CN104404466A - 磁控溅射镀膜方法及系统 - Google Patents

磁控溅射镀膜方法及系统 Download PDF

Info

Publication number
CN104404466A
CN104404466A CN201410828442.5A CN201410828442A CN104404466A CN 104404466 A CN104404466 A CN 104404466A CN 201410828442 A CN201410828442 A CN 201410828442A CN 104404466 A CN104404466 A CN 104404466A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate carrier
magnetron sputtering
sputtering coating
substrate
sputtering chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410828442.5A
Other languages
English (en)
Inventor
王效坤
朴祥秀
张勋泽
王召波
沙磊
程贯杰
张文俊
王化露
闻庆亮
吕雷雷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410828442.5A priority Critical patent/CN104404466A/zh
Publication of CN104404466A publication Critical patent/CN104404466A/zh
Priority to US14/731,544 priority patent/US9934948B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464—Operating strategies
    • H01J37/3473—Composition uniformity or desired gradient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供了一种磁控溅射镀膜方法及系统，属于显示技术领域。其中，该磁控溅射镀膜系统包括溅射腔室，还包括设置在所述溅射腔室内的由多条靶材拼接形成的靶材组；与所述靶材组相对设置、用于承载待成膜基板的基板载体；带动所述基板载体沿所述靶材排列方向往复运动的传动装置。本发明的技术方案能够有效提高磁控溅射成膜的均匀性，进而保证显示基板的性能和品质。

