CN104364742B

CN104364742B - 具有桥接力敏电阻器的触摸屏

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Publication number: CN104364742B
Application number: CN201380031490.5A
Authority: CN
Inventors: 菲利普·贾森·斯蒂法诺; 尼古拉·伊恩·巴肯; 戴维·威廉·伯恩斯; 克里斯托弗·安德鲁·莱佛里; 斯里尼瓦桑·科达加纳卢尔·加纳帕蒂
Original assignee: Nujira Ltd
Current assignee: Nujira Ltd
Priority date: 2012-04-23
Filing date: 2013-04-17
Publication date: 2017-05-24
Anticipated expiration: 2033-04-17
Also published as: US20130278542A1; US9024910B2; CN104364742A; WO2013162971A1

Abstract

一种触摸传感器包含实质上没有气隙的数字电阻性触摸DRT传感器架构。所述DRT触摸传感器在行及列电极的阵列上包含力敏电阻器FSR材料层。所述电极可形成在实质上透明的衬底上。在每一行及列的相交点附近，一或多个薄的透明图案化传导桥位于所述FSR上方。当将力施加于所述触摸传感器的所述传导桥或表面上时，所述传导桥经配置以用于与行及列电极电连接。一些触摸传感器可包含DRT及投射式电容性触摸PCT功能性两者。

Description

具有桥接力敏电阻器的触摸屏

优先权主张

本申请案主张名为“具有桥接力敏电阻器的触摸屏(TOUCHSCREEN WITH BRIDGEDFORCE-SENSITIVE RESISTORS)”且在2012年4月23日申请的第13/453,923号美国专利申请案(代理人案号为QUALP131/120231)的优先权，所述申请案以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及显示装置，包含(但不限于)并有触摸屏的显示装置。

背景技术

机电系统(EMS)包含具有电气及机械元件、致动器、换能器、传感器、光学组件(例如，镜子)及电子器件的装置。EMS可以多种尺度来制造，包含(但不限于)微尺度及纳米尺寸。举例来说，微机电系统(MEMS)装置可包含具有范围自约一微米到几百微米或更多的大小的结构。纳机电系统(NEMS)装置可包含具有小于微米的大小的结构，包含(例如)小于几百纳米的大小。机电元件可使用沉积、蚀刻、光刻、及/或蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分、或添加层以形成电气及机电装置的其它微机械加工工艺来产生。

一种类型的EMS装置称作干涉调制器(IMOD)。如本文所使用，术语IMOD或干涉光调制器指使用光学干涉原理的选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中，IMOD可包含一对传导板，其中一者或两者可完全或部分为透明及/或反射的，且能够在施加适当电信号时相对运动。在一实施方案中，一个板可包含沉积在衬底上的固定层，且另一板可包含与所述固定层分离气隙的反射薄膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于IMOD上的光的光学干涉。IMOD装置具有广泛范围的应用，且预期用于改进现有产品且产生新产品，尤其是具有显示能力的产品。

可使用光手指用于触摸输入的用于多点触摸应用的成功触摸屏实施方案平衡了包含以下各项的度量：每个手指的每个触摸的检测(在一些实施方案中多达10个独立触摸)、光学性能(包含在整体发射以及光学假影方面的基础显示的图像质量的降级)、功率消耗、刷新速率、机械稳固性、零触发力、手掌误触、线性及分辨率。在大多数情况下，触摸屏放置在显示器与用户之间，其必须为实质上透明的且光学无缺陷的传感器。广泛用于多点触摸、投射式电容性触摸(PCT)技术的触摸屏的类型大体满足上述准则。

然而，PCT技术对于触控笔应用并非完全令人满意的，其常常使用小直径触控笔尖端用于输入。触控笔尖端可为大约直径1mm。触控笔应用需要用具有较高空间分辨率(大约0.5mm)及非零触发力的1mm触控笔来检测用户接口上的所有触控笔触摸，且可另外需要与传导及非传导尖端的触控笔的兼容性。值得怀疑的是PCT是否能将其能力扩展到显著较高的分辨率(例如0.05mm)，是否需要其用于例如指纹检测的未来应用。

发明内容

本发明的系统、方法及装置各自具有若干创新方面，所述方面中没有单个一者单独地负责本文所揭示的所需要的属性。

本发明中所述的标的物的一个创新方面可实施于包含触摸传感器的设备中。所述种触摸传感器可包含实质上没有气隙的数字电阻性触摸(DRT)传感器架构。所述DRT触摸传感器可在行及列电极的阵列上包含力敏电阻器(FSR)材料层。电极可形成在实质上透明衬底上。在每一行及列的相交点，薄的透明图案化传导桥可位于FSR上方。当将力施加于所述触摸传感器的所述传导桥或表面上时，所述传导桥可经配置用于与行及列电极电连接。一些触摸传感器可包含DRT及PCT功能性两者。

本发明中所述的标的物的另一创新方面可实施于触摸传感器设备中，其包含衬底、安置在所述衬底上的多个第一电极、安置在多个第一电极上的介电层、安置在介电层上的多个第二电极、安置在介电层上且经配置用于经由形成在介电层中的通孔而与第一电极电通信的多个中间导体、安置在第二电极及中间导体上的FSR材料层、以及安置在FSR材料上的多个传导桥。传导桥中的每一者可安置在中间导体中的至少一者上方。当将力施加到FSR材料时，FSR材料可经配置以在所述传导桥中的一者、所述第二电极中的一者及所述中间导体中的一者之间形成至少一个实质上垂直的电连接。所述设备可包含安置在所述中间导体中的一者与所述第一电极中的一者之间的固定电阻器。

在一些实施方案中，衬底可为实质上透明的。然而，在其它实施方案中，衬底可为半透明的或不透明的。

所述传导桥可形成为岛状物、分段条带、曲线条纹、曲线分段、菱形形状、中空几何形状或框架几何形状中的至少一者。传导桥中的至少一些可至少部分安置在所述第二电极中的一者的上方。然而，所述设备可包含传导桥之间的至少部分暴露第一电极及第二电极的PCT区域的开放区。触摸传感器设备可经配置以用于实现第一电极与第二电极之间的互电容的改变的测量。所述第一电极或所述第二电极中的至少一者可在所述暴露PCT区域中包含传导部分。

第一电极、第二电极及/或中间导体可包含分支。所述分支可形成为L形、螺旋形或叉指型形状中的至少一者。中间导体分支可与第一电极分支或第二电极分支交错。

第一电极、中间导体及/或第二电极可至少部分由实质上透明传导的材料形成。然而，在一些实施方案中，所述第一电极及/或所述第二电极的至少一部分可由金属形成。在一些实施方案中，所述第一电极或所述第二电极可包含实质上透明传导材料及传导金属。

所述设备可包含安置在所述传导桥及所述FSR材料上方的力散布层。在一些此类实施方案中，所述设备可包含额外的柔性材料层。

所述设备可包含安置在所述FSR材料与所述传导桥、所述中间导体、所述第二电极、柔性层、介电层及/或力散布层中的至少一者之间的传导粘合材料。传导粘合材料可为实质上透明的。

第二电极可包含行电极及列电极。第一电极可包含经配置以沿着行电极及/或列电极形成电连接的跳线。

所述设备可包含显示器及经配置以与所述显示器通信的处理器。处理器可经配置以处理图像数据。所述设备还可包含经配置以与所述处理器通信的存储器装置。所述设备可包含经配置以发送至少一个信号到显示器的驱动器电路及经配置以发送图像数据的至少一部分到驱动器电路的控制器。所述设备还可包含经配置以发送图像数据到处理器的图像源模块。图像源模块可包含接收器、收发器及/或发射器。

所述设备可包含输入装置，其经配置以接收输入数据及将所述输入数据传达到所述处理器。所述设备还可包含经配置用于与处理器通信的触摸控制器以及经配置用于将所述第一电极或所述第二电极中的至少一者连接到所述触摸控制器的布线。

本发明中所述的标的物的另一创新方面可实施于制造触摸传感器设备的方法中。所述方法可涉及在衬底上形成多个第一电极，在多个第一电极上形成介电层及在介电层中形成通孔。所述方法还可涉及在介电层上形成多个第二电极及在介电层上形成多个中间导体。中间导体可经配置以用于经由通孔与第一电极电通信。

所述方法可涉及在第二电极及中间导体上安置各向异性FSR材料层，及在FSR材料上形成多个传导桥。传导桥中的每一者可安置在中间导体中的至少一者上方。当将力施加到FSR材料时，FSR材料可经配置以在所述传导桥中的一者、所述第二电极中的一者及所述中间导体中的一者之间形成至少一个实质上垂直的电连接。所述方法还可涉及在所述中间导体中的一者与所述第一电极中的一者之间安置固定电阻器。

所述方法可涉及形成所述传导桥中的一些以在所述第二电极中的至少一者上方延伸。然而，可在传导桥之间形成至少部分暴露第一电极及第二电极的PCT区域的开放区。所述方法还可涉及配置所述触摸传感器设备以用于测量第一电极与第二电极之间的互电容的改变。所述第一电极及/或所述第二电极可在所述暴露PCT区域中包含传导部分。所述传导部分至少部分可由传导金属形成。

所述设备还可包含显示器及经配置以与所述显示器通信的处理器。处理器可经配置以处理图像数据。所述设备还可包含经配置以与所述处理器通信的存储器装置。所述设备可包含经配置以发送至少一个信号到显示器的驱动器电路及经配置以发送图像数据的至少一部分到驱动器电路的控制器。所述设备可包含经配置以发送图像数据到处理器的图像源模块。图像源模块可包含接收器、收发器及发射器中的至少一者。所述设备可包含输入装置，其经配置以接收输入数据及将所述输入数据传达到所述处理器。所述设备可包含经配置用于与处理器通信的触摸控制器及经配置用于连接触摸传感器电极与触摸控制器的布线。

在附图及以下描述中陈述本说明书中所述的标的物的一或多个实施方案的细节。尽管本发明内容中提供的实例主要关于基于MEMS的显示器来描述，但本文所提供非概念可适用于其它类型的显示器，例如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、电泳显示器及场发射显示器。其它特征、方面及优点将从描述、图式及权利要求书变得显而易见。请注意以下图式的相对尺寸可未按比例绘制。

