CN104423109A - 液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有光取向膜，能够充分地提高显示品质的液晶显示装置及其制造方法。本发明的特征在于，光取向膜由液晶取向材料形成，使液晶分子在与至少一个基板的主面平行的方向上取向，液晶取向材料包含由二胺与四羧酸二酐反应而得到的2种以上的聚酰胺酸或其衍生物、和溶剂，二胺中的至少两种和四羧酸二酐的至少一种为规定化学式所示的化合物，液晶显示装置的制造方法依次包括：形成由液晶取向材料形成的膜的工序(1)；进行临时烧制的工序(2)；进行光照射的工序(3)；和进行正式烧制的工序(4)，工序(4)包括对由液晶取向材料形成的膜从低温向高温进行多次正式烧制的操作。

Description

液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置。更详细地说，涉及关于取向膜的形成条件的液晶显示装置的制造方法、和通过上述液晶显示装置的制造方法制造的液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置在一对玻璃基板等中夹持液晶显示元件而构成，具有薄型轻量且耗电低的特长，是移动用途、各种显示器、电视机等、日常生活和商业中不可或缺的。近年来，被广泛采用于电子书、电子相框、IA(Industrial Appliance：工业设备)、PC(Personal Computer：个人计算机)、平板PC、智能手机等用途中。在这些用途中，要求各种性能，开发了各种液晶显示模式。
作为近年来多被采用的液晶显示模式，可以列举在与基板的主面垂直的方向上使具有负的介电常数各向异性的液晶分子取向的VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式、在与基板的主面平行的方向上使具有正或负的介电常数各向异性的液晶分子取向的IPS(In-PlaneSwitching：面内开关)模式、和FFS(Fringe Field Switching：边缘场开关)模式等。
作为用于使液晶分子取向的、取向膜的取向处理方法，可以列举例如摩擦法、光取向法。特别是光取向法作为能够得到具有优秀视角特性的液晶显示装置的技术近年来在研讨中。光取向法是使用对光有活性的材料作为取向膜的材料，通过对所形成的膜照射紫外线等光使取向膜产生取向控制力的方法。根据光取向法，即使不对取向膜实施摩擦处理也能够将电压施加时的液晶分子的取向方向控制在多个方向，能够得到优秀的视角特性。另外，根据光取向法，与摩擦处理不同，能够与取向膜的膜面非接触地进行取向处理，所以能够抑制取向处理中的污染、赃物等的发生。
在此，已知有公开了通过这些取向处理产生均匀的取向控制力，防止显示不良的取向处理方法的文献(例如参照专利文献1和2)。另外，已知有公开了通过进行形成取向膜的过程的正式烧制的工序，提高聚合物的取向度的文献(例如参照非专利文献1)。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平8-179328号公报
专利文献2：日本特许第4459417号说明书
非专利文献
非专利文献1：K.Sakamoto,et al、《光取向的聚酰胺酸膜的面内分子秩序：热酰亚胺化时的提高(In-plane Molecular Order of aPhoto-oriented Polyamic Acid Film：Enhancement upon ThermalImidization)》、Molecular Crystals and Liquid Crystals、2004、Vol.412、p.293-299
发明内容
发明要解决的课题
如上所述，对光取向法的取向膜(以下称为光取向膜)的取向处理进行了探讨。在此，使用包含偶氮苯为主链的聚酰亚胺取向膜，通过光取向法制作液晶显示模式为IPS模式、FFS模式的液晶显示装置时，在显示黑色时发生漏光、对比度降低。这种现象在上述以外的组合、例如使用包含偶氮苯为主链的聚酰亚胺取向膜，通过光取向法制作液晶显示模式为垂直取向模式(例如VA模式等)的液晶显示装置的情况下不发生。
本发明者对其原因进行探讨后的结果，发现：上述现象是因为，即使进行光取向处理，取向膜所含的聚合物(以下简称为聚合物)的取向度也不能充分地变高，引起液晶分子的取向紊乱。在此，所谓取向度，表示以例如在规定的方向取向的方式进行光取向处理后的聚合物的各向异性的程度。各向异性的程度能够用例如折射率各向异性、吸收率各向异性等测定。
上述专利文献1提供一种液晶取向膜的制造方法和液晶元件的制造方法，该方法在使用取向膜使彩色近晶型液晶取向时，实现均匀没有不均的高预倾斜角的一致(Uniform)取向，能够防止液晶的显示不良。但是，上述专利文献1中记载的发明，通过摩擦法使彩色近晶型液晶取向，存在为了解决上述课题而努力的余地。另外，上述专利文献1中记载的发明，是用于提高取向膜的取向均匀性的发明，与用于提高聚合物的取向度的本发明本质上课题不同。
上述专利文献2提供一种不进行斜向照射也能够产生液晶取向元件所需的液晶预倾斜角的液晶取向处理方法和液晶显示元件。但是，上述专利文献2中记载的发明，对于IPS模式和FFS模式的液晶显示装置没有任何公开，存在为了解决上述课题而努力的余地。
上述非专利文献1在测定包含偶氮苯为主链的聚酰亚胺取向膜的取向度时，正式烧制后的取向度比正式烧制前的取向度高。但是，上述非专利文献1对于正式烧制的条件仅公开了250℃、1小时，在使正式烧制的条件最优化的方面存在为了解决上述课题而努力的余地。另外，上述非专利文献1对于临时烧制没有任何公开。在不进行临时烧制的情况下，发生光取向膜的膜厚不均，显示品质降低。
本发明鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供一种具有光取向膜，能够充分地提高显示品质的液晶显示装置的制造方法、和由上述液晶显示装置的制造方法制造的液晶显示装置。
用于解决课题的方法
本发明者们对聚合物的取向度不能充分地变高的原因进行了各种探讨后发现，当使正式烧制的温度瞬间上升至聚合物的酰亚胺化充分进行的温度时，聚合物的取向度不会充分变高而被固定化。刚进行光取向处理后的聚合物，不能通过光照射使聚合物完全取向，所以也包含偏离规定的取向方向的聚合物，成为聚合物的取向度不能充分地变高的状态。由此可以认为上述现象是因为，该取向度不能充分地变高的聚合物以保持这样的状态被酰亚胺化，由此保持取向度不能充分地变高的状态被固定化。这可以认为是因为，由于酰亚胺化后的聚合物具有刚直性而热运动性(以下简称为运动性)低，如上所述的从规定的取向方向偏离的聚合物难以在取向方向上重新取向。
于是，本发明者们对具有光取向膜、能够充分提高显示品质的液晶显示装置的制造方法进行各种探讨后，着眼于在进行正式烧制的工序中进行从低温向高温的多次正式烧制的操作。然后了解到，利用聚合物的酰亚胺化不充分进行的程度的温度，来增加聚合物的运动性，聚合物更容易通过光取向处理在取向方向上取向。发现其结果是，聚合物的取向度变高，如果使正式烧制的温度曲线最优化，则能够具有光取向膜、充分提高显示品质。由此想到能够完美地解决上述课题，到达本发明。
即，本发明的一实施方式是具备在至少一个基板上具有光取向膜的一对基板的液晶显示装置的制造方法，上述光取向膜由液晶取向材料形成，使液晶分子在与上述至少一个基板的主面平行的方向上取向，上述液晶取向材料包含2种以上的聚酰胺酸或其衍生物、和溶剂，上述2种以上的聚酰胺酸或其衍生物包含：至少使下述化学式(1-1)所示的二胺与第一四羧酸二酐反应而得到的化合物；和至少使下述化学式(1-2)所示的二胺与第二四羧酸二酐反应而得到的化合物，上述第一四羧酸二酐和上述第二四羧酸二酐中的至少一者为下述化学式(2)所示的化合物，上述液晶显示装置的制造方法依次包括：工序(1)，在上述至少一个基板上形成由上述液晶取向材料形成的膜的工序；工序(2)，对上述至少一个基板上的由上述液晶取向材料形成的膜进行临时烧制的工序；工序(3)，对临时烧制后的由上述液晶取向材料形成的膜进行光照射的工序；和工序(4)，对光照射后的由上述液晶取向材料形成的膜进行正式烧制的工序，上述工序(4)包括对由上述液晶取向材料形成的膜从低温向高温进行多次正式烧制的操作。
(R1和R2独立地为-CH3或氢原子)
作为本发明的一实施方式的液晶显示装置的制造方法，并不特别由其他工序限定。
另外，根据本发明的另一实施方式，可以是通过上述液晶显示装置的制造方法制造的、液晶显示模式为IPS模式或FFS模式的液晶显示装置。
