CN102703862A - 一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法 - Google Patents

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缑彦春
王彬
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Abstract

本发明公开了一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法,该方法是将铜Cu、铟In、镓Ga原料按一定比例,次序装入真空感应熔炼炉内,在一定的真空条件下,加热到一定的温度熔化、精炼,真空感应的高真空熔炼及电磁搅拌,之后采用特殊设计的底浇注模具系统,急速冷却凝固成型。本发明工艺参数易于控制,产品成材率高,原料利用率高,最重要的是能得到纯度高,气体含量少,成分均匀,晶粒细小,致密度高的高质量铜镓/铜铟镓合金管状阴极靶材,在制备铜铟镓硒太阳能薄膜电池方面有实际的生产应用前景。

Description

一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法
技术领域
本发明涉及冶金领域,具体地说是一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶的成型方法。
背景技术
能源、环境已成为全球面临的重大问题,近年来各国投入大量资源全力开发太阳能电池,在众多的太阳能电池中,铜铟镓硒薄膜光伏电池作为第二代光伏电池,其主要优点是制造成本低,而光电转换效率高,且抗辐射能力强、性能稳定等。晶硅太阳能电池作为第一代太阳能电池,光电转换效率高,但生产其需要大量的高纯硅材料,而高纯硅的生产过程需要消耗大量的能源,并造成环境污染。薄膜太阳能电池则消耗的材料少得多,有广阔的发展前景。
铜铟镓硒CuInxGa1-xSe2薄膜太阳能电池是薄膜电池中最有发展潜力的电池。它不仅无毒,对环境没有污染,而且具有更高的转换效率。制备CIGS太阳能薄膜电池的方法有很多,其中磁控溅射法是目前应用最多的方法之一,具有溅射速率高、溅射材料与基片结合牢固、薄膜成分控制精准等优点。
磁控溅射法是目前制备CIGS薄膜的主要技术之一,溅射沉积所用的原材料是靶材。不同的靶材得到不同的膜系。高质量的薄膜溅射制备取决于靶材的品质,其中靶材的纯度、致密度、微观组织结构是重要的质量控制点。
目前,制备CIGS太阳能薄膜电池的靶材制造商主要集中在美国、德国及日本。国内制备CIGS薄膜的靶材的主要制造工艺包括粉末冶金和熔融铸造。
(1)粉末冶金工艺制备铜铟镓硒薄膜所需靶材,是将元素粉末或合金粉末按一定配比混合压制并烧结成靶材。粉末冶金法的优点是靶材成分均匀,合金成分比例可调,缺点是密度低、杂质及气体含量高、工艺流程长。常用的粉末冶金工艺包括冷压烧结、热压和热等静压等。
(2)熔融铸造是将合金原料按一定成分配比后熔炼,浇注,形成铸锭。经过冷、热加工成型到所需坯料,机加工制成靶材。常用的熔炼方法有感应熔炼、电弧熔炼、炉外坩埚熔炼等。熔融法制备的靶材杂质含量低,密度高,缺点是对熔点和密度相差较大的两种或两种以上金属,普通熔炼法难以获得成分均匀的合金靶材,且制备铜铟镓硒所需的部分成分的合金难以进行后续的冷、热加工成型。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术存在的不足,提供一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材及其真空熔铸成型方法,该靶材细化了晶粒,提高材料的致密性,并克服了高、低熔点物相的偏析问题,同时,底浇注特点改善了铜铟/铜铟镓合金铸件的缩孔气孔等缺陷。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶的成型方法流程如下:原料铜块、铟块配料装炉——熔炼,熔炼后期通电烘模——精炼——精炼后期,降温结膜,加入镓,电磁搅拌——底浇注——通水激冷成型——至室温脱模——机加工——清洗——真空封装。
具体过程包括以下步骤:
1)将铜块、铟块置于坩埚中,将镓置于合金加料仓;
2)装料完成后,关闭炉门,开启真空泵机组,当炉内真空度小于10Pa时,开始加热,进入熔炼期,熔炼期真空度在1Pa以下,熔炼温度为800℃~1150℃,待料熔化至约占全部料的2/3时,开始通电烘模,烘模温度为200~400℃,烘模约半小时左右。
3)熔炼期完成后,进入精炼期,精炼温度为850℃~1200℃,精炼时间为10 ~20min,精炼10~20min后,降温至720℃~1050℃、结膜,加入原料镓,进行电磁搅拌3~5min;
4)搅拌完成后进行浇注,浇注温度为820℃~1200℃,采用底浇注,浇注于管状模具中;
5)浇注完成后进行冷却,冷却至室温后出炉,拆卸模具,得到铜镓/铜铟镓合金管状坯料;