附图说明

图1展示描绘在干涉调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中的两个相邻像素的等角视图的实例。

图2展示说明并入3×3IMOD显示器的电子装置的系统框图的实例。

图3展示说明可移动反射层位置对图1的IMOD的所施加电压的图的实例。

图4展示说明当施加各种公共及分段电压时的IMOD的各种状态的表格的实例。

图5A展示说明图2的3×3IMOD显示器中的显示数据的帧的图的实例。

图5B展示可用以写入图5A中所说明的显示数据的帧的公共及分段信号的时序图的实例。

图6A展示图1的IMOD显示器的部分横截面的实例。

图6B-6E展示IMOD的不同实施方案的横截面的实例。

图7展示说明IMOD的制造过程的流程图的实例。

图8A-8E展示制造IMOD的方法中的各阶段的横截面示意说明的实例。

图9展示穿过触摸传感器实施方案的横截面的实例。

图10展示图9的触摸传感器的部分的平面图的实例。

图11A-11C展示替代传导桥配置的实例。

图12A-12C展示替代中间导体配置的实例。

图13展示穿过在中间导体与电极之间包含固定电阻器的触摸传感器的横截面的实例。

图14展示穿过具有暴露的投射式电容性触摸区域的触摸传感器的横截面的实例。

图15展示图14的触摸传感器的部分的平面图的实例。

图16展示穿过具有中间导体分支及电极分支的触摸传感器的横截面的实例。

图17展示图16的触摸传感器的部分的平面图的实例。

图18展示穿过具有经配置以在电极行或列的部分之间形成电连接的跳线的触摸传感器的横截面的实例。

图19展示图18的触摸传感器的部分的平面图的实例。

图20展示穿过具有柔性层及力散布层的触摸传感器的横截面的实例。

图21展示说明用于触摸传感器装置的制造过程的流程图的实例。

图22A及22B展示说明包含如本文描述的触摸传感器的显示装置的系统框图的实例。

各图式中的相同参考标号及名称指示相同元件。

具体实施方式

以下描述是针对用于描述本发明的创新方面的目的的某些实施方案。然而，所属领域的技术人员将容易认识到可以大量不同方式来应用本文的教示。可将所描述实施方案实施于可经配置以显示图像的任何装置或系统中，所述图像无论是运动的(例如，视频)还是固定的(例如，静止图像)及无论是文字、图形还是图片的。更具体来说，预期所描述实施方案可包含在多种电子装置中或与其相关联，例如(但不限于)：移动电话、启用多媒体因特网的蜂窝式电话、移动电视接收器、无线装置、智能电话、装置、个人数据助理(PDA)、无线电子邮件接收器、手持式或便携式计算机、迷你笔记型计算机、笔记型计算机、智能本、平板计算机、打印机、复印机、扫描仪、传真装置、GPS、接收器/导航器、相机、MP3播放器、摄录像机、游戏控制台、腕表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、电子阅读装置(即，电子阅读器)、计算机监视器、汽车显示器(包含里程表及速度计显示器等)、驾驶舱控制件及/或显示器、摄像机视图显示器(例如，车辆中的后视摄像机的显示器)、电子照片、电子广告板或符号、投影仪、建筑结构、微波炉、冰箱、立体声系统、盒式磁带记录器或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、无线电、便携式存储芯片、洗衣机、烘干机、洗衣机/烘干机、停车计时器、封装(例如在机电系统(EMS)、微机电系统(MEMS)及非MEMS应用中)、审美结构(例如，一件珠宝的图像显示)及多种EMS装置。本文的教示还可用于非显示应用中，例如(但不限于)电子开关装置、射频滤波器、传感器、加速度计、回转仪、运动感测装置、磁力计、用于消费型电子装置的惯性组件、消费型电子产品的零件、变容二极管、液晶装置、电泳装置、传动方案、制造过程及电子测试设备。因此，所述教示并不意图限于仅在图式中描绘的实施方案，而是替代具有如所属领域的技术人员将容易显而易见的广泛适用性。

根据本文提供的一些实施方案，触摸传感器可包含实质上没有气隙的的DRT传感器架构。DRT触摸传感器可在行及列电极的阵列上包含一层FSR材料。电极可形成在实质上透明衬底上。在每一行及列的相交点，薄的透明图案化传导桥可位于FSR上方。当将力施加于触摸传感器的传导桥或表面上时，所述桥可经配置用于与行电极及列电极电连接。一些实施方案可在中间导体与行电极之间包含固定电阻器。一些触摸传感器实施方案可包含所述行及列电极的暴露的投射式电容性触摸区域。触摸传感器可包含安置在传导桥及FSR层的部分上的柔性层及/或力散布层。在一些实施方案中，桥接FSR触摸传感器的DRT方面可允许检测触控笔尖端抵靠按压传感器用于手写输入，而PCT方面可允许从手指的快速滑移或滑动来检测轻触摸或紧密接近。

可实施本发明中所描述的标的物的特定实施方案以实现以下潜在优点中的一或多者。一些触摸传感器实施方案实现高的空间分辨率及检测触控笔输入，不管触控笔在触摸传感器上的位置如何。一些实施方案减轻了图像质量问题，例如透明度及光学假影。一些实施方案可放松图案化层压层与图案化衬底之间的对准公差。举例来说，经布置为相对于相邻的行或列之间的距离较小的岛状物的传导桥允许广泛范围的对准位置及定向。

一些实施方案仅提供DRT感测，而其它实施方案可提供投射式电容性触摸(PCT)及DRT感测两者。用于检测轻触摸的PCT能力可通过确保所述行及/或列电极的一些部分延伸超过传导桥而实现。

为了最小化相邻感测元件之间的串扰，FSR材料可为电性各向异性的，具有横向很低的传导性(低于实质上所有方向)及垂直方向上高的传导性(当经受机械力时)。一或多个保护性、实质上柔性及实质上透明层可定位于FSR层上方，不仅用于保护而且用以在较大区域上散布触摸的力以便增强检测。为帮助区分多个同时触摸或触控笔接触，可在每一感测元件或“感测点(sensel)”处形成与FSR材料串联的固定电阻器。本文所述的各种实施方案可与基本上所有显示技术兼容，包含(但不限于)LCD、OLED、阴极射线管(CRT)、电泳显示器(EPD)及干涉调制器(IMOD)及、任选地具有正面照明或后面照明的显示器。

所描述实施方案可应用的合适EMS或MEMS装置的实例为反射显示装置。反射显示装置可并入IMOD以使用光学干涉的原理来选择性吸收及/或反射入射于其上的光。IMOD可包含吸收体、可相对于吸收体移动的反射体、及界定于吸收体与反射体之间的光学共振腔。反射体可移动到两个或两个以上不同位置，其可改变光学共振腔的大小且因此影响IMOD的反射率。IMOD的反射光谱可产生相当宽广的频带，其可跨越可见波场移位以产生不同的色彩。频带的位置可通过改变光学共振腔的厚度，即通过改变反射体的位置来调整。

图1展示描绘在IMOD显示装置的一系列像素中的两个相邻像素的等角视图的实例。IMOD显示装置包含一或多个干涉MEMS显示元件。在这些装置中，MEMS显示元件的像素可处于明亮或黑暗的状态中。在明亮(“松弛”、“打开”或“接通”)状态中，显示元件将大部分入射可见光反射到(例如)用户。相反，在黑暗(“致动”、“关闭”或“断开”)状态中，显示元件反射较少的入射可见光。在一些实施方案中，接通及断开状态的光反射率性质可颠倒。MEMS像素可经配置以主要在特定波长下反射，从而允许除了黑色及白色之外的色彩显示。

IMOD显示装置可包含IMOD的行/列阵列。每一IMOD可包含一对反射层(即，可移动反射层及部分固定反射层)，所述反射层定位在彼此可变且可控制距离处以形成气隙(还称作光学间隙或光学腔)。可移动反射层可在至少两个位置之间移动。在第一位置中，即松弛位置，可移动反射层可定位在距部分固定反射层相对较大的距离处。在第二位置中，即致动位置，可移动反射层可经定位较接近所述部分反射层。从所述两层反射的入射光可取决于可移动反射层的位置而相长地或相消地干涉，从而产生每一像素的整体反射或非反射状态。在一些实施方案中，IMOD可在致动时处于反射状态，从而反射可见光谱内的光，且可在未致动时处于黑暗状态，从而反射可见范围之外的光(例如，红外线光)。然而，在一些其它实施方案中，IMOD可在未致动时处于黑暗状态，及在致动时处于反射状态。在一些实施方案中，所施加电压的引入可驱动所述像素改变状态。在一些其它实施方案中，所施加电荷可驱动像素改变状态。

图1中的像素阵列的所描绘部分包含两相邻IMOD 12。在左边的IMOD 12中(如所说明)，可移动反射层14经说明处于与包含部分反射层的光学堆叠16预定距离的松弛位置中。施加在左边的IMOD 12上的电压V₀不足以引起可移动反射层14的致动。在右边的IMOD 12中，可移动反射层14经说明处于与光学堆叠16靠近或相邻的致动位置中。施加在右边IMOD12上电压V_bias足以将可移动反射层14维持在致动位置。

在图1中，一般用箭头13来说明像素12的反射性质，其指示入射在像素12上的光及从左边的IMOD 12反射的光15。尽管未详细说明，但如所属领域的技术人员将理解，入射在像素12上的大部分光13将透射穿过透明衬底20，朝向光学堆叠16。入射在光学堆叠16上的光的一部分将透射穿过光学堆叠16的部分反射层，且一部分将反射回穿过透明衬底20。透射穿过光学堆叠16的光13的部分将在可移动反射层14处反射，向后朝向(且穿过)透明衬底20。从光学堆叠16的部分反射层反射的光与从可移动反射层14反射的光之间的干涉(相长或相消)将确定从IMOD 12反射的光15的波长。

光学堆叠16可包含单个层或若干层。所述层可包含电极层、部分反射及部分透射层及透明介电层中的一或多者。在一些实施方案中，光学堆叠16为导电的、部分透明及部分反射的，且可(例如)通过将上述层中的一或多者沉积在透明衬底20上来制造。电极层可由多种材料形成，例如各种金属，例如氧化铟锡(ITO)。部分反射层可由部分反射的多种材料形成，例如各种金属，例如，铬(Cr)、半导体及电介质。部分反射层可由一或多个材料层形成，且所述层中的每一者可由单个材料或材料的组合形成。在一些实施方案中，光学堆叠16可包含充当光学吸收体及导体两者的单个半透明厚度的金属或半导体，而(例如，光学堆叠16的或IMOD的其它结构)不同的较多传导层或部分可充当IMOD像素之间的总线信号。光学堆叠16还可包含覆盖一或多个传导层或传导/吸收层的一或多个绝缘或介电层。

