CN104419914B - 基板转移暨处理系统及其设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板转移暨处理系统及其设备。其中基板转移暨处理设备适用于使一处理液体均匀在一基板上进行制程步骤，基板转移暨处理设备包含：一槽体；至少一反应槽室，设置于槽体内，用来提供处理液体与基板进行制程步骤，每一反应槽室包含一用来容置处理液体的处理容积；一限位单元，设置于槽体内，用来限制基板立于槽体内；及一流体循环系统，至少具有一驱动装置，流体循环系统驱动该处理液体于处理容积内循环流动，用来使处理液体均匀在立于槽体内的基板上进行一制程步骤。

Description

基板转移暨处理系统及其设备

技术领域

本发明涉及一种基板转移暨处理系统及其设备，尤其是一种使处理液体均匀在基板上进行制程步骤的制程系统及其设备。

背景技术

现今电子工业迅速发展，许多电子产品都需要应用到物理沉积技术或化学沉积技术。另外全世界面临石油能源耗竭、成本高昂及环保等问题，造成太阳能与氢能源燃料电池的需求与日遽增。太阳能电池制造时，必须在一基材上构成多种沉积层(薄膜)，才能有效的发挥其功能。其中沉积制程为电子产业及民生产业的关键技术。

现有的化学浴沉积(Chemical Bath Deposition，CBD)制程及其设备将一基材(例如不锈钢板或玻璃等)浸入化学处理液体中持续一定时间，用来在该基材表面形成半导体薄膜。但现有的化学浴沉积设备，将基材完全浸入化学处理液体之中，如此将导致该基材的多个表面上形成半导体薄膜。然而，只需要该基材其中一面上形成半导体薄膜，该基材其它表面上所形成的半导体薄膜导致处理液体成本的增加。

为改善上述情况，如美国专利申请案公开号2009/0311431A1所揭示的现有技术揭示一反应罩体设置在基材上，用来将处理液体局限于该基材的单面上。而后凭借摇晃或直接加热等手段来提高基材上半导体薄膜的形成速率。然而，此种化学浴沉积制程及设备一次只能对单片基板做制程处理。此外，上述制程可能因为摇晃不均或加热不均，导致基材上半导体薄膜的厚度不均。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于：提供一种基板转移暨处理设备，解决现有技术中存在的各种问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种基板转移暨处理设备，适用于使一处理液体均匀在一基板的单一表面进行一制程步骤，其特征在于，该基板转移暨处理设备包含：

一槽体；

至少一反应槽室，设置于该槽体内，用来提供该处理液体与该基板的单一表面进行制程步骤，每一反应槽室包含一用来容置该处理液体的处理容积；

一加热单元，加热该基板和/或该处理液体；

一限位单元，设置于该槽体内，用来限制该基板立于该槽体内；及

一流体循环系统，至少具有一驱动装置，该流体循环系统驱动该处理液体于处理容积内循环流动，用来使该处理液体均匀在立于该槽体内的该基板上进行一制程步骤。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案还包括：

一种基板转移暨处理系统，适用于对一基板转移及进行一制程步骤，其中，该基板转移暨处理系统包含：

至少一第一处理装置与至少一第二处理装置，用来容置该基板并各别提供该基板进行一制程步骤；

一第一翻转装置，以略呈垂直的方式翻转该基板至一角度，最后传送该基板至该第一处理装置；

一移载装置，在第一处理装置与第二处理装置之间转移该基板；以及

一第二翻转装置，取出在第二处理装置内的该基板，接着朝基板板面的法线翻转该基板至另一角度，最后传送该基板。

与现有技术相比较，本发明具有的有益效果是：第一，均匀制程：本发明的基板转移暨处理设备凭借流体循环系统而使处理液体均匀在立于槽体内的基板上进行制程步骤。第二，节省空间：本发明的基板转移暨处理设备凭借限位单元限制基板在制程步骤中所占用的水平空间。第三，加速制程：本发明的基板转移暨处理设备凭借加热单元而提升基板与处理液体在制程步骤中的反应速率。第四，同时进行制程步骤：本发明的基板转移暨处理设备凭借反应框架的复数开放侧而能同时对复数基板进行制程步骤。

