CN104342635A - 薄膜沉积装置及方法,以及有机发光显示装置的制造方法 - Google Patents

薄膜沉积装置及方法,以及有机发光显示装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104342635A
CN104342635A CN201410350463.0A CN201410350463A CN104342635A CN 104342635 A CN104342635 A CN 104342635A CN 201410350463 A CN201410350463 A CN 201410350463A CN 104342635 A CN104342635 A CN 104342635A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bar
guide bar
substrate
retaining device
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410350463.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104342635B (zh
Inventor
李雄洙
朴镇宇
崔修赫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN104342635A publication Critical patent/CN104342635A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104342635B publication Critical patent/CN104342635B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

提供了一种薄膜沉积装置，使用该装置的沉积方法，以及使用该装置制造有机发光显示装置的方法。薄膜沉积装置设置为包括腔室，该腔室包括基底安置在其上的基底保持装置、改变基底保持装置的旋转和倾斜角的旋转杆单元、以及供给用于在基底上形成薄膜的薄膜材料的靶单元。

Description

薄膜沉积装置及方法,以及有机发光显示装置的制造方法
相关申请的交叉引用
于2013年7月25日向韩国知识产权局提交的名为“薄膜沉积装置，使用该装置的沉积方法，以及使用该装置的制造有机发光显示装置的方法”的第10-2013-0088270号韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的一个或多个实施方式涉及改进薄膜的覆盖性能的薄膜沉积装置、使用该薄膜沉积装置的沉积方法、以及通过使用该薄膜沉积装置制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
包括薄膜晶体管(TFT)的有机发光显示装置可用作移动设备(如数字摄像机、视频摄像机、摄影放像机、超薄笔记本电脑、智能手机、以及平板个人电脑(PC))，或电子设备(如超薄TV)中的显示装置。有机发光显示装置包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极与第二电极之间的中间层；所有这些都形成在基底上。有机发光显示装置包括密封单元，以保护形成在基底上的中间层。
包括密封单元的薄膜可使用各种方法形成，例如沉积方法，其中可使用诸如溅射器的薄膜沉积装置。在通过使用沉积方法形成薄膜的工艺中，形成在基底上的薄膜应具有良好的覆盖。
发明内容
根据本公开的一个或多个实施方式，薄膜沉积装置可包括腔室，该腔室包括基底安置在其上的基底保持装置、改变基底保持装置的旋转和倾斜角的旋转杆单元、以及供给用于在基底上形成薄膜的薄膜材料的靶单元。
旋转杆单元可包括主旋转杆单元，其使基底在一个方向上旋转并包括主旋转杆、与主旋转杆联接的固定杆、以及与固定杆联接以能够竖直地移动且由基底保持装置的表面支持的多个导引杆。旋转杆单元还可包括倾斜旋转杆单元，其改变基底的倾斜角，并包括与主旋转杆联接的倾斜旋转杆、以及与倾斜旋转杆联接且由基底保持装置的表面支持的多个旋转导引杆。
主旋转杆可与主旋转马达连接，因此能够旋转。固定杆可从主旋转杆的端部设置在腔室的水平方向上。主旋转杆单元还可包括多个竖直杆，其从固定杆延伸，并且多个导引杆分别与多个竖直杆联接，以能够竖直地移动。多个竖直杆可包括从固定杆的相应端部在腔室的竖直方向上延伸的第一竖直杆和第二竖直杆。多个导引杆可包括第一导引杆和第二导引杆。第一导引杆和第二导引杆可分别与第一竖直杆和第二竖直杆联接，以能够在导引槽中竖直地移动，其中该导引槽形成在第一竖直杆和第二竖直杆中。第一导引杆的长度可等于第二导引杆的长度。环形连接件可设置在多个导引杆中的每个与基底保持装置之间，以使得基底保持装置能够相对于该多个导引杆移动。
基底保持装置设置有旋转构件。倾斜旋转杆单元与旋转构件联接，以能够空转，并可通过与多个导引杆相互作用来改变基底的倾斜角。倾斜旋转杆可穿过主旋转杆的内部部分进行联接，并可与倾斜旋转马达连接，因此能够旋转。倾斜旋转杆的端部上可设置有在腔室的水平方向上的连接杆。多个旋转导引杆可从连接杆延伸并可设置在旋转构件上。多个旋转导引杆可包括从连接杆的相应端部在腔室的竖直方向上延伸的第一旋转导引杆和第二旋转导引杆。第一旋转导引杆的在竖直方向上的长度和第二旋转导引杆的在竖直方向上的长度可以不同。旋转构件可以环形形状设置在基底保持装置中。第一旋转导引杆和第二旋转导引杆可穿过基底保持装置的联接孔插入，因此可设置在具有环形形状的旋转构件上，以能够空转，其中基底保持装置的联接孔形成为与旋转构件的竖直方向对应。旋转构件可以是支承设备。