Description

磁控溅射镀膜方法及系统
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种磁控溅射镀膜方法及系统。
背景技术
在6代及以上的磁控溅射镀膜设备中，由于显示基板尺寸较大，一般采用多条靶材拼接形成靶材组来对显示基板进行溅射成膜，每条靶材由单独电源控制，不同靶材之间是相对独立和绝缘的，为保证每条靶材的绝缘和独立性，靶材间必须进行隔离，而靶材之间的隔离区为非溅射区。
在成膜的过程中，由于靶材之间的隔离区为非溅射区，会导致对应靶材间缝隙的基板处沉积的膜层偏薄，造成膜层均匀性及稳定性较差；特别是对于IGZO、ITO等靶材，如果靶材缝隙处对应的膜层偏薄，易导致显示基板在显示时出现Mura(光斑)等不良，对显示基板的性能和品质影响很大。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种磁控溅射镀膜方法及系统，能够有效提高磁控溅射成膜的均匀性，进而保证显示基板的性能和品质。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种磁控溅射镀膜系统，包括溅射腔室，还包括设置在所述溅射腔室内的：
由多条靶材拼接形成的靶材组；
与所述靶材组相对设置、用于承载待成膜基板的基板载体；
带动所述基板载体沿所述靶材排列方向往复运动的传动装置。
可选的，所述系统还包括：包围所述基板载体的腔体掩膜板，所述基板载体在所述腔体掩膜板内运动。
可选的，所述系统还包括：在所述靶材排列方向上、设置在所述基板载体两侧的边缘掩膜板。
可选的，所述传动装置包括：带动所述基板载体运动的滚轮；
带动所述滚轮转动的马达；
与所述马达连接、能够控制所述滚轮转动速率从而控制所述基板载体运动速率的控制器。
可选的，所述系统还包括：
排布在所述靶材排列方向上、用于检测所述基板载体位置的多个位置传感器。
进一步可选的，所述系统还包括：
设置在所述溅射腔室边缘的极限位置传感器。
另一方面，提供一种磁控溅射镀膜方法，应用于上述任一项所述的磁控溅射镀膜系统，所述方法包括：
在成膜时，所述基板载体承载待成膜基板在所述靶材排列方向上往复运动。
可选的，所述方法成膜之前还包括：
向所述溅射腔室内通入工艺气体，并使所述溅射腔室在预设压力下保持预设时间。
其中所述工艺气体包括但不限于：氩气和氧气。
可选的，在所述基板载体匀速运动时，所述基板载体的运动速率V＝摇动距离S/(T1-T2)；
其中，所述基板载体承载待成膜基板从溅射室内一侧移动到另一侧为摇动一次，摇动一次所述基板载体经过的距离为摇动距离，T1＝成膜时间/摇动次数，T2＝摇动一次过程中所述基板载体的加速时间+所述基板载体的减速时间。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，在不改变现有磁控溅射镀膜设备主体结构的基础上，通过传动装置带动基板载体沿靶材排列方向往复运动，从而使待成膜基板相对于靶材往复运动，使得在成膜过程中非溅射区在待成膜基板上往复交换，非溅射区域由于基板的运动得到均摊和补注，从而能够制备出更加均匀、性能更加稳定的薄膜。另外，由于基板和靶材的相对运动速度远远低于成膜时等离子体内部原子及原子团的运动速度，因此采用本发明的技术方案制备的薄膜与传统磁控溅射方式制备的薄膜相比，膜质不受影响。
附图说明
图1为多条靶材拼接形成靶材组的示意图；
图2为现有磁控溅射镀膜设备中基板载体承载基板的示意图；
图3和图4为本发明实施例磁控溅射镀膜系统的结构示意图；
图5为本发明实施例摇动距离和成膜时间t之间的关系示意图。
附图标记
1基板        2基板载体    3滚轮  4位置传感器
5边缘掩膜板  6腔体掩模板  10靶材组
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例提供一种磁控溅射镀膜方法及系统，能够有效提高磁控溅射成膜的均匀性，进而保证显示基板的性能和品质。
本发明实施例提供了一种磁控溅射镀膜系统，包括溅射腔室，还包括设置在所述溅射腔室内的：
由多条靶材拼接形成的靶材组；
与所述靶材组相对设置、用于承载待成膜基板的基板载体；
带动所述基板载体沿所述靶材排列方向往复运动的传动装置。
本实施例在不改变现有磁控溅射镀膜设备主体结构的基础上，通过传动装置带动基板载体沿靶材排列方向往复运动，从而使待成膜基板相对于靶材往复运动，使得在成膜过程中非溅射区在待成膜基板上往复交换，非溅射区域由于基板的运动得到均摊和补注，从而能够制备出更加均匀、性能更加稳定的薄膜。另外，由于基板和靶材的相对运动速度远远低于成膜时等离子体内部原子及原子团的运动速度，因此采用本发明的技术方案制备的薄膜与传统磁控溅射方式制备的薄膜相比，膜质不受影响。
进一步地，所述系统还包括：
包围所述基板载体的腔体掩膜板，所述基板载体在所述腔体掩膜板内运动，腔体掩膜板可以避免能够避免靶材溅射到溅射腔室中。
进一步地，所述系统还包括：
在所述靶材排列方向上、设置在基板载体两侧的边缘掩膜板，边缘掩膜板能够避免靶材溅射到基板载体上。
具体地，所述传动装置可以包括：
带动所述基板载体运动的滚轮；
带动所述滚轮转动的马达；
与所述马达连接、能够控制所述滚轮转动速率从而控制所述基板载体运动速率的控制器。
进一步地，所述系统还包括：