附图说明

图1为本发明的基板转移暨处理系统的一实施例的系统平面示意图；

图2为本发明的一实施例的第一输送装置的侧面示意图；

图3为本发明的一实施例的第一输送装置的转向完成后的示意图；

图4为本发明的一实施例的第一翻转装置的立体示意图；

图5为图4区域A的局部放大示意图；

图6为本发明的一实施例的第一翻转装置将基板翻转后的示意图；

图7为本发明的一实施例的第一翻转装置将基板送入第一处理装置的示意图；

图8为本发明的一实施例的基板转移暨处理系统的移载装置示意图；

图9为本发明的另一实施例的基板转移暨处理系统的示意图；

图10为本发明的一实施例的化学浴沉积设备的立体示意图；

图11为本发明的一实施例的化学浴沉积设备的剖面示意图；

图12为本发明的一实施例的化学浴沉积设备的反应框架示意图；

图13为本发明的一实施例的化学浴沉积设备的基板接收装置侧视图；

图14为本发明的一实施例的图13区域A的局部放大图；

图15为本发明的一实施例的图13区域B的局部放大图；

图16为本发明的一实施例的化学浴沉积设备的基板吸取装置示意图；

图17为本发明的一实施例的化学浴沉积设备的基板吸取装置一动作状态示意图；

图18为本发明的一实施例的化学浴沉积设备的引导架一动作状态图；

图19为本发明的一实施例的化学浴沉积设备的基板吸取装置另一动作状态示意图；

图20为本发明的一实施例的化学浴沉积设备的基板吸取装置又一动作状态示意图；

图21为本发明的另一实施例的化学浴沉积设备示意图；

图22为本发明又另一实施例的化学浴沉积设备示意图；

图23为本发明的另一实施例的化学浴沉积设备顶部示意图；

图24为本发明的另一实施例的基板转移暨处理系统的平面示意图。

具体实施方式

以下配合图式及元件符号对本发明的具体实施方式做更详细的说明，俾使熟习该项技艺者在研读本说明书后能据以实施。

在本说明书中，若未明确排除以概略性用语修饰关于方向的用语，则关于方向的用语均受到「大约」等概略性用语所修饰。例言的，引导架及主杆可以相互平行方式设置，指引导架及主杆大约相互平行，也即偏差在正负十度内，均为可接受的范围。图1显示本发明的一实施例的基板转移暨处理系统的平面示意图。如图1所示，本发明提供一种基板转移暨处理系统，尤其有适用于化学水浴沉积制程(chemical bath deposition,CBD)的基板转移暨处理系统。于图1所示的本发明的若干实施态样中，该基板转移暨处理系统10000可包含一第一翻转装置10、一移载装置20、一第二翻转装置30、至少一第一处理装置40、至少一第二处理装置50、一基板预洗装置60、一第一输送装置70、一第二输送装置80以及一基板终洗装置90。于本实施例中，第一处理装置40的数量为4个，第二处理装置50的数量也为4个。

如图1所示，先将基板1输入基板预洗装置60以进行清洗并干燥基板1。接着，基板1输送至第一输送装置70以便将基板1以略呈水平的方式转向第一角度(如90度)。在基板1转向第一角度后，第一翻转装置10将略呈水平输送的基板1以略呈垂直的方式翻转第二角度(如90度)，而使得基板1与水平面略呈垂直。再将基板1放置于第一翻转装置10下方的第一处理装置40中，以便进行制程步骤。其次，在基板1与第一处理装置40中的处理液体完成制程步骤后，凭借移载装置20将基板1输送至第二处理装置50上，并将基板1放置于第二处理装置50中，以便进行其他制程步骤。在基板1与第二处理装置50中的处理液体完成其他制程步骤后，第二翻转装置30将基板1朝基板1板面的法线翻转一第三角度(如正90度或负90度)，而使得基板1呈水平状态。的后基板1凭借第二输送装置80水平旋转90度第四角度(如90度)。随之，第二输送装置80输送基板1至基板终洗装置90。最后，凭借基板终洗装置90清洗并干燥基板1。

于本实施例中，基板1可包含现有用于太阳能电池制造的各种基板。较佳而言，基板1可包含非晶硅基板、单晶硅基板、多晶硅基板、微晶硅基板或砷化镓基板，或其他任何现有于CIGS制程中的玻璃、不锈钢或聚合物。此外，本实施例中所述的各种转向及翻转角度仅为例示性质，可依据不同配置而有不同变化，仅需使上述各装置能能顺畅衔接输送。再者，在本发明的若干实施态样中，可省略一第一翻转装置10、一移载装置20、一第二翻转及输送装置30、一基板预洗装置60、一第一输送装置70、一第二输送装置80以及一基板终洗装置90，或可将上述装置进行适当修改或组合，但仍落于本发明的精神及所请求的专利申请范围中。

为使本发明所属技术领域中具有通常知识者更能理解及领悟本发明的精神并据以实施，以下详述上列装置的若干实施态样。

关于基板预洗装置60及基板终洗装置90的结构，本发明并未加以限定，其可包含现有的清洗槽体，并可使用现有的清洗液体，例如水，或依据制程而使用酸性、碱性等清洁液体。由于熟悉本发明所属技术者可轻易完成相关结构，故于此不多加赘述。