根据本公开的一个或多个实施方式，提供了薄膜沉积装置的沉积方法。该方法可包括通过分别地且独立地旋转主旋转杆单元和可与主旋转杆单元联接的倾斜旋转杆单元，充分地或以倾斜角旋转基底。主旋转杆单元和倾斜旋转杆单元支持基底保持装置，该基底保持装置上可安置有设置在腔室中的基底。电压可施加在设置在腔室中的靶单元上，因此在腔室中形成等离子体。沉积层可形成在基底上。
主旋转杆单元可包括主旋转杆、与主旋转杆联接的固定杆、以及与固定杆联接以能够竖直地移动且由基底保持装置的表面支持的多个导引杆。主旋转杆单元通过主旋转马达的旋转能可使基底保持装置充分地旋转，其中主旋转马达与主旋转杆连接。
通过使用与主旋转杆联接的倾斜旋转杆以及与倾斜旋转杆联接并具有不同的长度的第一旋转导引杆和第二旋转导引杆，倾斜旋转杆单元可与设置在基底保持装置上的旋转构件联接，以能够空转，。倾斜旋转杆单元通过使用倾斜旋转马达的旋转能可使所述基底保持装置以倾斜角进行旋转，其中倾斜旋转马达与倾斜旋转杆连接。旋转构件可包括设置在基底保持装置中的支承设备，以及第一旋转导引杆和第二旋转导引杆在旋转构件上进行空转，然后基底可由于第一旋转导引杆与第二旋转导引杆的长度差而倾斜。多个导引杆可根据第一旋转导引杆或第二旋转导引杆的竖直运动位置在固定杆的内部部分中竖直地移动。
根据本公开的一个或多个实施方式，提供了制造有机发光显示装置的方法。该方法可包括通过使用本文中所述的方法，在基底上沉积薄膜；以及使用沉积有薄膜的基底，形成有机发光显示装置，其中该有机发光显示装置包括位于基底上的薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电连接的有机发光二极管。该有机发光二极管包括第一电极、中间层、以及第二电极，其中中间层包括有机发光层。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施方式，本发明的特征将对本领域的普通技术人员变得显而易见，在附图中：
图1示出了根据本公开实施方式的薄膜沉积装置的结构示意图；
图2A示出了图1的倾斜旋转杆单元在一个方向上旋转的状态的视图；
图2B示出了图2A的倾斜旋转杆单元旋转了180°的状态的视图；
图3A示出了旋转导引杆与图2A的基底保持装置联接的状态的部分剖视图；
图3B示出了图3A的基底保持装置的平面图；
图4A示出了在图2A的旋转状态下基底上的沉积状态；
图4B示出了在图2B的旋转状态下基底上的沉积状态；
图5示出了通过使用根据本公开实施方式的薄膜沉积装置制造的有机发光显示装置的子像素的剖视图；以及
图6示出了旋转导引杆与图1的竖直杆(由附图标记XI表示)联接的状态的放大视图。
具体实施方式
下文中详细参考了在附图中示出其示例的实施方式，其中在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。在这点上，这些实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为受本文描述的限制。因此，仅通过参照附图对本发明实施方式进行了描述，以解释本说明书的各个方面。应当理解，虽然术语“第一”、“第二”等在本文中可以用来描述各种部件，但是这些部件不应局限于这些术语。这些术语仅用来将一个部件与另一部件区分开。
本文使用的术语仅旨在描述特定的实施方案而非限制本公开的精神和范围。当用在本文中时单数形式也旨在包括复数形式，除非上下文中另有明确说明。还应当理解，使用在本文中的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”说明所描述的特征或部件的存在，但并不排除一个或多个其他特征或部件的存在或添加。当这样的表述如“至少一个”处于一列元件之前时，其修饰整列部件而并非修饰该列部件中的单个部件。
图1示出了根据本公开实施方式的薄膜沉积装置100的结构示意图。图2A示出了图1的倾斜旋转杆单元200可在一个方向上旋转的状态的视图。图2B示出了图2A的倾斜旋转杆单元200可被旋转180°的状态的视图。图3A示出了第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204可与图2A的基底保持装置130联接的状态的部分剖视图。图3B示出了图3A的基底保持装置130的平面图。
本文中示出了薄膜沉积装置100为溅射沉积装置的示例。在其他实施中，薄膜沉积装置100可以是可在基底上形成薄膜的其他装置之一，如热蒸发装置、化学气相沉积装置、或电子束溅射器。参照图1，薄膜沉积装置100中设有腔室110，其中腔室100具有用于沉积的空间。腔室110中设有基底保持装置130和溅射器阴极150，其中基底保持装置130上安置有基底120，溅射器阴极150上设有沉积靶140。
根据本实施方式，基底保持装置130可设于腔室110的上部部分，而溅射器阴极150可设于腔室110的下部部分。在其他实施中，基底保持装置130和溅射器阴极150可设于其他位置。基底保持装置130支持基底120，其中基底120被供给至腔室110。基底保持装置130可通过真空吸附基底120的与沉积表面相对的表面，或通过使用夹具构件来支持基底120。基底保持装置130上还可设有加热器。加热器可加热基底120，以使得从沉积靶140溅射的等离子体粒子160可更容易地沉积在基底120上。基底保持装置130起阳极的作用，并可以是接地的。
沉积靶140可设置为面对基底120。沉积靶140可由通过溅射沉积在基底120的表面上的材料形成。根据本实施方式，沉积靶140可通过使用用于形成阻挡层的材料而形成，例如无机层。阻挡层可覆盖有机发光二极管(OLED)，该有机发光二极管(OLED)可包括中间层和多个电极。在其他实施中，根据待沉积在基底120上的薄膜，沉积靶140可由诸如钛或铝的金属形成。
