CN104496442A - 一种低介电常数微波介质陶瓷粉体及其制备方法 - Google Patents
一种低介电常数微波介质陶瓷粉体及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104496442A CN104496442A CN201410694280.0A CN201410694280A CN104496442A CN 104496442 A CN104496442 A CN 104496442A CN 201410694280 A CN201410694280 A CN 201410694280A CN 104496442 A CN104496442 A CN 104496442A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- ceramic powder
- dielectric constant
- coo
- mgo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 claims description 15
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229910018921 CoO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 229910004762 CaSiO Inorganic materials 0.000 description 6
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 3
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开的低介电常数微波介质陶瓷粉体，其摩尔份数组成为：CaCO3占25份，MgO占5～22份，SiO2占45～50份，Al2O3占0.1～4份，ZnO占0.1～15份，CoO占0.1～10份。制备过程如下：将各原材料按摩尔份数混合后置于1350～1450℃的高温炉中使其充分熔融，然后倒入去离子水中急冷获得颗粒状物质；将颗粒状物质烘干后升温到700～850℃进行保温，然后随炉冷却至室温并粉碎至平均粒径0.5～3微米，即获得本发明的陶瓷粉体。本发明制备的陶瓷粉体具有较低的烧结温度，可以和金属银电极进行共烧，能很好地满足片式多层器件对陶瓷材料低温共烧的工艺要求，且利用本发明陶瓷粉体制备获得的陶瓷具有较低的介电常数和高的品质因数，具有良好的工业应用价值。
Description
技术领域
本发明涉及一种低介电常数微波介质陶瓷粉体及其制备方法，属于材料科学技术领域。
背景技术
低温共烧陶瓷技术（LTCC）在现代电子技术中占据着重要地位，该技术不但能促进电子器件向小型化和多功能化方向的发展，更能制备出高稳定和高可靠性的电子元器件。LTCC技术的核心是实现陶瓷材料和高电导率金属材料的低温共烧，由于传统的30Pd/70Ag电极（熔点1167℃）成本较高，而低成本的Cu、Ni等电极易氧化而不稳定，致使金属Ag电极（熔点961℃）成了目前高可靠性片式电子元器件的首选金属材料；由此要求相应陶瓷材料的烧结温度低于金属Ag电极的熔点。
低介电常数的陶瓷材料在无线通信中具有极其重要的应用。为解决低频段的拥挤并扩大频率资源，无线通信正朝更高频段的方向发展。无线通信使用频率的提高，要求作为信息技术基本组成元素的电子元器件具有较高的自谐振中心频率(f 0 )。高的自谐振中心频率对应着低的介电常数(ε r )。低介电常数能减小材料与电极之间的交互耦合损耗，并提高电信号的传输速率；发展低介电常数(ε r ≤10)材料以满足高频和高速的要求，已成为当今电子材料如何适应高频应用的一个挑战。传统的低介电常数陶瓷材料主要是氧化铝陶瓷，但其烧结温度高达1650℃，即便通过添加低熔点氧化物和其它烧结助剂，其烧结温度仍然高达1350℃以上，无法用于与金属银电极的低温共烧。
硅灰石（CaSiO3）是一种具有优良介电性能的低介陶瓷材料，然而其烧结温度在1300℃以上，且烧结温度范围非常窄。Wang等（J Eur Ceram Soc,2012,32:541-545)通过在CaSiO3粉体中添加适量的Al2O3粉体，制备的CaSiO3陶瓷具有良好的微波介电性能：介电常数ε r 为6.66，品质因数Q×f为24,626 GHz，但是其1250℃的烧结温度无法用于与金属电极的低温共烧。为降低CaSiO3陶瓷的烧结温度，相关科研工作者通过在CaSiO3中添加一定量的B2O3，以及改变CaO、SiO2、B2O3之间的比例，可以获得以CaSiO3为主要晶相的玻璃陶瓷；然而，大量玻璃相的存在，急剧降低了玻璃陶瓷的品质因数。Sun等(Mat Sci Eng B, 2007, 138: 46-50)通过Mg2+对Ca2+的取代，通过传统的固相合成法，获得了具有良好微波介电性能的CaMgSi2O6陶瓷；然而，其烧结温度仍然高达1290～1310℃。
从上述国内外研究结果可知，硅酸盐系微波介质陶瓷具有低的介电常数和良好的品质因数，但其烧结温度过高，很难与低熔点金属电极共烧，且低温烧结助剂的存在极大地恶化其品质因数。因此，在不降低陶瓷品质因数的前提下，降低其烧结温度，使其满足与金属银电极共烧的要求，是低介硅酸盐陶瓷更为广泛应用的关键。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有较低烧结温度、可与金属银电极实现低温共烧、性能优良的低介电常数微波介质陶瓷粉体及其制备方法。
本发明提出的低介电常数微波介质陶瓷粉体，其摩尔份数组成为：
CaCO3 25份
MgO 5～22份
SiO2 45～50份
Al2O3 0.1～4份
ZnO 0.1～15份
CoO 0.1～10份
作为优选，本发明提出的低介电常数微波介质陶瓷粉体，其摩尔份数组成为：
CaCO3 25份
MgO 8～15份
SiO2 47～50份
Al2O3 1～3份
ZnO 5～9份
CoO 3～6份
作为优选，本发明提出的低介电常数微波介质陶瓷粉体，其摩尔份数组成为：
CaCO3 25份
MgO 10.5份
SiO2 49份
Al2O3 2份
ZnO 7.5份
CoO 5份
本发明的低介电常数微波介质陶瓷粉体的制备方法，包括下述步骤：
(1)按一定摩尔份数称取CaCO3、MgO、SiO2、Al2O3、ZnO和CoO作为原材料，然后放入锥形混料机中混合4～24小时；