作为本发明的另一个方式的液晶显示装置，并不由其他的构成要素特别限定，能够适当应用液晶显示装置通常使用的其他结构。
发明效果
根据本发明，提供一种具有光取向膜，能够充分地提高显示品质的液晶显示装置的制造方法和通过上述液晶显示装置的制造方法制造的液晶显示装置。
附图说明
图1是表示实施例1的临时烧制的温度曲线的图。
图2是表示实施例1的正式烧制的温度曲线的图。
图3是表示实施例2-1的正式烧制的温度曲线的图。
图4是表示实施例2-2的正式烧制的温度曲线的图。
图5是表示实施例2-3的正式烧制的温度曲线的图。
图6是表示实施例2-5的正式烧制的温度曲线的图。
图7是表示实施例2-6的正式烧制的温度曲线的图。
图8是表示实施例2-7的正式烧制的温度曲线的图。
图9是表示实施例3-1的正式烧制的温度曲线的图。
图10是表示实施例3-2的正式烧制的温度曲线的图。
图11是表示实施例3-3的正式烧制的温度曲线的图。
图12是表示实施例3-4的正式烧制的温度曲线的图。
图13是表示实施例3-5的正式烧制的温度曲线的图。
图14是表示实施例4-1的临时烧制的温度曲线的图。
图15是表示实施例4-2的临时烧制的温度曲线的图。
图16是表示实施例4-4的临时烧制的温度曲线的图。
图17是表示实施例4-5的临时烧制的温度曲线的图。
图18是表示实施例4-6的临时烧制的温度曲线的图。
图19是表示实施例6的正式烧制的温度曲线的图。
图20是表示实施例7的正式烧制的温度曲线的图。
图21是表示比较例1的正式烧制的温度曲线的图。
具体实施方式
本发明的液晶显示装置的制造方法使用具有特定组成的液晶取向材料。上述液晶取向材料，作为聚合物固态成分包含：[A]至少使上述化学式(1-1)所示的二胺与上述第一四羧酸二酐反应而得到的聚酰胺酸或其衍生物；和[B]至少使上述化学式(1-2)所示的二胺和第二四羧酸二酐反应得到的聚酰胺酸或其衍生物。上述第一四羧酸二酐和第二四羧酸二酐中的至少一者是上述化学式(2)所示的化合物。另外，本说明书中，聚合物相当于上述2种以上的聚酰胺酸或其衍生物。
上述液晶取向材料，作为聚合物固态成分还可以包含：[C]使选自下述化学式(3-1)～(3-9)所示的化合物中的至少1种二胺、和选自下述化学式(4-1)～(4-6)所示的化合物中的至少1种四羧酸二酐反应而得到的聚酰胺酸或其衍生物。下述化学式(3-1)～(3-9)所示的二胺和下述化学式(4-1)～(4-6)所示的四羧酸二酐，出于原料入手的容易程度、聚合物制造时的容易程度以及电特性等观点是优选的。
上述化学式(3-1)～(3-9)中，m是1～12中任一个整数。G21独立地为单键、-O-、-S-、-S-S-、-SO2-、-CO-、-CONH-、-NHCO-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-(CH2)m'-、-O-(CH2)m'-O-、或-S-(CH2)m'-S-，m'独立地为1～12中的任一个整数。G22独立地为单键、-O-、-S-、-CO-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、或碳原子数1～10的亚烷基。各化学式中的环己烷环和苯环的任意的-H可以被取代为-F、-CH3、-OH、-CF3、或苯偶酰。与构成环的任一个碳原子结合的位置不固定的基，表示为与该环的结合位置为任意。而且，环己烷环或与苯环结合的-NH2的位置，是除了G21或G22的结合位置的任意的位置。G23独立地为碳原子数1～6的亚烷基、亚苯基或烷基取代后的亚苯基，w为1～10中的任一个整数。G24为-CH2-或-NH-。R21和R22独立地为碳原子数1～3的烷基、或苯基。
上述化学式(4-1)、(4-4)、(4-5)中，X独立地为单键或-CH2-。
上述化学式(4-2)中，G为单键、碳原子数1～20的亚烷基、-CO-、-O-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-、或-C(CF3)2-。
上述化学式(4-2)～(4-4)中，Y独立地可以为选自下述化学式(5)所示的3价的基中的1个，这些基的任意的氢可以被甲基、乙基或苯基取代。
上述化学式(4-3)～(4-5)中，环A为3～10的单环烃的基、或碳原子数6～30的缩聚环烃的基，该基的任意的氢可以被甲基、乙基或苯基取代，连到环上的键可以与构成环的任意的碳原子结合，也可以2个键与同一个碳原子连结。
上述化学式(4-6)中，G10独立地为-O-、-COO-、或-OCO-，r独立地为0或1。
根据上述液晶取向材料，能够形成光取向膜。上述光取向膜是使液晶分子在与上述至少一个基板的主面平行的方向上取向的光取向膜(以下称为水平光取向膜)。作为优选的实施方式之一，水平光取向膜可以至少使接近的液晶分子与水平光取向膜的膜面实质上平行地取向，即是构成所谓的IPS、FFS模式等的液晶显示装置的光取向膜。另外，实质上平行地取向优选例如、液晶分子的预倾斜角相对于水平光取向膜的膜面为15°以下，更优选为1°以下。
根据本发明的液晶显示装置的制造方法，使用如上所述的液晶取向材料，进行上述工序(1)～(4)。关于上述工序(1)(以下称为形成由液晶取向材料形成的膜的工序)，存在例如通过注射方式或旋涂法进行涂敷的方法、通过弹性印刷方式进行印刷(转印)的方法等，只要使用上述液晶取向材料在上述至少一个基板上形成膜以使得通过以后的工序作为光取向膜起作用即可。膜形成条件可以根据膜形成条件等适当设定。膜厚等可以与通常设定的光取向膜的膜厚等同样地进行。关于上述至少一个基板，只要为用于实施形成光取向膜的处理的基板即可，可以为进行了各种处理的基板。
关于上述工序(2)(以下称为临时烧制工序)，例如将由上述液晶取向材料形成的膜加热/干燥，使上述溶剂蒸发。在此，通过临时烧制工序上述溶剂可以被部分除去，也可以被实质上完全除去。另外，临时烧制工序利用例如设定为规定的温度的热板或热风循环式的炉等加热装置进行。
关于上述工序(3)(以下称为光照射工序)，对临时烧制后的由上述液晶取向材料形成的膜，通过例如紫外线、可见光或它们两者进行光取向处理，优选使用偏振紫外线。
根据上述工序(4)(以下称为正式烧制工序)，例如使聚合物酰亚胺化，使残留的溶剂挥发。另外，正式烧制工序利用例如被设定为规定的温度的热板或热风循环式的炉等加热装置进行。
上述“工序(4)包括对由上述液晶取向材料形成的膜从低温向高温进行多次正式烧制的操作”是指，例如以在加热中途具有多个不同温度的恒温区域的方式分阶段地进行加热，或者根据使升温速度多次变化等的被有意图地操作的温度曲线进行正式烧制。这不是指，例如根据以下那样的温度曲线进行正式烧制：使用被设定为规定温度的热板等加热装置，对形成有由上述液晶取向材料形成的膜的基板，中途不进行任何操作地仅用1次加热这样的方式生成的温度曲线。
上述工序(2)和(4)的温度条件，例如临时烧制和正式烧制的最高到达温度，能够采用调制通常的光取向膜时设定的条件。另外，上述工序(3)的光照射条件也同样地能够采用调制通常的光取向膜时设定的条件。
以下揭示实施例，参照附图对本发明进行更详细的说明，但本发明并不只限定于这些实施例。另外，以下的实施例，只要在未脱离本发明的主旨的范围内，可以适当组合也可以变更。
[实施例1]
实施例1是以不同2个温度的分2个阶段进行正式烧制的情况。下面依次说明实施例1的液晶显示装置的制造方法。
(基板的准备)
使用具有FFS模式的电极结构的玻璃基板。另外，作为与该玻璃基板相对的相对基板，使用原片玻璃基板。
(液晶取向材料)
作为聚合物固态成分，使用包含上述化合物[A]和[B]，且包含上述化合物[C]中的至少一种的聚合物。本实施例中，上述第一四羧酸二酐和第二四羧酸二酐是上述化学式(2)所示的四羧酸二酐。作为溶剂，使用混合了N-甲基-吡咯烷酮和丁基溶纤材料的溶剂。聚合物固态成分浓度为3重量％，N-甲基-吡咯烷酮为67重量％，丁基溶纤材料为30重量。
(形成由液晶取向材料形成的膜的工序)
在2块基板上通过旋涂法涂敷液晶取向材料，形成由液晶取向材料形成的膜。
(临时烧制工序)
对2块基板上的由液晶取向材料形成的膜，按照图1所示的温度曲线进行临时烧制。图1是表示实施例1的临时烧制的温度曲线的图。在设定为60℃的热板(hot plate)上载置两基板，如图1所示，从室温(25℃)至60℃的升温时间为30秒，之后，在60℃下进行120秒的临时烧制。作为热板，使用亚速旺公司制造的热板(商品名：EC-1200N)。另外，临时烧制工序后的由液晶取向材料形成的膜的膜厚为100nm左右。