沉积靶140可安置在溅射器阴极150上。溅射器阴极150与支持杆151联接。根据本实施方式，溅射器阴极150可通过支持杆151进行旋转或竖直地移动。溅射器阴极150可包括磁体152。S极可设置在磁体152的中央，而N极可设置为围绕S极。磁体152可在腔室110中形成磁场。磁体152可在沉积靶140中形成闭环磁场。磁体152可调节电子在等离子体粒子160中的运动路径，并可很强地将等离子体粒子160限制为在沉积靶140周围移动。溅射器阴极150可起阴极的作用。在其他实施中，沉积靶140可与具有热传导性的背板附接，而磁体可设于背板的后表面上。防护装置153可设于沉积靶140周围。
等离子体粒子160可形成在腔室110中。通过使用等离子体粒子160，沉积层可通过溅射沉积而形成在基底120上。在这种情况下，为了形成等离子体粒子160而提供的反应性气体可以是作为活性气体的氩气。因此，等离子体粒子160可包括氩气。可为腔室110提供用于供给氩气(可以是用于溅射的气体)的供气单元171和用于控制腔室110内的压强的排气单元172。根据一种沉积靶140，供气单元171可提供用于溅射气体如氩气流入腔室110的路径。溅射气体可通过在腔室110中生成辉光放电而被电离，并因此可形成为具有高密度的等离子体态。排气单元172可与真空泵联接，并可使腔室110的内部部分形成为真空态。为了一致地沉积沉积粒子，薄膜沉积装置100可包括可改变基底120的倾斜角和充分旋转的装置，其中沉积粒子在例如等离子体粒子160与沉积靶140碰撞时形成在基底120上。
参照图1、图2A、图2B、图3A、以及图3B，基底保持装置130可与主旋转杆单元180联接。主旋转杆181可设于主旋转杆单元180中。主旋转杆181可设于腔室110的竖直方向上。主旋转杆181可与主旋转马达M1182联接，因此可在一个方向上进行旋转。固定杆183可与旋转杆181的端部联接。固定杆183可设于腔室110的水平方向上。固定杆183可与主旋转杆181一体地形成，或可与主旋转杆181进行组装。
多个竖直杆，例如第一竖直杆184和第二竖直杆185，可设置在固定杆183的相应端部上。第一竖直杆184可形成在固定杆183的一个端部上，而第二竖直杆185可形成在固定杆183的另一端部上。第一竖直杆184和第二竖直杆185可从固定杆183的相应端部在腔室110的竖直方向上延伸。在第一竖直杆184中，第一导引槽186可沿第一竖直杆184的纵向方向形成。在第二竖直杆185中，第二导引槽187可沿第二竖直杆185的纵向方向形成。
第一导引杆188可插入在第一导引槽186中。第一导引杆188可设置成能够在第一导引槽186中竖直地移动。第二导引杆189可插入在第二导引槽187中。第二导引杆189可设置成能够在第二导引槽187中竖直地移动。第二导引杆189的长度l2可以等于第一导引杆188的长度l1(参照图2A)。第一导引杆188和第二导引杆189可以是能够通过活塞式联接装置等竖直地移动的。
如图6所示，在第一竖直杆184的下部部分和第二竖直杆185的下部部分中，第一突起191可从内壁朝向第一导引杆188和第二导引杆189突起。此外，第二突起192从第一导引杆188和第二导引杆189的外周面突起。因此，例如，当第一导引杆188和第二导引杆189向下移动时，第二突起192的下部部分可安置在第一突起191的上部部分上。因此，第一导引杆188和第二导引杆189不会与第一竖直杆184和第二竖直杆185分离。
返回参照图1、图2A、图2B、图3A、以及图3B，例如当主旋转杆单元180旋转时，第一导引杆188和第二导引杆189可旋转。在第一导引杆188和第二导引杆189可与主旋转杆单元180联接的结构中，导引构件可通过导引槽进行联接并可被旋转。第一导引杆188的端部和第二导引杆189的端部可与基底保持装置130的后表面131联接。第一导引杆188和第二导引杆189不需要固定至基底保持装置130，但可通过使用连接件190如环形构件与基底保持装置130联接。如果使用连接件联接方法，例如当基底保持装置130的倾斜角改变时，基底保持装置130的自由度仍可被维持。
倾斜旋转杆单元200可与基底保持装置130的后表面131联接。倾斜旋转杆201可设于倾斜旋转杆单元200中。倾斜旋转杆201可插入主旋转杆181的主导引槽206中。倾斜旋转杆201可与倾斜旋转马达M2208联接，因此可在一个方向上旋转。因此，主旋转杆181和倾斜旋转杆201可通过分别从主旋转马达M1182和倾斜旋转马达M2208供给的旋转能而独立地旋转。
在主旋转杆181中，第一突起207可从内壁朝向倾斜旋转杆201突起。第二突起205可从倾斜旋转杆201的外周面突起。因此，第二突起205的下部部分可安置在第一突起207的上部部分上。因此，在操作过程中，倾斜旋转杆201不会与主旋转杆181分离。
连接杆202可与倾斜旋转杆201的端部联接。连接杆202可设于腔室110的水平方向上。连接杆202可与倾斜旋转杆201一体地形成，或可与倾斜旋转杆201进行组装。第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204可设于连接杆202的相应端部上。第一旋转导引杆203可形成在连接杆202的一个端部上，而第二旋转导引杆204可形成在连接杆202的另一端部上。第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204可从连接杆202的相应端部在腔室110的竖直方向上延伸。第一旋转导引杆203的端部和第二旋转导引杆204的端部可与基底保持装置130的后表面131联接。
