CN104409218A - 一种用于量子点敏化太阳能电池的CuXS对电极及其制备和应用 - Google Patents
一种用于量子点敏化太阳能电池的CuXS对电极及其制备和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104409218A CN104409218A CN201410696484.8A CN201410696484A CN104409218A CN 104409218 A CN104409218 A CN 104409218A CN 201410696484 A CN201410696484 A CN 201410696484A CN 104409218 A CN104409218 A CN 104409218A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cuxs
- counter electrode
- quantum dot
- sensitized solar
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 22
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P ammonium sulfide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[S-2] UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 2
- DPLVEEXVKBWGHE-UHFFFAOYSA-N potassium sulfide Chemical compound [S-2].[K+].[K+] DPLVEEXVKBWGHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 abstract 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 230000018199 S phase Effects 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000000349 field-emission scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Hybrid Cells (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极及其制备和应用,对电极仅由导电基片和CuxS薄膜组成,其制备方法包括:通过磁控溅射技术在洗净、烘干后的导电基片表面上沉积铜膜;配制多硫化物溶液;将含铜膜的导电基片浸在多硫化物溶液中进行反应,洗涤和干燥后即得。本发明的工艺路线简便,成本低廉,制得的CuxS薄膜均匀且与导电基片的结合性好,极大地改善了对电极的性能,应用在量子点敏化太阳能电池中有较好的光电转换性能,具有潜在的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池的对电极及其制备和应用领域,特别涉及一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极及其制备和应用。
背景技术
太阳能是最有希望在21世纪得到广泛应用的能源之一,在其利用中,太阳电池发电最受瞩目,它具有转化环节少、资源蕴含量取之不尽、能源质量高、建设周期短、发电方式接近零排放等优势。以无机半导体量子点作为敏化剂的敏化太阳能电池具备低成本和高理论转化率等优点,目前受到人们的广泛关注,被称为第三代太阳能电池。目前国际上大部分研究中量子点太阳能电池的常用电解质为S2-/Sn 2-多硫电解质。Pt是敏化太阳能电池中最常用的对电极,但是在S2-/Sn 2-多硫电解质体系中,Pt和其它贵金属对电极的催化活性较低。因此,研究和开发廉价高效的非Pt对电极是敏化太阳能电池研究的热点。
金属硫化物如PbS、CoS、CuS、Cu2S等作为量子点敏化太阳能电池的对电极有优良的催化性能,其中以CuS和Cu2S(CuxS)对电极的性能更佳。研究者常采用铜片腐蚀法制备CuxS对电极,相对于传统的铂对电极而言,量子点敏化太阳能电池的光电转换效率有明显的提高,但是这种方法制备的CuxS层容易脱落、电池不易封装、铜片基体受多硫化物电解质腐蚀而导致稳定性较差等缺点。也有通过电化学沉积、化学水浴沉积等方法制备CuxS对电极,但制备过程较复杂且制得的CuxS层不均匀。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极及其制备和应用,本发明制备工艺路线简单,成本低廉,制得的CuxS薄膜均匀且与导电基片的结合性好,极大地改善了对电极的性能。
本发明的一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极,所述对电极包括导电基片和CuxS薄膜;X值为1.0-2.0;其中导电基片为金属或透明导电玻璃。
所述金属为Ti、Pt、不锈钢中的一种;透明导电玻璃为掺F的SnO2(FTO)或掺Sn的In2O3(ITO)玻璃。
本发明的一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极的制备方法,包括:
(1)通过磁控溅射方法在洗净、烘干后的导电基片表面上沉积铜膜;其中磁控溅射方法的具体工艺为:用99.99%的高纯Cu靶作为Cu膜沉积的溅射靶,调节导电基片与靶材的距离,对溅射室抽真空后,通入氩气;打开电源,进行溅射,得到Cu膜导电基片;
(2)室温下,在溶剂中加入单质硫、硫化物,搅拌即得多硫化物溶液;
(3)将Cu膜导电基片浸入多硫化物溶液中反应20s~20min,洗涤,烘干,得到CuxS对电极。
