CN104380205A - 投射光刻的投射曝光设备 - Google Patents

Abstract

一种投射光刻的投射曝光设备(1)，包含用于产生照明光(4)的光源(3)。照明光学单元(5)将所述光引导至物场(14)。具有带有至少一个弯曲反射镜的折反射式投射光学单元(11)将所述物场(14)中的物(7)成像至像场(14a)中的基板(13)上。物位移驱动器(7b)和基板位移驱动器(13b)位移所述物(7)和所述基板(13)。补偿装置(43，44)用于补偿所述投射光学单元(11)的像差，其由所述物(7)或所述基板(13)的弓形弯曲导致。补偿装置(43，44)包含波长操纵装置(44)，用于在投射曝光期间操纵所述照明光(4)的波长。由此产生一种投射曝光设备，其中尤其考虑场曲而优化投射光学单元的成像质量。

Description

投射光刻的投射曝光设备

相关申请的交叉引用

通过引用将德国专利申请10 2012 211 256.1的内容并入于此。

技术领域

本发明涉及一种投射光刻的投射曝光设备。本发明另外涉及一种使用这种投射曝光设备制造结构化组件的方法，以及一种根据该方法制造的微结构化或纳米结构化组件。

背景技术

从US 4,811,055 A、WO 2009/030 444 A2、WO 2006/013 100 A2、WO2009/018 911 A1、US 2003/0 133 087 A1和US 2010/0 201 962 A1已知投射光刻的投射曝光设备。US 2008/0 204 682 A1公开了一种曝光方法和曝光设备，以及器件制造方法。US 4,883,352涉及深UV光刻。

发明内容

折反射式投射光学单元使得能够进行高质量的物成像，这在投射曝光期间是需要的。这里，尤其利用具有在DUV(深紫外)范围的波长(即，小于300nm、小于250nm、小于200nm的波长，例如193nm的波长，或者甚至更短波长)的照明光。

这种投射光学单元的成像质量如此高，以至于不可再忽略外部影响，例如重力对要成像的物的形状或对其上应发生成像的基板的影响。尤其是在投射光学单元的竖直设计以及物场和/或像场的相应水平位置的情况中，本身不期望的物和/或基板的弓形弯曲可因重力引起的下垂而发生。该下垂导致以下情况：在实际中，必须成像弯曲的物场，和/或，在实际中，成像需要发生在弯曲的像场上。

不由重力影响但可发生在物(object)上或基板上的拓扑效应也导致物场或像场偏离平面状态，这损害成像质量。

本发明的目的为开发一种投射曝光设备，使得优化投射光学单元的成像质量，尤其是在考虑场曲的情况下。

根据本发明，该目的通过投射光刻的投射曝光设备来实现。该投射曝光设备

-具有用于产生照明光的光源，

-具有用于将照明光引导至物场的照明光学单元，

-具有带有至少一个弯曲反射镜的折反射式投射光学单元，用于将布置在物场中的物成像至布置在像场中的基板，

-具有用于保持物的物保持器，

-具有物位移驱动器，用于在物的投射曝光期间移动物通过物场，

-具有用于保持基板的基板保持器，

-具有基板位移驱动器，用于在投射曝光期间移动基板通过像场，

-具有补偿装置，用于补偿投射光学单元的像差，其由来自包含物场和像场的组的至少一个场的弯曲所导致，

-其中，所述补偿装置包含波长操纵装置，用于在投射曝光期间操纵照明光的波长。

根据本发明已确定：由物场弯曲或像场弯曲、尤其是由物或基板的弓形弯曲导致的像差可通过基于对使用的光波长的修改或操纵的补偿来补偿。在处理中，操作投射曝光设备，使得在操作中修改成像期间的场区，从而投射光学单元的成像能力适配于要成像的物或其上发生成像的基板的当前形状。具有至少一个弯曲的反射镜的折反射式投射光学单元中的照明光的波长的操纵导致匹兹伐(Petzval)和的变化。在良好的近似上，以下适用：

这里，P为折反射式投射光学单元的匹兹伐和，对于其，以下适用：

λ为照明光4的波长，

n_G为折反射式投射光学单元的透镜元件材料的折射率，

n_L为投射光学单元的光学组件之间的折射率，

r₁和r₂为折反射式投射光学单元的相应透镜元件的入射表面和出射表面的顶点半径，以及

r为折反射式投射光学单元的相应反射镜的顶点曲率半径。

上面针对单个材料系统以示例方式呈现了所述公式，即假设所有透镜元件由具有折射率n_G的相同材料制成。当然，替代地，还可将本发明用于具有几个不同透镜元件材料的折反射式投射透镜设计。