(光照射工序)
对2块基板上的临时烧制工序后的由液晶取向材料形成的膜照射波长365nm的直线偏振紫外线。直线偏振紫外线的偏振度，在波长365nm时为30:1。直线偏振紫外线的照射从基板法线方向进行，其照射量在波长365nm时为1000mJ/cm2。玻璃基板上的像素电极的缝隙延伸的方向与直线偏振紫外线的偏振方向所成角度为10°。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图2所示的温度曲线进行正式烧制。图2是表示实施例1的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为110℃的热板上载置两基板，如图2所示，从室温(25℃)至110℃的升温时间为1分钟，之后，在110℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的被设定为230℃的热板上载置两基板，如图2所示，从110℃至230℃的升温时间为1分钟，之后，在230℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。作为热板，使用亚速旺公司制造的热板(商品名：EC-1200N)，一边进行氮气吹扫一边进行正式烧制。另外，正式烧制工序后的水平光取向膜的膜厚为70nm。即，正式烧制工序后的取向膜的膜厚比临时烧制工序后的取向膜的膜厚小。
之后，在相对基板上描画密封材料将两基板贴合，并封入形成液晶层的液晶材料。之后，将贴合后的基板在130℃下加热40分钟，进行液晶层的再取向处理(液晶分子因热运动进一步通过光取向处理在取向方向上取向)。如上所述，得到在与光照射工序中的直线偏振紫外线的偏振方向正交的方向上液晶分子一轴取向的FFS模式的液晶显示面板。在此，在贴合两基板后封入液晶材料，但是也可以在2块基板中的一方预先滴下液晶材料。作为液晶材料，使用包含具有正的介电常数各向异性的液晶分子的液晶材料，其介电常数各向异性Δε为6，折射率各向异性Δn为0.1。另外，密封材料等也可以例如与制造通常的液晶显示装置的工序同样地形成。
在上述的各工序中，在黄色荧光灯下进行作业，使液晶显示面板不暴露在来自荧光灯的紫外线下。之后，通过在液晶显示面板适当配置偏光板、背光源等部件，得到实施例1的液晶显示装置。
[比较例1]
比较例1是在实施例1中中途不进行任何操作只进行一次正式烧制的情况。比较例1的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图21所示的温度曲线进行正式烧制。图21是表示比较例1的正式烧制的温度曲线的图。在设定为230℃的热板上载置两基板，如图21所示，从室温(25℃)至230℃的升温时间为2分钟，之后，在230℃下进行40分的正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[评价结果：实施例1和比较例1]
对通过实施例1和比较例1的液晶显示装置的制造方法制造而得的液晶显示装置，测定对比度。另外，实施例1也测定VHR(VoltageHolding Ratio：电压保持率)。VHR是在1帧期间中保持所充电的电荷的比例，通常当正式烧制的酰亚胺化不足时VHR会降低。
(对比度的测定方法)
作为液晶显示装置的结构，光源使用富士胶片公司制的白色背光源(商品名：Color Illuminator Pro A4)，在2块Sanritz公司制的偏光板(商品名：HLC2-2518)之间配置液晶显示面板。另外，配置于光源侧的偏光板的易透射轴与液晶层的慢轴配置成平行。对比度用(对比度)＝(平行尼科尔亮度)/(正交尼科尔亮度)测定，在不对液晶层施加电压的状态下进行。亮度(平行尼科尔亮度和正交尼科尔亮度)的测定使用TOPCON公司制的分光辐射计(商品名：SR-UL2)。
(VHR的测定方法)
VHR的测定使用TOYO Corporation公司制的液晶物性评价系统(商品名：6254型)。施加电压为5V，保持时间为16.67ms，测恒温度为60℃。
(评价结果)
下面对各例的评价结果进行说明。
(实施例1)
对比度为1800以上，与比较例1的不到500相比非常高，是适合产品的等级。这是因为，在实施例1中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例1的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例1的正式烧制工序的产距时间(Takt Time)与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(比较例1)
对比度不到500，非常低。这是因为，在比较例1中，聚合物的取向度低，正交尼科尔亮度变高。
对实施例1的对比度与比较例1相比非常高的理由进行说明。实施例1中，通过在110℃下进行第一次正式烧制，提高聚合物的运动性，其结果是，能够提高聚合物的取向度。在此，在使用包含聚酰胺酸的聚合物的情况下，考虑到从160℃左右起就明显地开始酰亚胺化，所以通过在230℃下进行第二次正式烧制，聚合物的酰亚胺化充分进行，高取向度被固定化。另一方面，比较例1中，在正式烧制工序的加热中途不进行任何操作瞬间上升到聚合物的酰亚胺化充分进行的温度(230℃)，所以聚合物的取向度没有充分提高就被固定化。由此，实施例1的对比度与比较例1相比非常高。
[实施例2-1]
实施例2-1是实施例1中令第一次正式烧制的温度为80℃的情况。实施例2-1的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图3所示的温度曲线进行正式烧制。图3是表示实施例2-1的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为80℃的热板上载置两基板，如图3所示，从室温(25℃)至80℃的升温时间为0.5分钟，之后，在80℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为230℃的热板上载置两基板，如图3所示，从80℃至230℃的升温时间为1.5分钟，之后，在230℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[实施例2-2]
实施例2-2是实施例2-1中令第一次正式烧制的温度为90℃的情况。实施例2-2的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例2-1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图4所示的温度曲线进行正式烧制。图4是表示实施例2-2的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为90℃的热板上载置两基板，如图4所示，从室温(25℃)至90℃的升温时间为0.5分钟，之后，在90℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为230℃的热板上载置两基板，如图4所示，从90℃至230℃的升温时间为1.5分钟，之后，在230℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[实施例2-3]
实施例2-3是实施例2-1中令第一次正式烧制的温度为100℃的情况。实施例2-3的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例2-1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图5所示的温度曲线进行正式烧制。图5是表示实施例2-3的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为100℃的热板上载置两基板，如图5所示，从室温(25℃)至100℃的升温时间为1分钟，之后，在100℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为230℃的热板上载置两基板，如图5所示，从100℃至230℃的升温时间为1分钟，之后，在230℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[实施例2-4]
