CN101748307A - 金砷合金材料及其制备方法 - Google Patents
金砷合金材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101748307A CN101748307A CN200810239843A CN200810239843A CN101748307A CN 101748307 A CN101748307 A CN 101748307A CN 200810239843 A CN200810239843 A CN 200810239843A CN 200810239843 A CN200810239843 A CN 200810239843A CN 101748307 A CN101748307 A CN 101748307A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gold
- alloy
- arsenic
- stove
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 89
- VJRVSSUCOHZSHP-UHFFFAOYSA-N [As].[Au] Chemical compound [As].[Au] VJRVSSUCOHZSHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 54
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 51
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 19
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 18
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 16
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 11
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000001802 infusion Methods 0.000 claims description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000013022 venting Methods 0.000 claims description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 241000209456 Plumbago Species 0.000 description 4
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012946 outsourcing Methods 0.000 description 1
- 229910000923 precious metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
Abstract
本发明公开了一种金砷合金及其制备方法，金砷合金组成为As：1-20％，Au：余量。制备方法如下：首先制备中间合金，按所需中间合金配比称重；按砷、金的顺序先后放入石英坩埚；石英坩埚抽真空后密封；石英坩埚放入密封电阻炉内；以8～12℃/分钟的速度升温至600℃；向炉内充氩气；继续升温至1100-1500℃熔化并精炼金砷熔体；降温至680～1050℃；泄去炉内压力，快速打开坩埚密封塞，将合金熔液浇铸到水冷铸铁模内，得到中间合金锭。然后，按所需金砷合金配比量，将得到的中间合金锭再与剩余金一起以350～500℃/分钟速度升温至750～1200℃熔化精炼；浇铸，得到金砷合金材料。
Description
技术领域
本发明涉及贵金属合金制备技术、高含量具有升华特性易挥发元素添加技术，尤其涉及一种金砷合金靶材及其制备方法。
背景技术
P.L.S波段硅功率晶体管广泛应用于雷达、导航及通信等领域。制备该晶体管的一项关键技术是金属化。金属化技术使用的原材料之一是金砷合金靶材。主要由于金砷合金靶材抗电迁移和抗电腐蚀性能好，且合金性能稳定。P.L.S波段硅功率晶体管金属化技术要求金砷合金靶材中砷含量达到1％以上。
目前利用常规的添加合金元素的方法(即将添加元素直接加入到熔融态金属中)只能制备出砷含量0.1～0.5％的合金靶材。主要是因为砷是一种具有升华特性易挥发的元素，在其进入合金之前就已经气化挥发。因此很难得到高含量的砷合金材料。本发明利用砷元素的特性采用独特的掺杂技术，能够制备出砷含量高达2％以上的合金靶材，且避免了环境污染。
发明内容
本发明的目的是提供一种金砷合金材料，其砷含量达1％以上，是制备P.L.S波段硅功率晶体管的基础合金材料，该材料在P.L.S波段硅功率晶体管中既能起到电极的作用，又能抑制晶体管PN结电子向金属电极迁移，达到很好的抗电迁移和抗电腐蚀性能。
本发明的另一目的是提供一种由金砷合金材料制得的蒸镀材料和溅射靶材，它们可用于制备P.L.S波段硅功率晶体管的电极。