在一些实施方案中，光学堆叠16的层可经图案化为平行条带，且可形成如下文进一步描述的显示装置中的行电极。如所属领域的技术人员将理解，术语“图案化”在本文用以指遮蔽以及蚀刻制程。在一些实施方案中，高度传导及反射材料(例如铝(Al))可用于可移动反射层14，且这些条带可形成显示装置中的列电极。可移动反射层14可形成为沉积金属层或多层的一系列平行条带(正交于光学堆叠16的行电极)，以形成沉积在柱18顶部上的列及沉积在柱18之间的介入牺牲材料。当牺牲材料经蚀刻掉时，界定间隙19或光学腔可形成在可移动反射层14与光学堆叠16之间。在一些实施方案中，柱18之间的间隔可为大约1-1000um，而间隙19可小于10,000埃

在一些实施方案中，IMOD的每一像素(无论处于致动还是松弛状态)本质上为通过固定及移动反射层形成的电容器。当未施加电压时，可移动反射层14保持在机械松弛状态，如图1左边的IMOD 12所说明，在可移动反射层14与光学堆叠16之间具有间隙19。然而，当将电位差(例如，电压)施加到选定行及列中的至少一者时，形成在对应像素处的行与列电极的相交点处的电容器变为充电，且静电力将所述电极拉到一起。如果所施加电压超过阈值，那么可移动反射层14可变形且移动靠近或抵靠光学堆叠16。光学堆叠16内的介电层(未图示)可防止短路，且控制层14与16之间的分离距离，如图1右边的致动IMOD 12所说明。不管所施加电位差的极性如何，行为都是相同的。尽管在一些情况下可将阵列中的一系列像素称作“行”及“列”，但所属领域的技术人员将容易了解，将一个方向称作“行”及另一方向称作“例如”是任意的。再次申明，在一些定向中，行可被视为列，且列可被视为行。此外，显示元件可均匀布置成正交行及列(“阵列”)，或布置成非线性配置，例如，具有相对于彼此的特定位置偏移(“马赛克”)。术语“阵列”及“马赛克”可指任一配置。因此，尽管显示器被称为包含“阵列”或“马赛克”，但元件自身无需彼此正交布置，或安置成均匀分布，在任何情况下，均可包含具有不对称形状及不均匀分布元件的布置。

图2展示说明并入3×3IMOD显示器的电子装置的系统框图的实例。电子装置包含可经配置以执行一或多个软件模块的处理器21。除了执行操作系统外，处理器21可经配置以执行一或多个软件应用程序，包含网络浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或其它软件应用程序。

处理器21可经配置以与阵列驱动器22通信。阵列驱动器22可包含提供信号给(例如)显示器阵列或面板30的行驱动器电路24及列驱动器电路26。图1中说明的IMOD显示装置的横截面由图2中的线1-1展示。尽管图2为了清晰性而说明IMOD的3×3阵列，但显示器阵列30可含有很大数目的IMOD，且可在行中具有与列中不同数目的IMOD，且反之亦然。

图3展示说明可移动反射层位置与针对图1的IMOD所施加电压的图的实例。对于MEMS IMOD，行/列(即，公共/分段)写入程序可利用如图3中说明的这些装置的滞后性质。举例来说，IMOD可能需要约10伏特电位差来致使可移动反射层或镜子从松弛状态改变到致动状态。当电压从所述值降低时，可移动反射层在所述电压降回(例如)10伏特以下时维持其状态。然而，可移动反射层直到电压降到2伏特以下后才完全松弛。因此，存在一电压范围，大约3到7伏特(如图3中所示)，其中存在装置在其中在松弛或致动状态中均稳定的所施加电压的窗。此在本文中称作“滞后窗”或“稳定性窗”。对于具有图3的滞后特性的显示器阵列30，行/列写入程序可经设计以同时寻址一或多个行，使得在给定行的寻址期间，经寻址行中的待致动的像素暴露于约10伏特的电压差，及待松弛的像素暴露于接近零伏特的电压差。在寻址之后，所述像素暴露于稳定状态或大约5伏特的偏置电压差，使得其保持于先前选通状态中。在此实例中，在经寻址之后，每一像素在“稳定性窗”内经历约3-7伏特的电位差。此滞后性质特征使得(例如)图1中所说明的像素设计在相同的所施加电压条件下保持在致动或松弛预存状态中稳定。由于每一IMOD像素(不管处于致动还是松弛状态中)基本上为由固定及移动反射层形成的电容器，所以此稳定状态可在滞后窗内被保持在稳定电压而不会实质上消耗或损失功率。此外，如果所施加电压电位保持实质上固定，那么基本上很少或没有电流流动到IMOD像素中。

在一些实施方案中，根据给定行中的像素状态的所要改变(如果存在)，可通过沿着列电极集合施加“分段”电压形式的数据信号来产生图像的帧。可依次寻址阵列的每一行，使得可一次一行地写入所述帧。为了将所要数据写入到第一行中的像素，可将对应于第一行中的像素的所要状态的分段电压施加到列电极，及可将特定“公共”电压或信号形式的第一行脉冲施加到第一行电极。可接着改变分段电压集合以对应于第二行中的像素状态的所要改变(如果存在)，及可将第二公共电压施加到第二行电极。在一些实施方案中，第一行中的像素不受沿着列电极施加的分段电压的改变影响，且在第一公共电压行脉冲期间保持在其被设置到的状态中。此过程可按依序方式针对整个系列的行或者列进行重复，以产生图像帧。所述帧可通过以每秒某一所要数目个帧来不断地重复此过程来用新图像数据进行刷新及/或更新。

施加到每一像素上的分段及公共信号的组合(即，每一像素上的电位差)确定每一像素的所得状态。图4展示说明当施加各种公共及分段电压时的IMOD的各种状态的表格的实例。如所属领域的技术人员将容易理解，可将“分段”电压施加到列电极或行电极，及可将“公共”电压施加到列电极或行电极中的另一者。

如图4中说明(以及图5B中所示的时序图)，当沿着公共线施加释放电压VC_REL时，沿着公共线的所有IMOD元件将放置在松弛状态中，或者称作释放或未致动状态，不管沿着分段线所施加的电压如何(即，高分段电压VS_H及低分段电压VS_L)。明确地说，当沿着公共线施加释放电压VC_REL时，当沿着像素的对应分段线施加高分段电压VS_H及低分段电压VS_L两者时，调制器上的电位电压(或者称作像素电压)在松弛窗内(参见图3，还称作释放窗)。

当将保持电压施加到公共线上时(例如高保持电压VC_{HOLD_H}或低保持电压VC_{HOLD_L})，IMOD的状态将保持恒定。举例来说，松弛IMOD将保持在松弛位置，及致动IMOD将保持在致动位置。可选择保持电压而使得，当沿着对应分段线施加高分段电压VS_H及低分段电压VS_L时，像素电压将保持在稳定性窗内。因此，分段电压摆幅(即，高VS_H与低分段电压VS_L之间的差)小于正或负稳定性窗的宽度。

当将寻址或致动电压施加到公共线上时(例如高寻址电压VC_{ADD_H}或寻址电压VC_{ADD_L})，可通过沿着相应分段线施加分段电压而将数据选择性写入到沿着所述线的调制器。可选择分段电压以使得致动取决于所施加的分段电压。当沿着公共线施加寻址电压时，一个分段电压的施加将产生在稳定性窗内的像素电压，从而致使像素保持未致动。相比来说，其它分段电压的施加将产生超出稳定性窗的像素电压，从而导致像素的致动。起致动的特定分段电压可取决于所使用的寻址电压而变化。在一些实施方案中，当沿着公共线施加高寻址电压VC_{ADD_H}时，高分段电压VS_H的施加可致使调制器保持其当前位置，而低分段电压VS_L的施加可致使调制器的致动。由此类推，当施加低寻址电压VC_{ADD_L}时分段电压的效应可为相反的，其中高分段电压VS_H致使调制器的致动，低分段电压VS_L对调制器的状态没有效应(即，保持稳定)。

在一些实施方案中，可使用保持电压、寻址电压及分段电压，所述电压总是在调制器上产生相同极性电位差。在一些其它实施方案中，可使用使调制器的电位差的极性交替的信号。调制器上的极性的交替(即，写入程序的极性的交替)可减少或抑制可能在单个极性的重复写入操作之后发生的电荷累积。

图5A展示说明图2的3×3IMOD显示器中的显示数据的帧的图的实例。图5B展示可用以写入图5A中所说明的显示数据的帧的公共及分段信号的时序图的实例。可将信号施加到(例如)图2的3×3阵列，此将最终产生图5A中说明的线时间60e显示布置。图5A中的致动调制器处于黑暗状态，即，其中所反射光的实质部分在可见光谱之外以便相对(例如)观察者而产生黑暗外观。在写入图5A中所说明的帧之前，所述像素可处于任何状态中，但图5B的时序图中所说明的写入程序假定每一调制器在第一线时间60a之前已释放且驻留在未致动状态中。

在第一线时间60a期间，将释放电压70施加到公共线1；施加到公共线2的电压在高保持电压72处开始且移动到释放电压70；及沿着公共线3施加低保持电压76。因此，沿着公共线1的调制器(公共1，分段1)、(1，2)及(1，3)在第一线时间60a的持续时间中保持在松弛或未致动状态，沿着公共线2的调制器(2，1)、(2，2)及(2，3)将移动到松弛状态，且沿着公共线3的调制器(3，1)、(3，2)及(3，3)将保持在其先前状态。参看图4，沿着分段线1、2及3施加的分段电压将对IMOD的状态没有效应，这是因为公共线1、2或3中没有一者暴露于电压电平而在线时间60a期间致使致动(即，VC_REL-松弛及VC_{HOLD_L}-稳定)。

在第二线时间60b期间，公共线1上的电压移动到高保持电压72，且沿着公共线1的所有调制器保持在松弛状态而不管所施加的分段电压，这是因为没有寻址或致动电压施加到公共线1。沿着公共线2的调制器由于释放电压70的施加而保持在松弛状态，及沿着公共线3的调制器(3，1)、(3，2)及(3，3)将在沿着公共线3的电压移动到释放电压70时松弛。

在第三线时间60c期间，通过将高寻址电压74施加到公共线1而寻址公共线1。因为在此寻址电压的施加期间沿着分段线1及2施加低分段电压64，所以调制器(1，1)及(1，2)上的像素电压大于调制器的正稳定性窗的高端(即，超过预界定阈值的电压差分)，且调制器(1，1)及(1，2)经致动。相反，因为沿着分段线3施加高分段电压62，所以调制器(1，3)上的像素电压小于调制器(1，1)及(1，2)的像素电压，且保持在调制器的正稳定性窗内；调制器(1，3)因此保持松弛。还在线时间60c期间，沿着公共线2的电压降低到低保持电压76，及沿着公共线3的电压保持在释放电压70，使沿着公共线2及3的调制器保留在松弛位置。