实施例2-4是实施例2-1中令第一次正式烧制的温度为110℃的情况，与实施例1相同。实施例2-4的液晶显示装置的制造方法，与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
[实施例2-5]
实施例2-5是实施例2-1中令第一次正式烧制的温度为120℃的情况。实施例2-5的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例2-1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图6所示的温度曲线进行正式烧制。图6是表示实施例2-5的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为120℃的热板上载置两基板，如图6所示，从室温(25℃)至120℃的升温时间为1分钟，之后，在120℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为230℃的热板上载置两基板，如图6所示，从120℃至230℃的升温时间为1分钟，之后，在230℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[实施例2-6]
实施例2-6是实施例2-1中令第一次正式烧制的温度为130℃的情况。实施例2-6的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例2-1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图7所示的温度曲线进行正式烧制。图7是表示实施例2-6的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为130℃的热板上载置两基板，如图7所示，从室温(25℃)至130℃的升温时间为1分钟，之后，在130℃进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为230℃的热板上载置两基板，如图7所示，从130℃至230℃的升温时间为1分钟，之后，在230℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[实施例2-7]
实施例2-7是实施例2-1中令第一次正式烧制的温度为140℃的情况。实施例2-7的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例2-1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图8所示的温度曲线进行正式烧制。图8是表示实施例2-7的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为140℃的热板上载置两基板，如图8所示，从室温(25℃)至140℃的升温时间为1分钟，之后，在140℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为230℃的热板上载置两基板，如图8所示，从140℃至230℃的升温时间为1分钟，之后，在230℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[评价结果：实施例2-1～2-7]
对通过实施例2-1～2-7的液晶显示装置的制造方法制造而得的液晶显示装置，将正式烧制的温度、以及对比度和VHR的评价结果总结在表1中。在此，对于对比度和VHR，用与实施例1同样的方法测定。
(对比度和VHR的评价方法)
对于对比度，以等级1：对比度1800以上；等级2：对比度1200以上，不足1800；等级3：对比度500以上，不足1200；等级4：对比度不足500的四阶段进行评价。在此，将评价结果为等级1、2或3的情况判断为适合产品，将评价结果为等级4的情况判断为未到达适合产品的等级。对于VHR，将为98％以上的情况判断为适合产品的等级。
【表1】
(评价结果)
下面对各例的评价结果进行说明。
(实施例2-1)
对比度的评价结果为等级2，是适合产品的等级。这是因为，在实施例2-1中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例2-1的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例2-1的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例2-2)
对比度的评价结果为等级2，是适合产品的等级。这是因为，在实施例2-2中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例2-2的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例2-2的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例2-3)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例2-3中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例2-3的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例2-3的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例2-4)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例2-4中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例2-4的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例2-4的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例2-5)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例2-5中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例2-5的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例2-5的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例2-6)
对比度的评价结果为等级2，是适合产品的等级。这是因为，在实施例2-6中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例2-6的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例2-6的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例2-7)
对比度的评价结果为等级2，是适合产品的等级。这是因为，在实施例2-7中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例2-7的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例2-7的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
对实施例2-3～2-5的对比度与其他实施例相比高的理由进行说明。为了提高聚合物的取向度，以下步骤是很重要的：首先在聚合物的酰亚胺化不充分进行的程度的温度下提高聚合物的运动性，之后使聚合物的酰亚胺化充分进行由此将高取向度固定化。在此，当第一次正式烧制的温度过高时，慢慢开始酰亚胺化，聚合物的刚直性增加，所以对比度有可能降低。当第一次正式烧制的温度过低时，聚合物的运动性降低，所以对比度有可能降低。由此，通过选择实施例2-3～2-5的第一次正式烧制的温度(100～120℃)，聚合物的运动性变得更高，其结果是，能够提高聚合物的取向度。之后，在第二次正式烧制中将高取向度固定化，并且使残留的溶剂挥发从而得到良好的电特性(VHR)。