所述步骤(1)中洗净为:依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗5~45min;烘干为:40℃的真空干燥箱中烘干。
所述步骤(1)中导电基片与靶材的距离为13-15cm;抽真空后的真空度小于1.0×10-4Pa;通入氩气的速率为80-100cm3/min,氩气的纯度为99.99%。
所述步骤(1)中溅射为采用直流溅射,溅射功率为75W,溅射时间为20s~20min。
所述步骤(2)中溶剂为甲醇、乙醇、去离子水中的一种或两种;单质硫的形态为:沉降流、升华硫、精制硫中的一种或几种;硫化物为硫化钠、硫化钾、硫化铵中的一种或几种。
所述步骤(2)中多硫化物溶液中单质硫的浓度为0.1~3.0mol/L;硫化物的浓度为0.1~3.0mol/L;搅拌时间为0.5~8h。
所述步骤(3)中洗涤为甲醇、乙醇、去离子水中的一种或几种洗涤2-5次;烘干为:100℃烘干1-2h。
本发明的一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极的应用,其特征在于:CuxS对电极与CdS/CdSe/TiO2共敏化光阳极、多硫化物电解质组装成量子点敏化太阳能电池。
有益效果
本发明的制备工艺路线简便,成本低廉,制得的CuxS薄膜均匀且与导电基片的结合性好,极大地改善了对电极的性能;所制备的对电极仅由CuxS膜层和导电基片组成,与CdS/CdSe/TiO2共敏化光阳极、多硫化物电解质组装成的量子点敏化太阳能电池,在标准模拟太阳光照射下有较好的光电转换性能,具有潜在的应用前景。
附图说明
图1是以透明导电玻璃为基片,在溅射功率为75W、溅射时间为2min后获得的Cu膜及经过反应后得到的CuxS膜的场发射扫描电镜照片;其中(a)Cu膜;(b)CuxS膜;
图2是以透明导电玻璃为基片,在溅射功率为75W、溅射时间为2min后获得的Cu膜及经过反应后得到的CuxS膜的X射线衍射谱图;其中(a)导电玻璃;(b)Cu膜;(c)CuxS膜。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
将FTO导电基片依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗15min,之后放入40℃的真空干燥箱中烘干后放入磁控溅射室内,用99.99%的高纯Cu靶作为Cu膜沉积的溅射靶,调节基片与靶材的距离为15cm;利用机械泵、分子泵对溅射室抽真空,使其真空度小于1.0×10-4Pa,通入80cm3/min纯度为99.99%以上的氩气;打开直流溅射电源,控制溅射功率为75W,溅射时间分别为1min,2min,3min,得到不同溅射时间的Cu膜,记作Cu(1)/FTO、Cu(2)/FTO、Cu(3)/FTO。室温下,在去离子水/甲醇(体积比为7/3)混合溶剂中加入单质沉降硫、硫化钠,搅拌4h后即得到多硫化物溶液,其中单质硫的浓度为1.0mol/L,硫化钠的浓度为1.0mol/L。将不同溅射时间下制得的Cu/FTO浸在多硫化物溶液中反应2min,然后用甲醇多次洗涤,在100℃的真空干燥箱中烘干2h后得到CuxS/FTO对电极,分别用CuxS(1)/FTO、CuxS(2)/FTO、CuxS(3)/FTO表示。
将上述实施例的CuxS/FTO对电极组装成量子点敏化太阳能电池,进行光电转化性能测试,其中光阳极为采用刮涂法制备的纳米TiO2(P25)多孔膜(M.et al.Science,2011,334,629.)。量子点为连续离子层吸附反应法(SILAR)制备的CdS和CdSe共敏化剂(Q.Wang,et al.ACS Nano,2011,4,3172.)。电解液为2M沉降硫、2M硫化钠、0.2M氯化钾的水溶液。作为对比,在FTO导电玻璃上沉积了铂(热解法)对电极,各种对电极用于量子点敏化太阳能电池的光电转换性能如表1所示。
结果表明,利用磁控溅射方法制备的Cu膜和CuxS膜均匀(如图1所示),与导电玻璃结合力较好且不易脱落;Cu膜与多硫化物反应后得到的CuxS相(如图2所示),主要由CuS、Cu2S构成;给定溅射条件下,当溅射时间为2min(铜膜厚度约为0.45μm)获得的CuxS/FTO对电极组装的CdS/CdSe量子点共敏化太阳能电池在标准模拟太阳光照射下具有较佳的光电转换性能,其开路电压为0.48V,短路光电流密度为16.47mA/cm2,填充因子为0.46,光电转换效率达到3.67%。与铂对电极相比,有较高的短路光电流密度和光电转换效率,如表1所示。
表1
因此,本发明制备的CuxS/FTO对电极是一种更加优良的用于量子点敏化太阳能电池的对电极。
Claims (10)
1.一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极,其特征在于:所述对电极包括导电基片和CuxS薄膜;X值为1.0-2.0;其中导电基片为金属或透明导电玻璃。
2.根据权利要求1所述的一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极,其特征在于:所述金属为Ti、Pt、不锈钢中的一种;透明导电玻璃为掺F的SnO2FTO玻璃或掺Sn的In2O3ITO玻璃。
3.一种如权利要求1所述的用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极的制备方法,包括:
(1)用99.99%的高纯Cu靶作为Cu膜沉积的溅射靶,通过磁控溅射方法在洗净、烘干后的导电基片表面上沉积铜膜,得到Cu膜导电基片;
(2)室温下,在溶剂中加入单质硫、硫化物,搅拌即得多硫化物溶液;
(3)将Cu膜导电基片浸入多硫化物溶液中反应20s~20min,洗涤,烘干,得到CuxS对电极。
4.根据权利要求3所述的一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中洗净为:依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗5~45min;烘干为:40℃的真空干燥箱中烘干。