在第四线时间60d期间，公共线1上的电压返回到高保持电压72，使沿着公共线1的调制器保留在其相应的寻址状态。公共线2上的电压降低到低寻址电压78。因为沿着分段线2施加高分段电压62，所以调制器(2，2)上的像素电低于调制器的负稳定性窗的较低端，从而致使调制器(2，2)致动。相反，因为沿着分段线1及3施加低分段电压64，所以调制器(2，1)及(2，3)保持在松弛位置。公共线3上的电压增加到高保持电压72，使沿着公共线3的调制器保留在松弛状态。

最后，在第五线时间60e期间，公共线1上的电压保持在低保持电压72，及接通公共线2上的电压保持在低保持电压76，使沿着公共线1及2的调制器处于其相应寻址状态。公共线3上的电压增加到高寻址电压74以沿着公共线3寻址调制器。因为将低分段电压64施加到分段线2及3，所以调制器(3，2)及(3，3)致动，而沿着分段线1施加的高分段电压62致使调制器(3，1)保持在松弛位置。因此，在第五线时间60e的末尾，只要沿着公共线施加保持电压，3×3像素阵列处于图5A中所示的状态且将保持处于所述状态，不管可在沿着其它公共线(未图示)的调制器被寻址时发生的分段电压的变化。

在图5B的时序图中，给定写入程序(即，线时间60a-60e)可包含使用高保持及寻址电压或低保持及寻址电压。一旦写入程序已完成给定公共线(且将公共电压设置为具有与致动电压相同极性的保持电压)，像素电压即保持在给定稳定性窗内，且直到将释放电压施加到公共线才通过松弛窗。此外，由于每一调制器在寻址调制器之前被释放为写入程序的部分，所以调制器的致动时间而非释放时间可确定必要的线时间。具体来说，在其中调制器的释放时间大于致动时间的实施方案中，可施加释放电压持续比单个线时间长，如图5B中描绘。在一些其它实施方案中，沿着公共线或分段线施加的电压可变化以顾及例如不同色彩的调制器的不同调制器的致动及释放电压的变化。

根据上文所陈述原理操作的IMOD的结构的细节可变化较大。举例来说，图6A-6E展示包含可移动反射层14及其支撑结构的IMOD的不同实施方案的横截面的实例。图6A展示图1的IMOD显示器的部分横截面的实例，其中金属材料条带，即可移动反射层14沉积在从衬底20正交延伸的支撑件18上。在图6B中，每一IMOD的可移动反射层14形状一般为正方形或矩形，且在系链32上在拐角处或附近附接到支撑件。在图6C中，可移动反射层14形状一般为正方形或矩形且可从可包含柔性金属的可变形层34悬挂。可变形层34可直接地或间接地连接到可移动反射层周边周围的衬底20。这些连接在本文中被称作支撑柱。图6C中所示的实施方案具有从可移动反射层14的光学功能与其机械功能去耦而导出的额外益处，所述去耦通过可变形层34来进行。此去耦允许用于反射层14的结构设计及材料及用于可变形层34的结构设计及材料独立于彼此而优化。

图6D展示IMOD的另一实例，其中可移动反射层14包含反射子层14a。可移动反射层14搁置在支撑结构上，例如支撑柱18。支撑柱18提供可移动反射层14与下部固定电极(所说明IMOD中的光学堆叠16的零件)的分离，使得(例如)当可移动反射层14处于松弛位置时，间隙19形成在可移动反射层14与光学堆叠16之间。可移动反射层14还可包含可经配置以充当电极的传导层14c以及支撑层14b。在此实例中，传导层14c安置于支撑层14b的在衬底20远端的一侧上，且反射子层14a安置于支撑层14b的接近衬底20的另一侧上。在一些实施方案中，反射子层14a可为传导的，且可安置于支撑层14b与光学堆叠16之间。支撑层14b可包含一或多个介电材料层，例如氮氧化硅(SiON)或二氧化硅(SiO₂)。在一些实施方案中，支撑层14b可为多层的堆叠，例如SiO₂/SiON/SiO₂三层堆叠。反射子层14a及传导层14c中的任一者或两者可包含(例如)具有约0.5％的铜(Cu)或另一反射金属材料的铝(Al)合金。在介电支撑层14b上方及下方使用传导层14a、14c可平衡应力且提供增强的传导。在一些实施方案中，反射子层14a及传导层14c可由不同材料形成以用于多种设计目的，例如实现可移动反射层14内的特定应力剖面。

如图6D中所说明，一些实施方案还可包含黑色掩膜结构23。所述黑色掩膜结构23可形成于光学非活性区(例如，在像素之间或柱18下方)中以吸收周围或杂散光。黑色掩膜结构23还可通过抑制从显示器的非活性部分反射的或透射穿过所述非活性部分的光来改进显示装置的光学性质，从而增加对比率。另外，黑色掩膜结构23可为传导的且经配置以用作电气总线层。在一些实施方案中，行电极可连接到黑色掩膜结构23以减少所连接行电极的阻力。黑色掩膜结构23可使用多种方法形成，包含沉积及图案化技术。黑色掩膜结构23可包含一或多个层。举例来说，在一些实施方案中，黑色掩膜结构23包含充当光学吸收体的钼铬(MoCr)层、SiO₂层、及充当反射体及总线层的铝合金，分别具有约及的厚度范围。一或多个层可使用多种技术来图案化，包含光刻及干式蚀刻，包含(例如)用于MoCr及SiO₂层的(CF₄)及/或氧气(O₂)以及用于铝合金层的氯气(Cl₂)及/或三氯化硼(BCl₃)。在一些实施方案中，黑色掩膜23可为标准具或干涉堆叠结构。在此类干涉堆叠黑色掩膜结构23中，传导吸收体可用以在每一行或列的光学堆叠16中的下部固定电极之间发射或用总线传输信号。在一些实施方案中，间隔层35一般可用以使吸收层16a与黑色掩膜23中的传导层电隔离。

图6E展示IMOD的另一实例，其中可移动反射层14为自支撑的。与图6D相比，图6E的实施方案不包含支撑柱18。而是，可移动反射层14在多个位置接触底层光学堆叠16，及可移动反射层14的曲率提供充分的支撑，使得当IMOD上的电压不足以致使致动时可移动反射层14返回到图6E的未致动位置。可含有多个若干不同层的光学堆叠16在此处为了清晰性而展示包含光学吸收体16a及电介质16b。在一些实施方案中，光学吸收体16a可用作固定电极及部分反射层两者。

在例如图6A-6E中所示的实施方案中，IMOD用作直观装置，其中从透明衬底20的前侧(即，与其上布置调制器的侧相对的侧)查看图像。在这些实施方案中，装置的背后部分(即，显示装置的在可移动反射层14后方的任何部分，例如，图6C中所说明的可变形层34)可经配置且在不影响或负面影响显示装置的图像质量的情况下操作，这是因为反射层14光学上屏蔽所述装置的那些部分。举例来说，在一些实施方案中，总线结构(未说明)可包含在可移动反射层14后方，所述总线结构提供使调制器的光学性质与调制器的机电性质分离的能力，例如电压寻址与此类寻址所产生的移动。另外，图6A-6E的实施方案可简化处理，例如图案化。

图7展示说明IMOD的制造过程80的流程图的实例，及图8A-8E展示此类制造过程80的对应阶段的横截面示意性说明的实例。在一些实施方案中，除了图7中未展示的其它块之外，制造过程80可经实施以制造(例如)图1及6中说明的一般类型的IMOD。参看图1、6及7，过程80在方框82处以在衬底20上形成光学堆叠16而开始。图8A说明形成在衬底20上的此类光学堆叠16。衬底20可为例如玻璃或塑料的透明衬底，其可为柔性或相对坚硬及不易弯曲的，且可已经受先前制备过程(例如，清洗)以促进光学堆叠16的有效形成。如上文论述，光学堆叠16可为导电的、部分透明及部分反射的，且可(例如)通过将具有所要性质的一或多个层沉积在透明衬底20上来制造。在图8A中，光学堆叠16包含具有子层16a及16b的多层结构，但可在一些其它实施方案中包含更多或更少的子层。在一些实施方案中，子层16a、16b中的一者可经配置有光学吸收性及传导性质两者，例如组合式导体/吸收体子层16a。另外，子层16a、16b中的一或多者可经图案化为平行条带，且可形成显示装置中的行电极。此类图案化可通过此项技术中已知的掩蔽及蚀刻工艺或另一合适的工艺来执行。在一些实施方案中，子层16a、16b中的一者可为绝缘或介电层，例如沉积在一或多个金属层(例如，一或多个反射及/或传导层)上的子层16b。另外，光学堆叠16可经图案化为形成显示器的行的个别及平行条带。

过程80在方框84处以在光学堆叠16上形成牺牲层25而继续。稍后移除牺牲层25(例如，在方框90)以形成腔19，且因此未在图1中说明的所得IMOD 12中展示牺牲层25。图8B说明包含形成于光学堆叠16上的牺牲层25的部分制造装置。牺牲层25在光学堆叠16上的形成可包含以选定厚度沉积二氟化氙(XeF₂)(可蚀刻材料，例如钼(Mo)或非晶硅(Si))，以在后续移除后提供具有所要设计大小的间隙或腔19(还参见图1及8E)。可使用例如物理气相沉积(PVD，例如溅镀)、等离子增强型化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积(热CVD)或旋涂的沉积技术来进行牺牲材料的沉积。

过程80在方框86处以形成支撑结构(例如，如图1、6及8C中所说明的柱18)而继续。柱18的形成可包含：图案化牺牲层25以形成支撑结构孔隙，接着使用例如PVD、PECVD、热CVD或旋涂等沉积方法来将材料(例如，聚合物或无机材料，例如二氧化硅)沉积到所述孔隙中以形成柱18。在一些实施方案中，形成于牺牲层中的支撑结构孔隙可延伸穿过牺牲层25及光学堆叠16两者到底层衬底20，使得柱18的下部末端接触如图6A中所说明的衬底20。或者，如图8C中描绘，形成于牺牲层25中的孔隙可延伸穿过牺牲层25，但不穿过光学堆叠16。举例来说，图8E说明与光学堆叠16的上部表面接触的支撑柱18的下部末端。柱18或其它支撑结构可通过将支撑结构材料层沉积在牺牲层25上及图案化远离牺牲层25中的孔隙定位的支撑结构材料的部分而形成。支撑结构可位于孔隙内，如图8C中说明，而且可至少部分地延伸超过牺牲层25的部分。如上所述，牺牲层25及/或支撑柱18的图案化可通过图案化及蚀刻过程来执行，而且可通过替代蚀刻方法来执行。