根据上述可知，第一次正式烧制的温度优选为100℃以上120℃以下。在第一次正式烧制的温度不足100℃的情况下，聚合物的运动性有可能没有充分变高。在第一次正式烧制的温度超过120℃的情况下，聚合物的酰亚胺化慢慢开始，聚合物的取向度有可能没有充分变高。另外，第一次正式烧制进行了20分钟，但是出于提高聚合物的运动性的观点，很明显进行更多的时间也能够得到同样的效果。
[实施例3-1]
实施例3-1是实施例1中令第二次正式烧制的温度为180℃的情况。实施例3-1的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图9所示的温度曲线进行正式烧制。图9是表示实施例3-1的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为110℃的热板上载置两基板，如图9所示，从室温(25℃)至110℃的升温时间为1分钟，之后，在110℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为180℃的热板上载置两基板，如图9所示，从110℃至180℃的升温时间为1分钟，之后，在180℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[实施例3-2]
实施例3-2是实施例3-1中令第二次正式烧制的温度为190℃的情况。实施例3-2的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例3-1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图10所示的温度曲线进行正式烧制。图10是表示实施例3-2的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为110℃的热板上载置两基板，如图10所示，从室温(25℃)至110℃的升温时间为1分钟，之后，在110℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为190℃的热板上载置两基板，如图10所示，从110℃至190℃的升温时间为1分钟，之后，在190℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[实施例3-3]
实施例3-3是实施例3-1中令第二次正式烧制的温度为200℃的情况。实施例3-3的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例3-1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图11所示的温度曲线进行正式烧制。图11是表示实施例3-3的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为110℃的热板上载置两基板，如图11所示，从室温(25℃)至110℃的升温时间为1分钟，之后，在110℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为200℃的热板上载置两基板，如图11所示，从110℃至200℃的升温时间为1分钟，之后，在200℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[实施例3-4]
实施例3-4是实施例3-1中令第二次正式烧制的温度为210℃的情况。实施例3-4的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例3-1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图12所示的温度曲线进行正式烧制。图12是表示实施例3-4的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为110℃的热板上载置两基板，如图12所示，从室温(25℃)至110℃的升温时间为1分钟，之后，在110℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为210℃的热板上载置两基板，如图12所示，从110℃至210℃的升温时间为1分钟，之后，在210℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[实施例3-5]
实施例3-5是实施例3-1中令第二次正式烧制的温度为220℃的情况。实施例3-5的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例3-1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图13所示的温度曲线进行正式烧制。图13是表示实施例3-5的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为110℃的热板上载置两基板，如图13所示，从室温(25℃)至110℃的升温时间为1分钟，之后，在110℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为220℃的热板上载置两基板，如图13所示，从110℃至220℃的升温时间为1分钟，之后，在220℃下进行20分钟的第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[实施例3-6]
实施例3-6是实施例3-1中令第二次正式烧制的温度为230℃的情况，与实施例1相同。实施例3-6的液晶显示装置的制造方法，与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
[评价结果：实施例3-1～3-6]
对通过实施例3-1～3-6的液晶显示装置的制造方法制造而得的液晶显示装置，将正式烧制的温度、以及对比度和VHR的评价结果总结在表2中。在此，对于对比度和VHR，用与实施例2-1～2-7同样的方法进行测定和评价。
【表2】
(实施例3-1)
对比度的评价结果为等级2，是适合产品的等级。这是因为，在实施例3-1中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为98％，是适合产品的等级。由此，根据实施例3-1的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例3-1的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例3-2)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例3-2中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为98％，是适合产品的等级。由此，根据实施例3-2的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例3-2的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例3-3)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例3-3中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例3-3的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例3-3的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例3-4)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例3-4中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例3-4的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例3-4的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例3-5)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例3-5中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例3-5的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例3-5的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