因为玻璃的折射率n_G(λ)由于色散而取决于照明光的波长，所以波长操纵装置使得能够接近匹兹伐和的当前值，并因此影响场曲。由于物或基板与平面状态的偏离而导致(尤其是由于重力引起的弓形弯曲产生)的场曲因此可通过波长操纵来补偿。

在下文中，“弓形弯曲(arching)”被理解为表示要成像的物的基础表面或其上应发生成像的晶片的基础表面在光轴方向上的任何偏离。这里，“物的基础表面”被理解为表示承载要成像的结构的表面。

原理上，借助于补偿装置，还可补偿投射光学单元的至少一个光学组件的形状变化，该形状变化具有对场曲的效应。举例而言，这种形状变化可由投射光学单元的折射或反射光学组件因照明光的剩余吸收产生的加热导致。在该情况中，补偿装置还可以较长的时间常数运行，该较长的时间常数与要补偿的效应的时间常数匹配。

折反射式投射光学单元可为光学部件的线性布置或者替代地为折叠的投射光学单元，尤其是靠近光瞳布置正好一个反射镜。举例而言，从US2003/0234912A1已知这种投射光学单元。

已发现使得可以在小于0.1nm的区域中调谐波长的波长操纵装置的实施例足够用于实际需要。这种可调谐性仍位于通常用于DUV投射光刻的气体激光的自然发射带宽中。

使得波长操纵发生在小于1s的时段内的波长操纵装置的实施例使得能够在投射曝光的扫描处理期间进行补偿。举例而言，可在扫描处理开始时设定第一使用光波长，其在扫描处理期间由波长操纵装置以预定方式修改。波长操纵的时间常数还可小于1s，例如0.5s、0.1s或者甚至更短。就使用补偿装置补偿热效应的程度，时间常数也可显著长于1s，例如可以处于一分钟或者甚至更长的区域中。

可基于当前使用的光源来实现作为光源的一部分且包含波长可调谐激光谐振腔的波长操纵装置的实施例。可通过放在激光谐振腔中的光谱选择组件，例如滤波器或光栅，来实现可调谐激光谐振腔的波长可调谐性。替代地，可以通过参量频率转换的方式实现波长可调谐激光谐振腔。

可同样通过光谱选择组件，例如通过滤波器或光栅，来实现包含与光源分离布置的至少一个单元的波长操纵装置。替代地，参量频率转换在该情况中也是可能的。

光源可为气体激光器或固态激光器。在固态激光的情况中，其可为二极管泵浦的固态激光器。

作为具有用于在投射曝光期间位移使用光的波长调谐单元的至少一个位移驱动器的波长操纵装置的实施例的结果，可利用波长操纵装置来实现适应性(adaptive)频率转换。取决于位移驱动器预定的波长操纵装置的位置而产生不同的预定使用光波长。

除了波长操纵装置外，补偿装置也可包含至少一个位移操纵器，用于在投射曝光期间位移来自以下组的至少一个光学元件：物、基板和投射光学单元的至少一个光学组件。还可通过适当的位移操纵器来位移物或基板。尤其是，可提供几个位移操纵器。位移操纵器的典型位移路径可小于50μm。相应位移操纵器例如可由压电致动器来实现。

在仅沿着光轴的位移中，位移操纵器被配置为仅沿着投射光学单元的光轴位移相应组件，已发现仅沿着光轴的位移尤其适合用于补偿取决于场弓形弯曲的像差。

就投射光学单元的物场被离轴布置的程度，即就用于描述反射镜表面的形状的参考轴不穿过物场的程度，也可预定像场相对于未倾斜的原始位置的倾斜。这可实现关于像场中心的对称场弓形弯曲，像场同样是离轴的。