过程80在方框88处以形成可移动反射层或薄膜(例如图1、6及8D中说明的可移动反射层14)而继续。可移动反射层14可通过使用一或多个沉积制程(例如，反射层(例如，铝、铝合金)沉积)连同一或多个图案化、掩蔽及/或蚀刻制程而形成。可移动反射层14可是导电的，且被称作导电层。在一些实施方案中，可移动反射层14可包含如图8D中展示的多个子层14a、14b、14c。在一些实施方案中，子层中的一或多者(例如子层14a、14c)可包含经选择用于其光学性质的高度反射子层，及另一子层14b可包含经选择用于其机械性质的机械子层。由于牺牲层25仍存在于在方框88处形成的部分制造的IMOD中，所以可移动反射层14通常在此阶段不可移动。含有牺牲层25的部分制造的IMOD还可在本文中被称作“未释放”IMOD。如上文结合图1所述，可移动反射层14可经图案化为形成显示器的列的个别及平行条带。

过程80在方框90处以形成腔(例如，如图1、6及8E中所说明的腔19)而继续。腔19可通过将牺牲材料25(在方框84处沉积)暴露于蚀刻剂而形成。举例来说，例如Mo或非晶Si等可蚀刻牺牲材料可通过干式化学蚀刻来移除，例如通过将牺牲层25暴露于气体或蒸汽蚀刻剂(例如从固体XeF₂导出的蒸汽)持续有效移除所要的材料量的时段，其通常相对于腔19周围的结构而选择性地移除。还可使用可蚀刻牺牲材料及蚀刻方法的其它组合，例如湿式蚀刻及/或等离子蚀刻。由于在方框90期间移除牺牲层25，所以可移动反射层14通常在此阶段之后可移动。在移除牺牲材料25之后，所得的完全或部分制造的IMOD可在本文中被称作“释放”IMOD。

图9展示穿过触摸传感器实施方案的横截面的实例。在此实例中，触摸传感器装置900包含形成在衬底905上的电极910。介电层915使电极910与电极920c电绝缘。中间导体920b经配置以用于经由通孔925a与电极910电通信。在一些实施方案中，提供任选第二中间导体920a，其可为电极920c的延伸部。因此，在一些实施方案中不存在单独的第二中间导体920a。当将充分的力施加到FSR层930(例如通过手指940或触控笔945)时，可在传导桥935、中间导体920b中的一者、及电极920c或第二中间导体920a中的一者中的任一者之间进行电连接。以此方式，触摸传感器装置可提供DRT功能性。

在一些实施方案中，衬底905可为实质上透明的。举例来说，衬底905可由一或多个合适的实质上透明材料形成，例如玻璃、塑料、聚合物等。在一些实施方案中，衬底905可为显示衬底。举例来说，在一些实施方案中，衬底905可为与上述透明衬底20相同的衬底。在一些实施方案中，衬底905可为显示设备的防护玻璃。然而，衬底905还可至少部分由实质上半透明或实质上不透明的材料形成。在一些实施方案中，衬底905可包含两个、三个或三个以上的层。

介电层915可包含一或多个介电材料层，例如氮氧化硅(SiON)、二氧化硅(SiO₂)等。介电层915还可由有机材料(例如弹性体)形成。在一些实施方案中，介电层915可为多层的堆叠，例如SiO₂/SiON/SiO₂三层堆叠。

电极910、电极920c、中间导体920b、第二中间导体920a及传导桥935(其可在本文统称为“传导元件”)可由各种合适的传导材料形成。在一些实施方案中，传导元件中的至少一些可至少部分由例如氧化铟锡(ITO)或透明传导膜等实质上透明的传导材料形成。一些此类透明传导膜可含有传导奈米粒子，例如银奈米粒子。尽管透明度为一些实施方案的非常需要的属性，但ITO及其它实质上透明的传导材料具有比一些传导金属相对较高的电阻。ITO电极的较高电阻可致使比金属电极相对较慢的响应时间，且因此可致使尤其针对大的触摸面板的较慢帧速率。ITO的较高电阻还可需要用于触摸传感器装置900及较宽电极的相对较多的功率。当使用ITO时，传导元件910、920a、920b及920c可为大约50到200微米宽。

本文所述的一些触摸传感器900可包含至少部分由传导金属形成的传导元件。在一些此类实施方案中，电极910、电极920c及/或中间导体920b及第二中间导体920a可至少部分由薄的(例如约0.1-5.0微米厚)传导金属线形成。传导元件910、920a、920b及920c可为大约1-5微米宽。下文论述一些此类实施方案。

然而，不管是由ITO、金属线还是另一材料制成，电极910、电极920c及/或中间导体920b及第二中间导体920a可不为人类观察者显而易见的。在一些实施方案中，这些传导元件可由太薄而不能被容易观察到的金属线或迹线形成。在一些实施方案中，电极910、电极920c及/或中间导体920b及第二中间导体920a可(至少部分)由经配置以减少及/或最小化入射光的反射的光学堆叠形成。在一些此类实施方案中，光学堆叠可类似于上述黑色掩膜结构23的光学堆叠。因而，光学堆叠可包含充当光学吸收体的钼铬(MoCr)层、SiO₂层及例如铝合金层的传导金属层。

图10展示图9的触摸传感器的部分的平面图的实例。现参看图10，在此实施方案中可见电极910用作行电极，及第二中间导体920a用作列电极。然而，在替代实施方案中，电极910可用作列电极及电极920c可用作行电极。在此实例中，中间导体920b经配置为上覆于电极910的部分的不连续矩形。下文描述中间导体920b及第二中间导体920a的替代配置。

FSR层930可包含FSR材料的图案化或未图案化层。FSR材料可包含传导聚合物，其具有在施加力到其表面时以可预测方式改变的电阻。可将FSR材料供应为聚合物片或可通过网版印刷、旋涂或其它制程涂覆的油墨。FSR材料可包含具有悬浮于绝缘基质中的导电粒子的感测膜。所述粒子大小可小于微米。

在一些实施方案中，FSR层930可具有大约几微米的厚度，例如1-5微米的范围。在一些实施方案中，FSR层930可具有大约2微米的厚度。在一些实施方案中，FSR层930可在施加力时暂时增加垂直方向的传导性，在此情况下，可在本文将FSR层930的材料称作“各向异性FSR”、“各向异性垂直FSR”或“垂直FSR”材料。在一些其它实施方案中，FSR层930可在施加力时各向同性地增加的传导性，在此情况下可在本文将FSR层930的材料称作“各向同性FSR”材料。在图9中所示的实例中，FSR层930由各向异性垂直FSR材料形成。

在其中安置FSR层930的区域内，中间导体920b经由通孔925a电连接到电极910。在其中安置FSR层930的区域外部，可经由通孔925b进行到电极910的电连接。举例来说，触摸传感器装置外围的布线(未图示)可经由通孔925b连接到电极910。此类布线可容易连接到其中安置FSR层930的区域外部的电极920c，这是因为FSR层930不覆盖这些区域中的电极920c(还参见图9)。

第二中间导体920a及中间导体920b可经配置以检测经由触摸传感器装置900来看对显示器的光学图像质量具有最小冲击的触控笔或手指触摸。在一些实施方案中，此类检测能力可通过将第二中间导体920a及中间导体920b以精细间距(例如参见图11b及11C)形成为相邻及/或叉指型导电透明接触表面来提供。在一些此类实施方案中，第二中间导体920a及中间导体920b可由薄的或局部薄的(例如约)实质上透明传导氧化物材料(例如ITO)形成。在一些实施方案中，电极910及/或传导桥935还可由实质上透明传导材料形成。

在图9中所示的实例中，传导桥935形成上覆中间导体920b及电极910的部分及第二中间导体920a的不连续矩形。下文描述传导桥935的替代配置。在本文描述的各种实施方案中，每一传导桥935用作感测点的FSR开关中的电桥。

举例来说，参看图9，当将充分的力施加到FSR层930(例如通过手指940或触控笔945)时，可经由FSR层930而与感测点950a的底层第二中间导体920a进行实质上垂直电连接。可经由FSR层930与底层中间导体920b之间进行另一实质上垂直的电连接，底层中间导体920b可经配置用于与电极910中的一者电连接。在此实施方案中，当施加力时，FSR层930无需变得在FSR层930的平面中显著更传导。因此，传导桥935提供水平电连接且完成感测点950a的电路955。

根据所要实施方案，传导桥935可具有相对较高的电阻(例如约0.1-1莫姆(Mohm))或相对较低的电阻(例如，＜0.1莫姆)。传导桥935可经图案化或未图案化。如果传导桥935具有相对较高电阻，那么其可提供固定电阻器的功能性。在一些实施方案中，低传导桥935的传导材料可用作触摸传感器装置900的行或列电极。

图11A-11C展示替代传导桥配置的实例。在图11A中，传导桥935经图案化而使得其占据感测点950b的大部分区域。如果传导桥935具有低电阻且未图案化，那么相邻及非相邻感测点之间的不合要求电流路径可降低系统性能(例如确定所有开关的状态的能力)。此外，图案化至少暴露电极910及/或电极920c的一部分，其形成投射式电容性触摸区域1110。

图案化传导桥935可降低感测点之间的串扰的可能性，且允许外部电场在最小降低感测点检测DRT输入的能力的情况下到达连接到电极910及920c的PCT电极。因此，在触摸传感器装置900的一些实施方案中，感测点内的传导桥935可被图案化为各种形状。在图11b中所示的实例中，感测点950c的传导桥935已形成为隔离的矩形形状，所述形状可倾斜以重叠第二中间导体920a及中间导体920b的部分。在此实例中，可在传导桥935的隔离的矩形形状之间看见中间导体920b及第二中间导体920a的实质部分。与图11A的感测点950b相比，其中暴露电极910及/或电极920c的至少一部分的投射式电容性触摸区域1110占据感测点950c的区域的实质上较大百分比。投射式电容性触摸区域1110可包含中间导体920a及920b之间的相邻区。