第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204的长度可以不同。第一旋转导引杆203在竖直方向上的长度l3可大于第二旋转导引杆204在竖直方向上的长度l4。因此，由于第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204的不同长度，由第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204支持的基底保持装置130可被设置为使得基底保持装置130可相对于腔室110的水平方向倾斜。
第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204可被联接为使得第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204可在基底保持装置130中的旋转构件210上空转。基底保持装置130中可形成有空间132，而旋转构件210可设置在空间132中。根据本实施方式，旋转构件210可以是支承设备，在该支承设备中多个球形支承件212可以环形形状设置在支承件容纳单元211中。
第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204可穿过联接孔133与基底保持装置130联接，其中联接孔133可呈圆形并形成在基底保持装置130的后表面131中。第一旋转导引杆203的端部和第二旋转导引杆204的端部可设置在球形支承件212上。第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204可设置成在径向方向上彼此相对。第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204可在球形支承件212上空转。
本文中描述了一种方法，其中具有本文中描述的结构的基底120可充分地旋转或成倾斜角，因此可被沉积。首先，例如，当倾斜旋转马达M2208旋转时，可设置成穿过主旋转杆181的内部空间的倾斜旋转杆201可被旋转。例如，当倾斜旋转杆201在一个方向上旋转时，与倾斜旋转杆201的端部联接的连接杆202，以及与连接杆202的相应端部联接的第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204因此可被旋转。
第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204可穿过联接孔133与基底保持装置130联接，其中联接孔133可呈圆形并形成在基底保持装置130的后表面131中。第一旋转导引杆203的端部和第二旋转导引杆204的端部可与球形支承件212接触。因此，第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204可在球形轴承件212上空转。第一旋转导引杆203的长度l3和第二旋转导引杆204的长度l4可以不同。如图2A和图2B所示，例如，当第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204以倾斜角旋转时，由于第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204的不同长度，对应于第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204的轨迹，其上可安置有基底120的基底保持装置130可被改变。
因为基底保持装置130的倾斜角可被改变，所以与基底保持装置130的后表面131的边缘联接的第一导引杆188和第二导引杆189选择性地且竖直地在第一导引槽186和第二导引槽187中移动，其中第一导引槽186和第二导引槽187分别形成在与主旋转杆181联接的第一竖直杆184和第二竖直杆185中。此外，基底保持装置130可与第一导引杆188和第二导引杆189联接，并且由于环形连接件190而具有自由度。因此，根据具有不同长度的第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204的旋转方向，基底保持装置130可倾斜预定角度。因此，当第一旋转导引杆203和第二旋转导引杆204旋转时，基底保持装置130的角度可连续改变为正角度(+)和负角度(-)。然后，入射在基底120上的原子的角度可改变，并且因此薄膜的覆盖性能可被改进。
例如，主旋转马达M1182旋转时，主旋转杆181可被旋转。例如，当主旋转杆181在一个方向上旋转时，与主旋转杆181的端部联接的固定杆183，以及与固定杆183的相应水平端部联接的第一竖直杆184和第二竖直杆185可被旋转。例如，当第一竖直杆184和第二竖直杆185旋转时，与形成在第一竖直杆184和第二竖直杆185中的第一导引槽186和第二导引槽187联接的第一导引杆188和第二导引杆189可同时旋转。因此，可通过连接件190与第一导引杆188和第二导引杆189联接的基底保持装置130可被旋转。
主旋转杆单元180和倾斜旋转杆单元200可独立旋转。因此，基底保持装置130可由主旋转杆单元180旋转，并且可由于倾斜旋转杆单元200而以倾斜角旋转。此外，主旋转杆单元180和倾斜旋转杆单元200可独立旋转。因此，主旋转杆单元180的每分钟转数(rpm)和倾斜旋转杆单元200的每分钟转数(rpm)可被调节，以获得薄膜的最优覆盖性能。另外，在腔室110中，单独的辅助靶单元可设置在水平方向上。然后，因为可在水平方向上进行沉积，所以薄膜的覆盖性能可进一步被改进。
参照图4A和图4B，描述了通过使用薄膜沉积装置100在基底120上沉积沉积靶140的方法。参照图4A，如果基底120可以角度倾斜，则由基底120与第一粒子401形成的锐角部分A可变成盲区而具有缺陷。然而，根据本实施方式，例如，如图4B所示，当基底保持装置130旋转180°时，基底120的角度可被改变，因此原子402可到达锐角部分A。因此，薄膜的覆盖性能可被改进。
