CN104475694A - 一种连续制备高纯金属铸锭的方法 - Google Patents
一种连续制备高纯金属铸锭的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104475694A CN104475694A CN201410732838.XA CN201410732838A CN104475694A CN 104475694 A CN104475694 A CN 104475694A CN 201410732838 A CN201410732838 A CN 201410732838A CN 104475694 A CN104475694 A CN 104475694A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pure metal
- ingot casting
- high pure
- crucible
- metal ingot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种连续制备重量纯度≥99.999%的金属铸锭的方法。该方法的工艺步骤包括:(1)将重量纯度≥99.999%的金属物料装炉、抽真空至10-3Pa以上;(2)连续进料装置将步骤(1)的物料送入水冷坩埚中;(3)以电磁感应熔炼的方式对水冷坩埚中的金属物料进行熔炼;(4)经步骤(3)熔炼后得到的熔体进入设置在水冷坩埚下方的水冷结晶器中,成型得到高纯金属铸锭。本发明采用水冷铜坩埚感应熔炼与水冷结晶器成型结合,同时采用连续进料装置,能够实现连续铸锭生产、提高效率,所制备的高纯金属铸锭,具有纯度高,铸锭物理性能好、成材率高、产品规格多样化等优点,满足集成电路对于高端薄膜制备的性能要求。
Description
发明领域
本发明涉及真空冶金技术领域,尤其涉及一种连续制备重量纯度≥99.999%的金属铸锭的方法。
背景技术
重量纯度≥4N以上的金属,可用于制备高纯试剂及标样配置基体材料,磁传感、磁记录材料,光感材料,溅射靶材及离子镀膜,以及用于航空航天的高级合金等高技术领域。应用较为广泛的是将重量纯度≥4N以上的金属制备成纯金属靶材或合金靶材,通过镀膜的方式得到符合要求的功能薄膜。
在大规模集成电路中,由于集成电路工艺尺寸的不断减小、对金属薄膜中的夹杂物及缺陷的要求越来越高,因此对靶材制备的初级原料—高纯金属铸锭的化学纯度、气体含量及物理性能、成材率提出了极高的要求。
目前国际上诸如高纯镍、高纯钴、高纯铜、高纯钛等金属铸锭的制备多以湿法冶金或熔盐法等方式获得,所制备高纯金属铸锭在碱金属、碱土金属、过渡金属、放射性金属、气体含量、产品规格形式等方面难以满足集成电路等高端薄膜制备的性能要求,必须结合真空熔炼方式进行杂质元素及气体含量的控制。
水冷铜坩埚电磁感应熔炼方法,是近些年来飞速发展的一种用于熔炼高熔点、高纯度和活波金属的制备方法,其制备工艺有两种,一种将金属物料置于水冷铜坩埚中进行熔炼,熔炼后金属熔体沉积于坩埚底部冷却得到不规则金属固体,该方法一般只用于金属小样的制备及纯度研究。另一种将金属物料在水冷铜坩埚中进行装炉,熔炼后再浇注入模具中成型,该方法不能实现连续进料及成型,生产效率低。
发明内容
针对上述已有技术的不足,本发明提供一种连续制备重量纯度大于等于99.999%的高纯金属铸锭的方法。
为实现上述目的,本发明是通过以下技术方案实现的:
一种连续制备高纯金属铸锭的方法,其特征在于所述方法的工艺步骤包括:
(1)将金属物料装炉,抽真空或充入氩气作为保护气体;
(2)连续进料装置将步骤(1)的物料送入水冷坩埚中;
(3)以电磁感应熔炼的方式对水冷坩埚中的金属物料进行熔炼;
(4)经步骤(3)熔炼后得到的熔体进入设置在水冷坩埚下方的水冷结晶器中,成型得到高纯金属铸锭。
根据上述方法,其特征在于所述物料中金属重量纯度≥99.999%。
根据上述方法,其特征在于真空抽至10-3Pa以上。
根据上述方法,其特征在于氩气纯度大于99.999%。
根据上述方法,其特征在于所述金属物料为块状、片状、粉状或海绵状。
根据上述方法,其特征在于步骤(2)中所述的连续进料装置结构包括:环形进料仓,所述环形进料仓的中心插有一根轴体,在轴的另一端连接有电机,在所述环形进料仓的仓内设有多块翻板,在环形进料仓的外侧设有气缸,所述气缸通过连接杆与翻板联接,在环形进料仓的下端设有导料筒。