已发现仅投射光学单元的折射光学组件具有位移操纵器的位移操纵器布置是特别适合的。

适合用于根据本发明的投射曝光设备中的、用于将布置在物场中的物成像至布置在像场中的基板上的、具有至少一个弯曲反射镜的折反射式投射光学单元可用作位移投射光学单元，用于不能进行场弯曲补偿的已有投射光学单元。投射光学单元可包含补偿装置，其具有至少一个位移操纵器，用于在投射曝光期间位移投射光学单元的至少一个光学组件。所述至少一个位移操纵器可配置为如上文在根据本发明的投射曝光设备的上下文中所说明。可以仅投射光学单元的折射光学组件具有位移操纵器。

用于制造结构化组件的方法，以及根据该方法制造的微结构化组件或纳米结构化组件的优点对应于上文参考根据本发明的投射曝光设备所说明的优点。所述方法包含以下方法步骤：

-提供掩模母版和晶片，

-借助于根据本发明的投射曝光设备，将掩模母版上的结构投射至晶片的光敏层上，

-借助于物位移驱动器和基板位移驱动器的相应致动，在投射曝光期间同步扫描掩模母版和晶片，

-借助于补偿装置，在扫描期间再调节投射曝光设备，

-在晶片上产生微结构和/或纳米结构。

附图说明

在下文，基于附图将更详细地说明本发明的示例性实施例。具体地：

图1示意性地示出用于微光刻的投射曝光设备的光学主要组的子午截面；

图2示出投射曝光设备的折反射式投射光学单元(即，具有透镜元件和反射镜)的更详细的子午截面；

图3示出投射光学单元的物场区域中的掩模母版形式的物的视图，其中物的弓形弯曲以夸大方式示出；

图4示出根据图2的投射光学单元的像场的大大放大的平面图；

图5示出投射曝光设备的光源的自然发射带宽的图，其具有关于两个不同中心波长λ1、λ2的两个使用的发射带宽，它们以示例性方式示出并可选地可被调节；

图6示出具有腔内布置的(即，在谐振腔中)波长调谐单元的可调谐激光谐振腔形式的光源的实施例；

图7以类似于图6的示图示出光源的另一实施例，同样为具有用于调谐使用的发射波长的外部波长调谐单元的激光谐振腔形式；以及

图8示出根据图2的投射光学单元的剩余像差的直方图，其被显示为使用条纹(Fringe)分类的泽尼克多项式的展开，其中直方条高度示出相应泽尼克多项式的贡献的相对度量。

具体实施方式

在投射曝光设备1的光学主要组方面，在图1的子午截面中示意性地示出投射曝光设备1。该示意图示出作为折射光学元件的光学主要组。然而，光学主要组可仅容易地实施为衍射或反射组件，或为折射/衍射/反射的光学组件集合的组合或子组合。

为了简化位置关系的图示，下面利用xyz坐标系统。图1中，x轴垂直于附图平面延伸并进入该平面。y轴在图1中向上延伸。图1中，z轴向右且平行于投射曝光设备1的光轴2延伸。如果需要，该光轴2还可被折叠几次。

投射曝光设备1包含光或辐射源3，其产生照明或成像光束4形式的使用光。使用光4具有在深紫外范围(DUV)的波长，例如在100nm和200nm之间的范围中，例如193nm。

投射曝光设备1的照明光学单元5将来自辐射源3的使用光4引导至投射曝光设备1的物平面6。要通过投射曝光设备1成像的掩模母版7形式的物布置在物平面6中。图1中，掩模母版7以虚线方式示出。掩模母版7由物保持器形式的保持装置7a(比较图2)保持。物保持器7a机械地连接至物位移驱动器7b(比较图2)。通过物位移驱动器7b，在物或掩模母版7上的掩模母版部分的投射曝光期间在物平面6中位移掩模母版7。因此，可通过物位移驱动器7b进行控制的扫描位移。

第一光学主要组，照明光学单元5最初包含光瞳成形光学单元8。光瞳成形光学单元8用于在下游的光瞳平面9中产生使用光4的限定的强度分布。此外，光瞳成形光学单元8也充当用于规定不同的照明设定的设定装置。例如包含可调光学组件或可替换光阑的相应设定装置对本领域技术人员而言是已知的。光瞳成形光学单元8将多个二次光源形式的辐射源3成像至光瞳平面9中。光瞳成形光学单元8还可附加地具有场成形功能。分面(facet)元件、蜂巢(honeycomb)元件和/或衍射光学元件可用于光瞳成形光学单元8中。光瞳平面9与投射曝光设备1的投射镜头11的另一光瞳平面10光学共轭。投射镜头11布置在照明光学单元5的下游，在物平面6和像平面12之间。基板或晶片13布置在像平面12中并以虚线方式示于图1中。晶片13由基板保持器形式的保持装置13a保持。基板保持器13a连接至基板位移驱动器13b。通过基板位移驱动器13b，继而可与通过物位移驱动器7b的物位移同步地进行晶片13的控制的扫描位移。