本发明的又一目的是提供一种金砷合金材料的制备方法，其利用独特的掺杂技术，能够将具有升华特性易挥发的砷加入到中间合金中，解决了合金中砷元素添加难的问题，同时符合环保政策，没有污染问题。
本发明的再一目的是提供用金砷合金材料制造蒸镀材料和溅射靶材的方法。
为实现上述目的，本发明提供了一种金砷合金材料，其成分组成及各组分质量百分比为：As：1～20％，Au：余量。
上述金砷合金材料，其成分组成及各组分质量百分比优选为：As：1～4％，Au：余量。
另一方面，本发明提供上述金砷合金材料的制备方法，其方法步骤如下：
1、制备金砷中间合金：
1)按所需中间合金的配比范围称重金、砷材料，其中As的含量为1-20％；
2)按砷、金的顺序先后放入石英坩埚中；
3)将石英坩埚抽真空至4～6Pa后，将坩埚密封；
4)将石英坩埚放入密封电阻炉内；
5)升温，控制升温速度8～12℃/分钟；
6)炉内温度升至600℃时，向炉内充氩气，控制炉内压力在80-110MPa范围内；
7)电阻炉以8～12℃/分钟的升温速度继续升温；
8)控制炉内温度，至1100-1500℃，使高纯金熔化；
9)控制炉内的温度在1100-1500℃，静止20～30分钟，精炼金砷熔体，使其更加均匀；
10)保持炉内的压力，以20℃/分钟速度降温至680～1050℃(该温度高于相应合金的熔点30～50℃，随砷含量的不同而不同)；
11)泄去炉内压力，快速打开坩埚密封塞，将合金熔液浇铸到铸铁模内，得到中间合金锭；
2、金砷合金精炼熔铸：
1)按所需金砷合金的配比量，将步骤A得到的中间合金锭再与剩余金一起加入中频真空感应炉中；
2)抽真空至4～6Pa；
3)升温，控制升温速度350～500℃/分钟；
4)炉内温度升至600℃时，向炉内充氩气，控制炉内压力在80-110MPa范围内；
5)升温速度为350～500℃/分钟继续升温，将炉内温度升至750～1200℃之间(该温度高于相应合金的熔点30～50℃，随砷含量的不同而不同)；
6)炉内温度达到750～1200℃后，保温精炼1～2分钟；
7)控制浇铸温度在780～1150℃之间(该温度高于相应合金的熔点30～50℃，随砷含量的不同而不同)，浇铸，得到金砷合金材料。
上述金砷合金的制备方法，其中所使用的金、砷材料纯度优选均在5N以上。
上述金砷合金的制备方法中所使用的金材料的制备方法：用电解法对4N金原材料进行提纯，去除杂质元素，使金属金的纯度达到5N以上。
本发明金砷合金材料可用于制作P.L.S波段硅功率晶体管用蒸镀材料或溅射靶材。
另一方面，本发明提供一种P.L.S波段硅功率晶体管金属化用蒸镀材料，它是用本发明的上述金砷合金经加工制成。
又一方面，本发明提供一种P.L.S波段硅功率晶体管金属化用溅射靶材，它是用本发明的上述金砷合金经加工制成。
再一方面，本发明提供由上述金砷合金材料铸锭继续加工制成的P.L.S波段硅功率晶体管用蒸镀材料或溅射靶材的制备方法，具体步骤如下：
1)压力加工：
将上述制备方法得到的金砷合金铸锭用冷压力(即不需要退火，在常温下进行)加工方法进行压力加工，将其延展为符合厚度要求(该厚度由用户来确定)的合金箔材或板材。
2)机加工：
将压力加工好的合格的合金箔按照所需要的尺寸进行标准剪裁，形成蒸镀材料；
将压力加工好的完整的合金板材按照所需要的尺寸标准进行车铣，形成溅射靶材。
3)表面处理：
将加工好的蒸镀材料或靶材用酸性清洗液通过浸泡法、搅拌法进行清洗，去除加工过程中造成的污染，使材料表面清洁、光亮。
上述蒸镀材料或溅射靶材的制备方法中的酸性清洗液可以为pH为1-3的酸溶液，优选为硫酸溶液、硝酸溶液或盐酸溶液。
本发明的有益效果在于：
1、本发明制备金砷合金的方法中，首先制备金砷中间合金，将砷元素添加到合金中，在该步骤中，通过控制升温速度、气体压力、熔炼时间和温度来防止砷挥发，提高合金中砷的含量。再进一步精炼以去除合金内的气体，使合金的成分更均匀、组织结构更致密，在该步骤中，通过快速升温、控制气体压力、熔炼时间和温度以避免砷元素挥发以及出现合金成分偏析等现象。采用这样工艺以保证砷元素的添加含量符合P.L.S波段硅功率晶体管使用要求。该材料在P.L.S波段硅功率晶体管中既能起到电极的作用，又具有较好的抗电迁移和抗电腐蚀性。
2、本发明制备P.L.S波段硅功率晶体管金属化用蒸镀材料及溅射靶材的方法可保证制备的金砷合金蒸镀材料及靶材的质量达到P.L.S波段硅功率晶体管所要求的砷含量高、成分均匀、结构致密。
3、本发明的金砷合金材料制备方法和P.L.S波段硅功率晶体管用蒸镀材料或溅射靶材的制备方法步骤简单，便于工业化生产，且不会产生环境污染。
具体实施方式
实施例1：制备AuAs20中间合金
采用下述的制备方法制备金砷中间合金，其组分及质量百分比为：As：20％、Au：余量(简称AuAs20)。
制备工艺如下：
a)备原材料：用电解法将金提纯至5N以上(＞99.999％)，外购5N以上砷原材料；按照目标合金的组分及质量百分比配比称重；
b)按砷、金的顺序先后放入石英坩埚；
c)将石英坩埚抽真空至4～6Pa后，用密封塞封住坩埚口；
d)将石英坩埚放入密封性较好的电阻炉内；
e)升温，控制升温速度8～12℃/分钟；
f)炉内温度升至600℃时，向炉内充氩气，控制炉内压力在80-110MPa范围内；
g)电阻炉以8～12℃/分钟的升温速度继续升温；