排布在所述靶材排列方向上、用于检测所述基板载体位置的多个位置传感器，位置传感器能够检测基板载体的位置，保证基板载体在溅射腔室中的安全。
进一步地，所述系统还包括：
设置在所述溅射腔室边缘的极限位置传感器，极限位置传感器能够检测基板载体的极限运动位置，保证基板载体在溅射腔室中的安全。
本发明实施例还提供了一种磁控溅射镀膜方法，应用于上述的磁控溅射镀膜系统，所述方法包括：
在成膜时，所述基板载体承载待成膜基板在所述靶材排列方向上往复运动。
本实施例在不改变现有磁控溅射镀膜设备主体结构的基础上，通过传动装置带动基板载体沿靶材排列方向往复运动，从而使待成膜基板相对于靶材往复运动，使得在成膜过程中非溅射区在待成膜基板上往复交换，非溅射区域由于基板的运动得到均摊和补注，从而能够制备出更加均匀、性能更加稳定的薄膜。另外，由于基板和靶材的相对运动速度远远低于成膜时等离子体内部原子及原子团的运动速度，因此采用本发明的技术方案制备的薄膜与传统磁控溅射方式制备的薄膜相比，膜质不受影响。
进一步地，成膜之前还包括：
向所述溅射腔室内通入工艺气体，并使所述溅射腔室在预设压力下保持预设时间。
具体地，所述工艺气体包括但不限于：氩气和氧气。
进一步地，在所述基板载体匀速运动时，所述基板载体的运动速率V＝摇动距离S/(T1-T2)；
其中，所述基板载体承载待成膜基板从溅射室内一侧移动到另一侧为摇动一次，摇动一次所述基板载体经过的距离为摇动距离，T1＝成膜时间/摇动次数，T2＝摇动一次中所述基板载体的加速时间+所述基板载体的减速时间。
下面结合附图以及具体的实施例对本发明的磁控溅射镀膜方法及系统进行进一步介绍：
在6代及以上的磁控溅射镀膜设备中，由于显示基板尺寸较大，如图1所示，一般采用多条靶材拼接形成靶材组10来对显示基板进行溅射成膜，每条靶材由单独电源控制，不同靶材之间是相对独立和绝缘的，为保证每条靶材的绝缘和独立性，靶材间必须进行隔离，而靶材之间的隔离区为非溅射区，非溅射区的宽度一般不小于2mm。
现有磁控溅射成膜方式为静态成膜，如图2所示，在溅射腔室内设置有用于承载待成膜基板1的基板载体2，在成膜过程中，基板载体2静止不动。为了避免等离子体溅射在腔体和基板载体2上，在基板1外侧设置有腔体掩膜板6，腔体掩膜板6的大小与基板1大小吻合。在成膜后，基板1对应非溅射区位置处的膜层较其他处的膜层偏薄，造成制备的膜层均匀性及稳定性较差。
为了解决上述问题，本实施例提供了一种磁控溅射镀膜系统，如图3和图4所示，本实施例的磁控溅射镀膜系统包括溅射腔室，位于溅射腔室内的：由多条靶材拼接形成的靶材组；与靶材组相对设置、用于承载待成膜基板1的基板载体2；带动基板载体2沿靶材排列方向往复运动的传动装置，传动装置还可以将基板载体2传送进入溅射腔室；包围基板载体2的腔体掩膜板6，由于本实施例是动态成膜，成膜过程中基板载体2将在腔体掩膜板6内运动，腔体掩膜板6可以避免靶材溅射到溅射腔室中；在靶材排列方向上、设置在待成膜基板1两侧的边缘掩膜板5，成膜过程中边缘掩膜板5能够避免靶材溅射到基板载体2上。其中，传动装置包括：带动基板载体2运动的滚轮3；带动滚轮3转动的马达；与马达连接、能够控制滚轮3转动速率从而控制基板载体2运动速率的控制器；另外，为精确保证载体基板2在溅射腔室中的移动和安全，需在溅射腔室两侧设置多个位置传感器4，位置传感器4检测载体基板2的位置，如果载体基板2未按照预设方式运动，则位置传感器4将进行报警；进一步地，还可以在溅射腔室边缘设置极限位置传感器，极限位置传感器能够检测基板载体的极限运动位置，如果极限位置传感器检测到基板载体2，则说明基板载体2超出靶材溅射范围，极限位置传感器将进行报警，保证基板载体在溅射腔室中的安全，通过这些位置传感器，可以确保在成膜过程中能够按照设计方案引导载体基板2进行摇动。
本实施例的磁控溅射镀膜系统的工作流程具体包括以下步骤：
1、传动装置带动基板载体2运动，进而运送待成膜基板1进入溅射腔室，溅射腔室阀门关闭；
2、溅射腔室内开始通入氩气或氧气等工艺气体，持续稳压一段时间，具体地可以在预设压力下持续30秒钟，以确保成膜过程中的压力稳定；
3、工艺气体通入时，基板载体2由溅射腔室的中间位置移至A侧，基板载体2的移动速度由稳压时间决定，稳压时间长，移动速度慢，稳压时间短，移动速度快，需要保证稳压时间完成时基板载体2已移动至A侧；
4、压力稳定后，电源开始放电，成膜开始，放电时间可以根据成膜的厚度来预先设置；
5、放电的同时，基板载体2承载基板1开始从溅射腔室的A侧向溅射腔室的B侧往复运动，从A侧运动至B侧一次或从B侧运动至A侧一次定义为摇动一次，成膜时的摇动次数为预先设置的；在基板载体2摇动过程中，通过位置传感器4可以检测基板载体2的位置，并根据基板载体2的位置调整基板载体2的运动方向，比如可以在基板载体2到达B侧时调整基板载体2的运动方向，使基板载体2向A侧运动。另外，还可以通过极限位置传感器检测基板载体2的极限运动位置，防止基板载体2超出靶材溅射范围。
其中，控制器通过控制马达转速可以控制基板载体2的运动速度(即基板1的运动速度)，图5为本发明实施例摇动距离和成膜时间之间的关系示意图，如图5所示，A1为基板载体2在A侧的极限运动位置，B1为基板载体2在B侧的极限运动位置，A2为基板载体2在A侧的最大运动位置，B2为基板载体2在B侧的最大运动位置，t为基板载体2摇动一次所需要的时间，t1为基板载体2运动到位置B3时所对应的时间，t2为基板载体2运动到位置A3时所对应的时间，基板载体2在位置A3和位置B3之间做匀速运动。