图2显示本发明的一实施例的第一输送装置70的侧面示意图。图3显示本发明的一实施例的第一输送装置70的转向完成后的示意图。如图2所示，在基板1输入基板预洗装置60以进行清洗并干燥基板1之后，基板1经由传送机构100输送至第一输送装置70。其中，传送机构100包含滚轮。如图2所示，第一输送装置70可偏斜地设置于传送机构100的下方，并可包含转向台701（Turn table）、旋转马达703（Rotation Motor）、气压缸705（AirCylinder）、基座707、轨道709及平台711。其中，转向台701的顶部设有用来吸附基板1的复数个真空吸盘7011（Vacuum pad）。再者，旋转马达703设置于转向台701的下方，用来使该转向台701进行转向。平台711设置于旋转马达703及气压缸705之间，用来支持旋转马达703。气压缸705则设置于旋转马达703及平台711的下方，并包含推杆7051以举升平台711、旋转马达703及转向台701。平台711与推杆7051耦接，且平台711可设有一开口以供推杆7051通过。旋转马达703围设于推杆7051。推杆7051耦接于转向台701。气压缸705固设于基座707中。基座707滑设于两轨道709之间，用来沿两轨道709移动。

如图3所示，当基板1从基板预洗装置60传送到第一输送装置70的上方时，气压缸705可举升旋转马达703及转向台701，以便转向台701凭借真空吸盘7011承接基板1。其次，旋转马达703将转向台701转向，以使基板1水平转向至上述第一角度。基板1转向第一角度后，第一输送装置70凭借基座707与两轨道709而朝第一翻转装置10移动，使第一翻转装置10可衔接第一输送装置70传来的基板1。

第二输送装置80的结构转向及输送装置相似于第一输送装置70的结构。两者主要差异仅在转动基板1的方向不同转向及输送装置，故其结构在此不多加赘述。

图4显示本发明的一实施例的第一翻转装置10的立体示意图。图5显示图4区域A的局部放大示意图。图6则显示本发明的一实施例的第一翻转装置10将基板翻转后的示意图。图7显示本发明的一实施例的第一翻转装置10将基板送入第一处理装置40的示意图。

如图4所示，第一翻转装置10可包含两夹持机构101、转动机构103、一升降机构105、及两基座1037。两夹持机构101可夹持住基板1的两侧。转动机构103可耦接于两夹持机构101，使两夹持机构101以第二角度进行同步旋转。升降机构105用来将基板1置入第一处理装置40，或将基板1自第一处理装置40取出。两基座1037用来支持两夹持机构101、两转动机构103、及一升降机构105。

如图5所示，一夹持机构101可包含连结板1011及两夹板1013。连结板1011与转动机构103的转轴1033相连结。两夹板1013以相对方式设置于连结板1011上。夹持机构101于本实施例中可进一步包含连接至少一夹板1013的驱动构件1015，用来驱使至少一夹板1013向另一夹板1013靠拢。驱动构件1015可包含气压缸。

以下将详述关于转动机构103的同步旋转机制。如图4及图5所示，转动机构103可包含两轴承座1031、两转轴1033、驱动装置（图面未显示）及时规皮带组1035。两轴承座1031可分别设置于相互对应的两基座1037的适当位置。虽于本实施例中其分别设置于两基座1037靠近基板1的一侧且其距离基座1037的底部的高度约等于基板1在输送方向上的一半长度，但实际上也可将两轴承座1031设置于两基座1037的任何适当位置，只要两轴承座1031可使转轴1033、夹持机构101、及基板1顺畅旋转即可。

两转轴1033则分别轴设通过两轴承座1031。驱动装置可包含具有一动力轴的马达（图面未显示），驱动装置可凭借该动力轴而与两转轴1033其中之一相连结(于本实施例中，与图4左侧的转轴1033连接)，以在驱动装置运作时驱动装置带动转轴1033转动。

如图4所示，时规皮带组1035可包含同步杆10351、第一时规皮带轮10352、第二时规皮带轮（图未显示）、第三时规皮带轮10353、第四时规皮带轮（图未显示）、第一时规皮带10354、及第二时规皮带10355。同步杆10351两端分别连接第一时规皮带轮10352及第二时规皮带轮（图未显示）。于该动力轴或与该动力轴相连结的转轴处(即图4的左侧)，设有第三时规皮带轮10353。而于未与该动力轴相连结的另一转轴处(即图4的右侧)，也进一步设有第四时规皮带轮（图未显示）。其中该第一时规皮带轮10352及该第三时规皮带轮10353之间套设第一时规皮带10354。该第二时规皮带轮及该第四时规皮带轮之间套设第二时规皮带10355。