h)控制炉内温度，至1100-1500℃，使高纯金熔化；
i)控制炉内的温度在1100-1500℃，静止20～30分钟，精炼金砷熔体，使其更加均匀；
j)保持炉内的压力，以20℃/分钟速度降温至700℃；
k)泄去炉内压力，打开炉盖，取出石英坩埚，并快速打开坩埚密封塞，将合金熔液在10秒钟内浇铸到水冷铸铁模内，得到中间合金锭。
上述方法中对金提纯有一定的意义，能够有效控制对电子元器件有害的元素含量。
实施例2：制备AuAs1中间合金
采用下述的制备方法制备金砷中间合金，其组分及质量百分比为：As：1％。Au：余量(简称AuAs1)。
除实施例1所述方法中的第j)步骤外，实施例2制备工艺与实施例1所述的相同。实施例2中第j)项如下：保持炉内的压力，以20℃/分钟速度降温至1050℃。
实施例3：制备AuAs10中间合金
采用下述的制备方法制备金砷中间合金，其组分及质量百分比为：As：10％。Au：余量(简称AuAs10)。
除实施例1所述方法中的第j)步骤外，实施例3制备工艺与实施例1所述的基本相同。实施例3中第j)项如下：保持炉内的压力，以20℃/分钟速度降温至800℃。
实施例4：制备AuAs2合金
利用实施例1所制备的AuAs20中间合金制备200g成分含量为As2％质量百分比(简称AuAs2)的金砷合金，方法如下：
1)将20g的AuAs20中间合金和180g金放入石墨坩埚内，装入中频真空感应炉；
2)抽真空至4～6Pa；
3)升温，控制升温速度400～450℃/分钟；
4)炉内温度升至600℃时，向炉内充氩气，控制炉内压力在80-110MPa范围内；
5)升温速度为400～450℃/分钟继续升温，将炉内温度升至1100℃左右；
6)待金属全部熔化后，炉内温度保温在1100℃，精炼1～2分钟；
7)控制浇铸温度在1120℃左右，浇铸，得到AuAs2金砷合金材料。
使用电感耦合等离子体发射光谱法分析制备的AuAs2合金成分，结果如表1所示，其均匀性达到了±0.13。
表1
| 取样点 | 1 | 2 | 3 | 4 | 平均含量 | 成分偏差 |
| As (％w) | 1.94 | 1.98 | 2.11 | 1.88 | 1.98 | ±0.13 |
实施例5：制备AuAs2合金蒸发材料或溅射靶材
利用实施例4所制备的AuAs2合金材料制备P.L.S波段硅功率晶体管金属化用AuAs2合金蒸发材料或溅射靶材，制备工艺如下：
l)压力加工
将上述实施例4制备的AuAs2合金铸锭用冷压力(即不需要退火，在常温下进行)加工方法进行压力加工，将其延展为符合厚度要求(该厚度由用户来确定)的合金箔材或板材。
2)机加工：
将压力加工好的合格的合金箔按照所需要的尺寸进行标准剪裁，形成蒸镀材料；
将压力加工好的完整的合金板材按照所需要的尺寸标准进行车铣，形成溅射靶材。
3)表面处理：
将加工好的蒸镀材料或靶材用酸性清洗液(1％稀硝酸溶液)通过浸泡法、搅拌法进行清洗，去除加工过程中造成的污染，使材料表面清洁、光亮。
实施例6：制备AuAs20合金
利用实施例1所制备的AuAs20中间合金制备200g成分含量为As20％质量百分比(简称AuAs20)的金砷合金，方法如下：
1)将200g的AuAs20中间合金放入石墨坩埚内，装入中频真空感应炉；
2)抽真空至4～6Pa；
3)升温，控制升温速度400～450℃/分钟；
4)炉内温度升至600℃时，向炉内充氩气，控制炉内压力在80-110MPa范围内；
5)升温速度为400～450℃/分钟继续升温，将炉内温度升至750～800℃之间；
6)待金属全部熔化后，炉内温度保温在750℃，精炼1～2分钟；
7)控制浇铸温度在750～780℃之间，浇铸，得到金砷合金材料。
使用重量法分析制备的AuAs20合金成分，结果如表2所示，其均匀性达到了±0.63。
表2
| 取样点 | 1 | 2 | 3 | 4 | 平均含量 | 成分偏差 |
| As(％w) | 19.38 | 20.22 | 20.56 | 19.55 | 19.93 | ±0.63 |
实施例7制备AuAs1合金
利用实施例2所制备的AuAs1中间合金制备200g成分含量为As1％质量百分比(简称AuAs1)的金砷合金，方法如下：
1)将200g的AuAs1中间合金放入石墨坩埚内，装入中频真空感应炉；
2)抽真空至4～6Pa；
3)升温，控制升温速度400～450℃/分钟；
4)炉内温度升至600℃时，向炉内充氩气，控制炉内压力在80-110MPa范围内；
5)升温速度为400～450℃/分钟，继续升温，将炉内温度升至1050～1100℃之间；
6)待金属全部熔化后，炉内温度保温在1050℃，精炼1～2分钟；
7)控制浇铸温度在1050～1100℃之间，浇铸，得到金砷合金材料。
使用电感耦合等离子体发射光谱法分析制备的AuAs1合金成分，结果如表3所示，其均匀性达到了±0.13。
表3
| 取样点 | 1 | 2 | 3 | 4 | 平均含量 | 成分偏差 |
| As (％w) | 1.12 | 0.96 | 0.87 | 0.99 | 0.99 | ±0.13 |
实施例8：制备AuAs5合金
利用实施例3所制备的AuAs10中间合金制备200g成分含量为As5％质量百分比(简称AuAs5)的金砷合金，方法如下：
1)将100g的AuAs10中间合金和100g金放入石墨坩埚内，装入中频真空感应炉；