根据上述方法,其特征在于所述水冷坩埚和水冷结晶器的材质为无氧铜或铜合金。
根据上述方法,其特征在于所述水冷坩埚最高熔炼温度为2000℃。
根据上述方法,其特征在于所述水冷结晶器直径的大小为ф80-ф300mm。
本发明的有益技术效果,本发明的一种连续制备高纯金属铸锭的方法,以重量纯度≥99.999%的金属为原料,采用水冷铜坩埚感应熔炼与水冷结晶器成型结合,同时采用连续进料装置,解决了一般水冷铜坩埚电磁感应熔炼方法不能实现连续铸锭生产、成型及效率低的缺陷,所制备的高纯金属铸锭,具有纯度高,铸锭物理性能好、成材率高、产品规格多样化等优点,满足集成电路对于高端薄膜制备的性能要求。
附图说明
图1为本发明的连续进料装置的结构示意图。
具体实施方式
本发明的一种连续制备高纯金属铸锭的方法,工艺步骤包括:
(1)将金属重量纯度≥99.999%的块状、片状、粉状或海绵状的物料装炉、抽真空至10-3Pa以上,或充入99.999%氩气作为保护气体;
(2)连续进料装置将步骤(1)的物料连续地送入采用电磁感应加热方式、最高加热温度达到2000℃的水冷铜坩埚中;该连续进料装置的结构如图1所示,结构包括:在环形进料仓1的中心插有一根轴体2,在轴的另一端连接有电机(图中未示出),在环形进料仓的仓内设有多块翻板3,在进料仓的外侧设有气缸4,气缸通过连接杆5与翻板联接,在进料仓的下端设有导料筒6,使用时,电机带动中心轴,将其中一格料仓旋转至与导料筒对接位置Ⅰ(标记为7),由气缸控制翻板打开将其中的金属原料连续地送进坩埚中;
(3)以电磁感应熔炼的方式对水冷坩埚中的金属物料进行熔炼,实现充分除杂、除气;
(4)经步骤(3)熔炼后得到的熔体进入设置在水冷坩埚下方的水冷铜结晶器中,优选该水冷结晶器直径的大小为ф80-ф300mm,成型得到高纯金属铸锭。
实施例1
(1)以重量纯度为99.999%片状镍为原料,将其备料、装炉、抽真空至10-3Pa以上,或充入99.999%氩气作为保护气体;
(2)连续进料装置将原料加入水冷铜坩埚中;
(3)对水冷铜坩埚中的金属原料进行感应加热,调整功率,使之熔炼温度保持在1500℃-1700℃。
(4)熔炼后的熔体进入下部的水冷结晶器中成型得ф80-ф300mm到高纯镍锭。
实施例2
(1)以重量纯度为99.999%片状钴或海绵钴为原料,将进行备料、装炉、抽真空至10-3Pa以上,或充入99.999%氩气作为保护气体;
(2)连续进料装置将原料加入水冷铜坩埚中;
(3)对水冷铜坩埚中的金属原料进行感应加热,调整功率,使之熔炼温度保持在1500℃-1800℃;
(4)熔炼后的熔体进入下部的水冷结晶器中成型得到ф80-ф300mm99.999%高纯钴锭。
实施例3
同实施例2,原料为重量纯度为99.999%粉状铜。
实施例4
同实施例2,原料为重量纯度为99.999%粉状钛。
表1为采用上述制备工艺所得99.999%高纯镍锭的全元素GDMS(辉光放电质谱分析法)分析检测结果。
表1 99.999%高纯镍锭的全元素GDMS分析检测结果
表2为采用上述制备工艺所得99.999%高纯钴锭的全元素GDMS(辉光放电质谱分析法)分析检测结果。
表2 99.999%高纯钴锭的全元素GDMS分析检测结果。
Claims (9)
1.一种连续制备高纯金属铸锭的方法,其特征在于所述方法的工艺步骤包括:
将金属物料装炉,抽真空或充入氩气作为保护气体;
连续进料装置将步骤(1)的物料送入水冷坩埚中;
(3)以电磁感应熔炼的方式对水冷坩埚中的金属物料进行熔炼;
(4)经步骤(3)熔炼后得到的熔体进入设置在水冷坩埚下方的水冷结晶器中,成型得到高纯金属铸锭。
2.根据权利要求1所述的一种连续制备高纯金属铸锭的方法,其特征在于所述物料中金属重量纯度≥99.999%。
3.根据权利要求1所述的一种连续制备高纯金属铸锭的方法,其特征在于真空抽至10-3Pa以上。
4.根据权利要求1所述的一种连续制备高纯金属铸锭的方法,其特征在于氩气纯度大于99.999%。
5.根据权利要求1所述的一种连续制备高纯金属铸锭的方法,其特征在于所述金属物料为块状、片状、粉状或海绵状。