当驱动装置运作时，该动力轴会带动转轴1033以及第三时规皮带轮10353一起转动。当转轴1033转动时，夹持机构101也会随着转轴1033一起转动。同时，当第三时规皮带轮10353被转动时，第三时规皮带轮10353会经由第一时规皮带10354带动第一时规皮带轮10352、同步杆10351及第二时规皮带轮一起转动。而当第二时规皮带轮转动时，第二时规皮带轮通过第二时规皮带10355带动第四时规皮带轮转动。由于第四时规皮带轮设置于未与该动力轴相连结的转轴上，因此当第四时规皮带轮转动时，未与该动力轴相连结的转轴及与其装组的夹持机构也会同步进行转动。也即本实施例通过时规皮带的类似于链条可同步传动的特性，如此使两夹持机构101可同步转动。

此外，在本发明的若干实施例中，上述的时规皮带可为链条等均等物所取代。上述的时规皮带组1035仅为例示性质的同步机构。例如，微电子装置侦测两侧时规皮带组1035的转速并反馈控制时规皮带组1035的转速，以达成两侧时规皮带组1035同步转动的功效。

如图4所示，升降机构105可包含两导杆1051、一升降框架1053以及复数个第一夹取机构1055。两导杆1051以相互对应方式固设于两基座1037上。升降框架1053的两侧设有两导杆架10531。升降框架1053凭借该两导杆架10531而沿着两导杆1051移动。而所述的这些第一夹取机构1055可设于升降框架1053任一侧且可包含夹钳。于本实施例中，升降机构105可进一步包含设置于两导杆1051之间的连杆1057，用来使两导杆1051之间的距离保持固定。

至于两基座1037可为不锈钢立座。另外，两基座1037可包含耐腐蚀聚合物的杆体。两基座1037可随不同制程所需而采用不同的结构设计及不同的材料。此外，两引导轮107分别设置于两夹持机构101下方，以导引基板1进入或脱离第一处理装置40。

如图4及图5所示，当基板1以水平方式被传送到第一翻转装置10中时，基板1两侧会分别置于两夹持机构101的两夹板1013之间。之后，驱动构件1015会驱动夹板1013向另一夹板1013靠拢，以将基板1的两侧固持。

如图6所示，将基板1的两侧固持后，转动机构103会同步驱动两夹持机构101翻转第二角度。于本发明的较佳实施例中，转动机构103使两夹持机构101同步翻转成90度或270度，如此使基板1从原本的水平状态变成垂直状态。要注意的是，上述的转动机构103所翻转的第二角度视实际需要而定，在此仅是说明用的实例而已，并非用来限制本发明的范围。

如图7所示，当基板1变成垂直状态后，第一夹取机构1055可夹取基板1，并通过升降机构105将基板1经两引导轮107送入第一处理装置40之中。基板1与第一处理装置40中的处理液体完成制程步骤后，即可将基板1自第一处理装置40取出。当第一夹取机构1055夹取基板1时，两夹持机构101无须夹持基板1。

第二翻转装置30的结构相似于第一翻转装置10的结构。两者主要差异仅在转动基板1的方向不同，故其结构在此不多加赘述。

图8显示本发明的一实施例的基板转移暨处理系统的移载装置20示意图。移载装置20可将在第一处理装置40中的基板1转移至第二处理装置50中，或将在第二处理装置50中的基板1转移至第一处理装置40中。

于本实施例中，移载装置20架设于第一处理装置40与第二处理装置50上方，且可包含一X轴轨座201、两Y轴轨座203、两固定座205、两Z轴轨座207、一悬臂209、及支撑杆211。其中X轴轨座201跨设于相互平行的两Y轴轨座203之间，并可沿Y轴方向于两Y轴轨座203的两端间来回移动。X轴轨座201的两端可进一步具有分别设置于两Y轴轨座203上的两Y轴轨道架2031，以使X轴轨座201沿两Y轴轨座203移动。

两固定座205以相互对应方式滑设于X轴轨座201上，并可沿X轴轨座201移动。两固定座205靠近X轴轨座201的一侧可进一步具有两X轴轨道架2011。两X轴轨道架2011设置于X轴轨座201上，以使两固定座205沿X轴轨座201移动。两固定座205也可与两X轴轨道架2011一体成型。

两Z轴轨座207以相互对应方式分别设置于两固定座205的远离X轴轨座201的一侧。其中，于两Z轴轨座207之间可设置一连杆，用来维持两Z轴轨座207之间的距离。悬臂209架设于两Z轴轨座207之间，并可沿Z轴轨座207移动。悬臂209的一侧具有复数个第二夹取机构2091。其中悬臂209靠近两Z轴轨座207的一侧可进一步具有滑设于两Z轴轨座207上的两Z轴轨道架2071，以使悬臂209沿Z轴轨座207移动。此外，支撑杆211设置于两Y轴轨座203之间以保持两Y轴轨座203之间的距离。

参阅图8的实施例所示，第一处理装置40及第二处理装置50配置于两Y轴轨座203之间。其中，第一处理装置40设置于靠近一Y轴轨座203的一侧，第二处理装置50则设置于靠近另一Y轴轨座203的一侧。