(实施例3-6)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例3-6中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例3-6的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例3-6的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
对实施例3-3～3-6的显示品质(对比度和VHR)与其实施例3-1、3-2相比较好的理由进行说明。第二次正式烧制的温度越高，聚合物的酰亚胺化越充分进行，残留的溶剂也挥发而减少，所以VHR变得更高。另外，第二次正式烧制的温度越高，聚合物的酰亚胺化越充分进行，所以能够将第一次正式烧制中得到的高取向度固定化，其结果是，对比度变得更高。由此，通过选择实施例3-3～3-6的第二次正式烧制的温度(200℃以上)，能够得到更良好的显示品质。
根据上述可知，第二次正式烧制的温度优选200℃以上。在第二次正式烧制的温度不足200℃的情况下，聚合物的酰亚胺化和残留溶剂的恢复有可能没有充分进行。另外，第二次正式烧制的温度更优选为200℃以上250℃以下。2块基板中的一方具有彩色滤光片层，在第二次正式烧制的温度超过250℃的情况下，发生彩色滤光片层的褪色，显示品质有可能降低。
[实施例4-1]
实施例4-1是实施例1中令临时烧制的温度为40℃的情况。实施例4-1的液晶显示装置的制造方法，在临时烧制工序以外与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
(临时烧制工序)
对2块基板上的由液晶取向材料形成的膜，按照图14所示的温度曲线进行临时烧制。图14是表示实施例4-1的临时烧制的温度曲线的图。在设定为40℃的热板上载置两基板，如图14所示，从室温(25℃)至40℃的升温时间为30秒，之后，在40℃下进行120秒的临时烧制。
[实施例4-2]
实施例4-2是实施例4-1中令临时烧制的温度为50℃的情况。实施例4-2的液晶显示装置的制造方法，在临时烧制工序以外与实施例4-1相同，所以省略对重复点的说明。
(临时烧制工序)
对2块基板上的由液晶取向材料形成的膜，按照图15所示的温度曲线进行临时烧制。图15是表示实施例4-2的临时烧制的温度曲线的图。在设定为50℃的热板上载置两基板，如图15所示，从室温(25℃)至50℃的升温时间为30秒，之后，在50℃下进行120秒的临时烧制。
[实施例4-3]
实施例4-3是实施例4-1中令临时烧制的温度为60℃的情况，与实施例1相同。实施例4-3的液晶显示装置的制造方法，与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
[实施例4-4]
实施例4-4是实施例4-1中令临时烧制的温度为70℃的情况。实施例4-4的液晶显示装置的制造方法，在临时烧制工序以外与实施例4-1相同，所以省略对重复点的说明。
(临时烧制工序)
对2块基板上的由液晶取向材料形成的膜，按照图16所示的温度曲线进行临时烧制。图16是表示实施例4-4的临时烧制的温度曲线的图。在设定为70℃的热板上载置两基板，如图16所示，从室温(25℃)至70℃的升温时间为30秒，之后，在70℃下进行120秒的临时烧制。
[实施例4-5]
实施例4-5是实施例4-1中令临时烧制的温度为80℃的情况。实施例4-5的液晶显示装置的制造方法，在临时烧制工序以外与实施例4-1相同，所以省略对重复点的说明。
(临时烧制工序)
对2块基板上的由液晶取向材料形成的膜，按照图17所示的温度曲线进行临时烧制。图17是表示实施例4-5的临时烧制的温度曲线的图。在设定为80℃的热板上载置两基板，如图17所示，从室温(25℃)至80℃的升温时间为30秒，之后，在80℃下进行120秒的临时烧制。
[实施例4-6]
实施例4-6是实施例4-1中令临时烧制的温度为90℃的情况。实施例4-6的液晶显示装置的制造方法，在临时烧制工序以外与实施例4-1相同，所以省略对重复点的说明。
(临时烧制工序)
对2块基板上的由液晶取向材料形成的膜，按照图18所示的温度曲线进行临时烧制。图18是表示实施例4-6的临时烧制的温度曲线的图。在设定为90℃的热板上载置两基板，如图18所示，从室温(25℃)至90℃的升温时间为30秒，之后，在90℃下进行120秒的临时烧制。
[评价结果：实施例4-1～4-6]
对通过实施例4-1～4-6的液晶显示装置的制造方法制造而得的液晶显示装置，将临时烧制的温度、以及对比度和VHR的评价结果总结在表3中。在此，对于对比度和VHR，用与实施例2-1～2-7同样的方法进行测定和评价。
【表3】
(实施例4-1)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例4-1中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例4-1的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。
(实施例4-2)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例4-2中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例4-2的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。
(实施例4-3)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例4-3中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例4-3的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。
(实施例4-4)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例4-4中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例4-4的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。
(实施例4-5)
对比度的评价结果为等级2，是适合产品的等级。这是因为，在实施例4-5中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例4-5的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。
(实施例4-6)
对比度的评价结果为等级2，是适合产品的等级。这是因为，在实施例4-6中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例4-6的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。
对实施例4-1～4-4的对比度与其实施例4-5、4-6相比高的理由进行说明。当临时烧制的温度过高时，由液晶取向材料形成的膜中的溶剂过度挥发，临时烧制工序后的溶剂的残留量变少。其结果是，伴随光取向处理的聚合物的运动性变低，聚合物的取向度不变高。因此，如果以不对光取向膜的膜质和显示品质造成影响的程度降低临时烧制的温度，则临时烧制工序后的溶剂的残留量相对变多，聚合物相对于由液晶取向材料形成的膜的全量的密度变低。其结果可以认为，伴随光取向处理的聚合物的运动性增大，光取向处理后的聚合物的取向度变高。由此，通过选择实施例4-1～4-4的临时烧制的温度(70℃以下)，能够得到更良好的显示品质。
根据上述可知，临时烧制的温度优选70℃以下。在临时烧制的温度超过70℃的情况下，临时烧制工序后的溶剂的残留量变少，聚合物的运动性有可能没有充分变高。另外，临时烧制的温度更优选40℃以上70℃以下。在临时烧制的温度不足40℃的情况下，溶剂的对流导致发生膜厚不均，显示品质有可能降低。另外，临时烧制的时间优选30秒以上600秒以下。但是，以临时烧制工序后的由液晶取向材料形成的膜中从溶剂(液相)析出聚合物(固态成分)的状态为前提。如果临时烧制的时间过短，则溶剂的残留量过多导致发生不均，如果临时烧制的时间过长，则制造效率有可能变差。