图5示出了可通过使用如本文中描述的薄膜沉积装置100制造的显示装置如有机发光显示装置500的子像素的剖视图。子像素可包括薄膜晶体管(TFT)和OLED中至少之一。TFT可形成为图5所示的结构。TFT的数目和TFT的结构可以多种方式进行修改。参照图5，有机发光显示装置500中可设置有基底501。基底501可由绝缘材料如玻璃或塑料形成。基底501上可形成有缓冲层502。缓冲层502可具有通过使用有机层或无机层，或可替代地堆叠有机层和无机层而形成的结构。缓冲层502可防止氧气或水分渗入OLED中。
缓冲层502上可形成有具有预定图案的半导体有源层503。例如，半导体有源层503可由多晶硅形成。半导体有源层503可由氧化物半导体形成。例如，氧化物半导体可包括诸如金属锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)、或铪(Hf)的12族至14族的金属元素，或选自其组合的材料的氧化物。半导体有源层503可掺杂有n型或p型杂质离子，因此半导体有源层503上可形成有源极区504和漏极区505。位于源极区504与漏极区505之间的区域可以是未掺杂杂质的沟道区506。
半导体有源层503上可形成有栅绝缘层507。栅绝缘层507可形成为由SiO2形成的单层，或由SiO2和SiNx形成的双层。栅绝缘层507的预定区域中可形成有栅电极508。栅电极508可与栅极线连接，其中TFT的ON信号或OFF信号通过栅极线施加。栅电极508可通过使用金属或金属合金形成。栅电极508可形成为包括钼(Mo)、钼-钨(MoW)、铬(Cr)、铝(Al)合金、镁(Mg)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)的单层，或包括其组合的多层。
栅电极507上可形成有层间绝缘层509。源电极510可通过接触孔524与源极区504电连接，其中接触孔524可通过移除层间绝缘层509的一部分而形成。漏电极511可通过接触孔与漏极区505电连接。层间绝缘层509可由诸如SiO2和SiNx的绝缘材料，或绝缘的有机材料形成。
源电极510和漏电极511上可形成有钝化层512，其可由SiO2或SiNx形成。钝化层512可通过仅使用有机材料形成。钝化层512上可形成有平坦化层513，其可由诸如丙烯、聚酰亚胺、或苯并环丁烯(BCB)的有机材料形成。
平坦化层513上可形成有OLED的第一电极515。第一电极515可通过接触孔525与源电极510和漏电极511中任一个电连接，其中接触孔525可通过移除平坦化层513的一部分形成。在OLED中所包括的电极中，第一电极515可起阳极的作用，并可由各种材料形成。根据OLED的特性，第一电极515可形成为透明电极或反射电极。例如，当第一电极515形成为透明电极时，第一电极515可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、或氧化铟(In2O3)。例如，当第一电极515形成为反射电极时，反射层可通过使用银(Ag)、Mg、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、Au、Ni，钕(Nd)、铱(Ir)、Cr、或其化合物形成，然后ITO、IZO、ZnO、或In2O3可形成在反射层上。
平坦化层513上可形成有开口523，以外部地暴露至少一部分第一电极515。开口523周围可形成有像素限定层(PDL)514，其可覆盖第一电极515的边缘。PDL514可以是绝缘层，并可通过围绕第一电极515的边缘而限定每个子像素的发光区域。PDL514可由有机材料或无机材料形成。例如，PDL514可由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、BCB、丙烯酸树脂、或酚醛树脂的有机材料，或诸如SiNx的无机材料形成。PDL514可形成为单层或多层，并可以多种方式进行修改。
第一电极515上可形成有中间层516，其可穿过开口523而被外部地暴露。中间层516可通过使用沉积方法形成。在本实施方式中，中间层516示出为可仅与每个子像素(即，可被图案化的第一电极515)对应的图案。然而，该图示仅是为了便于描述子像素的配置。中间层516可与其他邻近的子像素一体地形成。此外，可为每个子像素形成一些中间层516，并且在邻近的子像素中中间层516可一体地形成。中间层516可以多种方式进行修改。
中间层516可由低分子量有机材料或聚合物有机材料形成。例如，当中间层516由低分子量有机材料形成时，中间层516包括发光层(EML)。在其他实施中，中间层516可包括EML，以及空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、以及电子注入层(EIL)中至少之一。中间层516还可包括EML及其他各种功能层。例如，当中间层516由聚合物有机材料形成时，中间层516可包括HTL和EML。聚合物有机材料可通过使用丝网印法或喷墨打印法形成。
中间层516上可形成有第二电极517。与第一电极515类似地，第二电极517可形成为透明电极或反射电极。例如，当第二电极517形成为透明电极时，诸如锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg的具有低功函数的金属或其化合物可沉积在中间层516上。然后，金属上可形成有辅助电极，其由用于形成透明电极的材料如ITO、IZO、ZnO、或In2O3形成。例如，当第二电极517形成为反射电极时，第二电极517可通过在有机发光显示装置500的全部区域或一部分上沉积诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物而形成。