2)抽真空至4～6Pa；
3)升温，控制升温速度400～450℃/分钟；
4)炉内温度升至600℃时，向炉内充氩气，控制炉内压力在80-110MPa范围内；
5)升温速度为400～450℃/分钟继续升温，将炉内温度升至1100～1150℃之间；
6)待金属全部熔化后，炉内温度保温在1100℃，精炼1～2分钟；
7)控制浇铸温度在1100～1120℃之间，浇铸，得到AuAs5金砷合金材料。
使用电感耦合等离子体发射光谱法分析制备的AuAs5合金成分，结果如表4所示，其均匀性达到了±0.15。
表4
| 取样点 | 1 | 2 | 3 | 4 | 平均含量 | 成分偏差 |
| As (％w) | 4.85 | 4.96 | 5.02 | 4.90 | 4.93 | ±0.15 |
以上所述仅为本发明的具体实施方案，不能以此限定本发明实施的范围；即凡依本发明权利要求书所作的任何变化与修改，皆属本发明专利保护的范围。
Claims (10)
1.一种金砷合金材料，其特征在于，其成分组成及质量百分比为As：1-20％，Au：余量。
2.根据权利要求1所述金砷合金，其特征在于：所述金砷合金材料的成分组成及质量百分比为As：1-4％，Au：余量。
3.一种权利要求1所述金砷合金的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
A、制备金砷中间合金：
a、按所需中间合金的配比范围称重金、砷材料，其中As的含量为1-20％；
b、按砷、金的顺序先后放入石英坩埚中；
c、将石英坩埚抽真空至4～6Pa后，将坩埚密封；
d、将石英坩埚放入密封电阻炉内；
e、升温，控制升温速度8～12℃/分钟；
f、炉内温度升至600℃时，向炉内充氩气，控制炉内压力在80-110MPa；
g、电阻炉以8～12℃/分钟的升温速度继续升温；
h、控制炉内温度，至1100-1500℃，使高纯金熔化；
i、控制炉内的温度在1100-1500℃，静止20～30分钟，精炼金砷熔体；
j、保持炉内的压力，以20℃/分钟速度降温至680～1050℃；
k、泄去炉内压力，快速打开坩埚密封塞，将合金熔液浇铸到铸铁模内，得到中间合金锭；
B、金砷合金精炼熔铸：
a、按所需金砷合金的配比量，将步骤A得到的中间合金锭再与剩余金一起加入中频真空感应炉中；
b、抽真空至4～6Pa；
c、升温，控制升温速度350～500℃/分钟；
d、炉内温度升至600℃时，向炉内充氩气，控制炉内压力在80-110MPa；
e、升温速度为350～500℃/分钟继续升温，将炉内温度升至750～1200℃之间；
f、炉内温度达到750～1200℃后，保温精炼1～2分钟；
g、控制浇铸温度在780～1150℃之间，浇铸，得到金砷合金材料。
4.根据权利要求3所述金砷合金的制备方法，其特征在于：所述金、砷材料纯度均在5N以上。
5.一种P.L.S波段硅功率晶体管金属化用蒸镀材料的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、压力加工：
将利用权力要求3制备方法得到的金砷合金铸锭用冷压力加工方法进行压力加工，将其延展为符合厚度要求的合金箔材或板材；
B、机加工：
将压力加工好的合格的合金箔按照所需要的尺寸进行标准剪裁，形成蒸镀材料；
C、表面处理：
将加工好的蒸镀材料或靶材用酸性清洗液通过浸泡法、搅拌法进行清洗，去除加工过程中造成的污染，使材料表面清洁、光亮。
6.根据权利要求5所述的P.L.S波段硅功率晶体管金属化用蒸镀材料的制造方法，其特征在于，所述酸性清洗液选自pH为1-3的硫酸溶液、硝酸溶液或盐酸溶液。
7.一种P.L.S波段硅功率晶体管金属化用蒸镀材料，其特征在于：它是用权利要求1所述的金砷合金经加工制成。
8.一种P.L.S波段硅功率晶体管金属化用溅射靶材的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、压力加工：
将利用权力要求3制备方法得到的金砷合金铸锭用冷压力加工方法进行压力加工，将其延展为符合厚度要求的合金箔材或板材；
B、机加工：
将压力加工好的完整的合金板材按照所需要的尺寸标准进行车铣，形成溅射靶材；
C、表面处理：
将加工好的蒸镀材料或靶材用酸性清洗液通过浸泡法、搅拌法进行清洗，去除加工过程中造成的污染，使材料表面清洁、光亮。
9.根据权利要求8所述的P.L.S波段硅功率晶体管金属化用溅射靶材的制造方法，其特征在于，所述酸性清洗液选自pH为1-3的硫酸溶液、硝酸溶液或盐酸溶液。
10.一种P.L.S波段硅功率晶体管金属化用溅射靶材，其特征在于：它是用权利要求1所述的金砷合金经加工制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008102398431A CN101748307B (zh) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 金砷合金材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008102398431A CN101748307B (zh) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 金砷合金材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101748307A true CN101748307A (zh) | 2010-06-23 |
