选通模块20的输出端之间，其中，第一选通开关SW1在显示阶段的充电子阶段导通，在显示阶段的电压保持子阶段和触控阶段关断；第二选通开关SW2在触控阶段导通，在显示阶段关断。
如图2和图3所示，在显示阶段的充电子阶段(sc阶段)，移位寄存器单元的输出电压控制第一薄膜晶体管M1导通，第二薄膜晶体管M2关断，同时第一选通开关SW1导通，第二选通开关SW2关断，因此，高电平输入端VDD提供的高电压信号通过第一薄膜晶体管M1输出至栅线；在显示阶段的电压保持子阶段(ss阶段)，移位寄存器单元的输出电压控制第一薄膜晶体管M1关断，第二薄膜晶体管M2导通，同时第一选通开关SW1导通，第二选通开关SW2关断，因此，低电平输入端Vlow提供的低电压信号通过第一选通开关SW1和第二薄膜晶体管M2输入至栅线；在触控阶段(TN和TN+1阶段)，移位寄存器单元的输出电压控制第一薄膜晶体管M1关断，第二薄膜晶体管M2导通，同时第一选通开关SW1导通，第二选通开关SW2关断，此时，目标电压输入端Vgoal提供的目标电压通过第二选通开关SW2和第二薄膜晶体管M2输入至栅线。
所述缓冲单元还可以包括控制模块40，该控制模块40用于控制第一选通开关SW1在显示阶段的充电子阶段导通，在触控阶段关断；并控制第二选通开关SW2在触控阶段导通，在显示阶段关断。
本发明对第一选通开关SW1和第二选通开关SW2的形式不作具体限制，例如，第一选通开关SW1和第二选通开关SW2可以为薄膜晶体管，且两者的栅极均与控制电路相连，通过调节两个薄膜晶体管的栅极电压来控制第一选通开关SW1和第二选通开关SW2的导通和关断。
作为本发明的第二个方面，提供一种触控驱动电路，包括上述缓冲单元。
作为本发明的第三个方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括上述触控驱动电路和栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括级联的多级移位寄存器单元，每级所述移位寄存器单元均对应一个所述缓冲单元，所述移位寄存器单元的输出端与所述缓冲单元输入端相连。
具体地，所述移位寄存器单元在显示阶段的充电子阶段输出高电平，所述移位寄存器单元在显示阶段的电压保持子阶段和触控阶段输出低电平。
如上文中所述，所述缓冲单元包括第一选通模块和第二选通模块，第一选通模块包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第二选通模块包括第一选通开关和第二选通开关。在显示阶段的充电子阶段，移位寄存器单元输出低电平，以控制第一薄膜晶体管导通，第二薄膜晶体管关断，从而将高电平输入端与选通模块的输出端导通，将高电平信号输出至栅线，打开该栅线对应的薄膜晶体管；在显示阶段的电压保持子阶段，移位寄存器单元输出高电平，以控制第二薄膜晶体管导通、第一薄膜晶体管关断，同时第一选通开关导通，从而将低电平输入端与选通模块的输出端导通，将低电平信号输出至栅线，关断该栅线对应的薄膜晶体管；在触控阶段，移位寄存器单元输出高电平，控制第二薄膜晶体管导通、第一薄膜晶体管关断，同时第二选通开关导通，从而将目标电压信号端与选通模块的输出端导通，将目标电压信号输出至栅线。
作为本发明的第四个方面，提供一种显示装置的驱动方法，所述显示装置为本发明提供的上述显示装置，所述驱动方法包括：
将触控阶段输入至栅线的电压调节至目标电压，所述目标电压至少在触控扫描信号线上接入高电平信号时与像素电极电压之差小于预定值。
以缓冲单元包括高电平输入端VDD、低电平输入端Vlow、目标电压输入端Vgoal、第一选通模块10和第二选通模块20的结构为例，第一选通模块10的第一输入端与高电平输入端VDD相连，第一选通模块10的第二输入端形成为所述缓冲单元输入端，第一选通模块10的第三输入端与第二选通模块20的输出端相连，第一选通模块10的输出端形成为所述缓冲单元输出端；第二选通模块20的第一输入端与低电平输入端Vlow相连，第二选通模块20的第二输入端与提供目标电压的目标电压输入端Vgoal相连；上述在触控阶段将输入至栅线的电压调节至目标电压的步骤包括：控制目标电压输入端与第一选通模块10的输出端导通；
所述驱动方法还包括：
在显示阶段的充电子阶段，控制所述高电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通；
在显示阶段的电压保持子阶段，控制所述低电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通。
第一选通模块10包括第一薄膜晶体管M1和第二薄膜晶体管M2，第一薄膜晶体管M1的栅极和第二薄膜晶体管M2的栅极均与移位寄存器单元30的输出端相连，第一薄膜晶体管M1的第一极与高电平输入端VDD相连，第一薄膜晶体管M2的第二极与第二薄膜晶体管M2的第一极相连，第二薄膜晶体管M2的第二极与第二选通模块20的输出端相连；第二选通模块20可以包括第一选通开关SW1和第二选通开关SW2，第一选通开关SW1连接在低电平输入端Vlow和第二选通模块20的输出端之间，第二选通开关SW2连接在目标电压输入端Vgoal和第二选通模块20的输出端之间。
所述控制目标电压信号输入端与所述第一选通模块的输出端导通的步骤包括：控制第二选通开关SW2和第二薄膜晶体管M2导通、第一薄膜晶体管M1关断；
控制所述高电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通的步骤包括：控制第一薄膜晶体管M1导通、第二薄膜晶体管M2关断；
控制所述低电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通的步骤包括：控制第一选通开关SW1和第二薄膜晶体管M2导通、第一薄膜晶体管M1关断。
上述为对本发明提供的缓冲单元、触控驱动电路及其驱动方法的描述，可以看出，通过所述缓冲单元的调节作用，使栅线电压与像素电极电压的差值减小，从而使得与栅线相连的栅极和与像素电极相连的源极之间电压Vgs减小；而对于薄膜晶体管而言，薄膜晶体管的跨导曲线出现漂移现象与栅极和源极之间偏压有直接关系，偏压越大，越容易出现漂移现象，因而，本发明的缓冲单元将薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压减小后，可以有效地减少薄膜晶体管的跨导曲线漂移现象的发生，从而延长薄膜晶体管的使用寿命，进而改善显示装置的质量。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种用于触控驱动电路的缓冲单元，所述触控驱动电路用于显示装置中，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括栅线、公共电极线、像素电极和公共电极，所述公共电极线用作所述触控驱动电路中的触控扫描信号线，其特征在于，所述缓冲单元包括用于与栅极驱动电路的移位寄存器单元的输出端相连的缓冲单元输入端和用于与相应的栅线相连的缓冲单元输出端，所述缓冲单元用于在触控阶段将输入至栅线的电压调节至目标电压，所述目标电压至少在所述触控扫描信号线上接入高电平信号时与所述像素电极上的电压之差小于预定值；
所述目标电压在触控扫描信号线上接入高电平信号时大于所述移位寄存器单元的输出电压，在触控扫描信号线上接入低电平信号时等于所述移位寄存器单元的输出电压；
所述缓冲单元包括高电平输入端、低电平输入端、提供目标电压的目标电压输入端、第一选通模块和第二选通模块，所述第一选通模块的第一输入端与所述高电平输入端相连，所述第一选通模块的第二输入端形成为所述缓冲单元输入端，所述第一选通模块的第三输入端与所述第二选通模块的输出端相连，所述第一选通模块的输出端形成为所述缓冲单元输出端；所述第二选通模块的第一输入端与所述低电平输入端相连，所述第二选通模块的第二输入端与所述目标电压输入端相连；其中，
在显示阶段的充电子阶段，所述高电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通；
在显示阶段的电压保持子阶段，所述低电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通；
在触控阶段，所述目标电压输入端与所述第一选通模块的输出端导通；
第二选通模块包括第一选通开关和第二选通开关，所述第一选通开关连接在所述低电平输入端和所述第二选通模块的输出端之间，所述第二选通开关连接在所述目标电压输入端和所述第二选通模块的输出端之间，其中，所述第一选通开关在显示阶段的充电子阶段导通，在显示阶段的电压保持子阶段和触控阶段关断；所述第二选通开关在触控阶段导通，在显示阶段关断。
2.根据权利要求1所述的缓冲单元，其特征在于，在触控阶段，所述触控扫描信号线上分时接入10V的高电平和0V的低电平，所述移位寄存器单元的输出电压为-8V，所述像素电极和所述公共电极之间的压差的绝对值为5V，所述预定值为23V。
3.根据权利要求1所述的缓冲单元，其特征在于，所述第一选通模块包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极均与所述移位寄存器单元的输出端相连，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述高电平输入端相连，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述第二薄膜晶体管的第一极相连，所述第二薄膜晶体管的第二极与所述第二选通模块的输出端相连；其中，
所述移位寄存器单元的输出电压控制所述第一薄膜晶体管在显示阶段的充电子阶段导通，在触控阶段关断；
所述移位寄存器单元的输出电压控制所述第二薄膜晶体管在显示阶段的充电子阶段关断，在显示阶段的电压保持子阶段以及触控阶段导通。
4.根据权利要求1所述的缓冲单元，其特征在于，所述缓冲单元还包括控制模块，该控制模块用于控制所述第一选通开关在显示阶段的充电子阶段导通，在触控阶段关断；并且控制所述第二选通开关在触控阶段导通，在显示阶段关断。
5.一种触控驱动电路，其特征在于，包括权利要求1至4中任意一项所述的缓冲单元。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的触控驱动电路和栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括级联的多级移位寄存器单元，每级所述移位寄存器单元均对应一个所述缓冲单元，所述移位寄存器单元的输出端与所述缓冲单元输入端相连。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述移位寄存器单元在显示阶段的充电子阶段输出高电平，所述移位寄存器单元在显示阶段的电压保持子阶段和触控阶段输出低电平。
8.一种显示装置的驱动方法，其特征在于，所述显示装置为权利要求6或7所述的显示装置，所述驱动方法包括：
在触控阶段将输入至栅线的电压调节至目标电压，所述目标电压至少在触控扫描信号线上接入高电平信号时与像素电极电压之差小于预定值，且所述目标电压在触控扫描信号线上接入高电平信号时大于所述移位寄存器单元的输出电压，在触控扫描信号线上接入低电平信号时等于所述移位寄存器单元的输出电压；
在触控阶段将输入至栅线的电压调节至目标电压的步骤包括：控制目标电压输入端与所述第一选通模块的输出端导通，该步骤包括：控制第一选通开关关断、第二选通开关导通；
所述驱动方法还包括：
在显示阶段的充电子阶段，控制所述高电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通，该步骤包括：控制第一选通开关导通、第二选通开关关断；
在显示阶段的电压保持子阶段，控制所述低电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通，该步骤包括：控制所述第一选通开关导通、所述第二选通开关关断。
9.根据权利要求8所述的驱动方法，其特征在于，所述第一选通模块包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极均与所述移位寄存器单元的输出端相连，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述高电平输入端相连，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述第二薄膜晶体管的第一极相连，所述第二薄膜晶体管的第二极与所述第二选通模块的输出端相连；控制目标电压信号输入端与所述第一选通模块的输出端导通的步骤还包括：控制第二薄膜晶体管导通、第一薄膜晶体管关断；
控制所述高电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通的步骤包括：控制所述第一薄膜晶体管导通、第二薄膜晶体管关断；
控制所述低电平输入端与所述第一选通模块的输出端导通的步骤包括：控制所述第一选通开关和第二薄膜晶体管导通、第一薄膜晶体管关断。
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