物平面6中的物场14通过投射镜头11成像至像平面12中的像场14a。在投射曝光期间，掩模母版7的要曝光的相应部分被位移通过物场14，晶片13的要曝光的相应部分被位移通过像场14a。

物场14和像场14a被离轴布置。因此，光轴2与物场14和像差14a都不相交。

图4在与图2相比非常放大的平面图中示出像场14a。还示出围绕光轴2的圆E，其中内接像场14a。图4阐明像场14a的离轴布置。在x方向，像场14a具有范围26mm。在y方向，像场14a具有范围5.5mm。圆E具有16mm的半径R。

像场14a为矩形。

作为照明光学单元5的另一光学主要组的场透镜元件组15布置在光瞳平面9的下游，光瞳平面9布置在光瞳成形光学单元8的后面。布置在场透镜元件组15后面的是中间像平面16，其与物平面6光学共轭。场透镜元件组15因此构成聚光器组。用于预定物场14的外围界限的光阑17位于中间像平面16中。光阑17还称为REMA(掩模母版遮蔽)光阑(用于缩小掩模母版7的系统)。

中间像平面16通过透镜组18成像至物平面16，透镜组18还称为REMA透镜元件组。透镜组18构成照明光学单元5的另一光学主要组。

图2更详细地示出投射光学单元11的折反射设计。与上文参考图1所说明的组件对应的组件由相同参考符号指示，并将不再详细说明。图2示出使用光4的成像光路，其从上边缘场点和下边缘场点出发，分别示出了主光线19和慧差或边缘光线20。

在使用光4的成像光路中，三个透镜元件21、22和23首先布置在物场14下游。三个透镜元件中的每一个分别具有位移操纵器24、25、26，用于沿z轴，即沿光轴2位移透镜元件。物位移驱动器7b使得掩模母版7能够沿z轴位移。基板位移驱动器13b使得基板13能够沿z轴位移。

平面平行板27在使用光4的成像光路中布置在透镜元件13的下游，该平面平行板布置在投射光学单元11在物平面6之后的第一光瞳平面的区域中。两个另外的透镜元件28、29在使用光14的成像光路中布置在平面平行板27的下游。透镜元件28继而连接至z位移操纵器30。

具有两个反射镜M1、M2的反射镜组布置在投射光学单元11的透镜元件29的下游，所述反射镜根据成像光路中它们被照射的顺序来编号。两个反射镜M1和M2为凹反射镜。

投射光学单元11的中间像平面位于反射镜组前面的最后一个透镜元件29和反射镜M1之间的光路中。投射光学单元11的另一个光瞳平面位于两个反射镜M1和M2之间的光路中。投射光学单元11的另一个中间像平面在使用光14的光路中布置在反射镜M2下游。

投射光学单元11的另外的透镜元件31、32、33、34、35、36、37、38和39在使用光4的成像光路中布置在该另一个中间像平面的下游。投射光学单元11的另一个光瞳平面40布置在透镜元件36和37之间的光路中。这里，光瞳40a确保边缘光瞳界限。

透镜元件31和36继而分别连接至z位移操纵器41、42。

像场14a之前的最后一个透镜元件39为浸没透镜元件。液体层(例如如水层)布置在该最后一个透镜39的出射面和晶片13之间。

投射光学单元11的像场侧数值孔径为1.35。成像比例为β＝-0.25。投射光学单元11因此提供因子为4的缩小率。

下表示出图2所示的投射曝光设备的设计数据。从物平面6开始，第一表在第一列“表面”中示出投射光学单元11(即透镜元件21、22、23、平面平行板27(表面7和8)、透镜元件28和29、反射镜M1和M2(表面13和14)、以及透镜元件31至39)的光学表面(从左至右编号)。表面27表示透镜元件36和37之间的光瞳平面40的位置。表面0和34表示物平面6和像平面12。