以下详述移载装置20的动作机制。移载装置20中的悬臂209先沿着Z轴轨座207下降，并利用第二夹取机构2091夹取位于第一处理装置40中的基板1。接着悬臂209再沿着Z轴轨座207上升，以使基板1移出第一处理装置40。然后Z轴轨座207会沿X轴轨座201移动至第二处理装置50上方，接着悬臂209沿着Z轴轨座207下降，以将基板1再送入第二处理装置50中。

图9显示本发明的一实施例的基板转移暨处理系统的示意图。如图9所示，该系统可包含复数个第一处理装置40及复数个第二处理装置50。其中复数个第一处理装置40设置于靠近两Y轴轨座203其中之一，复数个第二处理装置50则设置于靠近另一Y轴轨座203。由于X轴轨座201可沿Y轴方向移动，因此基板1能凭借移载装置20而在任一第一处理装置40与任一第二处理装置50之间移动。

由以上描述可知，本发明基板转移暨处理系统的优点在于若有复数第一处理装置40与复数第二处理装置50，则复数基板1可同时进行制程步骤。移载装置20能提供基板1在第一处理装置40与第二处理装置50之间移动，使得可将多片基板1有效率地移载至适当的处理装置中，以同时对多片基板1在第一处理装置40及第二处理装置50中分别进行制程步骤。

第一处理装置40及第二处理装置50可包含化学浴制程步骤的制程设备、清洗浴制程步骤的制程设备或其他制程步骤的制程设备。较佳而言，第一处理装置40可包含化学浴制程步骤的制程设备，用来进行化学沉积制程步骤；第二处理装置50可包含清洗浴制程步骤的制程设备，以将基板1上的残留处理液体移除。另一型态为：第一处理装置40包含清洗浴制程步骤的制程设备，而第二处理装置50包含化学浴制程步骤的制程设备。

为使本发明所属技术领域中具有通常知识者能实施本发明的若干实施例中的清洗浴制程步骤或化学浴沉积步骤所使用的制程设备(即上述第一处理装置40或第二处理装置50)，以下将详述基板转移暨处理设备的若干实施态样。

参阅图10、图11及图12。图10及图11显示本发明的一实施例的基板转移暨处理设备的立体示意图及剖面示意图。图12显示本发明的一实施例反应框架403的示意图。

本实施例的基板转移暨处理设备40A适用于使一处理液体均匀在一基板1上进行制程步骤。基板1包含两相对的表面1A、1B。基板转移暨处理设备40A包含槽体401、至少一反应槽室405、限位单元及流体循环系统(图中未示)。其中反应槽室405与限位单元设于槽体401内。

槽体401可选择性搭配一加热单元，用来提升基板1与处理液体在制程步骤中的反应速率。加热单元可运用传导、对流、辐射等方式增加基板1或/且处理液体在制程步骤中的温度，以提升基板1与处理液体在制程步骤中的反应速率。故熟知本发明所属领域的技术人员可凭借任一已知的加热元件、材料或装置而增加基板1或/且处理液体在制程步骤中的温度。本实施例中，加热单元为一热液循环系统。热液循环系统包含一热溶液4120、一加热器(图中未示)、一驱动装置(图中未示)及一循环通道(图中未示)。热溶液4120可为热水并可接触基板1的表面1B。热溶液4120可凭借加热器而被加热。热溶液4120被加热后，热溶液4120的热量能凭借热溶液4120热接触基板1的表面1B，而传递至基板1的表面1A。同时，由于基板1的表面1A的温度上升，基板1的表面1A与处理空间4315中处理液体的反应速率提升。驱动装置驱动热溶液4120在循环通道与槽体401内循环流动。凭借热流循环系统，立于槽体401内的基板1或/且处理液体被均匀地加热，以均匀地提升基板1与处理液体在制程步骤中的反应速率。

特别说明，本实施例的主要目的为处理液体均匀在立于槽体401内的基板1上进行制程步骤。而加热单元的功能与上述目的无关，故加热单元为本实施例「选择性」设置的单元。熟知本领域的技术人员可依需求而选择是否设置加热单元。

流体循环系统至少具有一驱动装置，用来驱动处理液体流动。流体循环系统驱动处理液体在基板1的表面1A上循环流动(配图)，用来使处理液体均匀地在立于槽体401内的基板1上进行一制程步骤(例如化学浴沉积，用来在基板1的表面1A形成薄膜)。

在本发明的若干实施例中，槽体401更包含热溶液入口4011及位于热溶液入口4011下方的热溶液出口4013。

反应槽室405设置于槽体401内。反应槽室405的一侧可为开放侧面，用来接触基板1的表面1A。而反应槽室405开放侧的相对一侧可为封闭侧面。反应槽室405的开放侧面凭借一基板吸取装置409(容后详述)的移动而紧密结合基板1。凭借反应槽室405与基板1的紧密结合，而形成一处理空间4315。当处理液体进入处理空间4315后，处理液体在基板1的表面1A中央区域进行制程步骤(例如化学浴沉积，用来在基板1的表面1A中央区域形成薄膜)。

