CN104471472B - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够改善残像的横向电场模式的有源矩阵型液晶显示装置。多个像素梳状电极(109)中的一个像素梳状电极(109B)的宽度比其他像素梳状电极(109)的宽度和共同梳状电极(110)的宽度大，并且与通过第二绝缘膜覆盖图像信号配线(104)的共同屏蔽电极(110B)的宽度相同。显示区域被宽的像素梳状电极(109B)分成两个子区域。在各子区域中，像素梳状电极(109)的数量与共同梳状电极(110)的数量相等。另外，共同屏蔽电极(110B)的宽度与宽的像素梳状电极(109B)的宽度相同，电场集中于各像素梳状电极附近的情况被缓和。由于在结构上对称，因此电位分布变得对称，帧间的发光方式的非对称性被缓和。由此，闪烁调整后的图像信号的DC偏移成分减少，从而改善残像。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置，具体地涉及具有优异的残像特性的横向电场模式的有源矩阵型液晶显示装置。
背景技术
在近年来对大型监视器广泛采用的IPS(平面转换)模式中，液晶的分子轴通过平面转换在与基板平行的面内旋转，从而进行显示。因此，对分子轴的上升角度的视角依赖性消除，因此IPS模式的视角特性比TN模式的视角特性更加有利。相反，由于在IPS模式中将像素电极和共同电极配置成梳状来施加横向电场，因此电极的面积与显示区域的比率变高。因此，IPS模式中的开口率比TN模式中的开口率更不利，但是近年来已被改善为与TN模式下的开口率相同。
(常规示例1)
说明IPS模式的示例。图7(a)表示一个像素的平面图，图7(b)表示显示区域的剖视图。在第一基板上形成有包括第一金属层的扫描信号配线701和并排设置的两个共同信号配线702。在扫描信号配线701和共同信号配线702上形成有栅极绝缘膜703，并且在第一绝缘膜上形成有包括第二金属层的图像信号配线704、薄膜半导体层705、以及源电极706。在图像信号配线704、薄膜半导体层705、以及源电极706上形成有包括无机膜的钝化膜707，并且在钝化膜上还形成有包括有机膜的平坦化膜708。在平坦化膜708上形成有包括透明导电膜的像素梳状电极709和共同梳状电极710。当不使用平坦化膜708时，在钝化膜707上形成有所述像素梳状电极709和共同梳状电极710。
图像信号配线704通过钝化膜707和平坦化膜708被共同屏蔽电极710B在配线宽度方向上完全覆盖。像素梳状电极709和共同梳状电极710分别经由接触孔711和接触孔712与源电极706和共同信号配线702电连接。共同信号配线702和源电极706彼此重叠的区域具有存储电容。
由于像素梳状电极709和共同梳状电极710均由透明导电膜形成，因此电极上的区域也有助于透射率。由于图像信号配线704被共同屏蔽电极710B在配线宽度方向上完全覆盖的结构，因此能够将开口扩展到图像信号配线704的附近。
根据申请人的发现，在专利文献1中，公开了设置有具有不同线宽的像素梳状电极的结构，但是不限定具有粗线宽的像素梳状电极的宽度与共同屏蔽电极的宽度大致相同。另外，不限定具有粗线宽的像素梳状电极的位置。专利文献1中公开的发明的目的是通过层叠透明导电层和金属层来形成具有粗线宽的像素梳状电极，并通过在像素梳状电极的位置上形成存储电容来实现高开口率。但是，本发明的目的是像素电极和共同电极的结构的对称化，与专利文献1的发明的目的不同。
根据申请人的另一发现，在专利文献2中，公开了中央的像素梳状电极的宽度宽的结构，但是像素梳状电极的宽的宽度不与共同屏蔽电极的宽度大致相同。专利文献2的目的不是像本发明那样的对非对称性的缓和。