列“曲率半径”再现相应光学表面的曲率半径。列“厚度”再现相应光学表面至随后的光学表面的距离。

列“材料”提供关于使用的透镜元件材料的信息和关于填充在光学组件之间的清洁气体的信息。清洁气体为大气压下的氮。在透镜元件39的出射表面(表面33)和像平面12(表面34)之间，存在水(H₂O)作为浸没液体。

列“折射率”指定对于使用光14的各种波长的材料的折射率。这些波长为193.380nm(折射率1)、193.280nm(折射率2)以及193.480nm(折射率3)。

列“半径”再现相应光学组件的净直径的一半。

透镜元件21的出射表面(表面2)、透镜元件22的入射和出射表面(表面3和4)、透镜元件23的出射表面(表面6)、透镜元件28的出射表面(表面9)、透镜元件29的入射和出射表面(表面11和12)、反射镜表面(表面13和14)、透镜元件31的入射和出射表面(表面15和16)、透镜元件32的出射表面(表面17)、透镜元件23的出射表面(表面20)、透镜元件34和35的入射和出射表面(表面21至24)、透镜元件36的出射表面(表面26)、透镜元件37的出射表面(表面29)以及透镜元件38的出射表面(表面31)实施为根据以下非球面透镜元件公式的非球面：

$p\left(h\right)=\frac{\mathrm{\ρ}{h}^2}{1+\sqrt{1-(1+K){\mathrm{\ρ}}^2{h}^2}}+C4\·h^4+C6\·h^6+C8\·h^8+....$

这里，ρ＝1/r为非球面透镜元件的顶点的表面曲率。h为非球面透镜元件的光学表面上的点离光学表面的旋转对称轴的距离，该轴还称为光轴，其在z方向上延伸。矢高p(h)为距离旋转对称轴具有距离h(h²＝x²+y²)的观察点与非球面透镜元件的光学表面的顶点(即，光学表面上h＝0的点)之间的z距离。系数C4等属于h的其它偶次幂，从h⁴开始且包括h⁴。

下表示出系数K和C4至C8，它们分别被插入到该非球面透镜元件等式中，以获得相应的非球面光学表面。

表面NO.2

表面NO.3

表面NO.4

表面NO.6

表面NO.9

表面NO.11

表面NO.12

表面NO.13

表面NO.14

表面NO.15

表面NO.16

表面NO.17

表面NO.20

表面NO.21

表面NO.22

表面NO.23

表面NO.24

表面NO.26

表面NO.29

表面NO.31

实际上，投射光学单元11可容纳在投射曝光设备1中，使得z轴在竖直方向上延伸。这里，像平面12通常布置在物平面6下方。在该情况中，掩模母版7或晶片13可因重力而下垂d，这在用于掩模母版7的图3中示意性地且以非常放大的方式示出。

作为下垂效应的替代，或其附加，还可有掩模母版7或晶片13因掩模母版和晶片抛光与期望的平面结果的偏离而产生的弓形弯曲或不平坦。晶片的这种抛光不平坦可主要由倾斜以及由像场14a的弯曲(弓形弯曲)表示。可通过倾斜保持装置13a而补偿晶片13的倾斜。

物位移驱动器7b和基板位移驱动器13b的z操纵器以及z位移操纵器24、25、26、30、41和42为用于补偿像差的补偿装置的位移补偿模块43的组件，该像差由掩模母版7或晶片13的弓形弯曲引起，例如由重力影响产生的下垂d导致。

补偿装置还包括波长操纵装置44，用于在投射曝光期间，即在扫描操作期间操纵使用光14的波长，在扫描操作期间，掩模母版7和晶片13的部分分别被分别扫描通过物场14和像场14a，并且在该过程中，掩模母版7的分别曝光的部分上的结构被转印至晶片13上。波长操纵装置44配置为使得提供使用光或照明光4的波长在小于0.1nm的区域中的可调谐性。波长操纵装置44配置为使得使用光4的波长的可调谐性可发生在1s的时段内或者甚至更快。

图5以示例性方式示出实施为激光器的光源3的自然发射带宽45。在该情况中，光源尤其为气体激光器。通过光谱选择，例如通过滤波器或光栅，在自然发射带宽45中选择分别利用的使用光4的波长。图5以示例性方式示出以两个不同波长λ1和λ2为中心的两个选择性可用的发射带宽46、47，它们可经由光谱选择而在自然发射带宽45中选择。光谱选择可配置为使得可以在自然发射带宽45中进行使用光波长的连续选择。