例如，当第一电极515形成为透明电极或反射电极时，第一电极515可仅形成在每个子像素的开口523中。另一方面，第二电极517可通过在有机发光显示装置500的整个显示区域或一部分上沉积透明电极或反射电极而形成。在其他实施中，不需要在基底501的全部区域上沉积第二电极517。第二电极517可形成为具有各种图案。另外，第一电极515和第二电极517可堆叠在彼此相对的位置。
如本文中所描述的，OLED可包括第一电极515、第二电极517、以及中间层516，其中中间层516可包括有机发光层并可设置在第一电极515和第二电极517之间。第一电极515和第二电极517可通过中间层516而彼此绝缘。中间层516可通过施加有不同极性的电压而发光。
第二电极517上可形成有密封单元530。密封单元530可具有以下结构：至少一个有机层或至少一个无机层被堆叠。例如，密封单元530可具有以下结构：其中至少一个有机层532可由诸如环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯、和/或聚丙烯酸酯的材料形成；以及无机层531和无机层533中至少之一可由诸如SiO2、SiNx、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrOx)、和/或氧化锌(ZnO)的材料形成。密封单元530可具有以下结构：其具有至少一个有机层532和至少两个无机层531和533。
通过总结，根据本公开的一个或多个实施方式，在薄膜沉积装置、使用该薄膜沉积装置的沉积方法，以及通过使用该薄膜沉积装置制造有机发光显示装置的方法中，基底可被旋转，并且同时，薄膜可沉积在基底上并且基底的角度可以改变。因此，具有一致厚度的薄膜可沉积在基底上，因此薄膜的覆盖性能可被改进。
本文中已经公开了示例性实施方式，并且虽然使用了特定的术语，但是这些术语应该仅以一般性和描述性的意义使用和理解而不是用于限制的目的。在一些情况下，自本申请的提交日起对本领域的普通技术人员显而易见的是，结合特定的实施方式描述的特征、特性、和/或元件可以单独使用或与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另外特别指出。因此，本领域的技术人员应该理解，在不背离如所附权利要求书所阐明的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节方面对本发明做出各种修改。

Claims (17)

1.一种薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置包括腔室，所述腔室包括：
基底安置在其上的基底保持装置；
旋转杆单元，改变所述基底保持装置的旋转和倾斜角；以及
靶单元，供给用于在所述基底上形成薄膜的薄膜材料。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中，
所述旋转杆单元包括：
主旋转杆单元，所述主旋转杆单元使所述基底在一个方向上旋转，并包括主旋转杆、与所述主旋转杆联接的固定杆、以及与所述固定杆联接以能够竖直地移动且由所述基底保持装置的表面支持的多个导引杆；以及
倾斜旋转杆单元，所述倾斜旋转杆单元改变所述基底的所述倾斜角，并包括与所述主旋转杆联接的倾斜旋转杆、以及与所述倾斜旋转杆联接且由所述基底保持装置的表面支持的多个旋转导引杆。
3.如权利要求2所述的薄膜沉积装置，其中：
所述主旋转杆与主旋转马达连接，因此能够旋转，以及
所述固定杆从所述主旋转杆的端部设置在所述腔室的水平方向上；并且所述主旋转杆单元还包括多个竖直杆，所述多个竖直杆从所述固定杆延伸，并且所述多个导引杆分别与所述多个竖直杆联接，以能够竖直地移动。
4.如权利要求3所述的薄膜沉积装置，其中：
所述多个竖直杆包括从所述固定杆的相应端部在所述腔室的竖直方向上延伸的第一竖直杆和第二竖直杆，以及
所述多个导引杆包括第一导引杆和第二导引杆，所述第一导引杆和所述第二导引杆分别与所述第一竖直杆和所述第二竖直杆联接，以能够在导引槽中竖直移动，所述导引槽形成在所述第一竖直杆和所述第二竖直杆中。
5.如权利要求4所述的薄膜沉积装置，其中所述第一导引杆的长度等于所述第二导引杆的长度。
6.如权利要求3所述的薄膜沉积装置，其中所述多个导引杆中的每个与所述基底保持装置之间设置有环形连接件，以使得所述基底保持装置能够相对于所述多个导引杆移动。
7.如权利要求2所述的薄膜沉积装置，其中：
所述基底保持装置设置有旋转构件，
所述倾斜旋转杆单元与所述旋转构件联接，以能够空转，以及
所述倾斜旋转杆单元通过与所述多个导引杆相互作用来改变所述基底的倾斜角。
8.如权利要求7所述的薄膜沉积装置，其中：
所述倾斜旋转杆穿过所述主旋转杆的内部部分进行联接，并与倾斜旋转马达连接，因此能够旋转，
所述倾斜旋转杆的端部上设置有在所述腔室的水平方向上的连接杆，以及
所述多个旋转导引杆从所述连接杆延伸并设置在所述旋转构件上。
9.如权利要求8所述的薄膜沉积装置，其中：
所述多个旋转导引杆包括从所述连接杆的相应端部在所述腔室的竖直方向上延伸的第一旋转导引杆和第二旋转导引杆，以及
所述第一旋转导引杆在竖直方向上的长度和所述第二旋转导引杆在竖直方向上的长度不同。
10.如权利要求9所述的薄膜沉积装置，其中：
所述旋转构件以环形形状设置在所述基底保持装置中，以及
所述第一旋转导引杆和所述第二旋转导引杆穿过所述基底保持装置的联接孔插入，因此设置在具有环形形状的所述旋转构件上，以能够空转，其中所述基底保持装置的所述联接孔形成为与所述旋转构件的竖直方向对应。
11.如权利要求10所述的薄膜沉积装置，其中所述旋转构件为支承设备。
12.一种薄膜沉积装置的沉积方法，包括：