基板载体2的运动速度由控制器根据预先设置的摇动次数和摇动距离(即从A侧到B侧的距离)自动计算得出，计算公式如下：
基板载体2的运动速率V＝摇动距离S/(T1-T2)；
T1＝成膜时间/摇动次数，T2＝摇动一次过程中基板载体2的加速时间+基板载体2的减速时间；
6、放电完成时，基板载体2刚好移动至溅射腔室的A侧或B侧，放电停止后，基板载体2开始向溅射腔室的中间移动；
7、基板载体2移动至中间位置后，溅射腔室阀门打开，基板载体2按正常步骤运送成膜后的基板1出溅射腔室，成膜过程结束，在基板1上形成有预设厚度的膜。
本实施例在不改变现有磁控溅射镀膜设备主体结构的基础上，通过移动组件带动基板载体沿靶材排列方向往复运动，从而使待成膜基板相对于靶材往复运动，使得在成膜过程中非溅射区在待成膜基板上往复交换，非溅射区域由于基板的运动得到均摊和补注，从而能够制备出更加均匀、性能更加稳定的薄膜。另外，由于基板和靶材的相对运动速度远远低于成膜时等离子体内部原子及原子团的运动速度，因此采用本发明的技术方案制备的薄膜与传统磁控溅射方式制备的薄膜相比，膜质不受影响。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种磁控溅射镀膜系统，其特征在于，包括溅射腔室，还包括设置在所述溅射腔室内的：
由多条靶材拼接形成的靶材组；
与所述靶材组相对设置、用于承载待成膜基板的基板载体；
带动所述基板载体沿所述靶材排列方向往复运动的传动装置。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述系统还包括：
包围所述基板载体的腔体掩膜板，所述基板载体在所述腔体掩膜板内运动。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述系统还包括：
在所述靶材排列方向上、设置在所述基板载体两侧的边缘掩膜板。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述传动装置包括：
带动所述基板载体运动的滚轮；
带动所述滚轮转动的马达；
与所述马达连接、能够控制所述滚轮转动速率从而控制所述基板载体运动速率的控制器。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述系统还包括：
排布在所述靶材排列方向上、用于检测所述基板载体位置的多个位置传感器。
6.根据权利要求5所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述系统还包括：
设置在所述溅射腔室边缘的极限位置传感器。
7.一种磁控溅射镀膜方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6中任一项所述的磁控溅射镀膜系统，所述方法包括：
在成膜时，所述基板载体承载待成膜基板在所述靶材排列方向上往复运动。
8.根据权利要求7所述的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，成膜之前还包括：
向所述溅射腔室内通入工艺气体，并使所述溅射腔室在预设压力下保持预设时间。
9.根据权利要求8所述的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，所述工艺气体包括但不限于：氩气和氧气。
10.根据权利要求7所述的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，
在所述基板载体匀速运动时，所述基板载体的运动速率V＝摇动距离S/(T1-T2)；
其中，所述基板载体承载待成膜基板从溅射室内一侧移动到另一侧为摇动一次，摇动一次所述基板载体经过的距离为摇动距离，T1＝成膜时间/摇动次数，T2＝摇动一次过程中所述基板载体的加速时间+所述基板载体的减速时间。
CN201410828442.5A 2014-12-26 2014-12-26 磁控溅射镀膜方法及系统 Pending CN104404466A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410828442.5A CN104404466A (zh) 2014-12-26 2014-12-26 磁控溅射镀膜方法及系统
US14/731,544 US9934948B2 (en) 2014-12-26 2015-06-05 Magnetron-sputtering coating system and method, and display substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410828442.5A CN104404466A (zh) 2014-12-26 2014-12-26 磁控溅射镀膜方法及系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104404466A true CN104404466A (zh) 2015-03-11

