CN104348083A - 波长监视器以及光模块 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 109
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 138
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 104
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0414—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using plane or convex mirrors, parallel phase plates, or plane beam-splitters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0488—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts with spectral filtering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0286—Constructional arrangements for compensating for fluctuations caused by temperature, humidity or pressure, or using cooling or temperature stabilization of parts of the device; Controlling the atmosphere inside a spectrometer, e.g. vacuum
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0411—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using focussing or collimating elements, i.e. lenses or mirrors; Aberration correction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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Abstract
本发明提供一种波长监视器以及光模块,能够缓和光滤波器的安装角度精度。波长监视器(WM)监视从激光光源(LS)射出并经由准直透镜(2)的激光的波长,具备作为光滤波器的标准具(4)和光检测器(5)。标准具(4)被配置成使从激光光源(LS)的一对射出端口(10、11)射出并透射了准直透镜(2)的同一波长的一对准直光以正负对称的入射角度入射,针对频率具有周期性的透射率。光检测器(5)接收透射了标准具(4)的一对准直光来检测光强度。
Description
技术领域
本发明涉及波长监视器以及光模块。
背景技术
近年来,在光通信的领域中,光传送方式的高速、大容量化得到发展。作为其核心技术,在1根光纤中复用地传送波长不同的多个光信号的波分复用(Wavelength Division Multiplexing,WDM)方式得到了普及。为了使用WDM方式来运营稳定的通信系统,而需要确保备用的光源,以防光源的故障。但是,如果针对复用化的光信号的各个波长确保备用的光源,则备用的光源的数量变多,用于保养这些光源的成本增加。因此,为了抑制该成本,能够利用1个光源来输出多个波长的激光的波长可变光源的需求变高。
作为代表性的波长可变光源,提出了通过使半导体激光器的温度变化而使振荡波长可变的方式。该方式的半导体激光器的振荡波长的可变幅度根据工作温度范围而被决定,至多仅为2~3nm程度。因此,大多通过使用设置了多个半导体激光器的波长可变光源,从而使波长可变光源中的可射出的光的波长的范围变宽。
另外,在波长可变光源中,要求光信号的波长长期地稳定。为了使波长稳定,需要监视从半导体激光器射出的光的波长,并控制半导体激光器的温度等。因此,开发了具有波长监视器的功能的光源(专利文献1、2)。
专利文献1记载的波长监视器通过利用分束器等来取出向半导体激光器的前面方向射出了的光的一部分并使其入射到标准具(etalon)等光滤波器,从而监视波长。
另外,专利文献2记载的波长监视器通过使从非等间隔地配置了射出光位置的多个半导体激光器向后面方向射出的射出光入射到标准具,从而监视波长。
专利文献1:日本特开2002-185074号公报
专利文献2:日本特开2012-129259号公报
发明内容
在作为光滤波器的标准具中,其透射波长特性取决于光的入射角度而在频率方向上偏移。由此,为了得到期望的特性,在专利文献1、2中的任意一个波长监视器中,都存在如下问题:需要进行使标准具的安装角度偏离成为例如0.05°以下这样的高精度的安装角度对准。
特别是在专利文献2的波长监视器中,阵列状地配置的半导体激光器中的位于端部的半导体激光器中的射出光位置从透镜的中心轴较大地偏移。因此,透射透镜后的准直光束传播角倾斜,向标准具的光线入射角度变大。标准具作为通过传播光的内部多重反射的干涉而具有周期性的透射率的频率依赖性的滤波器而发挥功能。因此,如果向标准具的光线入射角度变大,则产生了角度的偏差时的干涉光的位置变化变大,标准具透射波长特性的偏差也增大。