限位单元设置于槽体401内，用来限制基板1立于槽体401内。基板1立于槽体401内则可减少基板1在槽体401上所占用的水平空间。其中「立于」意指基板1的板面与槽体401底面之间的夹角约为45度至135度。熟知本领域的技术人员应知，限位单元可为夹具、锁附元件或可限制基板1立于槽体401的任意元件或装置。于本实施例中，限位单元包含一基板吸取装置409及一反应框架403。

基板吸取装置409用来吸附基板1的表面1B，并可在吸附基板1的表面1B后移动基板1。较佳而言，当基板吸取装置409吸附基板1后，两引导架4051即会同步向外移动(也即在平行于基板1的表面1A的方向上远离基板1)。接着基板吸取装置409则会朝反应框架403移动，直到基板1紧密结合反应槽室405的开放侧，以将基板1夹置于基板吸取装置409及反应框架403之间。其中基板吸取装置409可通过马达及导螺杆(图中未示)而移动基板吸取装置409。

反应框架403可支持基板1。基板1可夹设于反应框架403与基板吸取装置409之间。反应槽室405设于反应框架403内部。当基板1夹设于反应框架403与基板吸取装置409之间的时候，反应框架403大略接触基板1的表面1A的边缘区域。基板1夹设于反应框架403与基板吸取装置409之间的时候，基板1的表面1A之中央区域未接触反应框架403且能与处理液理进行制程步骤(例如化学浴沉积，以在基板1的表面1A形成薄膜)。

于其它实施例中，反应框架403的顶侧部分可自反应框架403的其余部分分离而形成开口。上述开口用来取代处理液体入口4311而提供处理液体注入反应槽室405内。

其中，反应框架403与基板1之间可设置有一缓冲垫圈(图中未示)，如此减少基板1与反应框架403之间的应力。

反应框架403更包含处理液体入口4311及位于处理液体入口4311下方的处理液体出口4313。处理液体入口4311及处理液体出口4313分别提供处理液体进出处理空间4315。另外，流体循环系统可驱动处理液体经由处理液体入口4311及处理液体出口4313而于处理空间4315内循环流动，用来使处理液体均匀在立于槽体401内的基板1上进行制程步骤(例如化学浴沉积步骤，以使基板1的表面1A薄膜厚度均匀)。

参阅图10、图13至图15。图13显示本发明的一实施例的化学浴沉积设备的基板接收装置407的侧视图。图14则为图13区域A的局部放大图。而图15为图13区域B的局部放大图。基板接收装置407设置于槽体401内并靠近反应槽室405的开放侧，以承接基板1。基板接收装置407具有呈相互对应的两引导架4051。该两引导架4051可分别凭借一致动机构408(容后详述)而夹持或释放基板1。每一引导架4051具有相互对应的一导引沟槽40511及一限位件40513。基板1两侧边缘可沿两导引沟槽40511移入或移出两引导架4051。限位件40513设置在导引沟槽40511的端部，以限制基板1于导引沟槽40511内的位置。

两致动机构408对称设置于槽体401内，用来驱动引导架4051夹持或释放基板1。每一致动机构408连接单一引导架4051，且包含两支杆4081与一主杆4083。主杆4083可位于槽体401之外，且主杆4083的两端分别连接两支杆4081。主杆4083与引导架4051略呈平行。每一支杆4081的两端分别连接一引导架4051及主杆4083。每一支杆4081经由槽体401上的轴座4088穿设槽体401。且支杆4081与设槽体401之间可设有一弹性套筒(图中未示)，用来避免在槽体401内的热溶液4120由支杆4081与设槽体401之间的缝隙泄漏出去。

另外，一驱动装置(图中未示)驱动两致动机构408而使两引导架4051夹持或释放基板1。驱动装置可包含气压缸或油压缸。欲夹持基板1时，驱动装置驱动两致动机构408而使引导架4051夹持基板1。之后，欲释放基板1时，驱动装置驱动两致动机构408复位而使引导架4051释放基板1。在本发明的一或更多实施例中，当驱动装置运作时，两主杆4083相互接近。同时两引导架4051也相互接近。当驱动装置关闭时，两主杆4083相互远离。同时两引导架4051也相互远离。在导引沟槽40511的两侧可进一步装设复数个导引件组40515，用来在基板1与引导架4051之间进行缓冲。