5.根据权利要求3所述的一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中导电基片与靶材的距离为13-15cm。
6.根据权利要求3所述的一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中溅射为采用直流溅射,溅射功率为75W,溅射时间为20s~20min。
7.根据权利要求3所述的一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中溶剂为甲醇、乙醇、去离子水中的一种或两种;单质硫的形态为:沉降流、升华硫、精制硫中的一种或几种;硫化物为硫化钠、硫化钾、硫化铵中的一种或几种。
8.根据权利要求3所述的一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中多硫化物溶液中单质硫的浓度为0.1~3.0mol/L;硫化物的浓度为0.1~3.0mol/L;搅拌时间为0.5~8h。
9.根据权利要求3所述的一种用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中洗涤为甲醇、乙醇、去离子水中的一种或几种洗涤2-5次;烘干为:100℃烘干1-2h。
10.一种如权利要求1所述的用于量子点敏化太阳能电池的CuxS对电极的应用,其特征在于:CuxS对电极与CdS/CdSe/TiO2共敏化光阳极、多硫化物电解质组装成量子点敏化太阳能电池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410696484.8A CN104409218B (zh) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 一种用于量子点敏化太阳能电池的CuXS对电极及其制备和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410696484.8A CN104409218B (zh) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 一种用于量子点敏化太阳能电池的CuXS对电极及其制备和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104409218A true CN104409218A (zh) | 2015-03-11 |
CN104409218B CN104409218B (zh) | 2018-02-16 |
Family
ID=52646838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410696484.8A Expired - Fee Related CN104409218B (zh) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 一种用于量子点敏化太阳能电池的CuXS对电极及其制备和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104409218B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105655136A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-06-08 | 华侨大学 | 一种量子点敏化太阳能电池对电极的制备方法 |
CN105826077A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-08-03 | 北京航空航天大学 | 一种用于量子点敏化太阳能电池的复合对电极及其制备方法 |
CN106328381A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-01-11 | 陕西理工学院 | 一种全固态量子点敏化太阳能电池及其制备方法 |
CN107275096A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-10-20 | 石河子大学 | 铜硒硫对电极、制备方法、应用及量子点敏化太阳能电池 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103117173A (zh) * | 2013-03-11 | 2013-05-22 | 武汉大学 | 可双面进光的量子点敏化太阳能电池及其制备方法 |
CN103219159A (zh) * | 2013-02-20 | 2013-07-24 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 一种用于量子点敏化太阳电池的CuxS(x=1–2)对电极的制备方法 |
CN104036964A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-09-10 | 北京大学 | 硫化铜薄膜的电化学制备方法 |
-
2014
- 2014-11-26 CN CN201410696484.8A patent/CN104409218B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103219159A (zh) * | 2013-02-20 | 2013-07-24 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 一种用于量子点敏化太阳电池的CuxS(x=1–2)对电极的制备方法 |