在专利文献3中提及的IPS模式中，在显示区域内具有三个像素梳状电极和两个共同梳状电极，像素梳状电极多于一个。通常，在负帧时(像素梳状电极的电位比共同梳状电极的电位低)，电子聚集在共同梳状电极的附近，由此像素梳状电极的附近明亮地发光。相反，在正帧时(像素梳状电极的电位比共同梳状电极的电位高)，电子聚集在像素梳状电极的附近，由此共同梳状电极的附近明亮地发光。因此，在负帧中明亮地发光的梳状电极的个数不同于在正帧中明亮地发光的梳状电极的个数，并且在正帧与负帧之间发光的方式不对称。
另外，图像信号配线被共同屏蔽电极在配线宽度方向上完全覆盖的结构导致共同梳状电极和共同屏蔽电极的总宽度大于像素梳状电极的总宽度，共同电位比像素电位高，像素梳状电极附近的电场更强，共同梳状电极附近的电场更弱。因此，负帧中的像素梳状电极附近的发光方式不同于正帧中的共同梳状电极附近的发光方式，帧间的发光方式进一步变得不对称。当在这种状态下以使帧间的亮度变得相等的方式晃动共同电位以进行闪烁调整时，在施加于像素梳状电极与共同梳状电极之间的信号上加载DC偏移，信号在帧间变得不对称。因此，认为残像恶化。
引文列表
专利文献
专利文献1：日本专利特开No.2003-140188(第5页、图1)
专利文献2：日本专利No.4047586(第7页、图1和图3)
专利文献3：日本专利No.4603560(第8页、图1)
发明内容
技术问题
基于上述内容，本发明的目的是解决上述问题，并提供如下的液晶显示装置：使IPS模式的像素梳状电极和共同梳状电极在结构上对称，由此帧间的发光方式也变得对称，并且以使帧间的亮度相等的方式晃动共同电位以进行闪烁调整后的、施加于像素梳状电极与共同梳状电极之间的信号也变得对称。
解决问题的手段
为了解决上述的问题，作为本发明的第一实施方式的液晶显示装置，提供一种液晶显示装置，包括第一基板、面向所述第一基板的第二基板、以及保持在夹在所述第一基板与所述第二基板之间的状态的液晶层，其中，所述第一基板包括：包括栅电极、漏电极、以及源电极的薄膜晶体管；与将要显示的像素相对应的包括透明导电膜的像素梳状电极；被施加基准电位的共同梳状电极和共同屏蔽电极；扫描信号配线；配置成与所述扫描信号配线平行的共同信号配线；以及配置成与所述共同信号配线正交的图像信号配线，所述薄膜晶体管形成在所述扫描信号配线和所述图像信号配线的交点附近，所述栅电极与所述扫描信号配线电连接，所述漏电极与所述图像信号配线电连接，所述源电极与所述像素梳状电极电连接，所述共同梳状电极和所述共同屏蔽电极与所述共同信号配线电连接，所述图像信号配线通过绝缘膜在配线宽度方向上被所述共同屏蔽电极覆盖，通过施加于所述像素梳状电极与所述共同梳状电极之间并与所述第一基板的表面大致平行的电场，使所述液晶层的分子轴在与所述第一基板平行的面内旋转，由此进行显示，所述液晶显示装置是横向电场模式的有源矩阵型液晶显示装置，其中，所述多个像素梳状电极中的至少一个像素梳状电极的宽度比其他所述像素梳状电极的宽度和所述共同梳状电极的宽度大，除该大宽度的像素梳状电极以外的其他所述像素梳状电极的宽度与所述共同梳状电极的宽度大致彼此相同，所述大宽度的像素梳状电极的宽度与所述共同屏蔽电极的宽度大致相同。
另外，在所述大宽度的像素梳状电极的下方与所述大宽度的像素梳状电极的纵向平行地一体形成所述共同信号配线。
另外，在所述大宽度的像素梳状电极的下方与所述大宽度的像素梳状电极的纵向平行地延伸形成所述源电极。
而且，所述大宽度的像素梳状电极形成在单位像素的中央或在最接近所述中央的位置上。