6.根据权利要求1所述的一种连续制备高纯金属铸锭的方法,其特征在于步骤(2)中所述的连续进料装置结构包括:环形进料仓,所述环形进料仓的中心插有一根轴体,在轴的另一端连接有电机,在所述环形进料仓的仓内设有多块翻板,在环形进料仓的外侧设有气缸,所述气缸通过连接杆与翻板联接,在环形进料仓的下端设有导料筒。
7.根据权利要求1所述的一种连续制备高纯金属铸锭的方法,其特征在于所述水冷坩埚和水冷结晶器的材质为无氧铜或铜合金。
8.根据权利要求1所述的一种连续制备高纯金属铸锭的方法,其特征在于所述水冷坩埚最高熔炼温度为2000℃。
9.根据权利要求1所述的一种连续制备高纯金属铸锭的方法,其特征在于所述水冷结晶器直径的大小为ф80-ф300mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410732838.XA CN104475694A (zh) | 2014-12-07 | 2014-12-07 | 一种连续制备高纯金属铸锭的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410732838.XA CN104475694A (zh) | 2014-12-07 | 2014-12-07 | 一种连续制备高纯金属铸锭的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104475694A true CN104475694A (zh) | 2015-04-01 |
Family
ID=52750371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410732838.XA Pending CN104475694A (zh) | 2014-12-07 | 2014-12-07 | 一种连续制备高纯金属铸锭的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104475694A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113293311A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-24 | 金川集团股份有限公司 | 真空感应冷坩埚熔炼制备高纯镍锭的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1438339A (zh) * | 2003-02-27 | 2003-08-27 | 上海交通大学 | 高纯铝单层晶体凝固提纯方法 |
CN101199988A (zh) * | 2007-11-13 | 2008-06-18 | 北京有色金属研究总院 | 一种制备超高纯铜铸锭的方法 |
CN101914713A (zh) * | 2010-07-07 | 2010-12-15 | 中南大学 | 超大规格高强耐热镁合金锭坯半连续铸造工艺 |
CN102031394A (zh) * | 2010-12-27 | 2011-04-27 | 大连理工大学 | 一种制备高纯铜的装置与方法 |
CN202216492U (zh) * | 2011-07-25 | 2012-05-09 | 陕西凤翔钛粉钛材有限公司 | 活底式钛屑专用甩干机 |
CN102864314A (zh) * | 2012-10-21 | 2013-01-09 | 昆明冶金研究院 | 一种连续偏析提纯精铝及高纯铝的方法及设备 |
-
2014
- 2014-12-07 CN CN201410732838.XA patent/CN104475694A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1438339A (zh) * | 2003-02-27 | 2003-08-27 | 上海交通大学 | 高纯铝单层晶体凝固提纯方法 |
CN101199988A (zh) * | 2007-11-13 | 2008-06-18 | 北京有色金属研究总院 | 一种制备超高纯铜铸锭的方法 |
CN101914713A (zh) * | 2010-07-07 | 2010-12-15 | 中南大学 | 超大规格高强耐热镁合金锭坯半连续铸造工艺 |