在图11C中所示的实例中，感测点950d的传导桥935已形成为隔离的菱形形状。与图11A的感测点950b相比，投射式电容性触摸区域1110占据感测点950d的区域的实质上较大百分比。在一些替代实施方案中，传导桥935可被配置为分段条带、曲线条纹、曲线分段或中空或框架几何形状。在一些替代实施方案中，传导桥935可提供行或列电极的功能性且因此可被图案化。

图12A-12C展示替代中间导体配置的实例。首先参看图12A，感测点950e包含具有一或多个L形分支1205a的电极920c。电极910具有一或多个L形分支1205c。中间导体920b包含安置在L形分支1205a与L形分支1205c之间的分支1205b。中间导体920b可经由固定电阻器1305电连接到电极910，固定电阻器1305部分形成于穿过介电层915的通路孔中(参见图13)。在一些实施方案中，不存在固定电阻器1305，且中间导体920b经由通孔925a电连接到电极910。

在图12B中，感测点950f包含具有螺旋形分支1205a的电极920c。电极910可具有实质上平行于电极920c安置的分支1205c。中间导体920b具有相邻螺旋形分支1205a安置的螺旋形分支1205b。中间导体920b经由固定电阻器1305电连接到电极910。在一些实施方案中，不存在固定电阻器1305，且中间导体920b经由通孔925a电连接到电极910。电极920c还可具有实质上平行于电极910安置的分支1205d。

在图12C中，感测点950g包含具有梳形分支1205a的电极920c。中间导体920b具有与梳形分支1205a交错的梳形分支1205b。类似于感测点950f，感测点950g可包含具有实质上平行于电极910安置的分支1205d的电极920c，且还可包含具有实质上平行于电极920c安置的分支1205c的电极910。分支1205c与1205d及类似特征(未图示)可增加对手指的触摸或接近的PCT敏感性。

图13展示穿过在中间导体与电极之间包含固定电阻器的触摸传感器的横截面的实例。触摸传感器装置900的此实施方案实质上类似于图9中所描绘及上文描述的实施方案。然而，此实施方案包含安置在中间导体920b与电极910之间的通孔925a中的固定电阻器1305。

在此实例中，与中间导体920b的电阻相比，固定电阻器1305具有相对较大电阻(例如在约0.01到10莫姆的范围中)。用以形成固定电阻器1305的材料可具有高的薄片电阻率，(例如在约le3到le7莫姆-cm的范围中)，且可为实质上透明的。如果材料并非光学透明的，那么固定电阻器1305可被制成足够小而使得其不能容易被感知为光学假影。在一些实施方案中，固定电阻器1305可由二氧化硅、由掺有一或多种金属的二氧化硅或由氧化锌形成。固定电阻器可形成在所展示的通孔开口内。在一些配置中，固定电阻器可从通孔开口内部延伸到通孔开口周围的区(未图示)，或以其它方式定位在中间导体与每一感测点处的下部电极之间。

因为中间导体920b与固定电阻器1305串联，所以电极920a及/或中间导体920b可由例如ITO等材料形成，所述材料与传导金属的电阻相比具有相对较高的薄片电阻(例如，0.05-2千欧/平方)。由于固定电阻器1305的存在，每一感测点950h的开关电阻仍可制成显著大于所述行或列电极的电阻(例如，大10-100倍)。中间导体920b中的每一者因此可具有相对较高的电阻(例如，＜10千欧)。因此，很薄(例如约)的透明传导氧化物材料(例如ITO)可用以形成中间导体920b，此归因于低光学吸收而可为光学上有利的。

图14展示穿过具有暴露的投射式电容性触摸区域的触摸传感器的横截面的实例。在此类实施方案中，触摸传感器装置900可包含PCT及DRT功能性两者。触摸传感器装置900的此实施方案包含投射式电容性触摸区域1110，其中传导桥935之间的空间至少部分暴露电极910及电极920c。

在此实例中，电极910形成行电极，及电极920c形成触摸传感器装置900的列电极。在此实例中，电极920c至少部分由例如Al、Mo或Ni等传导金属形成。列电极920c可为大约1-5微米宽或更多，具有大约5-50微米或更多的空间。中间导体920b及第二中间导体920a可经配置以检测经由触摸传感器装置900来看对显示器的光学图像质量具有最小冲击的触控笔或手指触摸。在一些实施方案中，此类检测能力可通过将中间导体920b及第二中间导体920a以精细间距(例如参见图11B及11C)形成为相邻及/或叉指型导电透明接触表面来提供。在一些实施方案中，将第二中间导体920a附加到电极920c。手指940的接近性可归因于手指940在电场1405上的效应而通过投射式电容性触摸区域中的触摸传感器装置900检测：手指940(或触控笔)可引起触摸传感器装置900的行电极与列电极之间的互电容的改变。在一些实施方案中，列电极920c可(至少部分)由经配置以减少及/或最小化入射光的反射的光学堆叠形成。在一些此类实施方案中，光学堆叠可类似于上述黑色掩膜结构23的光学堆叠。

图15展示图14的触摸传感器的部分的平面图的实例。如上所述，电极910形成行电极，及电极920c形成触摸传感器装置900的列电极。代替与列电极整体地形成(如图10中所示)，第二中间导体920a形成附加到连续列电极920c的不连续矩形。通过用由相对较低传导材料(例如透明传导氧化物(TCO))制成的列电极来取代高度传导金属制成的列电极，与图10中所示的实施方案相比，所述列的寄生线电阻可减小。此寄生线电阻的减小可导致触摸传感器装置900中的感测点状态的改进检测。由于列电极920c在由金属形成时为实质上不透明的且第二中间导体920a必须覆盖感测点区域的大部分以确保可靠的触摸注册，所以可需要第二中间导体920a由实质上透明材料(例如ITO)制成。在一些实施方案中，触摸传感器装置900的行电极还可至少部分由传导金属形成。

图16展示穿过具有中间导体分支及电极分支的触摸传感器的横截面的实例。图17展示图16的触摸传感器的部分的平面图的实例。此实施方案类似于图14及15中所展示的实施方案。然而，在图16中所示的触摸传感器装置900中，第二中间导体920a及中间导体920b由传导金属形成。在一些实施方案中，第二中间导体920a可由与列电极920c相同的金属层形成。

在此实例中，第二中间导体920a的分支1205a及中间导体920b的分支1205b为具有指叉状尖齿的梳形(参见图17)。分支1205a与分支1205b之间的间隔可为大约几微米，且在一些实施方案中为约3-5微米。在替代实施方案中，分支1205a及/或分支1205b可为L形、螺旋形等。在一些实施方案中，形成传导金属线框架的第二中间导体920a及中间导体920b代替TCO可增加这些元件的传导性及触摸传感器装置900的整体透明度两者。

图18展示穿过具有经配置以在电极行或列的部分之间形成电连接的跳线的触摸传感器的横截面的实例。在此实施方案中，触摸传感器装置900的行电极920d及列电极920c主要形成在与第二中间导体920a及中间导体920b不同的层中。在此实例中，行及列电极形成在与薄的传导金属相同的层中(参见图19)。第二中间导体920a及中间导体920b由例如TCO等实质上透明传导材料形成。

第二中间导体920a附加到列电极920c且覆盖感测点区域的实质部分以确保DRT敏感性。中间导体920b形成经由通孔925a的电连接且还可覆盖感测点区域的实质部分。间隙1810防止列电极920c与行电极920d之间的短路。

与上述实施方案的电极910不同，跳线910a不形成跨越衬底905的连续行。而是，跳线910a经定位且经配置为一或多个“L”形状以通过通孔925来形成行电极920d的不连续部分之间的以及行电极920d与中间导体920b之间的电连接。在一些实施方案中，薄金属层的用以形成电极920a及920d的一部分可在通孔925a上方的区中的第二中间导体920b上经图案化，以确保中间导体920b与跳线910a之间的电连续性。在一些实施方案中，固定电阻器1305形成在跳线910a与通孔925a之间。跳线910a由例如Al、Mo或Ni等传导金属形成，且通过绝缘层915与列电极910c隔离。连接部分1805与列电极920c的任一侧上的跳线910a电连接。在一些实施方案中，连接部分1805可形成为形成行电极920d的层的部分。

图19展示图18的触摸传感器的部分的平面图的实例。参看图19，将观察到在此实例中中间导体920b实质上与行电极920d电隔离。此处，连接部分1805经由绝缘层915而形成以实现行电极920d与跳线910a之间的电连接，且通孔925a经形成以实现中间电极920b与跳线910a之间的连接。在一些实施方案中，固定电阻器1305形成在跳线910a与通孔925a(未图示)之间。类似于上述结构23的黑色掩膜层可定位于固定电阻器1305上方以减少光学假影的出现。在一些实施方案中，黑色掩码结构可由与行电极920d及列电极920c相同的层形成。在此实施方案中，行电极920d包含实质上平行于列电极920c的分支1205d。

图20展示穿过具有柔性层及力散布层的触摸传感器的横截面的实例。在没有顶部表面上的保护薄膜的情况下，触摸传感器装置900可易受环境损害，例如磨损、暴露于紫外光等。另外，一些所要的层堆叠仅可以与柔性衬底组合的方式为市售的(例如，包含以下的产品(a)柔性薄膜及图案化ITO，或(b)柔性薄膜、图案化ITO及名义上未图案化的FSR)。为了减轻环境损害的易感性且实现一些市售产品的用途，触摸传感器装置900的一些实施方案可包含柔性层2010。

在一些此类实例中，柔性层2010可为由聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酰亚胺或类似材料制成的透明塑料膜。在一些实施方案中，柔性层2010可具有约5-100微米的厚度、约1-20000MPa的弹性模数、及约0.5-10％的可见光光谱中的光学吸收。在一些实例中，柔性层2010可具有在0.5-5GPa的范围中的弹性模数。

关于一些感测点阵列的问题在于其感测点间距可大于感测点的敏感性的面积。换句话说，感测点可能间隔地太远而不能检测在阵列上的任意位置处的手指触摸或触控笔输入。在一些实施方案中，力散布层2015在传感器顶部上的添加可散布所述力，使得感测点的敏感性的面积增加到大于感测点间距，从而增加检测到触摸或触控笔输入的可能性。

在一些实施方案中，力散布层2015可包含一个以上层。举例来说，力散布层2015可包含至少两个层，散布力的底部层以及类似于柔性层2010、抗反射涂层或保护力散布层的硬涂层的顶部层。在一些实施方案中，力散布层2015可具有约1-1000MPa的弹性模数，及约0.1-5％的可见光光谱中的光学吸收。在一些实施方案中，柔性层2010与力散布层2015组合厚度可为大约与感测点950i的宽度相同。在一些实施方案中，力散布层的总厚度可为大约中间导体920b与电极910或第二中间导体920a之间的间隔。