参阅图10、图11及图16。图16显示本发明的一实施例基板吸取装置409示意图。基板吸取装置409能吸附基板1的另一表面1B并移动基板1至反应槽室405的开放侧面，用来使反应槽室405的开放侧面与基板1紧密结合。基板吸取装置409可包含一吸附架4071、复数吸附构件4711、复数弹性元件4713及复数压制构件4715。每一吸附构件4711设置于吸附架4071上，且与吸附架4071略呈垂直。吸附构件4711用来吸附基板1的另一表面1B。此外，每一吸附构件4711套设单一弹性元件4713。弹性元件4713可包含真空吸附垫。当基板吸取装置409移动基板1至反应槽室405的开放侧面或缓冲垫圈时，弹性元件4713凭借本身的弹性，可缓冲基板1所承受的瞬间应力。因而避免基板1压损的状况发生。每一压制构件4715并列设置于吸附架4071上，且与吸附构件4711略呈平行。其中每一压制构件4715可选择性设置一垫片。当驱动装置驱动两致动机构408而使两引导架4051夹持基本1时，压制构件4715直接抵压基板1反应框架403上，以使基板1与反应框架403紧密结合。

以下参阅图17至图20的动作示意图，详述在本发明的若干实施例中，如何将基板置入处理设备以便进行制程步骤的动作流程。

首先，驱动装置驱动两致动机构408而使两引导架4051相互接近。接着，基板1沿两引导架4051的两导引沟槽40511而逐渐进入基板接收装置407中。而后基板1的底缘会抵顶于位于导引沟槽40511下侧的限位件40513而到达定位。

参阅图17所示。基板1到达定位后，吸附架4071会朝基板1的方向移动，直到吸附构件4711接触并吸附基板1。参阅图17、图18所示。待基板1被吸附构件4711吸附固定后，致动机构40驱动两引导架4051相互远离而使基板1由基板接收装置407中释放。接着，如图19所示，基板吸取装置409凭借吸附构件4711用来吸附基板1的另一表面1B。而后，如图20所示，基板吸取装置409会带动基板1往反应框架403前进，直到基板1与反应框架403(或缓冲垫圈)紧密结合。同时，凭借基板1与反应框架403的紧密结合而形成近乎密闭的反应槽室405。最后，将热溶液4120(如图11所示)及处理液体4130分别注入施加于槽体401(如图10所示)及反应槽室405中，即可对基板1进行化学浴处理。

参阅图21，本发明的另一实施例的化学浴沉积设备的示意图。反应槽室405具有相对的两开放侧。在反应槽室405的两侧外各可设置一基板接收装置407以及一基板吸取装置409。依据前文所述可知，反应槽室405的两开放侧各可与一基板1紧密结合，用来形成处理空间4315。处理液体可注入并留存于反应槽室405中。热溶液4120(如图11所示)则可施加于槽体401中。如此即可达成可进行化学浴处理的制程环境。

在本实施例中，单一反应槽室405中的处理液体一次与两片基板1进行制程步骤(例如化学浴沉积，以在基板1的表面1A形成薄膜)。值得注意的是，虽然单一反应槽室405中的处理液体可进行制程步骤的基板1数目增加，但所注入反应槽室405的处理液体及热溶液的液体容量却不变。另外，处理液体的循环流动能使处理液体均匀地在立于槽体401内的基板1上进行制程步骤(例如化学浴沉积步骤，以使基板1的表面1A薄膜厚度均匀)。

在本发明的一或更多实施例中，如图22所示，基板转移暨处理设备结构大致与上述的实施例相同。于此仅描述相异之处，以利熟悉本技术者能加以实施。于本实施例中，限位单元包含一基板吸取装置409A。基板吸取装置409A呈板状，且基板吸取装置409A的其一表面上具有复数气孔(图中未示)，用来吸附基板1的表面1B。此外，于本实施例中，槽体401中所注入的是处理液体4130，而非前述实施例的热溶液或热水。槽体401中凭借至少一腔室壁4800而分隔成复数反应槽室405。每一反应槽室405以基板吸取装置409A等构件区隔出处理空间4315。在本实施例中并未设置反应框架403，且基板吸取装置409A以立板方式设置于槽体401内。

在本实施例中，基板支持件403a可为一加热板。基板支持件403a贴靠基板1的另一表面1B，以将热能自基板1的另一表面1B传递至基板1的表面1A。因此，提高基板1的表面1A与处理液体4130的反应速率。在本实施例中，反应槽室405容置基板夹持件403a。凭借一流体循环系统(图中未示)，处理液体4130于处理空间4315内循环流动，用来使处理液体4130均匀在立于槽体401内的基板1上进行制程步骤(例如化学浴沉积步骤，以使基板1的表面1A薄膜厚度均匀)。