CN103117173A (zh) * | 2013-03-11 | 2013-05-22 | 武汉大学 | 可双面进光的量子点敏化太阳能电池及其制备方法 |
CN104036964A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-09-10 | 北京大学 | 硫化铜薄膜的电化学制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
竹怀君: ""染料敏化太阳能电池柔性对电极的制备及性能研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技II辑》 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105655136A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-06-08 | 华侨大学 | 一种量子点敏化太阳能电池对电极的制备方法 |
CN105655136B (zh) * | 2015-12-28 | 2018-03-09 | 华侨大学 | 一种量子点敏化太阳能电池对电极的制备方法 |
CN105826077A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-08-03 | 北京航空航天大学 | 一种用于量子点敏化太阳能电池的复合对电极及其制备方法 |
CN105826077B (zh) * | 2016-05-13 | 2018-10-12 | 北京航空航天大学 | 一种用于量子点敏化太阳能电池的复合对电极及其制备方法 |
CN106328381A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-01-11 | 陕西理工学院 | 一种全固态量子点敏化太阳能电池及其制备方法 |
CN107275096A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-10-20 | 石河子大学 | 铜硒硫对电极、制备方法、应用及量子点敏化太阳能电池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104409218B (zh) | 2018-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105384358B (zh) | 一种wo3纳米片阵列薄膜制备方法及其应用研究 | |
CN104616900B (zh) | 一种钴镍双金属硫化物,制备方法及其应用 | |
CN102347143B (zh) | 一种石墨烯复合多孔对电极、制备方法及其应用 | |
CN102610392A (zh) | 染料敏化太阳能电池用金属硒化物对电极及其制备方法 | |
CN103560013B (zh) | 一种硫化物对电极的染料敏化太阳能电池及其制备方法 | |
CN103117173B (zh) | 可双面进光的量子点敏化太阳能电池及其制备方法 | |
Yan et al. | Self-driven hematite-based photoelectrochemical water splitting cells with three-dimensional nanobowl heterojunction and high-photovoltage perovskite solar cells | |
CN104393103A (zh) | 一种Cu2ZnSnS4半导体薄膜的制备方法及其应用 | |
CN104409218B (zh) | 一种用于量子点敏化太阳能电池的CuXS对电极及其制备和应用 | |
CN103219159A (zh) | 一种用于量子点敏化太阳电池的CuxS(x=1–2)对电极的制备方法 | |
CN102592842A (zh) | 染料敏化太阳能电池中碳对电极的制备方法 | |
CN110205638B (zh) | 一种Z型CuBi2O4/SnO2光电阴极薄膜及其制备方法和应用 | |
CN105489384A (zh) | 一种C/Sb2S3复合薄膜对电极材料的制备方法 | |
CN111893512A (zh) | 一种硫化锑基异质结光阴极及其制备方法和用途 | |
CN101872685B (zh) | 固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法 | |
CN103088343B (zh) | Cu2O/TiO2纳米复合薄膜的制备方法 | |
CN100541822C (zh) | 一种纳米晶薄膜的染料敏化太阳能电池及其制备方法 | |
CN104701018A (zh) | 一种染料敏化太阳能电池CoS对电极的一步溶剂热制备方法 | |
CN109234761B (zh) | 一种用于光电催化产氢的Co3O4/Pt复合薄膜的制备方法 | |
CN103400700A (zh) | 基于二元低铂合金对电极的染料敏化太阳能电池及其制备方法和应用 | |
CN111129316A (zh) | 一种基于多功能复合集流体的碳基钙钛矿太阳能电池 | |
CN110359058B (zh) | 一种锆钛酸铅修饰的赤铁矿纳米棒阵列光阳极的制备方法 | |
CN104947165A (zh) | 一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法 | |
CN104167294A (zh) | 一种In2S3/CuInS2薄层敏化的宽带半导体光阳极及其制备方法 | |
CN104779054B (zh) | 一种染料敏化太阳能电池复合对电极的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180216 Termination date: 20201126 |