CN102031394A (zh) * | 2010-12-27 | 2011-04-27 | 大连理工大学 | 一种制备高纯铜的装置与方法 |
CN202216492U (zh) * | 2011-07-25 | 2012-05-09 | 陕西凤翔钛粉钛材有限公司 | 活底式钛屑专用甩干机 |
CN102864314A (zh) * | 2012-10-21 | 2013-01-09 | 昆明冶金研究院 | 一种连续偏析提纯精铝及高纯铝的方法及设备 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113293311A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-24 | 金川集团股份有限公司 | 真空感应冷坩埚熔炼制备高纯镍锭的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104451175A (zh) | 一种高纯金属铸锭的制造方法 | |
CN103691912B (zh) | 一种金基合金铸坯的熔铸一体化装置及其使用方法 | |
CN105537603A (zh) | 一种超细高纯度Ti2AlNb合金粉末的制备方法 | |
CN104762497B (zh) | 一系列具有室温压缩塑性和高强度的Zr‑Al‑Ni‑Cu块体非晶合金 | |
CN107739916B (zh) | 一种高强高导热薄壁压铸铝合金及其制备方法 | |
CN110643853B (zh) | 一种高强韧高稳定性TiAl-Ni合金板材的制备方法 | |
WO2011098813A4 (en) | Aluminium-copper alloy for casting | |
US10644230B2 (en) | Magnetic material sputtering target and method for producing same | |
CN101934373A (zh) | 氢化钛粉末制备钛及钛合金制品工艺 | |
CN103276261A (zh) | 一种高导电率铝合金的制备方法 | |
CN112658221B (zh) | 一种高熵合金的连续铸造方法 | |
CN109234552B (zh) | 一种压力下凝固制备高Cu含量Al-Cu合金的方法 | |
CN103710577B (zh) | 含微量稀土元素的镍钒合金磁控溅射旋转靶材及制备方法 | |
CN114774865B (zh) | 一种铝钪合金靶材及其制备方法 | |
CN109112367A (zh) | 一种石墨烯增强Al-Si-Mg铸造铝合金及其制备方法 | |
CN105603283A (zh) | 一种制备及成形高强高韧变形镁合金的方法 | |
CN113621863B (zh) | 一种亚微米析出相ZrTiNbTaSn难熔高熵合金及其制备方法 | |
CN104475694A (zh) | 一种连续制备高纯金属铸锭的方法 | |
CN103938029A (zh) | 一种用于钛钼镍钛合金铸锭的中间合金镍钼30添加剂及生产方法 | |
CN102703862A (zh) | 一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法 | |
JIANG et al. | Effect of stannum addition on microstructure of as-cast and as-extruded Mg-5Li alloys | |
CN103695708A (zh) | 一种含W高Nb新型β-γTiAl金属间化合物材料及其制备方法 | |
CN103820659A (zh) | 一种铜铬中间合金的制备方法及铜铬锆合金的制备方法 | |
CN108118176B (zh) | 一种高速铁路接触线用铜基非晶合金及其制备工艺 | |
CN102021359B (zh) | 高Ni、Si含量的Cu-Ni-Si合金的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150401 |