(2)将上述混合好的原材料放入高铝坩埚中，再置于1350～1450℃的高温炉中保温0.5～2小时，让原材料充分熔融成液态，然后倒入去离子水中冷却获得颗粒状物质；
(3)将上述颗粒状物质烘干后放入高铝坩埚中，以每小时100～300℃的升温速率升到700～850℃保温1～4小时，然后随炉冷却至室温；
(4)将上述经过步骤(3)处理的颗粒状物质进行粉碎，使其平均粒径在0.5～3微米之间。
本发明具有以下有益效果：通过陶瓷粉体的组分选择，将镁、铝、锌和钴等元素以一定合适的比例固溶入硅酸钙的晶体结构中，同时通过高温熔融法获得无定形结构，然后辅以合适的退火温度析出陶瓷晶相，利用组分优化与熔融后析晶的协同作用，在保证硅酸盐陶瓷良好介电性能的基础上，将陶瓷的烧结温度降低到900℃左右，能很好地和金属银电极实现低温共烧，满足LTCC的工艺要求。该陶瓷粉体的制备方法简单，原材料价格低廉，具有良好的工业应用价值。
具体实施方式
下面结合实例对本发明作进一步描述。
实施例1：
按摩尔份数称取25份的CaCO3、10.5份的MgO、49份的SiO2、2份的Al2O3、7.5份的ZnO和5份的CoO，然后放入锥形混料机中滚动混合8小时；将上述混合好的原材料放入高铝坩埚中，再置于1400℃的高温炉中保温1小时，待原材料充分熔融成液态，然后倒入去离子水中急冷获得颗粒状物质；将上述颗粒状物质放入烘箱中干燥，然后放入高铝坩埚中，以每小时250℃的升温速率升到820℃保温2小时，随后自然冷却至室温；将上述冷却的颗粒状物质进行粉碎，使其平均粒径在1.5微米左右，即获得本发明的低介电常数微波介质陶瓷粉体。
将上述陶瓷粉体加入8wt%的聚乙烯醇进行造粒，然后在150MPa下干压成型，排胶后在920℃保温2小时进行烧结，即可获得致密结构的陶瓷。测试该陶瓷的微波介电性能，其介电常数为8.23，品质因数Q×f值为57,621GHz。
实施例2：
按摩尔份数称取25份的CaCO3、5份的MgO、48份的SiO2、4份的Al2O3、10份的ZnO和6份的CoO，然后放入锥形混料机中滚动混合12小时；将上述混合好的原材料放入高铝坩埚中，再置于1380℃的高温炉中保温1.5小时，待原材料充分熔融成液态，然后倒入去离子水中急冷获得颗粒状物质；将上述颗粒状物质放入烘箱中干燥，然后放入高铝坩埚中，以每小时200℃的升温速率升到800℃保温2小时，随后自然冷却至室温；将上述冷却的颗粒状物质进行粉碎，使其平均粒径在1微米左右，即获得本发明的低介电常数微波介质陶瓷粉体。
将上述陶瓷粉体加入8wt%的聚乙烯醇进行造粒，然后在150MPa下干压成型，排胶后在900℃保温2小时进行烧结，即可获得致密结构的陶瓷。测试该陶瓷的微波介电性能，其介电常数为8.51，品质因数Q×f值为53,227GHz。
实施例3：
按摩尔份数称取25份的CaCO3、19份的MgO、49份的SiO2、2份的Al2O3、2份的ZnO和2份的CoO，然后放入锥形混料机中滚动混合20小时；将上述混合好的原材料放入高铝坩埚中，再置于1450℃的高温炉中保温2小时，待原材料充分熔融成液态，然后倒入去离子水中急冷获得颗粒状物质；将上述颗粒状物质放入烘箱中干燥，然后放入高铝坩埚中，以每小时150℃的升温速率升到850℃保温4小时，随后自然冷却至室温；将上述冷却的颗粒状物质进行粉碎，使其平均粒径在0.8微米左右，即获得本发明的低介电常数微波介质陶瓷粉体。
将上述陶瓷粉体加入8wt%的聚乙烯醇进行造粒，然后在150MPa下干压成型，排胶后在930℃保温2小时进行烧结，即可获得致密结构的陶瓷。测试该陶瓷的微波介电性能，其介电常数为8.15，品质因数Q×f值为61,023GHz。
Claims (4)
1.一种低介电常数微波介质陶瓷粉体，其特征在于它的摩尔份数组成为：
CaCO3 25份
MgO 5～22份
SiO2 45～50份
Al2O3 0.1～4份
ZnO 0.1～15份
CoO 0.1～10份。
2.根据权利要求1所述的低介电常数微波介质陶瓷粉体，其特征在于它的摩尔份数组成为：
CaCO3 25份
MgO 8～15份
SiO2 47～50份
Al2O3 1～3份
ZnO 5～9份
CoO 3～6份。
3.根据权利要求1所述的低介电常数微波介质陶瓷粉体，其特征在于它的摩尔份数组成为：
CaCO3 25份
MgO 10.5份
SiO2 49份
Al2O3 2份
ZnO 7.5份
CoO 5份。
4.制备权利要求1、2或3所述的低介电常数微波介质陶瓷粉体的方法，其特征在于包括下述步骤：
(1)按一定摩尔份数称取CaCO3、MgO、SiO2、Al2O3、ZnO和CoO作为原材料，然后放入锥形混料机中混合4～24小时；
(2)将上述混合好的原材料放入高铝坩埚中，再置于1350～1450℃的高温炉中保温0.5～2小时，让原材料充分熔融成液态，然后倒入去离子水中冷却获得颗粒状物质；
(3)将上述颗粒状物质烘干后放入高铝坩埚中，以每小时100～300℃的升温速率升到700～850℃保温1～4小时，然后随炉冷却至室温；
(4)将上述经过步骤(3)处理的颗粒状物质进行粉碎，使其平均粒径在0.5～3微米之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410694280.0A CN104496442B (zh) | 2014-11-27 | 2014-11-27 | 一种低介电常数微波介质陶瓷粉体及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410694280.0A CN104496442B (zh) | 2014-11-27 | 2014-11-27 | 一种低介电常数微波介质陶瓷粉体及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104496442A true CN104496442A (zh) | 2015-04-08 |
| CN104496442B CN104496442B (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=52937919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410694280.0A Active CN104496442B (zh) | 2014-11-27 | 2014-11-27 | 一种低介电常数微波介质陶瓷粉体及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104496442B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105236953A (zh) * | 2015-08-25 | 2016-01-13 | 成都顺康三森电子有限责任公司 | 一种低介电损耗微波电子陶瓷材料的制备工艺 |