随后，在所述大宽度的像素梳状电极的两侧，所述共同梳状电极的数量与所述像素梳状电极的数量相等。
另外，在所述大宽度的像素梳状电极的一侧，所述共同梳状电极的数量与所述像素梳状电极的数量相等。
本发明的技术效果
使IPS模式的像素梳状电极和共同梳状电极在结构上对称，由此帧间的发光方式也变得对称，并且以使帧间的亮度相等的方式晃动共同电位以进行闪烁调整后的、施加于像素梳状电极与共同梳状电极之间的信号也变得对称。因此，残像得到改善。
附图说明
[图1(a)]是根据本发明的第一实施例的液晶显示装置的平面图。
[图1(b)]是根据本发明的第一实施例的液晶显示装置的显示区域的剖面和电位分布的示意图。
[图1(c)]是根据本发明的第一实施例的液晶显示装置的剖视图。
[图2(a)]是根据本发明的第二实施例的液晶显示装置的平面图。
[图2(b)]是根据本发明的第二实施例的液晶显示装置的显示区域的剖面和电位分布的示意图。
[图3(a)]是根据本发明的第三实施例的液晶显示装置的平面图。
[图3(b)]是根据本发明的第三实施例的液晶显示装置的显示区域的剖视图。
[图4]是根据本发明的第四实施例的液晶显示装置的平面图。
[图5(a)]是根据本发明的第五实施例的液晶显示装置的平面图。
[图5(b)]是根据本发明的第五实施例的液晶显示装置的显示区域的剖面和电位分布的示意图。
[图6(a)]是根据本发明的第六实施例的液晶显示装置的平面图。
[图6(b)]是根据本发明的第六实施例的液晶显示装置的显示区域的剖面和电位分布的示意图。
[图7(a)]是常规示例1的液晶显示装置的平面图。
[图7(b)]是常规示例1的液晶显示装置的显示区域的剖面和电位分布的示意图。
具体实施方式
图1(a)和图1(b)中表示本发明的结构。图1表示列数是2的奇数倍的示例，并且像素梳状电极的数量是奇数个。与图7中所示的常规示例1的差异在于，多个像素梳状电极109中的一个像素梳状电极109B的宽度比各其他的像素梳状电极109和共同梳状电极110的宽度宽，并与通过钝化膜107覆盖图像信号配线104的共同屏蔽电极110B的宽度相同。显示区域被宽的像素梳状电极109B分成两个子区域。在各子区域中，像素梳状电极109的数量与共同梳状电极110的数量相同。由于共同屏蔽电极110B的宽度与宽的像素梳状电极109B的宽度相同，因此如常规示例那样像素梳状电极附近的电场集中被缓和。
由于以这种方式实现结构对称，因此，如图1(b)所示，电位分布变得对称，帧间的发光方式的非对称性被缓和。由此，当以使帧间的亮度变得相等的方式晃动共同电位以进行闪烁调整时，施加于像素梳状电极与共同梳状电极之间的信号的DC偏移成分减少，在帧间的信号变得大致对称。因此，残像得到改善。
实施例1
将参照图1(a)、图1(b)、图1(c)说明本发明的第一实施例。图1(a)是根据本发明的第一实施例的液晶显示装置的平面图，图1(b)是显示区域的剖面和电位分布的示意图。图1(c)是剖视图，其中，使第一基板和第二基板相互面对并夹着液晶层。
更具体而言，本发明的横向电场模式的有源矩阵型液晶显示装置包括：作为第一基板的第一玻璃基板118；作为面向第一基板的第二基板的第二玻璃基板119；以及被保持在夹在第一玻璃基板118与第二玻璃基板119之间的状态的液晶层122。
如上形成的实施例1是列数为2的奇数倍的示例，并且像素梳状电极的数量为奇数个。
接下来，将对图1中的像素的形成方法进行说明。
在第一基板中，首先，在第一玻璃基板118上通过层叠包含作为主成分的钼的合金和包含作为主成分的铝的合金，形成包括第一金属层的扫描信号配线101和共同信号配线102。
接下来，作为栅极绝缘膜，形成氮化硅膜，接下来形成薄膜半导体层105。
另外，通过层叠包含作为主成分的钼的合金和包含作为主成分的铝的合金得到的作为第二金属层的金属层，形成图像信号配线104以及薄膜晶体管的源电极106。
在薄膜半导体层105的上层上形成n型半导体层，源/漏电极以外的位置处的n型半导体层在形成包括第二金属层的电极之后，通过干蚀刻去除。
另外，在其上形成包括氮化硅的钝化膜107。
另外，在钝化膜107上涂覆光敏丙烯酸树脂作为平坦化膜108，从而通过进行曝光、显影和烧灼形成预定的图案。
接下来，使用ITO等透明导电膜形成像素梳状电极109和共同梳状电极110。共同屏蔽电极110B形成为覆盖图像信号配线104，并屏蔽来自图像信号配线104的电场。其结果，能够扩大显示区域，并且高开口率化变得可能。
像素梳状电极109经由源电极与像素梳状电极间的接触孔111与源电极106电连接。
共同梳状电极110经由共同信号配线与共同梳状电极间的接触孔112与共同信号配线102电连接。这种接触孔112不是对所有的像素是必须的，可以移除一些或所有的接触孔。
奇数个这种像素梳状电极109中的一个中央的像素梳状电极109B的宽度与共同屏蔽电极110B的宽度相等。在宽的像素梳状电极109B的两侧，共同梳状电极110的数量与像素梳状电极109的数量相同。
在第二基板中，遮光层117、色层116r、色层116g、色层116b、以及覆盖层115按照所述的顺序形成在第二玻璃基板119上。在单色的情况下，不需要色层。在第一基板和第二基板上分别涂覆并烧灼配向层113和配向层114，在预定的方向上进行摩擦处理之后，使第一基板和第二基板相互重叠，通过分隔材料以预定的间隔夹持液晶层122。偏光板120和偏光板121分别贴附到第一基板和第二基板的外侧。
通过施加于像素梳状电极109与共同梳状电极110之间并且与第一玻璃基板118的表面大致平行的电场，使液晶层122的分子轴在与第一玻璃基板118平行的面内旋转，来进行显示。
显示区域被宽的像素梳状电极109B分成两个子区域。在每个子区域中，像素梳状电极109的数量与共同梳状电极110的数量相等。另外,在各子区域的两端，共同屏蔽电极110B的宽度与宽的像素梳状电极109B的宽度相同，不会发生如常规示例那样电场集中在各像素梳状电极附近的情况。由于以这种方式实现结构的对称，因此如图1(b)所示电位分布变得对称，帧间的发光的非对称性消除。
使IPS模式的像素梳状电极和共同梳状电极在结构上对称，由此帧间的发光方式也变得对称，以使帧间的亮度相等的方式晃动共同电位以进行闪烁调整后的、施加于像素梳状电极与共同梳状电极之间的信号也变得对称。因此，残像得到改善。理想的是，宽的像素梳状电极109B宽度与共同屏蔽电极110B的宽度相等。但是，可认为根据像素的间距这种相等难以实现。期望的是，根据设计使宽的像素梳状电极109B的宽度尽可能接近共同屏蔽电极110B的宽度。
实施例2
将参照图2(a)和图2(b)对本发明的第二实施例进行说明。图2(a)是根据本发明的第二实施例的液晶显示装置的平面图，图2(b)是显示区域的剖面和电位分布的示意图。剖视图与第一实施例中的剖视图类似。
与第一实施例的差异在于，在像素梳状电极209B的下方且与像素梳状电极209B平行地形成共同信号配线。共同信号配线与平行于扫描信号配线201的两个共同信号配线202一体形成。
宽的像素梳状电极209B和各共同信号配线202相互重叠，由此能够在该区域中形成存储电容。
显示区域被中央的最宽的像素梳状电极209B分成两个子区域。在各子区域中，像素梳状电极209的数量与共同梳状电极210的数量相同。另外，在各子区域的两端，共同屏蔽电极210B的宽度与宽的像素梳状电极209B的宽度相同，并且不会发生如常规示例那样电场集中于各像素电极附近的情况。由于以这种方式实现结构上的对称，因此如图2(b)所示电位分布变得对称，宽的像素梳状电极209B被进一步保护免受光，因此，帧间的发光方式的对称性，比实施例1更优选。
使IPS模式的像素梳状电极和共同梳状电极在结构上对称，由此帧间的发光方式也变得对称，以使帧间的亮度相等的方式晃动共同电位以进行闪烁调整后的、施加于像素梳状电极与共同梳状电极之间的信号也变得对称。因此，残像得到改善。
另外，在宽的像素梳状电极209B和各共同信号配线202相互重叠的区域中能够确保存储电容。
在本发明中，由于在中央设置宽的像素梳状电极，因此横向开口率变得不利，但是通过在宽的像素梳状电极209B与各共同信号配线202重叠的区域中确保存储电容，能够扩大纵向开口率。与常规的IPS模式相比，能够维持大致相等的开口率。
理想的是，与实施例1相同，宽的像素梳状电极209B的宽度与共同屏蔽电极210B的宽度相等。期望的是，根据设计使宽的像素梳状电极209B的宽度尽可能接近共同屏蔽电极210B的宽度。
实施例3
将参照图3(a)和图3(b)对本发明的第三实施例进行说明。图3(a)是根据本发明的第三实施例的液晶显示装置的平面图，图3(b)是显示区域的剖面和电位分布的示意图。剖视图与第一实施例的剖视图类似。
与第二实施例的差异在于，除了在宽的像素梳状电极309B的下方且与宽的像素梳状电极309B平行地形成共同信号配线以外，还在宽的像素梳状电极309B的下方且与宽的像素梳状电极309B平行地延伸形成包括第二金属层的源电极306。
在宽的像素梳状电极309B的下方，共同信号配线302和源电极306相互重叠，由此能够在该区域中形成存储电容。
显示区域被宽的像素梳状电极309B分成两个子区域。在各子区域中，像素梳状电极309的数量与共同梳状电极310的数量相同。另外，在各子区域的两端，共同屏蔽电极310B的宽度与宽的像素梳状电极309B的宽度相同，并且不会发生如常规示例那样电场集中在各像素电极附近的情况。由于以这种方式实现结构上的对称，因此如图3(b)所示电位分布变得对称，宽的像素梳状电极309B被进一步保护免受光，因此，帧间的发光方式的对称性，比实施例1更优选。
使IPS模式的像素电极和共同电极在结构上对称，由此帧间的发光方式也变得对称，以使帧间的亮度相等的方式晃动共同电位以进行闪烁调整后的、施加于像素梳状电极与共同梳状电极之间的信号也变得对称。因此，残像得到改善。
另外，在宽的像素梳状电极309B和各共同信号配线302相互重叠的区域中能够确保存储电容。
在本发明中，由于在中央设置宽的像素梳状电极，因此横向开口率变得不利，但是通过在宽的像素梳状电极309B的下方，共同信号配线302和源电极306相互重叠的区域中确保存储电容，能够扩大纵向开口率。由于能够确保比实施例2中的存储电容更多的存储电容，因此与实施例2相比，扩大纵向开口率的效果增大。
理想的是，与实施例1至实施例2相同，宽的像素梳状电极309B的宽度与共同屏蔽电极310B的宽度相等。期望的是，根据设计使宽的像素梳状电极309B的宽度尽可能接近共同屏蔽电极310B的宽度。
实施例4
将参照图4对本发明的第四实施例进行说明。图4是根据本发明的第四实施例的液晶显示装置的平面图。电位分布和剖视图与第一实施例中的电位分布和剖视图类似。
与第一实施例的不同之处在于，像素梳状电极409、宽的像素梳状电极409B、共同梳状电极410、共同屏蔽电极410B、以及图像信号配线404是弯曲的，并且多领域化。另外，可以如实施例2那样在宽的像素梳状电极409B的下方且与宽的像素梳状电极409B平行地形成共同信号配线，或者可以如实施例3那样在宽的像素梳状电极409B的下方且与宽的像素梳状电极409B平行地延伸形成包括第二金属层的源电极406。
帧间的发光方式与实施例1至实施例3相同。另外，由于多领域化，以弯曲部为边界，液晶分子的旋转方向相互不同。
使帧间的发光方式对称以改善残像的效果与实施例1至实施例3相同。另外，由于多领域化，与实施例1至实施例3相比，视角特性更好。
理想的是，与实施例1至实施例3相同，宽的像素梳状电极409B的宽度与共同屏蔽电极410B的宽度相等。期望的是，根据设计使宽的像素梳状电极409B的宽度尽可能接近共同屏蔽电极410B的宽度。
实施例5
将参照图5(a)和图5(b)对本发明的第五实施例进行说明。图5(a)是根据本发明的第五实施例的液晶显示装置的平面图，图5(b)是显示区域的剖面和电位分布的示意图。剖视图与第一实施例中的剖视图类似。实施例5是列数为4的倍数的示例，并且像素梳状电极的数量是偶数个。
在这种情况下，由于共同梳状电极在像素的中央，因此使偶数个像素梳状电极509中最接近中央的一个像素梳状电极509B的宽度与共同屏蔽电极510B的宽度相等。与实施例1至实施例4不同，宽的像素梳状电极509B不位于像素的中央，而没有左右对称地分割像素。但是，在宽的像素梳状电极509B的两侧的共同梳状电极510和像素梳状电极509的数量相同，在各区域的两端，共同屏蔽电极510B的宽度与宽的像素梳状电极509B的宽度相同，并保持对称性。
使帧间的发光方式对称，改善残像的效果与实施例1至实施例4中的效果相同，并且不取决于列数是2的奇数倍还是4的倍数。
理想的是，与实施例1至实施例4相同，宽的像素梳状电极509B的宽度与共同屏蔽电极510B的宽度相等。期望的是，根据设计使宽的像素梳状电极509B的宽度尽可能接近共同屏蔽电极510B的宽度。
实施例6
将参照图6(a)和图6(b)对本发明的第六实施例进行说明。图6(a)是根据本发明的第六实施例的液晶显示装置的平面图，图6(b)是显示区域的剖面和电位分布的示意图。剖视图与第一实施例中的剖视图类似。实施例6是列数为4(作为4的倍数的最小值)的示例，并且像素梳状电极的数量是两个。
在这种情况下，与实施例5相同，共同梳状电极也位于像素的中央，使两个像素梳状电极609中的一个像素梳状电极609B的宽度与共同屏蔽电极610B的宽度相等。在宽的像素梳状电极609B的右侧，共同梳状电极610和像素梳状电极609的数量分别是一个，而在宽的像素梳状电极609B的左侧，共同梳状电极610和像素梳状电极609的数量是O。即使在这种情况下，在各区域中也保持对称性。
使帧间的发光方式对称，改善残像的效果与实施例1至实施例5中的效果相同，并且不取决于列数是2的奇数倍还是4的倍数。
理想的是，与实施例1至实施例5相同，宽的像素梳状电极609B的宽度与共同屏蔽电极610B的宽度相等。期望的是，根据设计使宽的像素梳状电极609B的宽度尽可能接近共同屏蔽电极610B的宽度。
工业上的可利用性
本发明可用于横向电场模式的有源矩阵型液晶显示装置以及将液晶显示装置用作显示装置的任意的设备。
附图标记列表
101、201、301、401、501、601、701 扫描信号配线
102、202、302、402、502、602、702 共同信号配线
103、203、303、503、603、703 栅极绝缘膜
104、204、304、404、504、604、704 图像信号配线
105、205、305、405、505、605、705 薄膜半导体层
106、206、306、406、506、606、706 源电极
107、207、307、507、607、707 钝化膜
108、208、308、508、608、708 平坦化膜
109、209、309、409、509、609、709 像素梳状电极
109B、209B、309B、409B、509B、609B 宽的像素梳状电极
110、210、310、410、510、610、710 共同梳状电极
110B、210B、310B、410B、510B、610B、710B 共同屏蔽电极
111、211、311、411、511、611、711 源电极与像素梳状电极间的接触孔
112、212、312、412、512、612、712 共同信号配线与共同梳状电极间的接触孔
113 第一基板的配向层
114 第二基板的配向层
115 覆盖层
116r、116g、116b 色层
117 遮光层
118 第一玻璃基板
119 第二玻璃基板
120 第一基板侧的偏光板
121 第二基板侧的偏光板
122 液晶层

Claims (6)

1.一种液晶显示装置，包括第一基板、面向所述第一基板的第二基板、以及保持在夹在所述第一基板与所述第二基板之间的状态的液晶层，其中，
所述第一基板包括：包括栅电极、漏电极、以及源电极的薄膜晶体管；与将要显示的像素相对应的包括透明导电膜的像素梳状电极；被施加基准电位的共同梳状电极和共同屏蔽电极；扫描信号配线；配置成与所述扫描信号配线平行的共同信号配线；以及配置成与所述共同信号配线正交的图像信号配线；
所述薄膜晶体管形成在所述扫描信号配线和所述图像信号配线的交点附近；
所述栅电极与所述扫描信号配线电连接，所述漏电极与所述图像信号配线电连接，所述源电极与所述像素梳状电极电连接，所述共同梳状电极和所述共同屏蔽电极与所述共同信号配线电连接；
所述图像信号配线通过绝缘膜在配线宽度方向上被所述共同屏蔽电极覆盖；并且
通过施加于所述像素梳状电极与所述共同梳状电极之间并与所述第一基板的表面大致平行的电场，使所述液晶层的分子轴在与所述第一基板平行的面内旋转，由此进行显示，
所述液晶显示装置是横向电场模式的有源矩阵型液晶显示装置，其中，
多个所述像素梳状电极中的至少一个像素梳状电极的宽度比其他所述像素梳状电极的宽度和所述共同梳状电极的宽度大，除该大宽度的像素梳状电极以外的其他所述像素梳状电极的宽度与所述共同梳状电极的宽度彼此大致相同；并且
所述大宽度的像素梳状电极的宽度与所述共同屏蔽电极的宽度大致相同。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述大宽度的像素梳状电极的下方与所述大宽度的像素梳状电极的纵向平行地形成另一共同信号配线,并且，所述另一共同信号配线与平行于所述扫描信号配线布置的所述共同信号配线一体形成。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，在所述大宽度的像素梳状电极的下方与所述大宽度的像素梳状电极的纵向平行地延伸形成所述源电极。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述大宽度的像素梳状电极形成在单位像素的中央或在最接近所述中央的位置上。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述大宽度的像素梳状电极的两侧，所述共同梳状电极的数量与所述像素梳状电极的数量相等。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在所述大宽度的像素梳状电极的一侧，所述共同梳状电极的数量与所述像素梳状电极的数量相等。
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