Family

ID=52642128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410828442.5A Pending CN104404466A (zh) 2014-12-26 2014-12-26 磁控溅射镀膜方法及系统

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9934948B2 (zh)
CN (1) CN104404466A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105803410A (zh) * 2016-04-29 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 磁控溅射装置、磁控溅射设备及磁控溅射的方法
CN106282953A (zh) * 2016-09-20 2017-01-04 江苏阳帆机电设备制造有限公司 一种耐磨线切割钢线的制作方法及制备耐磨线切割钢线用真空涂覆镀膜设备
CN106282948A (zh) * 2016-07-28 2017-01-04 北京中科三环高技术股份有限公司 一种镀膜方法和镀膜系统及稀土磁体的制备方法
CN106995916A (zh) * 2017-06-01 2017-08-01 南京沪友冶金机械制造有限公司 柔性磁控溅射镀膜横向均匀性控制装置
CN107299315A (zh) * 2017-07-11 2017-10-27 大连交通大学 一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法
CN108138314A (zh) * 2015-09-21 2018-06-08 应用材料公司 基板载体、以及溅射沉积设备和其使用方法
CN109563615A (zh) * 2017-06-28 2019-04-02 株式会社爱发科 溅射装置
CN111074230A (zh) * 2018-10-19 2020-04-28 东泰高科装备科技有限公司 镀膜均匀性在线检测装置、检测方法及镀膜设备

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111286712B (zh) * 2018-12-10 2022-05-17 苏州能讯高能半导体有限公司 一种靶材溅镀设备以及靶材溅镀系统
CN114075650A (zh) * 2020-08-18 2022-02-22 群创光电股份有限公司 曲面基板的镀膜装置及其镀膜方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201534876U (zh) * 2009-09-27 2010-07-28 北京京东方光电科技有限公司 一种平面磁控溅射装置
CN101996919A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 佳能安内华股份有限公司 基板保持设备、掩模定位方法以及真空处理设备
CN103154304A (zh) * 2010-09-30 2013-06-12 佳能特机株式会社 成膜装置
CN103147055A (zh) * 2013-03-04 2013-06-12 电子科技大学 一种直列多靶磁控溅射镀膜装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879827A (en) * 1997-10-10 1999-03-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Catalyst for membrane electrode assembly and method of making
JP5081516B2 (ja) * 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
DE102008059794B3 (de) * 2008-12-01 2010-04-01 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Umkehr der Beschickung von Sputter-Beschichtungsanlagen in Reinräumen, sowie Computerprogramm zur Durchführung des Verfahrens und maschinenlesbarer Träger mit dem Programmcode
CN101988189B (zh) 2009-08-07 2012-10-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置
KR20140116120A (ko) * 2012-01-03 2014-10-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 결정질 실리콘 태양 전지들을 패시베이팅하기 위한 진보된 플랫폼
WO2015042302A1 (en) * 2013-09-20 2015-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with integrated electrostatic chuck