| CN105645942A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-06-08 | 中国计量学院 | 一种具有核壳结构的硅酸盐陶瓷及其制备方法 |
| CN110723968A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-01-24 | 苏州博恩希普新材料科技有限公司 | 一种高介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN111377730A (zh) * | 2018-12-31 | 2020-07-07 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 微波介质陶瓷材料、介质陶瓷块和微波通信设备 |
| CN113004028A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-06-22 | 华中科技大学温州先进制造技术研究院 | 一种硅基低介微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN114526595A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-05-24 | 湖南亿胜新材料有限公司 | 一种低介电常数硅微粉的制备装置及制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0797269A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-11 | Mitsubishi Materials Corp | 低温焼結性セラミックスの製造方法 |
| CN1389415A (zh) * | 2002-07-12 | 2003-01-08 | 清华大学 | 一种高频片式电感用微晶玻璃陶瓷的配方及其制备方法 |
| CN101077835A (zh) * | 2007-06-25 | 2007-11-28 | 南京工业大学 | 高频低损耗低温共烧陶瓷生料带及其制备方法 |
| CN102216238A (zh) * | 2008-11-21 | 2011-10-12 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷组合物、陶瓷生片以及陶瓷电子部件 |
| CN103396106A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-11-20 | 中国计量学院 | 一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN103833334A (zh) * | 2013-07-23 | 2014-06-04 | 南京智元微波科技有限公司 | 高品质因数微波陶瓷介质谐振器 |
-
2014
- 2014-11-27 CN CN201410694280.0A patent/CN104496442B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0797269A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-11 | Mitsubishi Materials Corp | 低温焼結性セラミックスの製造方法 |
| CN1389415A (zh) * | 2002-07-12 | 2003-01-08 | 清华大学 | 一种高频片式电感用微晶玻璃陶瓷的配方及其制备方法 |
| CN101077835A (zh) * | 2007-06-25 | 2007-11-28 | 南京工业大学 | 高频低损耗低温共烧陶瓷生料带及其制备方法 |
| CN102216238A (zh) * | 2008-11-21 | 2011-10-12 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷组合物、陶瓷生片以及陶瓷电子部件 |
| CN103833334A (zh) * | 2013-07-23 | 2014-06-04 | 南京智元微波科技有限公司 | 高品质因数微波陶瓷介质谐振器 |
| CN103396106A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-11-20 | 中国计量学院 | 一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105236953A (zh) * | 2015-08-25 | 2016-01-13 | 成都顺康三森电子有限责任公司 | 一种低介电损耗微波电子陶瓷材料的制备工艺 |
| CN105645942A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-06-08 | 中国计量学院 | 一种具有核壳结构的硅酸盐陶瓷及其制备方法 |
| CN111377730A (zh) * | 2018-12-31 | 2020-07-07 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 微波介质陶瓷材料、介质陶瓷块和微波通信设备 |