6)根据产品形状及尺寸要求,对成型后的管坯机加工,得到最终尺寸的管状靶材,对管状靶材进行超声波清洗,待干燥后真空封装,至此,得到能用于光伏材料的铜镓/铜铟镓合金管状阴极靶成品。
所述步骤1)中铜块和铟块、镓的纯度均在99.99%以上。
所述步骤1)中配料比例为按重量百分比铜:铟、镓=50%~90%:10%~50%
所述步骤1)中先在坩埚底部放置铜块,然后再坩埚中上部放置铟块,装料紧密,防止“搭桥”。
所述步骤2)中熔炼期真空度为0.01Pa~1 Pa。
所述成型方法采用的浇注系统包括真空浇注腔室,在真空浇注腔室中设有底浇注管,在底浇注管的内侧设有冷却水夹层,在底浇注管的外侧设有烘模用发热体,在冷却水夹层的底部和上部分别设有进水口和出水口。
所述冷却水的流量为1L/s~5L/s,采用直接通水或其它冷却剂激冷,铸管壁强制冷却,通水急速冷却至合金溶液结晶后,打开炉盖,同时继续通水,冷却至室温。
有益效果:本发明具有如下优点:
(1)工艺参数易于控制,可操作性强;
(2)铜镓/铜铟镓合金靶材料纯度高,杂质和气体含量少,密度高,产品性能优异,能很好地满足真空溅射镀膜的需要。
(3)由于采用了直接通水或其它冷却剂激冷的方式,使结晶速度加快,解决了凝固过程中铜、铟、镓高、低熔点物相的偏析问题,且快冷细化了晶粒,得到了成分均匀、晶粒细小的合金材料。
(4)底浇注方式同时改善了气孔、缩孔等铸造缺陷;
(5)管状成型模具,使得制备管状靶机加工过程简单,减少了机加工余量,提高了金属原料的收得率,降低了成本。
综上所述,本发明工艺参数易于控制,产品成材率高,原料利用率高,最重要的是能得到纯度高,气体含量少,成分均匀,晶粒细小,致密度高的高质量铜镓/铜铟镓合金管状阴极靶材,在制备铜铟镓硒太阳能薄膜电池方面有实际的生产应用前景。
附图说明
    图1为本发明浇注系统结构示意图,图中7为模具底座,8为合金溶液。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐明本发明,本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
实施方式一:将纯度均为99.99%的铜、铟、镓按质量百分比50:43:7配料,铜置于坩埚底部,铟置于中上部,镓置于合金加料仓,熔炼温度为800℃,熔炼期真空度保持在1Pa,精炼期真空度在0.5Pa,精炼温度为850℃,精炼时间为15分钟后,降温至720℃,结膜,加入镓,电磁搅拌3分钟。熔炼后期,同时通电烘模,烘模温度约250℃。浇注,浇注温度为820℃,之后通冷却水,冷却水流量为3L/s,冷却水压力为0.3MPa,通水急速冷却结晶后,打开炉盖,同时继续通水,直至冷却至室温,出炉,拆卸模具,得到合金管状坯料。机加工得到所需规格,之后超声波清洗2次,待干燥后,真空封装,得到铜铟镓合金管状阴极靶。
实施方式二:将纯度为99.99%的铜、铟、镓质量百分比60:30:10配料,铜置于坩埚底部,铟置于中上部,镓置于合金加料仓。熔炼温度为820℃,熔炼期真空度保持在1Pa以下,精炼期真空度在0.5Pa,精炼温度为870℃,精炼时间为20分钟后,降温至740℃,结膜,加入镓,电磁搅拌5分钟。熔炼后期,同时通电烘模,烘模温度约300℃。浇注,浇注温度为830℃,之后通冷却水,冷却水流量为5L/s,冷却水压力为0.5MPa,通水急速冷却结晶后,打开炉盖,同时继续通水,直至冷却至室温,出炉,拆卸模具,得到合金管状坯料。机加工至所需规格,之后超声波清洗2次,待干燥后,真空封装,得到铜铟镓合金管状阴极靶。
实施方式三:将纯度为99.99%的铜和镓按质量百分比90:10,铜置于坩埚内,镓置于合金加料仓。熔炼温度为1150℃,熔炼期真空度保持在1Pa以下,精炼期真空度在0.5Pa,精炼温度为1200℃,精炼时间为10分钟后,降温至1050℃,结膜,加入镓,电磁搅拌4分钟。熔炼后期,同时通电烘模,烘模温度约400℃。浇注,浇注温度为1200℃,之后通冷却水,冷却水流量为5L/s,冷却水压力为0.5MPa,通水急速冷却结晶后,打开炉盖,同时继续通水,直至冷却至室温,出炉,拆卸模具,得到合金管状坯料。机加工至所需规格,之后超声波清洗2次,待干燥后,真空封装,得到铜镓合金管状阴极靶。
实施方式四:将纯度为99.99%的铜和镓按质量百分比70:30,铜置于坩埚内,镓置于合金加料仓,熔炼温度为1150℃,熔炼期真空度保持在1Pa以下,精炼期真空度在0.5Pa,精炼温度为1200℃,精炼时间为15分钟后,降温至980℃,结膜,加入镓,电磁搅拌3分钟。熔炼后期,同时通电烘模,烘模温度约300℃。浇注,浇注温度为1050℃。之后通冷却水,冷却水流量为4L/s,冷却水压力为0.4MPa,通水急速冷却结晶后,打开炉盖,同时继续通水,直至冷却至室温,出炉,拆卸模具,得到合金管状坯料。机加工至所需规格,之后超声波清洗2次,待干燥后,真空封装,得到铜镓合金管状阴极靶。