综上所述，本发明的基板转移暨处理设备优点如下：第一，均匀制程：本发明的基板转移暨处理设备凭借流体循环系统而使处理液体均匀在立于槽体内的基板上进行制程步骤。第二，节省空间：本发明的基板转移暨处理设备凭借限位单元限制基板在制程步骤中所占用的水平空间。第三，加速制程：本发明的基板转移暨处理设备凭借加热单元而提升基板与处理液体在制程步骤中的反应速率。第四，同时进行制程步骤：本发明的基板转移暨处理设备凭借反应框架的复数开放侧而能同时对复数基板进行制程步骤。

此外，在本实施例中，基板转移暨处理设备40A(如图10所示)包含一处理液体供应源4900。该处理液体供应源4900包含一喷嘴且设置于开放式的反应槽室405上方，用来将处理液体4130注入反应槽室405。

图23显示本发明的一实施例的化学浴沉积设备的顶部示意图。如图23所示，化学浴沉积设备更可包含一风刀4700，设置于槽体401上方，用来于基板1移离化学浴沉积设备时，可将基板1上的残留液体吹离。

图24显示本发明的另一实施例的基板转移暨处理系统的平面示意图。本实施例的系统配置大致与的前的实施例相同，故于此仅指出若干相异之处。如图24所示，第一翻转装置10及第一移动装置70A、或第二翻转装置30及第二移动装置70B的配置顺序与的前的实施例不同。于本实施例中，基板1先受到第一翻转装置10翻转，而后才经由第一移动装置70A移动至适当的第一处理装置40中。基板1与处理液体完成制程步骤后，基板1经由移载装置20移动至适当的第二处理装置50中。最后基板1凭借第二移动装置70B及第二翻转装置30而自第二处理装置50移动并翻转成水平状态。其中，上述各装置的实施态样可与的前的实施例相同，也可采取机器手臂等方式实施。

在本说明书中，为避免不必要地混淆本发明的内容，省略若干装置或构件的描述。例言的，基板吸取装置409可通过马达及导螺杆的配合而使基板吸取装置409前进后退。上述马达及导螺杆的详细配置乃本发明的技术领域中具有通常知识者参照本说明书即可实施，故于此不多加赘述。

以上所述者仅为用来解释本发明的较佳实施例，并非企图据以对本发明做任何形式上的限制，是以，凡有在相同的发明精神下所作有关本发明的任何修饰或变更，都仍应包括在本发明意图保护的范畴。

Claims (9)

1.一种基板转移暨处理设备，适用于使一处理液体均匀在一基板的单一表面进行一制程步骤，其特征在于，该基板转移暨处理设备包含：

一槽体；

至少一反应槽室，设置于该槽体内，用来提供该处理液体与该基板的单一表面进行制程步骤，每一反应槽室包含一用来容置该处理液体的处理容积；

一加热单元，加热该基板，该加热单元为一热液循环系统，该热液循环系统包含一热溶液，该热溶液接触该基板的另一表面，该基板的该另一表面与该基板的该单一表面相对设置，该热溶液被加热后，该热溶液的热量能凭借该热溶液热接触该基板的该另一表面，而传递至该基板的该单一表面；

一限位单元，设置于该槽体内，用来限制该基板立于该槽体内，该限位单元包含一反应框架与一基板吸取装置，该反应槽室设于该反应框架内部，该基板吸取装置用来吸附该基板，凭借基板与该反应框架的紧密结合而形成该反应槽室；及

一流体循环系统，至少具有一驱动装置，该流体循环系统驱动该处理液体于处理容积内循环流动，用来使该处理液体均匀在立于该槽体内的该基板上进行一制程步骤。

2.根据权利要求1所述的基板转移暨处理设备，其特征在于：该制程步骤为化学沉积步骤或清洗浴制程步骤。

3.根据权利要求1所述的基板转移暨处理设备，其特征在于：该反应槽室的一侧为开放侧。

4.根据权利要求3所述的基板转移暨处理设备，其特征在于：该基板吸取装置能朝该反应框架移动，直到基板紧密结合反应槽室的开放侧，以将该基板夹置于该基板吸取装置及该反应框架之间。

5.根据权利要求1所述的基板转移暨处理设备，其特征在于：该基板吸取装置包含一吸附架、复数吸附构件、复数弹性元件及复数压制构件。

6.根据权利要求1所述的基板转移暨处理设备，其特征在于：该基板吸取装置呈板状，且基板吸取装置的其一表面上具有复数气孔。

7.根据权利要求1所述的基板转移暨处理设备，其特征在于：该基板转移暨处理设备包含一基板接收装置，设置于该槽体内并靠近该反应槽室的开放侧，用来承接基板。

8.根据权利要求1所述的基板转移暨处理设备，其特征在于：该槽体中凭借至少一腔室壁而分隔成复数反应槽室，每一反应槽室凭借该基板吸取装置区隔出一处理空间。

9.根据权利要求1所述的基板转移暨处理设备，其特征在于：该反应框架具有相对的两开放侧，该两开放侧用来各别紧密结合单一基板以形成该处理空间。