在层堆叠中存在需要具有良好机械(良好粘合力)及良好电(低接触电阻)接口的多个位置。在一些情况下，此类良好接口可通过使用适当的沉积/涂覆、蚀刻及清洗制程而形成。然而，触摸传感器装置900的一些实施方案在一些元件之间包含传导粘合剂2005。传导粘合剂2005可为实质上透明的。传导粘合剂2005可局部安置在一些元件周围，例如电极920c及中间导体920b。

在一些实施方案中，传导粘合剂2005可全局地涂覆：在图20中，例如，已将传导粘合剂2005涂覆到FSR层930的整个上部表面。可归因于传导粘合剂2005的相对较低传导性而避免传导桥935之间的短路：在一些此类实施方案中，传导粘合剂2005可具有在约le4-le7欧姆-厘米的范围中体积电阻率。传导粘合剂2005可具有在约到4微米的范围中的厚度。在传导粘合剂2005的一些实施方案中，指数n在1.3-1.6的范围中，且k小于约0.005。

一些实施方案可在仅需要机械接合而非电接合的多层之间包含实质上透明但实质上非传导粘合剂。在一些此类实施方案中，粘合剂可类似于市售的的粘合剂，且被称为光学耦合粘合剂(OCA)或光学传导树脂(OCR)。

图21展示说明用于触摸传感器装置的制造过程的流程图的实例。过程2100的方框可或可不按图21中所指示的序列执行。此外，过程2100的一些实施方案可包含较多或较少的方框。因此，过程2100可经调适以制造本文所展示及/或描述的触摸传感器装置900中的任一者以及其变体。除非另有说明，过程2100的方框可涉及半导体制造制程，例如沉积、蚀刻等。

在此实例中，过程2100以方框2105开始，其涉及在衬底上形成多个第一电极。在一些此类实施方案中，方框2105可涉及在衬底905上将电极910形成为行或列电极(例如，参见图20)。在替代实施方案中，方框2105可涉及在衬底905上形成跳线910a(参见图18)。方框2105还可涉及在衬底905上形成布线。

在此实例中，电阻器材料沉积在第一电极上且经图案化以形成固定电阻器，例如上文描述的固定电阻器1305(方框2110)。然而，过程2100的一些实施方案可不包含方框2110。而是，一或多个其它元件的电阻可经配置以补偿固定电阻器1305的缺乏。举例来说，如上所述，如果传导桥935具有充分高的电阻，那么所述传导桥935可提供固定电阻器1305的功能性。或者，FSR层甚至在极度按压时可提供固定电阻器1305的功能性。

过程2100以方框2115继续，其涉及在衬底上的多个第一电极上形成介电层。在一些此类实施方案中，方框2115可涉及在电极910上或在跳线910a上以及在衬底905的暴露部分上形成类似于介电层915的层。在方框2120中，通孔(例如通孔925a及925b)可经由介电层而形成。

在此实施方案中，方框2125涉及在介电层上形成多个第二电极及中间导体。在一些实施方案中，第二电极可包含行或列电极。取决于所制造的触摸传感器装置900的特定实施方案，方框2125可涉及形成如上所述的第二中间导体920a、中间导体920b、列电极920c及/或行电极920d。在一些实施方案中，第二电极及/或中间导体可至少部分由ITO或另一TCO形成。然而，第二电极及/或中间导体还可至少部分由例如Al、Mo或Ni等传导金属形成。

在一些实施方案中，第二中间导体920a、中间导体920b、列电极920c及/或行电极920d可包含分支。所述分支可为L形、螺旋形，经定形为叉指型梳齿等。(参见图12A-12C)。

方框2130涉及将FSR材料层安置在第二电极及中间导体上。FSR材料可实质上如上文参考FSR层930所描述。在一些实施方案中，FSR材料并非在过程2100期间制造，而是可将先前获得的FSR材料层涂覆到第二电极、到中间导体及到介电层的暴露部分。FSR材料可在被涂覆之前经定形、图案化或以其它方式制备。在一些实施方案中，可在涂覆FSR材料之前将传导粘合剂材料涂覆到第二电极及/或到中间导体(例如，参见图20)。在一些实施方案中，可将另一传导粘合剂材料层涂覆到FSR材料。

接着可将多个传导桥涂覆到FSR材料(方框2135)。传导桥可经配置以形成开放区(在本文还称作投射式电容性触摸区域1110)，其中至少部分暴露第一电极及/或第二电极。传导桥可经配置为正方形、矩形、菱形、分段条带、曲线条纹、曲线分段、中空几何形状、框架几何形状或其它形状(参见图11A-11C)。

在一些实施方案中，可将传导桥涂覆到上覆FSR材料的传导粘合剂材料。此外，在一些实施方案中，在将FSR材料涂覆到第二电极及中间导体之前，可将传导桥涂覆到传导粘合剂材料及/或FSR材料。换句话说，在一些实施方案中，方框2135可在方框2130之前。

在一些实施方案中，可将柔性层及/或力散布层涂覆到传导桥及FSR材料。取决于实施方案，可在方框2130之前或之后涂覆这些层。

在方框2140中，设备至少部分经配置以用作触摸传感器。举例来说，可将个别显示器大小的部分单一化。触摸控制器或其它此类装置可经配置用于(例如)通过连接触摸控制器与布线而与触摸传感器装置900的行电极及列电极通信。触摸控制器可经配置以确定与触摸传感器装置900接触(或位于附近)的手指、传导触控笔等的触摸位置。触摸控制器可经配置以至少部分基于触摸位置附近的电容及/或电阻的所检测改变来进行此类确定。

方框2145可涉及进一步封装及/或处理。举例来说，触摸传感器装置900可经封装以用于存储及/或装运。在一些实施方案中，触摸传感器装置900可与显示装置合并。

图22A及22B展示说明包含如本文描述的触摸传感器的显示装置的系统框图的实例。显示装置40可为(例如)蜂窝式或移动电话。然而，显示装置40或其轻微变体的相同组件还说明多个类型的显示装置，例如电视、电子阅读器及便携式媒体播放器。

显示装置40包含外壳41、显示器30、触摸传感器装置900、天线43、扬声器45、输入装置48及麦克风46。外壳41可由多种制造工艺中的任一者形成，包含射出模制及真空成型。另外，外壳41可由多种材料中的任一者制成，包含(但不限于)：塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷、或其组合。外壳41可包含可与不同色彩或含有不同标识、图片或符号的其它可移动部分互换的可移动部分(未图示)。

显示器30可为多种显示器中的任一者，包含双稳态或模拟显示器，如本文所描述。显示器30还可经配置以包含平板显示器，例如等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD或非平板显示器，例如CRT或其它管装置。另外，显示器30可包含IMOD显示器，如本文所描述。触摸传感器装置900可为实质上如本文所描述的装置。

在图22B中示意性说明显示装置40的组件。显示装置40包含外壳41，且可包含至少部分封闭在其中的额外组件。举例来说，显示装置40包含网络接口27，网络接口27包含耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21也连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28且耦合到阵列驱动器22，所述阵列驱动器22继而耦合到显示器阵列30。电源50可根据特定显示装置40设计所需要而提供电力到所有组件。

在此实例中，显示装置40还包含触摸控制器77。触摸控制器77可经配置用于(例如)经由布线与触摸传感器装置900通信，且可经配置用于控制触摸传感器装置900。触摸控制器77可经配置以确定接近触摸传感器装置900的手指、传导触控笔等的触摸位置。触摸控制器77可经配置以至少部分基于触摸位置附近的电容及/或电阻的所检测改变来进行此类确定。然而，在替代实施方案中，处理器21(或另一此类装置)可经配置以提供一些或所有此功能性。

网络接口27包含天线43及收发器47，使得显示装置40可经由网络与一或多个装置通信。网络接口27还可具有一些处理能力以减轻(例如)处理器21的数据处理需求。天线43可发射及接收信号。在一些实施方案中，天线43根据IEEE 16.11标准来发射及接收RF信号，所述标准包含IEEE 16.11(a)、(b)或(g)、或IEEE 802.11标准(包含IEEE 802.11a、b、g或n)。在一些其它实施方案中，天线43根据BLUETOOTH标准来发射及接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下，天线43经设计以接收码分多址(CDMA)、频分多址(FDMA)、时分多址(TDMA)、全球移动通信系统(GSM)、GSM/通用分组无线电服务(GPRS)、增强型数据GSM环境(EDGE)、陆地集群无线电(TETRA)、宽带CDMA(W-CDMA)、演进数据优化(EV-DO)、1xEV-DO、EV-DO Rev A、EV-DO Rev B、高速分组接入(HSPA)、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSUPA)、演进型高速分组接入(HSPA+)、长期演进(LTE)、AMPS、或用以在无线网络内通信的其它已知信号，例如利用3G或4G技术的系统。收发器47可预处理从天线43接收的信号，使得所述信号可被接收且由处理器21进一步操纵。收发器47还可处理从处理器21接收的信号，使得所述信号可从显示装置40经由天线43而发射。处理器21可经配置以(例如)经由网络接口27从时间服务器接收时间数据。

在一些实施方案中，收发器47可由接收器替代。另外，网络接口27可由图像源替代，其可存储或产生待发送到处理器21的图像数据。处理器21可控制显示装置40的整体操作。处理器21接收例如来自网络接口27或图像源的压缩图像数据的数据，并将所述数据处理成原始图像数据或处理成易被处理成原始图像数据的格式。处理器21可将经处理数据发送到驱动器控制器29或到帧缓冲器28用于存储。原始数据通常指识别图像内每一位置处的图像特性的信息。举例来说，这些图像特性可包含色彩、饱和度及灰度级。

处理器21可包含微控制器、CPU或逻辑单元以控制显示装置40的操作。调节硬件52可包含用于发射信号到扬声器45以及用于从麦克风46接收信号的放大器及滤波器。调节硬件52可为显示装置40内的离散组件，或可并入于处理器21或其它组件内。

驱动器控制器29可直接从处理器21或从帧缓冲器28获取处理器21所产生的原始图像数据，且可适当地重新格式化原始图像数据用于高速发射到阵列驱动器22。在一些实施方案中，驱动器控制器29可将原始图像数据重新格式化为具有类似光栅格式的数据流，使得其具有适于扫描显示器阵列30的时间次序。接着驱动器控制器29将格式化信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)常常与作为独立集成电路(IC)的系统处理器21相关联，但此类控制器可以许多方式来实施。举例来说，控制器可作为硬件嵌入于处理器21中，作为软件嵌入于处理器21中，或完全以硬件方式与阵列驱动器22集成。