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101996919A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 佳能安内华股份有限公司 基板保持设备、掩模定位方法以及真空处理设备
CN201534876U (zh) * 2009-09-27 2010-07-28 北京京东方光电科技有限公司 一种平面磁控溅射装置
CN103154304A (zh) * 2010-09-30 2013-06-12 佳能特机株式会社 成膜装置
CN103147055A (zh) * 2013-03-04 2013-06-12 电子科技大学 一种直列多靶磁控溅射镀膜装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108138314A (zh) * 2015-09-21 2018-06-08 应用材料公司 基板载体、以及溅射沉积设备和其使用方法
US10586690B2 (en) 2016-04-29 2020-03-10 Boe Technology Group Co., Ltd Magnetron sputtering device, magnetron sputtering apparatus and magnetron sputtering method
CN105803410A (zh) * 2016-04-29 2016-07-27 京东方科技集团股份有限公司 磁控溅射装置、磁控溅射设备及磁控溅射的方法
CN106282948A (zh) * 2016-07-28 2017-01-04 北京中科三环高技术股份有限公司 一种镀膜方法和镀膜系统及稀土磁体的制备方法
CN106282948B (zh) * 2016-07-28 2017-12-01 北京中科三环高技术股份有限公司 一种镀膜方法和镀膜系统及稀土磁体的制备方法
CN106282953A (zh) * 2016-09-20 2017-01-04 江苏阳帆机电设备制造有限公司 一种耐磨线切割钢线的制作方法及制备耐磨线切割钢线用真空涂覆镀膜设备
CN106282953B (zh) * 2016-09-20 2018-12-11 江苏阳帆机电设备制造有限公司 一种耐磨线切割钢线的制作方法及制备耐磨线切割钢线用真空涂覆镀膜设备
CN106995916A (zh) * 2017-06-01 2017-08-01 南京沪友冶金机械制造有限公司 柔性磁控溅射镀膜横向均匀性控制装置
CN109563615A (zh) * 2017-06-28 2019-04-02 株式会社爱发科 溅射装置
CN109563615B (zh) * 2017-06-28 2021-07-30 株式会社爱发科 溅射装置
US11473188B2 (en) 2017-06-28 2022-10-18 Ulvac, Inc. Sputtering apparatus
CN107299315A (zh) * 2017-07-11 2017-10-27 大连交通大学 一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法
CN111074230A (zh) * 2018-10-19 2020-04-28 东泰高科装备科技有限公司 镀膜均匀性在线检测装置、检测方法及镀膜设备

Also Published As

Publication number Publication date
US9934948B2 (en) 2018-04-03
US20160186312A1 (en) 2016-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104404466A (zh) 磁控溅射镀膜方法及系统
JP5859829B2 (ja) 間欠塗工装置
JP5730553B2 (ja) 間欠塗工装置
JP5869601B2 (ja) 蒸着源を検出する装置およびその検出方法
JP2011149104A5 (zh)
CN103879818A (zh) 伺服控制双闭环张力摆辊
US20180209036A1 (en) Sputtering apparatus and target changing device thereof
CN103243302B (zh) 挡板机构、薄膜沉积装置及薄膜沉积方法
JP2011225932A (ja) パターン成膜のためのスパッタリング成膜装置
US20060011470A1 (en) Sputtering magnetron control devices
JP2012102384A (ja) マグネトロンスパッタ装置
CN106929813B (zh) 磁控溅射装置、设备及磁控溅射方法
CN103572240A (zh) 一种镀膜装置
WO2011131137A1 (zh) 磁控溅射设备
JP2020193352A (ja) スパッタ成膜装置及びスパッタ成膜方法
JP5003667B2 (ja) 薄膜の製造方法および薄膜製造装置
JPH1025572A (ja) マグネトロンスパッタ装置
JP7229015B2 (ja) 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
JP2014070240A (ja) 蒸着装置、および、蒸着制御方法
JP2013209690A (ja) スパッタリング装置
CN102400088A (zh) 柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺
CN201545909U (zh) 连续的脉冲激光镀膜装置
JP2014114497A (ja) スパッタ装置
CN205999470U (zh) 遮挡装置及真空溅射机
CN104192891B (zh) 一种卷绕式ito结晶设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150311

RJ01 Rejection of invention patent application after publication