图6和7示出用于作为波长操纵装置44的组件的调谐单元的两个示例。两个谐振器反射镜48、49和激光有源介质50被分别示为光源3的组件。图6和7中右侧的谐振器反射镜49实施为用于使用光波长的部分透射反射镜，使得使用光4穿过该谐振器反射镜49。

在根据图6的实施例中，例如可设计为滤波器或光栅的波长操纵装置44的调谐单元51被布置在腔内(intra-cavity)，即在谐振器反射镜48、49之间的光路中。

可借助于位移驱动器52位移腔内调谐单元51。取决于腔内调谐单元51的位置，腔内调谐单元51选择激光有源介质50的自然发射带宽45中的不同使用光波长。这产生对使用光4的波长限定。

在根据图7的实施例中，波长操纵装置44的调谐单元53被布置在腔外(extra-cavity)，即在具有谐振器反射镜48、49的谐振腔的外部。因此，激光发射光起初穿过具有自然发射带宽45的部分透射谐振器反射镜49。接着，根据腔外调谐单元53的位置，可以通过腔外调谐单元53从自然发射带宽45中选择使用光波长，该腔外调谐单元53依次连接到位移驱动器54。继而，具有所选使用光波长的使用光4可用于调谐单元53下游的发射光的光路中。

与波长操纵装置44(即例如位移驱动器52和54)一样，z位移操纵器7b、24、25、26、30、41、42和13b也通过信号连接至中央控制装置55(比较图2)，连接方式未详细示出。这里，z位移操纵器7b、24、25、26、30、41、42和13b以及波长操纵装置44同时移动且关于彼此有固定的预定关系，以能够以有目标的方式影响场曲。

在投射光学单元的其它实施例中，其它光学组件也可装配有位移操纵器，例如除了透镜元件21、22、23、28、31和36之外的其它透镜元件以及尤其是反射镜M1和M2。

在下文中，描述用于操作具有波长操纵装置44和位移补偿模块43的补偿装置的示例性数据。由于重力、尤其因掩模母版7或晶片13下垂(即所述示例性实施例中掩模母版7在z方向上的下垂d)产生的场弓形弯曲通过在扫描曝光期间进行以下操纵而得到补偿。

位移值涉及在正z方向上的位移。由于位移值，像场14a弯曲为使得像场14a的位于圆E上的角相对于光轴2穿过像平面12的穿透点的像位置在z方向上离焦128nm。因此，照明光4的波长在扫描曝光期间被修改0.01396nm。举例而言，中心波长在扫描曝光期间从193.380nm增加至193.39396nm。

下垂d尤其导致掩模母版7的曲率在投射曝光期间要进行的y方向上的扫描路径上改变，实际要成像的物部分因此具有随时间变化的物曲率，其被相应转化为像曲率。具有位移补偿模块43和波长操纵装置44的补偿装置用于通过取决于掩模母版7的相应扫描位置的适应性校正来补偿变化的物曲率的该影响。这通过匹兹伐校正来实现，其中通过波长操纵来使用折反射式投射光学单元的匹兹伐和的波长依赖性。

通过上述波长和位移操纵来操纵场曲，其中，晶片13区域中的场在像场14a的最外角中在z方向上偏移128nm。

图8示出投射光学单元11的最大剩余波前误差，其被显示为与没有场曲的未干扰变化的区别。在各情况中所示的为代表性场点上的根据条纹-泽尼克多项式的展开的最大值。相应泽尼克多项式的实际数学形式与删减版本ZX(例如，Z3、Z11)之间的关联例如规定在CodeV，版本10.4，参考手册第C-6页中。变得清楚的是，分别为小于3nm的剩余误差比由场曲导致的z偏移小了大大超过一个数量级，该z偏移(如已显示的)为128nm。

具有波长操纵装置44的光源3的另一实施例可包含固态激光器，例如钛宝石激光器或钕基固态激光器(例如，Nd:YAG)或Ce掺杂激光材料(e.g.Ce:LISAF)，其中，通过参量频率转换实现用于投射曝光所需的波长范围的调谐单元。这里，固态激光器的激光基频尤其可为双频，三频或四频。可借助于光学参量和频产生、光学参量差频产生或光学参量振荡器来实现较大的调谐范围。用于参量频率转换的材料为非线性晶体，其具有取决于不同晶轴(也称为光轴)的不同折射率。本领域技术人员知道缩写为BBO(β-硼酸钡)、LBO(硼酸锂)、KTP(磷酸钾)、LiNbO₃(铌酸锂)的合适晶体。

借助于投射曝光设备1将掩模母版7的至少部分成像至晶片13上的光敏层的区域中，用于微结构化或纳米结构化组件的光刻制造。这里，在扫描器操作期间，掩模母版7和晶片13以时间同步的方式在y方向上连续位移。

Claims (13)

1.投射光刻的投射曝光设备(1)，

-具有用于产生照明光(4)的光源(3)，

-具有用于将所述照明光(4)引导至物场(14)的照明光学单元(5)，

-具有带有至少一个弯曲反射镜(M1，M2)的折反射式投射光学单元(11)，用于将布置在所述物场(14)中的物(7)成像至布置在像场(14a)中的基板(13)上，

-具有用于保持所述物(7)的物保持器(7a)，

-具有物位移驱动器(7b)，用于在所述物(7)的投射曝光期间位移所述物(7)通过所述物场(14)，

-具有用于保持所述基板(13)的基板保持器(13a)，

-具有基板位移驱动器(13b)，用于在所述投射曝光期间位移所述基板(13)通过所述像场(14a)，

-具有补偿装置(43，44)，用于补偿所述投射光学单元(11)的像差，所述像差由来自包含以下的组的场中的至少一个的曲率所导致：

--物场(14)，以及

--像场(14a)，

-其中，所述补偿装置(43，44)包含波长操纵装置(44)，用于在所述投射曝光期间操纵所述照明光(4)的波长。

2.根据权利要求1所述的投射曝光设备，其特征在于，所述波长操纵装置(44)配置为使得所述波长能够在小于0.1nm的区域中调谐。

3.根据权利要求1或2所述的投射曝光设备，其特征在于，所述波长操纵装置(44)配置为使得波长操纵发生在小于1s的时段内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的投射曝光设备，其特征在于，所述波长操纵装置(44)为所述光源(3)的部分。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的投射曝光设备，其特征在于，所述波长操纵装置(44)包含波长可调谐激光谐振腔(48，49)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的投射曝光设备，其特征在于，所述波长操纵装置(44)包含与所述光源(3)分离布置的至少一个单元(53，54)。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的投射曝光设备，其特征在于，所述波长操纵装置包含至少一个位移驱动器(52；54)，用于在所述投射曝光期间位移用于所述使用光(4)的波长调谐单元(51；53)。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的投射曝光设备，其特征在于，所述补偿装置(43，44)包含至少一个位移操纵器(7b，24，25，26，30，41，42，13b)，用于在所述投射曝光期间位移来自以下组的至少一个光学组件：

-所述物(7)，

-所述基板(13)，

-所述投射光学单元(11)的至少一个光学组件(21，22，23，28，31，36)。

9.根据权利要求8所述的投射曝光设备，其特征在于，所述位移操纵器(7b，24，25，26，30，41，42，13b)配置为仅沿所述投射光学单元(11)的光轴(2)位移相应组件(7，13，21，22，23，28，31，36)。

10.根据权利要求8或9所述的投射曝光设备，其特征在于，仅所述投射光学单元(11)的折射光学组件(21，22，23，28，31，36)具有位移操纵器(24，25，26，30，41，42)。

11.一种折反射式投射光学单元(11)，具有至少一个弯曲反射镜(M1，M2)，用于将布置在物场(14)中的物(7)成像至布置在像场(14a)中的基板(13)上，其适合用于根据权利要求1至10中任一项的投射曝光设备中。

12.用于制造结构化组件的方法，包含以下方法步骤：

-提供掩模母版(7)和晶片(13)，

-借助于根据权利要求1至10中任一项的投射曝光设备，将所述掩模母版(7)上的结构投射至所述晶片(13)的光敏层上，

-借助于所述物位移驱动器(7b)和所述基板位移驱动器(13b)的相应致动，在所述投射曝光期间同步扫描所述掩模母版(7)和所述晶片(13)，

-借助于所述补偿装置(43，44)，在所述扫描期间再调节所述投射曝光设备(1)，

-在所述晶片(13)上产生微结构和/或纳米结构。

13.根据权利要求12的方法制造的结构化组件。