本发明是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供一种能够缓和光滤波器的安装角度精度的波长监视器以及光模块。
为了实现上述目的,本发明的波长监视器监视从激光光源射出并经由准直透镜的激光的波长,具备光滤波器和光检测器。光滤波器被配置为使从激光光源的一对射出端口射出而透射了准直透镜的同一波长的一对准直光以正负对称的入射角度来入射,针对频率具有周期性的透射率。光检测器接收透射了光滤波器的一对准直光而检测光强度。
根据本发明,同一波长的一对准直光以正负对称的入射角度入射到光滤波器,所以即使在产生了光滤波器的安装角度偏离的情况下,偏移了的光滤波器透射波长特性被消除,能够得到设为与光滤波器没有安装角度偏离时相同的波峰频率的光滤波器透射波长特性,能够缓和光滤波器的安装角度精度。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的波长监视器的结构图。
图2是以往的波长监视器的结构图。
图3是示出以往的波长监视器的透射波长特性的图。
图4是示出本发明的实施方式1的波长监视器的透射波长特性的图。
图5是示出波长监视器的透射波长特性的偏移的图。
图6是本发明的实施方式2的波长监视器的结构图。
图7是本发明的实施方式3的波长监视器的结构图。
图8是本发明的实施方式4的波长监视器的结构图。
图9是本发明的实施方式5的波长监视器的结构图。
图10是以往的波长监视器的结构图。
图11是示出在以往的波长监视器中没有标准具安装偏离时的透射波长特性的图。
图12是示出在以往的波长监视器中标准具角度偏离了0.1°时的透射波长特性的图。
图13是示出在本发明的实施方式5的波长监视器中没有标准具安装偏离时的透射波长特性的图。
图14是示出在本发明的实施方式5的波长监视器中标准具角度偏离了0.1°时的透射波长特性的图。
图15是本发明的实施方式6的波长监视器的结构图。
图16是示出在本发明的实施方式6的波长监视器中标准具温度是60℃时的透射波长特性的图。
图17是示出在本发明的实施方式6的波长监视器中通过调整标准具温度而使透射波长特性一致的图。
图18是本发明的实施方式7的波长监视器的结构图。
图19是示出观测面中的光的干涉结果的图。
图20是本发明的实施方式8的波长监视器的结构图。
(符号说明)
2、18:准直透镜;3:分束器;4:标准具(光滤波器);5:光检测器;7:珀尔帖(Peltier)元件(温度调整元件);8:聚光透镜;9:二分支光纤;10、11:射出端口;10A、11A:射出波导;12:半导体基板;13:光合波分波器(第一光合波分波器);16:光合波分波器(第二光合波分波器);20:温度控制部;51~54:光检测区域;101~112:半导体激光器;141、142:光放大器;CL:中心线;O:中心;OM:波长可变光模块(光模块);LS:激光光源;WM:波长监视器。
具体实施方式
以下,参照附图,详细说明本发明的实施方式。
(实施方式1)
本发明的实施方式1的波长可变光模块OM如图1所示,具备能够使振荡波长任意地变化的激光光源LS、使来自激光光源LS的激光准直的准直透镜2、以及对准直光的波长进行监视的波长监视器WM。
该波长监视器WM如图1所示,具备使准直光的一部分分支的分束器3、被输入该分支了的准直光的作为光滤波器的晶体制的标准具4、以及对透射了标准具4的准直光的光强度进行检测的光检测器5。
激光光源LS具备波长可变激光器1,该波长可变激光器1具有射出相同强度、相同波长的光的一对射出端口10、11。在图1中,概念性地示出了从2个射出端口10、11射出的光线60、61、和由分束器3分支了的光线62、63。射出端口10、11之间的距离被设定成使透射了准直透镜2之后的光线60、61所成的角成为2°。
准直透镜2是将从2个射出端口10、11射出了的扩散光变换为平行光的透镜。准直透镜2被配置成使其中心O与射出端口10、11的中心线CL一致。
分束器3是使透射了准直透镜2的准直光的一部分反射而向标准具4分支、并使其以外的准直光透射的光学元件。
标准具4是透射率具有波长依赖性的波长滤波器。标准具4被配置为使透射了准直透镜2的同一波长的2个光线62、63的入射角度成为正负对称。此处,射出端口10、11之间的距离被设定为使光线60、61所成的角成为2°。因此,相对于标准具4的入射面的法线NL,光线62、63的入射角度为1°且成为对称。
光检测器5是接收透射了标准具4的准直光来检测光强度的光电二极管。在标准具4的透射率中有周期性的频率依赖性。因此,由光检测器5检测的光强度依赖于从波长可变激光器1射出的光的频率。波长监视器WM具备预先对由光检测器5检测出的光强度和光的频率的关系进行了存储的存储表格TB等存储器。波长监视器WM通过使用存储表格TB来确定与由光检测器5检测出的光强度对应的光的频率,能够求出从波长可变激光器1射出的激光的波长(=光速/频率)。即,通过利用光检测器5来检测光强度,能够监视其波长。
此处,示出本实施方式1的波长监视器的透射波长特性的仿真结果。为了比较,首先,说明对以往构造中的波长监视器的透射波长特性的标准具安装角度依赖性进行仿真而得到的结果。图2示出仿真中使用的以往的波长监视器的构造。以往的波长监视器与本实施方式1的不同点在于,波长可变激光器1的射出端口是1个、以及标准具4被配置为相对于由分束器3分支了的光线64倾斜约1°,除此以外相同。
准直透镜2是焦距为0.7mm的透镜,设置于从波长可变激光器1离开了0.7mm的位置。分束器3使准直光60的约10%向光检测器5分支。为了抑制反射返回光,标准具4被设置成相对于由分束器3分支了的光线64倾斜约1°、并且从分束器3离开1.5mm,FSR(FreeSpectrum Range,自由谱区)是50GHz,折射率是约1.52。光检测器5是其受光面为250μm见方的正方形的光电二极管。在从标准具4离开了1.0mm的位置,为了得到充分的受光效率而以使受光面相对于透射了标准具4的光线64成为80°~90°的角度,配置了光检测器5。
图3示出使从波长可变激光器1射出的激光透射准直透镜2和标准具4而由光检测器5检测出的光强度的波长依赖性。图3所示的曲线A1是标准具4没有角度偏离时的波长监视器的透射波长特性。曲线A2是相对于入射光偏离+0.1°地设置了标准具4时的波长监视器的透射波长特性。曲线A3是相对于入射光偏离-0.1°地设置了标准具4时的透射波长特性。在以往例中,如图3所示的曲线A2、A3那样,可知由于标准具4的安装角度偏离,波长监视器的透射波长特性在频率方向上有偏差。
接下来,说明本实施方式1的波长监视器的透射波长特性的仿真结果。在本实施方式1的波长监视器WM中,如图1所示,波长可变激光器1具备2个射出端口10、11,标准具4被配置成使透射了准直透镜2的同一波长的2个光线62、63相对于标准具4以正负对称的入射角度(1°)入射。图4示出标准具安装角度所致的波长监视器的透射波长特性的偏差。曲线B1是标准具4没有角度偏离时的波长监视器的透射波长特性。曲线B2是相对于入射光偏离+0.1°地设置了标准具4时的透射波长特性。曲线B3虽然与曲线B2重叠,但曲线B3是相对于入射光偏离-0.1°地设置了标准具4时的透射波长特性。在本实施方式中,如图4所示可知,即使产生标准具安装角度偏离,虽然波长监视器的透射波长特性的波峰强度降低,但能够抑制频率方向的偏差。另外,在光检测器5中,为了高精度地监视波长,在监视频率下的标准具4的透射波长特性B1~B3中,并非观测波峰(峰值)、波谷(谷值),而是观测斜坡部分(例如波长监视器的透射波长特性的0.2~0.5的范围内的斜坡部分)的光强度。
说明其原理。在本实施方式1中,2个光线62、63相对于标准具4以正负对称的角度而入射。因此,在产生了标准具4的安装角度偏离的情况下,光线62、63中的一方的光线的标准具入射角度在正方向上产生偏离,另一方的光线在负方向上产生偏离。图5示出此时的波长监视器的透射波长特性的偏移的情形。图中的曲线C1表示通过光线62产生的波长监视器的透射波长特性,曲线C2表示通过光线63产生的透射波长特性,曲线C3表示曲线C1、C2的谱的平均。在标准具安装角度偏离小时,曲线C1、C2的标准具透射波长特性的偏移量大致相同。因此,可知如果取谱之和,则各偏移被相互抵消而成为曲线C3那样,波峰频率不变化。
如以上说明,根据本发明的实施方式1的波长监视器WM,标准具4被配置成使从波长可变激光器1的一对射出端口10、11射出而透射了准直透镜2的同一波长的2个光线62、63相对于标准具4以正负对称的入射角度来入射。因此,即使在产生了标准具4的安装角度偏离的情况下,偏移了的标准具透射波长特性也被分别消除,可得到设为与标准具4没有安装角度偏离时相同的波峰频率的标准具透射波长特性B2、B3(参照图4)。使用该标准具透射波长特性B2、B3的斜坡部分,通过光检测器5来检测光强度,所以能够缓和标准具4的安装角度精度。
以下,说明实施方式1的其他效果。在本发明的实施方式1中,准直透镜2被配置为使其中心O与2个射出端口10、11的中心线CL一致。即,波长可变激光器1的2个射出端口10、11的位置相对于准直透镜2的中心成为对称。对成为对称的一对射出端口10、11的波长可变激光器1进行驱动而主动地进行准直透镜2的位置调整。详细而言,一边通过光检测器5对一对射出端口10、11的波长可变激光器1进行受光,一边使准直透镜2在射出端口10、11的排列方向上往返移动,实时地观测光束分布,向准直透镜2的中心O与2个射出端口10、11的中心线CL一致的位置,对准直透镜2进行位置调整。由此,能够使准直透镜2的调芯(光轴调整作业)变得容易。
另外,在实施方式1中,将光线60、61所成的角设定为2°,向标准具4入射的角度成为±1°,所以能够使由标准具4的表面所反射的激光向波长可变激光器1返回的比例成为约-50dB以下。由此,能够抑制返回光所致的波长可变激光器1的多模振荡,能够使波长可变激光器1的工作稳定。
在将光线60、61所成的角设定为1.4°以上的情况下也可得到这个效果。即,通过以使光线60、61所成的角成为1.4°以上的方式来设定射出端口10、11之间的距离,从而向标准具4入射的角度成为±0.7°以上,能够使由标准具4的表面所反射的激光向波长可变激光器1返回的比例成为约-50dB以下。由此,能够抑制返回光所致的波长可变激光器1的多模振荡,能够使波长可变激光器1的工作稳定。
另外,在本实施方式1中,设为从波长可变激光器1的射出端口10、11射出相同强度的光,但严格来讲无需是相同强度,即使在具有例如1:1~1:2程度或者其以上的比的情况下,虽然相比于相同强度,效果降低,但能够得到类似的效果。
(实施方式2)
接下来,说明本发明的实施方式2的波长监视器WM。另外,在以下的说明中,关于与实施方式1共同的构成要素等,附加同一符号。
实施方式2的激光光源LS如图6所示,是在半导体基板12中具备半导体激光器101~112、光波导1201~1212、光合波分波器13、射出波导10A、11A(射出端口10、11)以及光放大器141、142的半导体激光器阵列型。
半导体激光器101~112在半导体基板12上并排地形成有多个(此处是12个),在同一温度下分别生成振荡波长不同的激光。光波导1201~1212是与半导体激光器101~112光学地连接、并使从半导体激光器101~112射出的光进行传播的12个波导。
光合波分波器13与光波导1201~1212光学地连接,将12个入射光路集中为1个,分到2个射出波导10A、11A进行输出。光合波分波器13是例如12×2MMI(Multi Mode Interferometer,多模干涉仪)。射出波导10A、11A与光合波分波器13光学地连接,将所射出的2个光导入到位于半导体基板12端部的射出端口10、11。光放大器141、142是具有对波导光的强度进行放大的功能的例如SOA(Semiconductor Optical Amplifier,半导体光放大器),形成在射出波导10A、11A上。
另外,在本实施方式2中,射出波导10A、11A(射出端口10、11)之间的距离被设定为使透射准直透镜2后的光线60、61所成的角成为1.4°以上。另外,准直透镜2被配置为使其中心O与射出波导10A、11A的中心线一致。另外,标准具4被配置为使光线62、63的入射角度成为正负对称。
如以上说明,根据本发明的实施方式2的波长监视器WM,即使是具备将12个光波导1201~1212集中为1个而分到2个射出波导10A、11A进行输出的光合波分波器13的激光光源LS的情况下,该标准具4也被配置成使透射了准直透镜2的同一波长的2个光线62、63以正负对称的入射角度入射到标准具4。因此,即使在产生了标准具4的安装角度偏离的情况下,也能够与所述实施方式1同样地,缓和标准具4的安装角度精度。
另外,在本实施方式2中,将半导体激光器101~112设为12个,但也可以设为4个、8个等12个以下、或者12个以上。在该情况下,使光合波分波器13的光波导与其数量匹配,并设为2个射出波导10A、11A即可。
(实施方式3)
接下来,说明本发明的实施方式3的波长监视器WM。另外,在以下的说明中,关于与实施方式2共同的构成要素等,附加同一符号。
实施方式3的波长监视器WM如图7所示,具备可调整温度的珀尔帖元件7和控制珀尔帖元件7的温度控制部20。标准具4设置在珀尔帖元件7上。温度控制部20根据由光检测器5得到的光强度,控制珀尔帖元件7以使标准具4的透射波长特性与激光光源LS的振荡波长中的透射波长特性的设计值一致。
在制造实施方式1、2的波长监视器WM的情况下,设想如下情形:取决于制造精度而产生透射波长特性的偏差。在本实施方式3中,抑制该制造偏差所致的波长监视器的透射波长特性的劣化,根据来自温度控制部20的控制信号,珀尔帖元件7调整标准具4的温度,使透射波长特性与基准的透射波长特性一致,从而能够校正制造偏差。
具体而言,通过在±20℃的范围内调整标准具4的温度,被容许的准直透镜2的位置偏离成为约±2.5μm。另外,该标准具温度的调整范围无需限定于±20℃。
如以上说明,根据本发明的实施方式3的波长监视器WM,利用珀尔帖元件7来调整标准具4的温度,从而能够校正标准具4的制造偏差。
(实施方式4)
接下来,说明本发明的实施方式4的激光光源LS。另外,在以下的说明中,对与实施方式3共同的构成要素等,附加同一符号。
实施方式4的激光光源LS如图8所示,具备聚光透镜8和二分支光纤9。聚光透镜8是对透射了分束器3的2个准直光(平行光)进行聚光的透镜。
二分支光纤9是通过汇总部9c将2个芯9a、9b捆起来并从途中分支为2条光纤。由聚光透镜8聚光了的2个激光被分别入射到2个芯9a、9b。即,二分支光纤9的2个芯9a、9b与半导体基板12的2个射出波导10A、11A(射出端口10、11)光学地结合。
例如,在使用了数字相干技术的长距离光通信用的无线电收发器等中,以往需要信号光源和本地发光源那样的2个光模块。相对于此,根据实施方式4的激光光源LS,能够通过1个光模块OM而起到这个作用(信号光源和本地发光源)。例如,能够将2个射出波导10A、11A中的一方用作信号光源,将另一方用作本地发光源。由此,能够实现系统整体的小型化、成本降低。
(实施方式5)
接下来,说明本发明的实施方式5的波长可变光模块OM。
实施方式5的波长可变光模块OM如图9所示,具备激光光源LS和波长监视器WM。激光光源LS在半导体基板12上具备半导体激光器101~112、光波导1201~1212、光合波分波器13、射出波导10A、以及光放大器14。
在半导体基板12上并排地形成多个(此处12个)半导体激光器101~112,半导体激光器101~112在同一温度下分别生成振荡波长不同的激光。例如,以成为与由ITU-T(International TelecommunicationUnion-Telecommunication standardization sector,国际电信联盟电信标准化部门)规定的波长栅格相同的波长的激光的方式,决定了衍射光栅的周期。光波导1201~1212是与半导体激光器101~112光学地连接、并使从半导体激光器101~112的前面射出了的光进行传播的12个波导。
光合波分波器13是12×1MMI(Multi Mode Interferometer,多模干涉)。光合波分波器13与光波导1201~1212光学地连接,将12个入射光路合波到1个射出波导10A。射出波导10A是与光合波分波器13光学地连接、并将射出光向半导体基板12的端部导入的前面侧的波导。光放大器14是具有对波导光的强度进行放大的功能的例如SOA(Semiconductor Optical Amplifier,半导体光放大器),形成在射出波导10A上。另外,从前面射出波导10A射出了的扩散光通过准直透镜2而被变换为平行光。
波长监视器WM具备在半导体基板12上配设了的光波导1501~1512、光合波分波器16以及后面射出波导1701~1712、准直透镜18、标准具4、和光检测器5。
光波导1501~1512是与半导体激光器101~112的和光波导1201~1212相反的一侧光学地连接,并使从半导体激光器101~112的后面射出了的光进行传播的波导。光合波分波器16是12×12MMI(Multi Mode Interferometer)。光合波分波器16与光波导1501~1512光学地连接,将12个入射光路合波并分波到12个射出光路。后面射出波导1701~1712是与光合波分波器16光学地连接,并将12个射出光向半导体基板12的与射出波导10A相反的一侧的端部导入的波导。
准直透镜18将从后面射出波导1701~1712射出了的扩散光变换为平行光。配置于半导体基板12的后方面侧,透射了准直透镜18的准直光入射到标准具4。标准具4具有周期性的透射率的频率依赖性。光检测器5接收透射了标准具4的光而检测光强度。
另外,在图9中,概念地示出了从射出波导10A射出了的光线60、和从后面射出波导1701~1712射出了的光线701~712。
准直透镜18被配置为使其中心O与后面射出波导1701~1712(射出端口)的中心线CL一致。
标准具4被配置为使光线701~712的入射角度的平均等于0度。
在本实施方式中,标准具4被配置为使光线701~712的标准具4内的光线传播角度(折射角度)成为下式(1)的解、并且形成向标准具4入射的光线701~712的入射角度全部正负对称的组。另外,非等间隔地设定了后面射出波导1701~1712,以使光线701~712的位置以通过后面射出波导1706、1707的中心的中心线CL为轴而成为对称。
【式1】
【式2】
fk=fMON+F ···(2)
其中,θk是从第k个半导体激光器射出的激光在标准具4内的光线传播角度(rad)。另外,第k个半导体激光器表示半导体激光器101~112中的从半导体激光器101起数是第k个光源。mk是与第k个半导体激光器对应的干涉次数,针对每个k的值(1、2、……、12)是任意的自然数。c是光速。nλ是波长λ下的标准具4的折射率。Letalon是标准具4的长度。fk是标准具4的透射率成为波峰的频率。fMON是希望监视的频率,是例如由ITU-T规定的波长栅格。F是标准具4的透射率成为波峰的频率、与标准具4的透射率成为波峰和波谷的中间的频率之差。fk是在全部k中对任意的想要监视的频率fMON相加差F而得到的值。
具体而言,设标准具4的透射率为波峰的频率、与成为波峰和波谷的中间的频率之差F是7.5GHz。即,设fk为fMON+7.5GHz。为了高精度地监视波长,监视频率下的标准具4的透射波长特性需要成为斜坡部分而并非波峰、波谷。这是因为,ITU-T的波长栅格位于斜坡部分。因此,在本实施方式中,错开7.5GHz而设定了任意的波峰频率fk和监视频率fMON。此处示出的7.5GHz是一个例子,不限于该值。
从半导体激光器101~112中的1个射出了的激光通过光合波分波器16而被分割为12个相同强度的光,并通过准直透镜18分别被变换为传播角度不同的平行光。在透射了标准具4之后,通过光检测器5来检测光强度。标准具4的透射率具有周期性的频率依赖性,所以由光检测器5检测出的光强度依赖于从半导体激光器101~112射出了的光的频率。
波长监视器WM具备预先对由光检测器5检测出的光强度和光的频率的关系进行了存储的存储表格TB等存储器。波长监视器WM通过使用存储表格TB来确定与由光检测器5检测出的光强度对应的光的频率,能够求出从半导体激光器101~112输出的激光的波长(=光速/频率)。即,能够通过利用光检测器5来检测光强度,从而监视其波长。
此处,在来自第1~12个半导体激光器101~112的射出光的标准具4内的各光线传播角度与通过式(1)计算的θk一致的情况下,针对以不同的角度进行传播的光线701~712的、标准具4的所有的透射波长特性的波峰、波谷的频率一致(参照后述的图11)。因此,即使在如本构造那样通过光检测器5检测出全部光的透射波长特性之和的情况下,标准具透射率的周期性的频率依赖性仍被维持,能够实现高精度的波长监视器。
另外,入射到标准具4的光线701~706和光线707~712分别以正负对称的角度而入射到标准具4,所以基于与实施方式1同样的原理,即使在标准具4产生了安装偏离的情况下,也能够抑制透射波长特性向频率方向的偏差。
此处,示出本实施方式5的波长监视器的透射波长特性的仿真结果。为了比较,首先,说明对以往构造中的波长监视器的透射波长特性的标准具安装角度依赖性进行仿真而得到的结果。图10示出在仿真中使用了的以往的波长监视器的构造。以往的波长监视器如图10所示,不具备本实施方式5的光波导1501~1512、光合波分波器16、以及后面射出波导1701~1712,从半导体激光器101~112向后面侧射出了的激光透射标准具4而被光检测器5检测。
关于半导体基板12,如表1那样配置了半导体激光器101~112。
【表1】
图10所示的准直透镜18被配置成使透镜中心O位于2个半导体激光器106、107的中心线CL上。准直透镜18是在从半导体激光器106和半导体激光器107离开了0.7mm的位置处设置的、焦距为0.7mm的透镜。
标准具4被设置成以使其入射面的法线和半导体激光器101~112的排列方向所成的角成为90°、并且使标准具4从准直透镜18离开3.0mm,FSR(Free Spectrum Range,自由谱区)为50GHz,折射率为约1.52。
光检测器5是其受光面为250μm见方的正方形的光电二极管。光检测器5被配置成以使其检测面的法线和半导体激光器101~112的排列方向成为垂直,并且从标准具4离开1.0mm。
图11示出从半导体激光器101~112射出了的激光透射准直透镜18和标准具4而被光检测器5检测出的光强度的波长依赖性。半导体激光器101~112射出不同波长的光,但在图11中,通过使横轴偏移50GHz的整数倍来进行标准化,在维持了与ITU-T的波长栅格之间的相对位置的状态下,以使各半导体激光器101~112的图形重叠的方式进行了显示。曲线D1~D12是半导体激光器101~112的透射波长特性。如图11所示,即使在以往例中,在没有标准具4的安装偏离的情况下,表示全部半导体激光器101~112的透射波长特性的曲线D1~D12的波峰、波谷频率大致一致,在曲线D1~D12中其波峰与波谷之间的斜坡部分大致一致,ITU-T的波长栅格位于该斜坡部分,所以可知能够实现高精度的波长监视器。另一方面,图12示出在以往构造中标准具角度偏离了0.1°时的透射波长特性。如图12所示,可知在以往构造中如果产生标准具4的角度偏离,则表示相对各半导体激光器101~112的透射波长特性的曲线D1~D12以没有安装偏离时的透射波长特性为中心,在正负的频率方向上偏移而产生偏差,波长监视器精度变差。特别是,半导体激光器101、112位于半导体基板12的阵列状配置的两端,向标准具4的入射角度大。因此,关于作为该半导体激光器101、112的透射波长特性的曲线D1、D12,频率方向的偏移量大。
接下来,对本实施方式5的波长监视器的透射波长特性进行仿真。图13示出没有标准具安装角度偏离时的通过光检测器5观测到的透射波长特性。图14示出标准具角度偏离了0.1°时的波长监视器的透射波长特性。在以往构造中,在1个半导体激光器工作了时,仅射出光线701~712中的对应的1个激光。相对于此,在本实施方式5中,通过光合波分波器16,不论在哪个半导体激光器101~112工作了时,都同样地射出全部的光线701~712。因此,在图13、图14中,波长监视器的曲线E1都是1个,分别与取图11、图12的全部曲线D1~D12的平均的特性相等。如图13、图14所示可知,即使在产生了标准具安装角度偏离的情况下,虽然波长监视器的透射波长特性的波峰强度降低,但抑制了频率方向的偏差。
如以上说明,根据本发明的实施方式5的波长监视器WM,入射到标准具4的光线701~706和光线707~712分别以正负对称的角度入射到标准具4,所以基于与实施方式1同样的原理,即使在标准具4产生了安装偏离的情况下,也能够抑制透射波长特性向频率方向的偏差。即,偏移了的标准具透射波长特性分别被消除,能够得到设为与标准具4没有安装角度偏离时相同的波峰频率的标准具透射波长特性E1(参照图14)。使用该标准具透射波长特性E1的斜坡部分,通过光检测器5来检测光强度。因此,能够缓和标准具4的安装角度精度。
以下说明实施方式5的其他效果。在本发明的实施方式5中,如表1所示,来自多个半导体激光器101~112的射出光的标准具内传播角的至少1对以上的角度(此处全部6对角度)成为正负对称。对成为对称的1对半导体激光器进行驱动,主动地进行准直透镜18的位置调整。详细而言,一边通过光检测器5来接收来自最外侧的半导体激光器101和半导体激光器112的射出光、即来自后面射出波导1701、1712的激光,一边使准直透镜18在半导体激光器101~112的排列方向上往返移动,实时地观测光束分布,向准直透镜18的中心O与2个后面射出波导1706、1707的中心线CL一致的位置,对准直透镜18进行位置调整。由此,能够高精度地进行准直透镜18的调整作业。
另外,如表1所示,关于从全部半导体激光器101~112射出了的光,标准具内传播角度成为±0.7°以上,所以能够使由标准具表面所反射的光返回到半导体激光器的比例成为约-50dB以下。由此,能够抑制返回光所致的半导体激光器101~112的多模振荡,能够使半导体激光器101~112的工作稳定。
在半导体基板12中,配置了12个半导体激光器,但既可以是4个、8个等12个以下,也可以是12个以上。
(实施方式6)
接下来,说明本发明的实施方式6的波长监视器WM。另外,在以下的说明中,对与实施方式5共同的构成要素等,附加同一符号。
实施方式6的波长监视器WM如图15所示,具备可调整温度的珀尔帖元件7以及控制珀尔帖元件7的温度控制部20。标准具4设置在珀尔帖元件7上。温度控制部20根据通过光检测器5得到的光强度,对珀尔帖元件7进行控制以使标准具4的透射波长特性与激光光源LS的振荡波长下的透射波长特性的设计值一致。
在制造实施方式5的波长监视器WM的情况下,设想如下情形:取决于制造精度而产生透射波长特性的偏差。在实施方式6中,抑制该制造偏差所致的透射波长特性的劣化,根据来自温度控制部20的控制信号,珀尔帖元件7调整标准具4的温度而使透射波长特性一致,从而能够校正制造偏差。
在标准具4中,存在折射率的波长依赖性所引起的FSR的波长依赖性。如图16所示,示出标准具4的温度是60℃、且波长是1.57μm(曲线F1)、1.59μm(曲线F2)、1.61μm(曲线F3)时的实施方式5的波长监视器的透射波长特性的仿真结果。另外,通过使横轴偏移50GHz的整数倍而进行标准化,在维持了与ITU-T的波长栅格之间的相对位置的状态下,以使各半导体激光器的图形重叠的方式进行了显示。如图16所示,可知标准具的折射率根据波长而稍微不同,透射波长特性在频率方向上有偏差。如图17所示,示出波长是1.57μm且标准具温度是58℃(曲线F1)、波长是1.59μm且标准具温度是60℃(曲线F2)、波长是1.61μm且标准具温度是62℃(曲线F3)的透射波长特性的仿真结果。通过调整标准具温度,不论在哪个波长范围内,都能够使透射波长特性一致。
(实施方式7)
接下来,说明本发明的实施方式7的波长监视器WM。另外,在以下的说明中,对与实施方式5共同的构成要素等,附加同一符号。
实施方式7的波长监视器WM如图18所示,将实施方式5、6的光检测器5的受光面5a设为在与后面射出波导1701~1712的并排方向相同的方向上延伸的长方形的结构。如果半导体基板12上的半导体激光器101~112的集成数量增加,则在阵列状配置(一维状配置)了的后面射出波导1701~1712中,关于外侧的波导的射出位置,与准直透镜18的中心轴之间的位置偏离量变大,所以存在准直光的传播角度变大这样的问题。通过将光检测器5的受光面5a设为长方形构造,传播角度大的准直光也能够被光检测器5检测。图19示出在从准直透镜18离开了约3mm的位置处设置观测面19、并计算此处的光线701~712的光的干涉而得到的结果。另外,随机地设定了各光线701~712的相位。如图19所示,12个光线701~712的干涉形成复杂的光分布。可知为了对其正确地进行受光,适用具有图18所示的单一的长方形的受光面5a的光检测器5。
如以上说明,根据本发明的实施方式7的波长监视器WM,光检测器5的受光面5a形成为使并排配置了多个半导体激光器101~112的方向成为长度方向的长方形。由此,标准具4内的光线传播角度大的准直光也能够由光检测器5来检测。
另外,关于光检测器5的受光面5a,只要是能够不遗漏地接收来自多个半导体激光器101~112的激光的大小,则也可以设为长方形以外的形状(例如,正方形、圆形、菱形等)。
(实施方式8)
接下来,说明本发明的实施方式8的波长监视器WM。另外,在以下的说明中,关于与实施方式1共同的构成要素等,附加同一符号。
实施方式8的波长监视器WM如图20所示,将实施方式5~7的光检测器5设为如下构造:在与半导体激光器101~112的排列方向相同的方向上阵列状地配置(一维配置)了多个(此处是4个)光检测区域51~54。如果半导体基板12上的半导体激光器101~112的集成数量增加,则在阵列状配置(一维状配置)了的后面射出波导1701~1712中,关于外侧的波导,与准直透镜18之间的偏芯量变大,所以存在准直光的传播角度变大这样的问题。通过将光检测部5设为所述构造,传播角度大的准直光也能够由光检测区域51~54来检测。
如以上说明,根据本发明的实施方式8的波长监视器WM,光检测器5具备多个(此处4个)光检测区域51~54,在与并排配置了多个半导体激光器101~112的方向相同的方向上,阵列状地配置了多个光检测区域51~54。由此,标准具4内的光线传播角度大的准直光也能够由光检测器来检测。
在实施方式8中,光检测器5的光检测区域数为4个,但不限于该数量,可以根据准直光的传播角度来适当地设定。
另外,本发明不限于上述各实施方式,显然能够在不脱离本发明的要旨的范围内实现各种变更。
在实施方式5~8中,光合波分波器16向与半导体激光器101~112相同数量的12个后面射出波导1701~1712进行合波和分波,但也可以以2以上的偶数且以比半导体激光器101~112的数量小的数量进行合波和分波。例如,也可以设为2个(一对)、4个(二对)、6个(三对)、8个(四对)、10个(五对)。
在上述各实施方式中,波长可变激光器1、半导体激光器101~112、准直透镜2、18、分束器3、光滤波器(标准具4)、光检测器5等的形状、数量、数值、原材料、位置关系等不限于各实施方式。
另外,实施方式1~4的准直透镜2、实施方式5~8的准直透镜18的焦距为0.7mm,但也可以设为0.7mm以外。
另外,在上述各实施方式中,标准具4的材料为晶体,但也可以是石英等,还可以是空气隙标准具。另外,标准具4是具有周期性的透射率的频率依赖性的滤波器即可,所以也可以是例如在Si、GaAs、InP等半导体基板、聚合物、玻璃基板上形成的共振器等。
另外,光检测器5无需是其受光面为250μm见方的正方形的光电二极管,受光面既可以是250μm见方以上也可以是250μm见方以下。受光面也可以是长方形、圆形等。
本申请基于在2013年8月9日申请的日本专利申请的日本特愿2013-166763。在本说明书中,参照并引入其说明书、权利要求书、附图整体。
Claims (11)
1.一种波长监视器,监视从激光光源射出并经由准直透镜的激光的波长,其特征在于,具备:
光滤波器,被配置成使从所述激光光源的一对射出端口射出并透射了所述准直透镜的同一波长的一对准直光以正负对称的入射角度入射,所述光滤波器针对频率具有周期性的透射率;以及
光检测器,接收透射了所述光滤波器的一对准直光来检测光强度。
2.根据权利要求1所述的波长监视器,其特征在于,
所述准直透镜被配置成使其中心与所述一对射出端口间的中心线一致。
3.根据权利要求1所述的波长监视器,其特征在于,
从所述一对射出端口射出的2个激光的强度是1:2至1:1的比例。
4.根据权利要求1所述的波长监视器,其特征在于,
所述激光光源具备:
半导体基板;
多个半导体激光器,形成在所述半导体基板上,输出波长不同的激光;
光合波分波器,将从形成在所述半导体基板上的所述多个半导体激光器射出的所有激光合波并分波到2个射出波导;以及
2个光放大器,分别形成在所述2个射出波导上。
5.根据权利要求1所述的波长监视器,其特征在于,具备:
分束器,将透射了所述准直透镜的2个准直光分支到所述光滤波器和射出光;
聚光透镜,对通过了所述分束器的2个准直光进行聚光;以及
二分支光纤,使由所述聚光透镜所聚光的2个激光分别入射到将2个芯捆至途中的汇总部的端面的各芯。
6.根据权利要求1所述的波长监视器,其特征在于,
所述激光光源具备:
半导体基板;
多个半导体激光器,并排地形成在所述半导体基板上,输出波长不同的激光;
第一光合波分波器,将从形成在所述半导体基板上的所述多个半导体激光器射出的所有激光合波并分波到单一的第一射出波导;以及
第二光合波分波器,将从所述多个半导体激光器向与所述第一光合波分波器相反的一侧射出的所有激光合波并分波到2以上的偶数且所述半导体激光器的数量以下的第二射出波导,
所述准直透镜被配置成使从作为所述第二射出波导的输出端的射出端口射出的多个激光变准直、并使这些射出端口的中心线与该准直透镜的中心一致,
所述光滤波器被配置成使从所述第二射出波导射出的激光在该光滤波器内的光线传播角度成为下述公式(1)的解、并形成入射到所述光滤波器的多个准直光的入射角度全部正负对称的组,
【式1】
【式2】
fk=fMON+F ···(2)
其中,
θk表示从第k个半导体激光器射出的激光在所述滤波器内的光线传播角,单位是rad,
mk表示干涉次数,其中,针对每个k是任意的自然数,
c表示光速,
nλ表示波长λ下的所述光滤波器的折射率,
Letalon表示所述光滤波器的长度,
fk表示所述光滤波器的透射率成为波峰的频率,
fk是对于所有k对任意的希望监视的频率fMON相加差F而得到的值,其中,该差F是所述光滤波器的透射率成为波峰的频率、与所述光滤波器的透射率成为波峰和波谷的中间的频率之差。
7.根据权利要求1所述的波长监视器,其特征在于,
入射到所述光滤波器的多个准直光相对于所述光滤波器是绝对角为0.7°以上的入射角。
8.根据权利要求1所述的波长监视器,其特征在于,具备:
温度调整元件,调整所述光滤波器的温度;以及
温度控制部,控制所述温度调整元件,以使所述光滤波器的透射波长特性与所述激光光源的振荡波长的透射波长特性一致。
9.根据权利要求4所述的波长监视器,其特征在于,
所述光检测器的受光面形成为使并排配置有所述多个半导体激光器的方向成为长度方向的长方形。
10.根据权利要求4所述的波长监视器,其特征在于,
所述光检测器具备多个光检测区域,
在并排配置有所述多个半导体激光器的方向上阵列状地配置了所述多个光检测区域。
11.一种光模块,其特征在于,
具备权利要求1至10中的任意一项所述的波长监视器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013166763A JP6124731B2 (ja) | 2013-08-09 | 2013-08-09 | 波長モニタおよび光モジュール |
JP2013-166763 | 2013-08-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104348083A true CN104348083A (zh) | 2015-02-11 |
CN104348083B CN104348083B (zh) | 2017-10-31 |
Family
ID=52448408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410385071.8A Expired - Fee Related CN104348083B (zh) | 2013-08-09 | 2014-08-07 | 波长监视器以及光模块 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9316532B2 (zh) |
JP (1) | JP6124731B2 (zh) |
CN (1) | CN104348083B (zh) |
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DE102015219330A1 (de) | 2015-10-07 | 2017-04-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Strahlanalyse |
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Publication number | Publication date |
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US20150043000A1 (en) | 2015-02-12 |
JP2015035553A (ja) | 2015-02-19 |
JP6124731B2 (ja) | 2017-05-10 |
US9316532B2 (en) | 2016-04-19 |
CN104348083B (zh) | 2017-10-31 |
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Legal Events
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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