通过分别地且独立地旋转主旋转杆单元和与所述主旋转杆单元联接的倾斜旋转杆单元，充分地或以倾斜角旋转基底，其中所述主旋转杆单元和所述倾斜旋转杆单元支持基底保持装置，所述基底保持装置上安置有设置在腔室中的所述基底；
在设置在所述腔室中的靶单元上施加电压，因此在所述腔室中形成等离子体；以及
在所述基底上形成沉积层。
13.如权利要求12所述的方法，其中：
所述主旋转杆单元包括主旋转杆、与所述主旋转杆联接的固定杆、以及与所述固定杆联接以能够竖直地移动且由所述基底保持装置的表面支持的多个导引杆；以及
所述主旋转杆单元通过主旋转马达的旋转能使所述基底保持装置充分地旋转，其中所述主旋转马达与所述主旋转杆连接。
14.如权利要求13所述的方法，其中：
通过使用与所述主旋转杆联接的倾斜旋转杆以及与所述倾斜旋转杆联接并具有不同的长度的第一旋转导引杆和第二旋转导引杆，所述倾斜旋转杆单元与设置在所述基底保持装置上的旋转构件联接以能够空转，以及
所述倾斜旋转杆单元通过使用倾斜旋转马达的旋转能使所述基底保持装置以倾斜角进行旋转，其中所述倾斜旋转马达与所述倾斜旋转杆连接。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述旋转构件包括设置在所述基底保持装置中的支承设备，以及所述第一旋转导引杆和所述第二旋转导引杆在所述旋转构件上进行空转，所述基底由于所述第一旋转导引杆与所述第二旋转导引杆的长度差而倾斜。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述多个导引杆根据所述第一旋转导引杆或所述第二旋转导引杆的竖直运动位置在所述固定杆的内部部分中竖直地移动。
17.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：
通过使用如权利要求12所述的方法，在所述基底上沉积薄膜；以及
使用沉积有薄膜的所述基底，形成所述有机发光显示装置，其中所述有机发光显示装置包括位于所述基底上的薄膜晶体管(TFT)以及与所述TFT电连接的有机发光二极管(OLED)，所述OLED包括第一电极、中间层、以及第二电极，其中所述中间层包括有机发光层。
CN201410350463.0A 2013-07-25 2014-07-22 薄膜沉积装置及方法，以及有机发光显示装置的制造方法 Expired - Fee Related CN104342635B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130088270A KR102090712B1 (ko) 2013-07-25 2013-07-25 박막 증착 장치와, 이를 이용한 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR10-2013-0088270 2013-07-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104342635A true CN104342635A (zh) 2015-02-11
CN104342635B CN104342635B (zh) 2018-08-07

Family

ID=52390829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410350463.0A Expired - Fee Related CN104342635B (zh) 2013-07-25 2014-07-22 薄膜沉积装置及方法，以及有机发光显示装置的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9624575B2 (zh)
KR (1) KR102090712B1 (zh)
CN (1) CN104342635B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107058966A (zh) * 2016-12-12 2017-08-18 苏州求是真空电子有限公司 一种真空镀膜衬底底座
CN107345292A (zh) * 2017-07-26 2017-11-14 北京芯微诺达科技有限公司 一种成膜设备
CN107424943A (zh) * 2016-05-24 2017-12-01 三星显示有限公司 电子装置的制造装置及制造方法
CN108456859A (zh) * 2017-02-22 2018-08-28 北京北方华创微电子装备有限公司 磁控溅射腔室及磁控溅射设备
CN109972092A (zh) * 2019-05-20 2019-07-05 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种凹型基体的表面处理装置
CN110724925A (zh) * 2019-11-04 2020-01-24 环旭电子股份有限公司 一种溅镀托盘及溅镀治具

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10283389B2 (en) * 2011-07-29 2019-05-07 Wuxi Huaying Microelectronics Technology Co., Ltd Adjustable semiconductor processing device and control method thereof
JP6717191B2 (ja) * 2014-04-18 2020-07-01 株式会社ニコン 成膜装置、基板処理装置、および、デバイス製造方法