[实施例5-1]
实施例5-1是实施例1中令直线偏振紫外线的偏振度为5:1的情况。实施例5-1的液晶显示装置的制造方法，在光照射工序以外与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
(光照射工序)
对2块基板上的临时烧制工序后的由液晶取向材料形成的膜，照射波长365nm的直线偏振紫外线。直线偏振紫外线的偏振度，在波长365nm时为5:1。直线偏振紫外线的照射从基板法线方向进行，其照射量在波长365nm时为1000mJ/cm2。玻璃基板上的像素电极的缝隙延伸的方向与直线偏振紫外线的偏振方向所成角度为10°。
[实施例5-2]
实施例5-2是实施例5-1中令直线偏振紫外线的偏振度为30:1的情况，与实施例1相同。实施例5-2的液晶显示装置的制造方法，与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
[实施例5-3]
实施例5-3是实施例5-1中令直线偏振紫外线的偏振度为700:1的情况。实施例5-3的液晶显示装置的制造方法，在光照射工序以外与实施例5-1相同，所以省略对重复点的说明。
(光照射工序)
对2块基板上的临时烧制工序后的由液晶取向材料形成的膜，照射波长365nm的直线偏振紫外线。直线偏振紫外线的偏振度，在波长365nm时为700:1。直线偏振紫外线的照射从基板法线方向进行，其照射量在波长365nm时为1000mJ/cm2。玻璃基板上的像素电极的缝隙延伸的方向与直线偏振紫外线的偏振方向所成角度为10°。
[评价结果：实施例5-1～5-3]
对通过实施例5-1～5-3的液晶显示装置的制造方法制造而得的液晶显示装置，将直线偏振紫外线的偏振度、以及对比度和VHR的评价结果总结在表4中。在此，对于对比度和VHR，用与实施例2-1～2-7同样的方法进行测定和评价。
【表4】
(实施例5-1)
对比度的评价结果为等级2，是适合产品的等级。这是因为，在实施例5-1中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例5-1的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。
(实施例5-2)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例5-2中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例5-2的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。
(实施例5-3)
对比度的评价结果为等级1，是适合产品的等级。这是因为，在实施例5-3中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％，是适合产品的等级。由此，根据实施例5-3的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。
对实施例5-2、5-3的对比度与其实施例5-1相比高的理由进行说明。这是因为，实施例5-2、5-3与实施例5-1相比，通过提高光照射工序的直线偏振紫外线的偏振度，光刚照射后的聚合物的各向异性增大，其结果是，经过以后的工序聚合物的取向度变高。
根据上述可知，直线偏振紫外线的偏振度优选波长365nm时30:1以上。在直线偏振紫外线的偏振度不足30:1的情况下，光刚照射后的聚合物的各向异性有可能没有充分增大。
[实施例6]
实施例6是在实施例1中以不同的3个温度的分3个阶段进行正式烧制的情况。实施例6的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图19所示的温度曲线进行正式烧制。图19是表示实施例6的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为110℃的热板上载置两基板，如图19所示，从室温(25℃)至110℃的升温时间为1分钟，之后，在110℃下进行20分钟的第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为160℃的热板上载置两基板，如图19所示，从110℃至160℃的升温时间为0.5分钟，之后，在160℃下进行10分钟的第二次正式烧制。最后，进一步在另外准备的设定为230℃的热板上载置两基板，如图19所示，从160℃至230℃的升温时间为0.5分钟，之后，在230℃下进行10分钟的第三次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[评价结果：实施例6]
对通过实施例6的液晶显示装置的制造方法制造而得的液晶显示装置，用与实施例1同样的方法测定对比度和VHR。下面对实施例6的评价结果进行说明。
对比度1800以上，是适合产品的等级。这是因为，在实施例6中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％以上，是适合产品的等级。由此，根据实施例6的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例6的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
根据上述可知，在以不同的3个温度分3个阶段进行正式烧制的情况下，也能够充分提高显示品质。另外自不必说，在以3个以上不同的多个温度分多个阶段进行正式烧制以提高聚合物的取向度的情况下，也能够发挥本发明的效果。
[实施例7]
实施例7是在实施例1一边进行升温一边分2个阶段进行的情况。实施例7的液晶显示装置的制造方法，在正式烧制工序以外与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。
(正式烧制工序)
对2块基板上的光照射工序后的由液晶取向材料形成的膜，按照图20所示的温度曲线进行正式烧制。图20是表示实施例7的正式烧制的温度曲线的图。首先，在设定为100℃的热板上载置两基板，如图20所示，从室温(25℃)至100℃的升温时间为1分钟，之后，从100℃至120℃花费20分钟进行升温(升温速度：1℃/分钟)来进行第一次正式烧制。接着，改为在另外准备的设定为200℃的热板上载置两基板，如图20所示，从120℃至200℃的升温时间为1分钟，之后，从200℃至240℃花费20分钟进行升温(升温速度：2℃/分钟)来进行第二次正式烧制。由此，在两基板上形成水平光取向膜。
[评价结果：实施例7]
对通过实施例7的液晶显示装置的制造方法制造而得的液晶显示装置，用与实施例1同样的方法测定对比度和VHR。下面对实施例7的评价结果进行说明。
对比度1800以上，是适合产品的等级。这是因为，在实施例7中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。另外，VHR为99％以上，是适合产品的等级。由此，根据实施例7的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。另外，实施例7的正式烧制工序的产距时间与比较例1的正式烧制工序相同，所以根据液晶显示装置的制造方法，不改变产距时间就能够提高聚合物的取向度。
根据上述可知，在一边升温一边分2个阶段进行正式烧制的情况下，也能够充分提高显示品质。另外自不必说，在一边升温一边分3个阶段以上进行正式烧制以提高聚合物的取向度的情况下，也能够发挥本发明的效果。另外自不必说，在一边降温一边以2阶段以上进行正式烧制的情况下，也能够发挥本发明的效果。
[实施例8]
实施例8在实施例1中，为使用具有薄膜晶体管元件的有源矩阵基板作为具有FFS模式的电极结构的玻璃基板，使用彩色滤光片基板作为相对基板，而且使用包含具有负的介电常数各向异性的液晶分子的液晶材料的情况。实施例8的液晶显示装置的制造方法，在上述以外与实施例1相同，所以省略对重复点的说明。另外，作为液晶材料，介电常数各向异性Δε为-4，折射率各向异性Δn为0.1的液晶材料。
[评价结果：实施例8]
对通过实施例8的液晶显示装置的制造方法制造而得的液晶显示装置，用与实施例1同样的方法测定对比度。下面对实施例8的评价结果进行说明。