阵列驱动器22可接收来自驱动器控制器29的格式化信息，且可将视频数据重新格式化为平行波形集合，所述平行波形集合可每秒许多次到几百次且有时几千次(或更多)的被应用到来自显示器的像素的x-y矩阵的引线。

在一些实施方案中，驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示器阵列30适合用于本文所述的显示器类型中的任一者。举例来说，驱动器控制器29可为常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，阵列驱动器22可为常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如，IMOD显示器驱动器)。此外，显示器阵列30可为常规显示器阵列或双稳态显示器阵列(例如，包含IMOD阵列的显示器)。在一些实施方案中，驱动器控制器29可与阵列驱动器22集成。此类实施方案在例如蜂窝式电话、手表及其它小面积显示器等高度集成系统中为通用的。

在一些实施方案中，输入装置48可经配置以允许(例如)用户控制显示装置40的操作。输入装置48可包含小键盘(例如QWERTY键盘或电话小键盘)、按钮、开关、摇杆、触敏屏幕、或压敏或热敏薄膜。麦克风46可经配置为显示装置40的输入装置。在一些实施方案中，经由麦克风46的语音命令可用于控制显示装置40的操作。

电源50可包含此项技术中众所周知的多种能量存储装置。举例来说，电源50可为可再充电蓄电池，例如镍镉蓄电池或锂离子蓄电池。电源50还可为可再生能源、电容器或太阳能电池塑料太阳能电池或太阳能电池漆。电源50还可经配置以接收来自墙壁插座的电力。

在一些实施方案中，控制可编程性驻留在可定位于电子显示系统中若干位置处的驱动器控制器29中。在一些其它实施方案中，控制可编程性驻留在阵列驱动器22中。上述优化可以任何数目个硬件及/或软件组件及以多个配置来实施。

结合本文所揭示的实施方案而描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块、电路及算法过程可实施为电子硬件、计算机软件或两者的组合。硬件与软件的可互换性已大体在功能性方面进行描述且在上文描述的各种说明性组件、方框、模块、电路及过程中说明。此类功能性是实施于硬件还是软件中取决于特定应用及施加于整个系统的设计约束。

可使用经设计以执行本文所描述的功能的通用单或多芯片处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行结合本文中所揭示的方面而描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块及电路。通用处理器可为微处理器，或任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合，例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器与DSP核心的组合，或任何其它此类配置。在一些实施方案中，特定过程及方法可通过给定功能特定的电路来执行。

在一或多个方面中，所描述功能可以硬件、数字电子电路、计算机软件、固件来实施，包含本说明书及其结构等效物中所揭示的结构或其任何组合。本说明书中描述的标的物的实施方案还可实施为一或多个计算机程序(即，计算机程序指令的一或多个模块)，其编码于计算机存储媒体上用于由数据处理设备执行或控制数据处理设备的操作。

如果以软件实施，那么可将所述功能作为一或多个指令或代码存储在计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。本文揭示的方法或算法的过程可实施于可驻留在计算机可读媒体上的处理器可执行软件模块中。计算机可读媒体包含计算机存储媒体及通信媒体两者，包含实现将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。存储媒体可为可由计算机存取的任何可用媒体。通过实例的方式(且非限制)，此类计算机可读媒体可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置、或可用以存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码且可由计算机存取的任何其它媒体。而且，可恰当地将任何连接称作计算机可读媒体。如本文所使用，磁盘及光盘包含紧密光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘及蓝光光盘，其中磁盘通常磁性地复制数据，而光盘使用激光光学地复制数据。上文的组合也应包含在计算机可读媒体的范围内。另外，方法或算法的操作可驻留作为机器可读媒体及计算机可读媒体上的代码及指令中的一者或任何组合或集合，其可并入到计算机程序产品中。

所属领域的技术人员可显而易见本发明中所描述的实施方案的各种修改，且本文中所定义的一般原理可在不偏离本发明的精神或范围的情况下适用于其它实施方案。因此，权利要求书并不意图限于本文所展示的实施方案，而应符合与本文中所揭示的揭示内容、原理及新颖特征一致的最宽范围。

另外，所属领域的技术人员将容易了解，术语“上部”及“下部”有时为了便于描述图式而使用，且指示对应于适当定向页面上的图式的定向的相对位置，且可不反映所实施IMOD(或任何其它装置)的正确定向。

在单独实施方案的上下文中的在本说明书中描述的某些特征也可组合单个实施方案来实施。相反，在单个实施方案的上下文中描述的各种特征还分别可实施于多个实施方案中或任何合适的子组合中。此外，尽管上文可将特征描述为在某些组合中起作用及甚至最初如此主张，但在一些情况下，来自所主张组合的一或多个特征可从所述组合删除，且所主张组合可针对子组合或子组合的变体。

类似地，虽然在图中按特定次序来描绘操作，但此不应理解为要求按所展示的特定次序或按顺序次序来执行此类操作，或执行所有所说明操作，从而实现所需要的结果。此外，所述图可按流程图形式来示意性地描绘一或多个实例过程。然而，可将未描绘的其它操作并入于示意性说明的实例过程中。举例来说，可在所说明操作中的任一者之前、之后、同时或之间执行一或多个额外操作。在某些情况下，多任务处理及平行处理可为有利的。此外，上述实施方案中各种系统组件的分离不应理解为要求所有实施方案中的此类分离，且应理解，一般可将所描述程序组件及系统一起集成在单个软件产品中或封装在多个软件产品中。另外，其它实施方案是在随附权利要求书的范围之内。在一些情况下，权利要求书中所叙述的动作可按不同次序执行且仍实现所需要的结果。

Claims

1.一种触摸传感器设备，其包括：

衬底；

多个第一电极，其安置在所述衬底上；

介电层，其安置在所述多个第一电极上；

多个第二电极，其安置在所述介电层上；

多个中间导体，其安置在所述介电层上且经配置以用于经由形成在所述介电层中的通孔而与所述第一电极电通信；

力敏电阻器FSR材料层，其安置在所述第二电极及所述中间导体上；及

多个传导桥，其安置在所述FSR材料上，所述传导桥中的每一者被安置在所述中间导体中的至少一者上方，其中当施加力到所述FSR材料时，经由所述第二电极之一与所述传导桥之一之间的所述FSR材料形成第一电连接，及经由所述传导桥的所述一者与所述中间导体之一之间的所述FSR材料形成第二电连接。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述衬底为实质上透明的。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其进一步包含安置在所述中间导体之一与所述第一电极之一之间的固定电阻器。

4.根据权利要求1或2所述的设备，其中在所述传导桥之间的开放区至少部分暴露所述第一电极及所述第二电极的投射式电容性触摸PCT区域，且其中所述触摸传感器设备经配置以用于实现对所述第一电极与所述第二电极之间的互电容改变的测量。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第一电极或所述第二电极中的至少一者在所述暴露PCT区域中包含传导部分。

6.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述传导桥中的一些至少部分安置在所述第二电极之一的上方。

7.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述传导桥形成为分段条带、曲线条纹、曲线分段、菱形形状、中空几何形状或框架几何形状中的至少一者。

8.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述第一电极、所述第二电极或所述中间导体中的至少一者包含分支。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述分支形成为L形、螺旋形或叉指型形状中的至少一者。

10.根据权利要求8所述的设备，其中中间导体分支与第一电极分支或第二电极分支交错。

11.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述第一电极、所述中间导体或所述第二电极中的至少一者由实质上透明的传导材料形成。

12.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述第一电极或所述第二电极中的至少一者包含实质上透明的传导材料及传导金属。

13.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述第一电极或所述第二电极之一的至少一部分由金属形成。

14.根据权利要求1或2所述的设备，其进一步包含安置在所述传导桥及所述FSR材料上方的力散布层。

15.根据权利要求1或2所述的设备，其进一步包含安置在所述FSR材料与所述传导桥、所述中间导体、所述第二电极、柔性层、介电层或力散布层中的至少一者之间的传导粘合材料。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述传导粘合材料为实质上透明的。

17.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述第二电极包含行电极及列电极，及其中所述第一电极包含经配置以沿着所述行电极或所述列电极中的至少一者形成电连接的跳线。

18.根据权利要求1或2所述的设备，其进一步包括：

显示器；

处理器，其经配置以与所述显示器通信，所述处理器经配置以处理图像数据；及存储器装置，其经配置以与所述处理器通信。

19.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括：

驱动器电路，其经配置以发送至少一个信号到所述显示器；及

控制器，其经配置以发送所述图像数据的至少一部分到所述驱动器电路。

20.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括：

图像源模块，其经配置以发送所述图像数据到所述处理器，其中所述图像源模块包含接收器、收发器或发射器中的至少一者。

21.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括：

输入装置，其经配置以接收输入数据及将所述输入数据传达到所述处理器。

22.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括：

触摸控制器，其经配置以用于与所述处理器通信；及

布线，其经配置以用于将所述第一电极或所述第二电极中的至少一者连接到所述触摸控制器。

23.一种制造触摸传感器设备的方法，所述方法包括：

在衬底上形成多个第一电极；

在所述多个第一电极上形成介电层；

在所述介电层中形成通孔；

在所述介电层上形成多个第二电极；

在所述介电层上形成多个中间导体，所述中间导体经配置以用于经由所述通孔而与所述第一电极电通信；

将各向异性的力敏电阻器FSR材料层安置在所述第二电极及所述中间导体上；及

在所述FSR材料上形成多个传导桥，所述传导桥中的每一者安置在所述中间导体中至少一者上方，其中当将力施加到所述FSR材料时，所述FSR材料经配置以在所述传导桥之一、所述第二电极之一及所述中间导体之一之间形成至少一个实质上垂直的电连接。

24.根据权利要求23所述的方法，其进一步包含在所述中间导体之一与所述第一电极之一之间安置固定电阻器。

25.根据权利要求23或24所述的方法，其中在所述传导桥之间的开放区至少部分暴露所述第一电极及所述第二电极的投射式电容性触摸PCT区域，所述方法进一步包含配置所述触摸传感器设备以用于测量所述第一电极与所述第二电极之间的互电容的改变。

26.根据权利要求25所述的方法，其中所述第一电极或所述第二电极中的至少一者在所述暴露PCT区域中包含传导部分。

27.根据权利要求26所述的方法，其中所述传导部分至少部分由传导金属形成。

28.根据权利要求23或24所述的方法，其中形成所述多个传导桥涉及形成所述传导桥中的一些以在所述第二电极中的至少一者上方延伸。