Claims (7)

1.一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将铜块、铟块置于坩埚中,将镓置于合金加料仓;
2)装料完成后,关闭炉门,开启真空泵机组,当炉内真空度小于10Pa时,开始加热,进入熔炼期,熔炼期真空度在1Pa以下,熔炼温度为800℃~1150℃,待料熔化至约占全部料的2/3时,开始通电烘模,烘模温度为200~400℃,烘模约半小时左右。
2.3)熔炼期完成后,进入精炼期,精炼温度为850℃~1200℃,精炼时间为10 ~20min,精炼10~20min后,降温至720℃~1050℃、结膜,加入原料镓,进行电磁搅拌3~5min;
4)搅拌完成后进行浇注,浇注温度为820℃~1200℃,采用底浇注,浇注于管状模具中;
5)浇注完成后进行冷却,冷却至室温后出炉,拆卸模具,得到铜镓/铜铟镓合金管状坯料;
6)根据产品形状及尺寸要求,对成型后的管坯机加工,得到最终尺寸的管状靶材,对管状靶材进行超声波清洗,待干燥后真空封装,至此,得到能用于光伏材料的铜镓/铜铟镓合金管状阴极靶成品。
3.根据权利要求1所述一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法,其特征在于:所述步骤1)中铜块和铟块、镓的纯度均在99.99%以上。
4.根据权利要求1或2所述一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法,其特征在于:所述步骤1)中配料比例为按重量百分比铜:铟、镓=50%~90%:10%~50%
根据权利要求3所述一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法,其特征在于:所述步骤1)中先在坩埚底部放置铜块,然后再坩埚中上部放置铟块,装料紧密,防止“搭桥”。
5.根据权利要求1所述一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法,其特征在于:所述步骤2)中熔炼期真空度为0.01Pa~1 Pa。
6.根据权利要求1所述一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法,其特征在于:所述成型方法采用的浇注系统包括真空浇注腔室(1),在真空浇注腔室(1)中设有底浇注管(2),在底浇注管(2)的内侧设有冷却水夹层(3),在底浇注管(2)的外侧设有烘模用发热体(4),在冷却水夹层(3)的底部和上部分别设有进水口(5)和出水口(6)。
7.根据权利要求6所述一种铜镓/铜铟镓管状阴极靶材的成型方法,其特征在于:所述冷却水的流量为1L/s~5L/s,采用直接通水或其它冷却剂激冷,铸管壁强制冷却,通水急速冷却至合金溶液结晶后,打开炉盖,同时继续通水,冷却至室温。
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