| CN101748307B CN101748307B (zh) | 2012-07-25 |
Family
ID=42475918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008102398431A Active CN101748307B (zh) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 金砷合金材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101748307B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103323446A (zh) * | 2012-03-23 | 2013-09-25 | 北京有色金属与稀土应用研究所 | 一种金砷合金靶材中砷量的测定方法 |
| CN103394674A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-11-20 | 西安工程大学 | 薄壁铸件铸造用真空感应炉及铸造薄壁钛合金铸件的方法 |
| CN106956107A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-07-18 | 宁波金凤焊割机械制造有限公司 | 金属件的机械加工方法 |
| CN109022854A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-18 | 中国兵器科学研究院宁波分院 | 一种非晶软磁材料的母合金熔炼方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3434828A (en) * | 1963-02-01 | 1969-03-25 | Texas Instruments Inc | Gold alloy for attaching a lead to a semiconductor body |
| US3412278A (en) * | 1965-12-01 | 1968-11-19 | Perkin Elmer Corp | Hollow cathodes having a matrix material with particles interspersed |
| JP3450376B2 (ja) * | 1993-06-12 | 2003-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US6803598B1 (en) * | 1999-05-07 | 2004-10-12 | University Of Delaware | Si-based resonant interband tunneling diodes and method of making interband tunneling diodes |
-
2008
- 2008-12-19 CN CN2008102398431A patent/CN101748307B/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103323446A (zh) * | 2012-03-23 | 2013-09-25 | 北京有色金属与稀土应用研究所 | 一种金砷合金靶材中砷量的测定方法 |
| CN103394674A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-11-20 | 西安工程大学 | 薄壁铸件铸造用真空感应炉及铸造薄壁钛合金铸件的方法 |
| CN103394674B (zh) * | 2013-07-24 | 2016-01-13 | 西安工程大学 | 薄壁铸件铸造用真空感应炉及铸造薄壁钛合金铸件的方法 |
| CN106956107A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-07-18 | 宁波金凤焊割机械制造有限公司 | 金属件的机械加工方法 |
| CN109022854A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-18 | 中国兵器科学研究院宁波分院 | 一种非晶软磁材料的母合金熔炼方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101748307B (zh) | 2012-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102367568B (zh) | 高纯钽靶材制备方法 | |
| CN106086544B (zh) | 一种合金元素强化高硅铝复合材料及其制备方法 | |
| CN102251140B (zh) | 一种金锡钎料保护熔炼方法 | |