对比度为1800以上，是适合产品的等级。这是因为，在实施例8中，聚合物的取向度高，正交尼科尔亮度变低。由此，根据实施例8的液晶显示装置的制造方法，能够充分提高显示品质。
根据上述可知，在变更使用的基板、变更液晶材料的情况下，也能够充分提高显示品质。另外自不必说，在变更使用的基板和液晶材料任一者的情况下，也能够发挥本发明的效果。
另外，在IPS模式、FFS模式的液晶显示装置中使用有源驱动的情况下，与使用介电常数各向异性为正的液晶分子的情况相比，使用介电常数各向异性为负的液晶分子的情况下显示白色时的透射率较高。这意味着，介电常数各向异性为负的液晶分子，与基板面垂直的方向的电场成分不反应，液晶分子从基板面内立起导致的透射率的损失变少。由此，出于提高白透射率的观点，优选使用介电常数各向异性为负的液晶分子。
上述的各实施例是使用设定为不同温度的多块热板进行正式烧制的情况，但也能够使用1块热板一边使之依次变化为不同温度一边进行正式烧制。在使用1块热板的情况下，能够进一步缩小加热装置的设置面积，能够提高装置布局的自由度。另一方面，在使用多块热板的情况下，虽然加热装置的设置面积增大，但是不需要像使用1块热板的情况那样需要在正式烧制工序后使热板的温度降低至开始温度的时间，所以能够提高制造效率。另外，在使用多块热板的情况下，在热板间搬送基板时基板温度一瞬间降低，但这对解决本发明的课题不带来问题。
上述的各实施例是FFS模式的液晶显示装置的情况，但是在具有相同的水平取向膜的IPS模式的液晶显示装置的情况下当然也能够发挥本发明的效果。
[附记]
下面举出本发明的液晶显示装置的制造方法的优选方式的例子。各例只要在未脱离本发明的主旨的范围内，可以适当组合。
上述溶剂可以包含丁基溶纤材料和/或N-甲基-吡咯烷酮。另外，其他也可以包含选自N-乙基-吡咯烷酮、γ丁内酯、二甘醇乙醚、二异丁酮及其结构异构体、丙二醇单甲醚、以及二丙酮醇中的化合物。
上述工序(4)可以使用设定为不同温度的多个加热装置进行。由此，能够合适地进行将由上述液晶取向材料形成的膜从低温向高温进行多次正式烧制的操作。另外，与使用一台加热装置的情况相比，能够进一步提高制造效率。
上述工序(4)可以使用1台加热装置一边依次变化为不同温度一边进行。由此，能够合适地进行将由上述液晶取向材料形成的膜从低温向高温进行多次正式烧制的操作。与使用多台加热装置的情况相比，能够进一步缩小加热装置的设置面积，能够提高装置布局的自由度。
上述工序(4)可以包括以具有多个不同温度的恒温期间的方式分阶段地进行正式烧制的操作。由此，能够在不同的多个温度下分多个阶段进行正式烧制，能够基于有意图地操作的温度曲线进行正式烧制。在此，恒温期间可以指例如在±5℃的温度范围内保持1分钟以上的加热状态的期间。
上述工序(4)可以在第一温度、和比上述第一温度高的第二温度下进行2次正式烧制。由此，能够在不同的2个温度下分2个阶段进行正式烧制。
上述工序(4)在第一温度、比上述第一温度高的第二温度、以及上述第一温度与上述第二温度之间的第三温度下进行3次正式烧制。由此，能够在不同的3个温度下分3个阶段进行正式烧制。
上述第一温度可以为80℃以上140℃以下，更优选为100℃以上120℃以下。由此，能够充分提高聚合物的运动性，其结果是，能够充分提高聚合物的取向度。在上述第一温度不足80℃的情况下，聚合物的运动性有可能变低，在超过140℃的情况下，有可能慢慢酰亚胺化。
上述第二温度可以为180℃以上，更优选为200℃以上，特别优选为200℃以上250℃以下。由此，能够充分进行聚合物的酰亚胺化，将高取向度固定化。在第上述第二温度不足180℃的情况下，有可能聚合物的酰亚胺化变得不充分。
上述第一温度可以为100℃以上120℃以下，上述第2温度优选为200℃以上。由此，能够充分提高聚合物的运动性，其结果是，能够充分提高聚合物的取向度。之后，聚合物的酰亚胺化充分进行，能够将高取向度固定化。
上述工序(4)可以在不同温度下进行2次正式烧制，第一次正式烧制在100℃以上120℃以下的温度范围内依次使温度变化地进行，第二次正式烧制在200℃以上的温度范围内依次使温度变化地进行。由此，能够充分提高聚合物的运动性，其结果是，能够充分提高聚合物的取向度。之后，聚合物的酰亚胺化充分进行，能够将高取向度固定化。
上述工序(2)可以在70℃以下的温度范围内进行临时烧制，更优选在40℃以上70℃以下的温度范围内进行临时烧制。由此，能够充分增大伴随光取向处理的聚合物的运动性，能够充分提高光取向处理后的聚合物的取向度。
上述工序(3)可以照射偏振度为5:1以上的直线偏振光，更优选照射30:1以上的直线偏振光。由此，能够充分提高光取向处理后的聚合物的取向度。在偏振度不足5:1的情况下，光刚照射后的聚合物的各向异性有可能没有增大。

Claims (12)

1.一种液晶显示装置的制造方法，其为具备在至少一个基板上具有光取向膜的一对基板的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述光取向膜由液晶取向材料形成，使液晶分子在与所述至少一个基板的主面平行的方向上取向，
所述液晶取向材料包含2种以上的聚酰胺酸或其衍生物、和溶剂，
所述2种以上的聚酰胺酸或其衍生物包含：至少使下述化学式(1-1)所示的二胺与第一四羧酸二酐反应而得到的化合物；和至少使下述化学式(1-2)所示的二胺与第二四羧酸二酐反应而得到的化合物，
所述第一四羧酸二酐和所述第二四羧酸二酐中的至少一者为下述化学式(2)所示的化合物，
所述液晶显示装置的制造方法依次包括：
工序(1)，在所述至少一个基板上形成由所述液晶取向材料形成的膜的工序；
工序(2)，对所述至少一个基板上的由所述液晶取向材料形成的膜进行临时烧制的工序；
工序(3)，对临时烧制后的由所述液晶取向材料形成的膜进行光照射的工序；和
工序(4)，对光照射后的由所述液晶取向材料形成的膜进行正式烧制的工序，
所述工序(4)包括对由所述液晶取向材料形成的膜从低温向高温进行多次正式烧制的操作，
其中，R1和R2独立地为-CH3或氢原子，
2.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述溶剂包含丁基溶纤材料和/或N-甲基-吡咯烷酮。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述工序(4)使用被设定为不同温度的多个加热装置进行。
4.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述工序(4)包括以具有多个不同温度的恒温期间的方式分阶段地进行正式烧制的操作。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述工序(4)进行在第一温度和比所述第一温度高的第二温度下的2次正式烧制。
6.如权利要求4所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述工序(4)进行在第一温度、比所述第一温度高的第二温度、以及所述第一温度与所述第二温度之间的第三温度下的3次正式烧制。
7.如权利要求5或6所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述第一温度为100℃以上120℃以下。
8.如权利要求5或6所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述第二温度为200℃以上。
9.如权利要求5或6所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述第一温度为100℃以上120℃以下，
所述第二温度为200℃以上。
10.如权利要求1～9中任一项所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述工序(2)在70℃以下的温度范围内进行临时烧制。
11.如权利要求1～10中任一项所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
所述工序(3)照射偏振度为30:1以上的直线偏振光。
12.一种液晶显示装置，其特征在于：
所述液晶显示装置通过权利要求1～11中任一项所述的液晶显示装置的制造方法来制造，
所述液晶显示装置的液晶显示模式为IPS模式或FFS模式。
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