| CN110723968A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-01-24 | 苏州博恩希普新材料科技有限公司 | 一种高介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN113004028A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-06-22 | 华中科技大学温州先进制造技术研究院 | 一种硅基低介微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN113004028B (zh) * | 2021-03-02 | 2023-03-14 | 华中科技大学温州先进制造技术研究院 | 一种硅基低介微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN114526595A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-05-24 | 湖南亿胜新材料有限公司 | 一种低介电常数硅微粉的制备装置及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104496442B (zh) | 2016-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104496442B (zh) | 一种低介电常数微波介质陶瓷粉体及其制备方法 | |
| TWI592384B (zh) | Low temperature co-fired microwave dielectric ceramic material and its preparation method | |
| CN103553559B (zh) | CaO-B2O3-SiO2玻璃+氮化铝陶瓷的复合材料及制备方法 | |
| JP7254195B2 (ja) | Ｌｔｃｃマイクロ波誘電体材料及びその製造方法 | |
| CN104402419B (zh) | 一种具有较低烧结温度的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN104774005B (zh) | 一种低温烧结无铅系微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN103265271B (zh) | 频率温度系数可调低温烧结氧化铝陶瓷材料及制备方法 | |
| CN113024122A (zh) | 一种SiO2系高频低介低温共烧陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN102167514B (zh) | 基板用微晶玻璃陶瓷材料及其制备方法 | |
| Jiang et al. | Preparation, crystallization kinetics and microwave dielectric properties of CaO-ZnO-B2O3-P2O5-TiO2 glass-ceramics | |
| CN108516825B (zh) | 一种低介电微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN103803956A (zh) | 一种具有高频低介电损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用 | |
| CN102173587A (zh) | 电子基板用微晶玻璃材料及制备方法 | |
| CN107176834B (zh) | 中高介电常数的ltcc陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN101148323A (zh) | 一种低温共烧堇青石系玻璃－陶瓷基板粉料及其制备方法 | |
| CN102531392A (zh) | 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN105347781B (zh) | 一种陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN103396106A (zh) | 一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN110436894A (zh) | 一种低介电常数ltcc材料及其制备方法 | |
| Ebrahimi et al. | Fabrication and microwave dielectric characterization of cordierite/BZBS (Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2) glass composites for LTCC applications | |
| CN102276151B (zh) | 微波等离子炬制备ltcc非晶玻璃瓷粉的工艺方法 | |
| CN101429009A (zh) | 一种低介电常数高品质微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN106673446B (zh) | 一种低介高频微晶玻璃ltcc材料及其制备方法 | |
| WO2023159896A1 (zh) | 一种硅酸盐系低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN108218406A (zh) | 低介电常数低损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231204 Address after: Room 407-10, floor 4, building 2, Haichuang science and technology center, Cangqian street, Yuhang District, Hangzhou City, Zhejiang Province, 311100 Patentee after: Zhejiang Zhiduo Network Technology Co.,Ltd. Address before: 310018 Xueyuan Street, Jianggan Economic Development Zone, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee before: China Jiliang University |