| CN108411151B (zh) | 一种高锰含量铜锰中间合金的真空感应熔炼方法 | |
| CN100491556C (zh) | 非真空熔炼及浇铸Cu-Ti合金的方法 | |
| CN101748307B (zh) | 金砷合金材料及其制备方法 | |
| CN103352137A (zh) | 用于电力开关弹簧触头的高强高导铜合金及其制备方法 | |
| CN102534316A (zh) | 一种铝钼钨钛中间合金及其制备方法 | |
| CN103938002B (zh) | 一种铜铬锆合金铸棒降低偏析的真空熔炼工艺 | |
| CN103556004A (zh) | 一种采用k438合金返回料制备k438合金的制备方法 | |
| CN101748313A (zh) | 锌-锂合金材料及其制备方法 | |
| CN110218981A (zh) | 一种铜镓靶材及其制备方法 | |
| CN110318001A (zh) | 一种金刚线母线用高碳钢及其熔炼方法 | |
| CN104480329A (zh) | 一种制备金属合金铸块的方法 | |
| CN111304490B (zh) | 一种CuMn7Sn3合金的制备方法及其应用 | |
| CN111363935A (zh) | 一种金锡共晶合金材料的制备方法 | |
| CN107971652B (zh) | 一种电真空钎料及其制备方法 | |
| CN113680980B (zh) | 一种采用水平连铸铜锰合金的生产工艺 | |
| CN110144501A (zh) | 一种长效变质的高硅铝合金及其变质工艺 | |
| CN109266863A (zh) | 一种高纯钛锭提纯方法 | |
| CN102020278A (zh) | 一种去除硅中杂质磷的方法 | |
| CN112080659B (zh) | 一种CuMn25Ni10Sn合金材料的制备方法 | |
| CN100430501C (zh) | 粗镁精炼、合金化及连续铸造熔炼镁合金的方法 | |
| CN102634697A (zh) | 一种铝锰中间合金及其制备方法 | |
| CN101440437B (zh) | 锂铅合金制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Gold-arsenic alloy material and preparation method thereof Effective date of registration: 20131209 Granted publication date: 20120725 Pledgee: Huaxia Bank, Limited by Share Ltd, Beijing branch Pledgor: Beijing Non-ferrous Metal and Rare-earth Application Inst. Registration number: 2013990000947 |
|
| PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20150615 Granted publication date: 20120725 Pledgee: Huaxia Bank, Limited by Share Ltd, Beijing branch Pledgor: Beijing Non-ferrous Metal and Rare-earth Application Inst. Registration number: 2013990000947 |
|
| PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Gold-arsenic alloy material and preparation method thereof Effective date of registration: 20160922 Granted publication date: 20120725 Pledgee: Beijing rural commercial bank, Limited by Share Ltd, Sijiqing branch Pledgor: Beijing Non-ferrous Metal and Rare-earth Application Inst. Registration number: 2016990000811 |
|
| PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20170925 Granted publication date: 20120725 Pledgee: Beijing rural commercial bank, Limited by Share Ltd, Sijiqing branch Pledgor: Beijing Non-ferrous Metal and Rare-earth Application Inst. Registration number: 2016990000811 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |