CN104375694B - Cu合金靶用材料、Cu合金靶、Cu合金膜及触摸面板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及Cu合金靶用材料、Cu合金靶、Cu合金膜及触摸面板。涉及具备以下的特征的Cu合金靶用材料：(1)前述Cu合金靶用材料含有0.1～10.0at％的Zn，进而含有总含量为0.1～6.0at％的选自由Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn、Ni和B组成的组中的至少一种元素，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成；以及(2)前述Cu合金靶用材料被用于靶，该靶用于将触摸面板的传感器电极和/或布线中使用的Cu合金膜形成于基板上。

Description

Cu合金靶用材料、Cu合金靶、Cu合金膜及触摸面板
技术领域
本发明涉及Cu合金靶用材料、Cu合金靶、Cu合金膜和触摸面板，更具体而言，涉及用于制造电阻率低、与树脂基板的附着性优异的Cu合金膜的 Cu合金靶用材料和Cu合金靶、以及使用这种Cu合金靶制造的Cu合金膜和触摸面板。
背景技术
通过配置于画面显示装置的前面的传感器而能够在图像显示画面内输入的触摸面板，由于使用方便性良好，除了银行的ATM、售票机、导向系统、PDA、复印机的操作图像等之外，近年还广泛用于各种画面装置，甚至是便携式电话、平板电脑(tablet PC)。作为其方式，可列举出电阻膜方式、静电电容方式、光学式、超声波表面弹性波方式、压电方式等。它们之中，静电电容方式由于能够实现多点触摸、响应性优异、低成本性等而被用于便携式电话、平板电脑等。
静电电容方式的触摸面板传感器形成介由玻璃基板、薄膜基板、有机膜、 SiO2膜等两种透明导电膜(传感器)正交的结构。尤其是，聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等树脂系薄膜基板在操作的容易程度方面优异。通过使手指靠近，作为传感器的导电膜之间的静电电容变化，所触摸的部位被检测到。对于透明导电膜而言，电阻率的高低、和与底层的基板的附着成为问题。
现状的透明导电膜由于电阻率大，因此难以实现画面大型化。这是由于，以相同的电阻率将画面大型化时，检测到源自透明导电膜的静电电容的变化的时间延长。
另外，对于通过透明电极形成的传感器，由于除了透明电极层之外，还需要重复密合层、导电层、保护层的成膜和蚀刻，成膜装置的限制和工时的复杂化成为问题，因此成本升高，另外对制造厂商也带来大的限制。
进而，氧化铟锡(ITO)由于价格昂贵而要求廉价的材料系。
因此，可以兼具传感器和导电层的作用的合金膜得到关注。其替代透明导电膜，通过将合金膜成膜，使图像显示装置前面的部分形成肉眼看不到程度的线宽(网状图案)，同时承担作为替代透明电极的传感器和导电层的作用。若为与基板的附着性优异的合金，则也无需密合层，能够通过合金一层的成膜和蚀刻来制造，因此可以大幅缩短制造工序。
作为网状的金属，可列举出Ag、Al、Cu系的金属和合金。对于Ag而言，材料成本高成为问题，Al电阻率高于Ag、Cu。另外，难以通过热处理实现反射率的降低。进而，关于Cu，与基板的附着性成为问题。另外，对于Cu 合金而言，通过添加元素某种程度上能够实现附着性的提高，但是若向Cu 添加合金元素则电阻率大幅增大。
专利文献1～5中提出了附着性优异的Cu合金。但是，它们为对于玻璃基板、ITO等氧化物、Si等半导体、陶瓷的附着性，完全没有记载对于树脂系薄膜(PET等)的附着性。
专利文献6中，作为触摸面板用布线膜，提出了与透明电极的附着性高的Cu合金。但是，没有记载Cu合金一层化所需要的对树脂系薄膜(PET等)的直接成膜。另外，专利文献6中，优选电阻率为11.0μΩ·cm以下，但是为了用作传感器电极而细线化至10μm以下的宽度，因此必须达成进一步低的电阻率。需要兼具低电阻率和对树脂系薄膜(PET等)的附着性的成分。
另外，非专利文献1中虽然进行了对玻璃基板的附着性高的Cu合金的研究，但是此处没有记载与树脂系薄膜(PET等)的附着性。
进而，为了抑制由于进入到触摸面板的画面的自然光、电灯等的光的反射所导致的闪烁，需要使传感器电极在制造工序内氧化而消除金属光泽，降低光的反射率，但是没有关于经过氧化时的金属光泽的记载。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2007-017926号公报
[专利文献2]日本特开2008-124450号公报
[专利文献3]日本特开2009-185323号公报
[专利文献4]日本特开2010-248619号公报
[专利文献5]日本特开2010-258346号公报
[专利文献6]日本特开2013-119632号公报
[非专利文献]
[非专利文献1]日本金属学会誌(日本金属学会志)、第72卷、第9号、 (2008)、p.703-707、藤田晋吾、加藤量裕、高山新司
发明内容
发明要解决的问题
本发明要解决的问题在于，提供维持低电阻率的同时，与树脂系薄膜、玻璃基板等触摸面板的传感器基板的附着性优异，光的反射率也低，作为触摸面板的传感器电极、布线合适的Cu合金膜。
另外，本发明要解决的另一问题在于，提供用于制造这种Cu合金膜的 Cu合金靶用材料和Cu合金靶。
进而，本发明要解决的又一问题在于，提供使用了这种Cu合金膜的触摸面板。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明的Cu合金靶用材料的主旨在于，具备以下的特征。
(1)前述Cu合金靶用材料含有0.1～10.0at％的Zn，进而含有总含量为0.1～6.0at％的选自由Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn、Ni和B组成的组中的至少一种元素，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成。
(2)前述Cu合金靶用材料被用于靶，该靶用于将触摸面板的传感器电极和/或布线中使用的Cu合金膜形成于基板上。
本发明的Cu合金靶可使用本发明的Cu合金靶用材料制作。
本发明的Cu合金膜使用本发明的Cu合金靶形成于前述基板上。
进而，本发明的触摸面板的主旨在于，具备本发明的Cu合金膜。
发明的效果
使用含有规定量的Zn和规定量的(Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn、Ni、B)的 Cu合金靶，将Cu合金膜成膜，并在规定条件下对Cu合金膜进行热处理时，能够得到电阻率相对小，与树脂基板(特别是PET薄膜基板)、玻璃基板的附着性优异，并且反射率也低的Cu合金膜。
附着性提高认为是由于，通过热处理，在与基板的界面附近形成了含有更多的Zn和Mg等的富集层。
电阻率的升高受到抑制认为是由于，富集层的形成中没有消耗的Zn与 Mg等在Cu基体中形成金属间化合物，Cu基体中的固溶元素量降低。
进而，反射率降低认为是由于，通过热处理，在Cu合金膜表面形成了含有Mg等的氧化膜。
具体实施方式
以下对本发明的一实施方式进行详细说明。
[1.Cu合金靶用材料和Cu合金靶]
本发明的Cu合金靶用材料和使用了其的Cu合金靶含有以下的元素，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成。添加元素的种类、其成分范围和其限定理由如以下所述。
[1.1.构成元素]
(1)0.1≤Zn≤10.0at％：
Zn不会显著增大Cu合金膜的电阻率，具有提高与树脂系薄膜、玻璃基板等触摸面板传感器的基板(以下有时仅称为基板)的附着性的效果。
为了得到这种效果，Zn含量需要为0.1at％以上。Zn含量更优选为0.6at％以上，进一步优选为2.0at％以上。
另一方面，若Zn含量过量则电阻率过高。因此，Zn含量需要为10.0at％以下。Zn含量更优选为6.0at％以下，进一步优选为5.0at％以下。
Zn含量特别优选为2.0≤Zn≤6.0at％。
(2)0.1≤Mg+Cr+Ca+Ti+Al+Sn+Ni+B≤6.0at％：
Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn、Ni和B(以下也将它们总称为“附着性提高元素M”)都有助于Cu合金膜的附着性提高和反射率降低。为了得到这种效果，M的总含量需要为0.1at％以上。M的总含量进一步优选超过0.5at％。最优选为1.0at％以上。
另一方面，若M的总含量过量，则电阻率过高，另外导致热加工性的降低。因此，M的总含量需要为6.0at％以下。M的总含量进一步优选为4.0at％以下。
特别优选为2.0≤Zn≤6.0at％、且1.0≤M≤6.0at％。
需要说明的是，Cu合金靶中可以含有它们之中的任意一种附着性提高元素M，或者也可以含有两种以上。
[1.2.成分平衡]
(1)M/Zn比：
附着性提高元素M具有在热处理时在与基板的界面附近形成含有更多的Zn和M的富集层的作用。另外，富集层的形成中没有消耗的M与Zn形成化合物。
若M的总含量与Zn含量相比过量，则富集层、化合物的形成中没有消耗的M残留于Cu基体中。若M的残留量过量则Cu基体的电阻率增大。
为了抑制Cu合金膜的电阻率的增大，附着性提高元素M的总含量(at％) 与Zn含量(at％)之比(＝M/Zn比)优选为2.0以下。M/Zn比进一步优选为0.5以下。
[1.3.用途]
本发明的Cu合金靶用材料和Cu合金靶用于形成触摸面板的传感器电极和/或布线中使用的Cu合金膜。另外，Cu合金膜包括形成于基板上的Cu合金膜。
使用本发明的Cu合金靶形成的Cu合金膜对于基板(特别是PET薄膜基板) 的附着性高。因此，在基板与Cu合金膜之间无需形成用于提高两者的附着性的金属层(密合层)，可以在基板的表面直接形成Cu合金膜。
[2.Cu合金靶用材料和Cu合金靶的制造方法]
本发明中，对Cu合金靶用材料和Cu合金靶的制造方法没有特别限定。
例如，靶材料可以通过以形成规定组成来配混原料，将配混物熔解-铸造来制造。配混物的熔解-铸造方法及其条件没有特别限定，可以根据目的使用各种方法和条件。
另外，由如此得到的靶材料制造靶的情况下，对于铸锭进行热加工和/ 或冷加工。加工方法及其条件没有特别限定，可以根据目的使用各种方法和条件。
[3.Cu合金膜]
关于本发明的Cu合金膜，使用本发明的Cu合金靶形成于基板上。下文对Cu合金膜的成膜方法进行详细说明。
[3.1.富集层]
本发明的Cu合金膜优选在与基板的界面附近具备富集层。“富集层”指的是作为后文所述的热处理后形成于与基板的界面附近的层，并且Zn以及附着性提高元素M的总含量增加到热处理前的1.5倍以上的区域。
对于仅含有Zn的Cu合金膜，即使进行热处理，Zn也几乎不会扩散，不会在界面附近形成富集层。另一方面，若对于含有Zn和M的Cu合金膜进行热处理，则M扩散到界面附近。与此同时，Zn也扩散到界面附近。其结果，在界面附近形成与热处理前相比含有更多的Zn和M的富集层。
[3.2.附着性]
形成于与基板的界面的富集层含有大量的与氧的亲和力大的Zn。因此，若形成富集层，则Cu合金膜与基板之间的附着性提高。
若将添加元素的含量和热处理条件最优化，则与基板的附着性为根据JIS K5600-5-6：1999规定的分类0～3。若将制造条件进一步最优化，则附着性为根据同样标准规定的分类0～2或分类0～1。
需要说明的是，本说明书中，将JIS K5600-5-6：1999的内容作为参照引入于此。
[3.3.电阻率]
Zn虽然增大Cu合金膜的电阻率的效果小，但是若过量添加则成为增大 Cu合金膜的电阻率的原因。
另一方面，附着性提高元素M增大Cu合金膜的电阻率的效果都大。但是，若同时添加M和Zn则热处理时形成富集层的同时，富集层的形成中没有消耗的M与Zn形成化合物，Cu基体中的这些元素的固溶量减少。其结果，可以在维持高的附着性的基础上抑制Cu合金膜的电阻率的增大。
对于传感器电极而言，要求即使线宽为10μm以下时响应性也高、并且电阻发热损失低。为此，作为传感器电极的Cu合金膜的电阻率优选为8.0μΩ·cm以下。
本发明的Cu合金膜尽管含有相对多的量的添加元素，电阻率也小。若将制造条件最优化，则热处理后的Cu合金膜的电阻率为6.0μΩ·cm以下或5.0μΩ·cm以下。
[3.4.反射率]
在将Cu合金膜成膜后，若在氧化气氛下进行热处理，则在界面附近形成富集层的同时，在Cu合金膜表面形成氧化膜。即使在后述的条件下对Cu-Zn 膜进行热处理，也难以形成氧化膜，残留金属光泽。在残留金属光泽的状态下，源自外部的光被传感器电极用的Cu合金膜反射，难以看到画面。
与此相对，若将含有Zn和M的Cu合金膜在氧化气氛下进行热处理，则在 Cu合金膜的表面形成含有M的氧化膜，反射率降低。若将制造条件最优化，则热处理后的Cu合金膜的反射率为50％以下、30％以下或15％以下。
[3.5.Cu合金膜以外的金属层]
本发明中，关于Cu合金膜，需要通过富集层确保与基板的附着性的同时，通过将对电极的表面氧化来降低反射率。另一方面，若在与基板侧对电极存在Cu合金膜以外的金属层，则阻碍通过表面氧化实现的反射率的降低。因此， Cu合金膜以外的金属层优选为10nm以下。Cu合金膜以外的金属层进一步优选为1nm以下。传感器电极、布线优选仅由Cu合金膜形成。
[3.6.基板]
本发明的Cu合金膜形成于基板上。基板的材料没有特别限定，可以使用各种材料。
作为基板的材料，例如有聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)等的树脂基板。
作为树脂基板，特别是优选为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜基板。这是由于操作特别容易。
作为玻璃基板，可以使用钠钙玻璃、TEMPAX Glass、PYREX(注册商标) 玻璃、石英玻璃等。
[4.Cu合金膜的制造方法]
本发明的Cu合金膜的制造方法具备成膜工序和热处理工序。
[4.1.成膜工序]
首先，使用本发明的Cu合金靶将Cu合金膜成膜于基板上(成膜工序)。
本发明中，成膜方法没有特别限定，优选通过溅射法成膜。作为溅射法，可以采用DC溅射法、RF溅射法、磁控溅射法、反应性溅射法等中的任一种溅射法，其形成条件适当设定即可。
[4.2.热处理工序]
接着将所成膜的Cu合金膜在氧化气氛下进行热处理(热处理工序)。由此，在Cu合金膜与基板的界面附近形成富集层的同时，在Cu合金膜的表面形成氧化膜。
若热处理温度过低，则富集层的形成和氧化膜的形成变得不充分。因此，热处理温度优选为50℃以上。热处理温度更优选为70℃以上，进一步优选为 100℃以上。
另一方面，若热处理温度过高则基板熔解。因此，热处理温度需要低于基板的熔点。
最优的热处理温度根据基板的材料不同而异。例如PET薄膜基板的情况下，热处理温度优选为320℃以下。热处理温度更优选为250℃以下，进一步优选为200℃以下。
热处理时的气氛若为能够形成可以降低反射率的程度的氧化膜的氧化气氛即可。热处理通常在大气中进行。
对于热处理时间，若为能够形成可以提高附着性的程度的富集层、并且能够形成可以降低反射率的程度的氧化膜的时间即可。通常热处理温度越高则可以在越短的时间内形成目的的富集层和氧化膜。最优的热处理时间根据Cu合金膜的组成、热处理温度不同而异，通常为1～600分钟程度。
需要说明的是，Cu合金膜用于触摸面板的传感器电极、布线的情况下，通常将Cu合金膜均匀成膜于基板的表面后，进行蚀刻、洗涤和干燥。此时，干燥条件为对于富集层形成和反射率降低而言充分的条件时，可以省略独立的热处理工序。
[5.触摸面板]
本发明的触摸面板具备本发明的Cu合金膜。关于Cu合金膜，具体而言，可以用于触摸面板的传感器电极和/或布线。另外，传感器电极和/或布线形成于基板上。
对于触摸面板的其它构成没有特别限定，可以根据目的采用各种构成。
[6.作用]
若使用含有规定量Zn的Cu合金靶在基板上形成Cu合金膜，则能够得到电阻率相对小、并且对于基板的附着性也高的Cu合金膜。但是，对于Cu仅添加Zn时，对于基板的附着性的提高有限。
与此相对，使用含有规定量的Zn和规定量的(Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn、 Ni、B)的Cu合金靶，将Cu合金膜成膜，并在规定条件下对Cu合金膜进行热处理时，能够得到电阻率相对小，与基板的附着性优异，并且反射率也低的 Cu合金膜。
附着性提高认为是由于，通过热处理，在与基板的界面附近形成了含有更多的Zn和Mg等的富集层。
电阻率的升高受到抑制认为是由于，富集层的形成中没有消耗的Zn与 Mg等在Cu基体中形成金属间化合物，Cu基体中的固溶元素量降低。
进而，反射率降低认为是由于，通过热处理，在Cu合金膜表面形成了含有Mg等的氧化膜。
[实施例]
(实施例1～110、比较例1～100)
[1.试样的制作]
[1.1.Cu合金靶的制作]
将以形成规定组成来配混的原料5kg投入到石墨坩埚，通过高频感应炉熔解。熔解后，进行炉中冷却，得到铸块。通过将该铸块成型，制作Cu合金靶。另外，作为比较材，还制作纯Al的靶。
[1.2.Cu合金膜的制作]
基板使用50mm×50mm的PET薄膜和钠钙玻璃。使用RF溅射法或DC溅射法，将Cu合金膜成膜于多块基板表面。调整成膜条件以使膜厚为300nm左右。成膜后，去除组成分析用的基板，进行150℃×1.5小时的热处理。
[2.试验方法]
[2.1.组成分析]
使用未进行热处理的基板，通过ICP发射光谱分析来分析组成。
[2.2.富集层]
对于热处理前后的Cu合金膜，对于富集层，通过SIMS，从Cu合金膜表面按照Cu合金膜内部、Cu合金膜/各基板的顺序实施深度方向的测定。热处理前后比较测定时间-浓度曲线图，确认富集层。
[2.3.电阻率]
通过四探针法在膜的5个部位测定Cu合金膜的电阻，通过其平均值算出电阻率(μΩ·cm)。
[2.4.附着性]
根据JIS K5600-5-6：1999，评价Cu合金膜的附着性。
[2.5.反射率]
对于热处理后的Cu合金膜的一块，使用紫外可见分光光度计，将试验片的全反射光束与平行入射光束的比例作为该光的波长的反射率，将可见光的波长范围内(380nm～780nm)的平均值作为该材料的反射率。
(可见光的波长范围内的反射率之和)/(可见光的波长范围)
[3.结果]
表1～6示出结果。需要说明的是，表1～3为使用PET薄膜作为基板时的结果。另外，表4～6为使用钠钙玻璃作为基板时的结果。由表1～6可知以下内容。
[3.1.电阻率]
调查Cu合金的电阻率，结果添加有Zn的合金的电阻率低。另外，Zn量少或没有时，由于Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni的添加而电阻率的升高大。另一方面，添加有4at％的Zn，进而还添加有Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、 Sn、Ni的合金仍然维持低的电阻率。认为这是通过与Zn形成化合物实现的效果。
对于Mn而言，无论Zn存在的有无，电阻率都升高。
另外，对于Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni与Zn相比添加2倍以上的成分而言，电阻率高。这是由于，即使与Zn形成化合物，也会进而在Cu中固溶剩余的添加元素。
[3.2.附着性]
对于附着性而言，同时添加Zn和Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni中的任意一种元素时附着性高。特别是对于添加有0.1at％以上的Zn，并且添加有 Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni的合金而言，附着性高。进而对于添加有 2at％以上的Zn，并且添加有Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni的合金而言，附着性优异。单独添加Zn、Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni时，附着性低。
[3.3.富集层的有无]
对于仅添加有Zn的合金而言，150℃下进行1.5小时的热处理时，未观察到富集层。另一方面，对于添加有Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni的合金而言，存在富集层。
[3.4.反射率]
对于添加有Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni的合金而言，反射率低、良好。
[3.5.添加元素与特性、富集层的关系]
Zn与氧的亲和力优异，与PET薄膜、钠钙玻璃的附着性提高。但是，由于在150℃的低温下扩散慢而不会在与PET薄膜、钠钙玻璃之间形成富集层，为稍微提高附着性的程度。
另一方面，添加有Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni的合金，虽然在与 PET薄膜、钠钙玻璃的界面附近形成富集层，但是附着性不充分，另外电阻率增加。认为这是由于，这些元素固溶于Cu合金中而使电阻率升高。
对于Mn而言，虽然稍微提高附着性，但是不会在与PET薄膜、钠钙玻璃的界面附近形成富集层，电阻率也升高。
因此，同时添加低温下也与PET薄膜、钠钙玻璃形成富集层的Mg、Cr、 Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni和Zn，结果不仅是Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al，而且在与PET薄膜、钠钙玻璃的富集层还富集Zn。这是由于，这些元素具有与Zn 相吸引的特性。可以理解为，通过这些元素也同时富集Zn。
另一方面，对于Mn而言，即使是添加有Zn的合金，也未观察到富集层。
如此，单独利用Zn、Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni时，附着性稍微提高，不能用于触摸面板的传感器电极。对于添加有某种程度的Mg、Cr、 Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni，进而添加有Zn的合金系而言，与PET薄膜的附着性优异，可以达成目的。
[3.6.添加元素量与特性的关系]
另一方面，对于电阻率，由于Zn所导致的电阻率的升高少，而Mg、Cr、 Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni使电阻率大幅升高。因此，对于Zn的浓度低，添加有Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni的合金而言，电阻率大幅升高。
若Zn的浓度高则与Zn之间形成化合物，即使添加Mg、Cr、Ca、B、Ti、 Al、Sn、Ni，Cu中的固溶Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni也降低，可以维持低电阻率。
反射率认为通过在热处理中添加与氧结合的Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、 Sn、Ni而大幅降低。
通过以上，添加Zn和Mg、Cr、Ca、B、Ti、Al、Sn、Ni作为Cu合金的添加元素，由此可以提供附着性高、电导率高、光的反射率降低的优异的Cu 合金。
以上对本发明的实施方式进行了详细说明，但是本发明不被上述实施方式任何限定，在不脱离本发明主旨的范围内能够进行各种改变。
本申请基于2013年8月13日申请的日本特许申请2013-168392、2014年1 月23日申请的日本特许申请2014-009985和2014年5月22日申请的日本特许申请2014-106012，将其内容作为参照引入于此。
产业上的可利用性
本发明的Cu合金靶可以用作用于制造触摸面板的传感器电极、触摸面板的布线等中使用的Cu合金膜的靶。
另外，本发明的Cu合金膜可以用于触摸面板的传感器电极、触摸面板的布线等。

Claims (12)

1.一种Cu合金靶用材料，其具有以下的特征：
(1)所述Cu合金靶用材料含有2.0～10.0at％的Zn，进而含有含量为1.0～6.0at％的选自由Mg、Cr、Ca、Sn和B组成的组中的一种元素，或者进而含有含量为0.7～6.0at％的Ti和Al中的任一种元素，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成；以及
(2)所述Cu合金靶用材料被用于靶，该靶用于将触摸面板的传感器电极和/或布线中使用的Cu合金膜形成于基板上。
2.根据权利要求1所述的Cu合金靶用材料，含有含量为1.0～6.0at％的Ti和Al中的任一种元素。
3.根据权利要求1所述的Cu合金靶用材料，其中，Zn含量为2.0～6.0at％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的Cu合金靶用材料，其中，所述选自由Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn和B组成的组中的一种元素的含量与所述Zn的含量之比为2.0以下。
5.一种Cu合金靶，其使用权利要求1～4中任一项所述的Cu合金靶用材料制作。
6.一种Cu合金膜，其使用权利要求5所述的Cu合金靶形成于所述基板上。
7.根据权利要求6所述的Cu合金膜，其在与所述基板的界面附近具备富集层。
8.根据权利要求6或7所述的Cu合金膜，其中，与所述基板的附着性为根据JIS K5600-5-6：1999规定的分类0～3。
9.根据权利要求6或7所述的Cu合金膜，其中，电阻率为8.0μΩ·cm以下。
10.根据权利要求6或7所述的Cu合金膜，其中，反射率为50％以下。
11.根据权利要求6或7所述的Cu合金膜，其中，所述基板为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜基板。
12.一种触摸面板，其具备权利要求6～11中任一项所述的Cu合金膜。
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