EP3291279B1 (en) * 2016-09-06 2021-05-05 Nano Coatings, S.L. Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy
US10249525B2 (en) * 2016-10-03 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Dynamic leveling process heater lift
KR102587502B1 (ko) * 2018-06-25 2023-10-11 솔루스첨단소재 주식회사 고순도 금속할로겐화물 및 이의 제조방법, 상기 고순도 금속할로겐화물을 포함하는 유기전계 발광소자
US11742231B2 (en) * 2019-10-18 2023-08-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Movable wafer holder for film deposition chamber having six degrees of freedom
CN112176307A (zh) * 2020-09-25 2021-01-05 湖南玉丰真空科学技术有限公司 一种可调的真空磁控溅射镀膜设备工件转架
CN112251727B (zh) * 2020-10-22 2022-08-26 凯盛信息显示材料(黄山)有限公司 磁控溅射镀膜设备及ito玻璃的制备方法
KR102439996B1 (ko) * 2020-10-28 2022-09-05 충북대학교 산학협력단 산화물 반도체에서 산화물층 제조 장치 및 방법
KR102503632B1 (ko) * 2021-01-27 2023-02-24 김경민 기판 지지 장치, 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020062791A1 (en) * 2000-10-11 2002-05-30 Andrey Ginovker Table
CN102770579A (zh) * 2009-12-14 2012-11-07 富士电机株式会社 膜基板传送装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447323B1 (ko) 2002-03-22 2004-09-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 물리기상 증착 방법
JP4066044B2 (ja) 2002-11-08 2008-03-26 信行 高橋 成膜方法及びスパッタ装置
JP4721878B2 (ja) 2005-11-22 2011-07-13 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
KR20070074020A (ko) 2006-01-06 2007-07-12 삼성전자주식회사 스퍼터링 증착 장치 및 스퍼터링 증착 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020062791A1 (en) * 2000-10-11 2002-05-30 Andrey Ginovker Table
CN102770579A (zh) * 2009-12-14 2012-11-07 富士电机株式会社 膜基板传送装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107424943A (zh) * 2016-05-24 2017-12-01 三星显示有限公司 电子装置的制造装置及制造方法
CN107058966A (zh) * 2016-12-12 2017-08-18 苏州求是真空电子有限公司 一种真空镀膜衬底底座
CN107058966B (zh) * 2016-12-12 2019-10-15 苏州求是真空电子有限公司 一种真空镀膜衬底底座
CN108456859A (zh) * 2017-02-22 2018-08-28 北京北方华创微电子装备有限公司 磁控溅射腔室及磁控溅射设备
CN108456859B (zh) * 2017-02-22 2021-05-07 北京北方华创微电子装备有限公司 磁控溅射腔室及磁控溅射设备
CN107345292A (zh) * 2017-07-26 2017-11-14 北京芯微诺达科技有限公司 一种成膜设备
CN109972092A (zh) * 2019-05-20 2019-07-05 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种凹型基体的表面处理装置
CN109972092B (zh) * 2019-05-20 2021-07-06 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种凹型基体的表面处理装置
CN110724925A (zh) * 2019-11-04 2020-01-24 环旭电子股份有限公司 一种溅镀托盘及溅镀治具
CN110724925B (zh) * 2019-11-04 2021-11-12 环旭电子股份有限公司 一种溅镀托盘及溅镀治具

Also Published As

Publication number Publication date
KR102090712B1 (ko) 2020-03-19
KR20150012587A (ko) 2015-02-04
CN104342635B (zh) 2018-08-07
US9624575B2 (en) 2017-04-18
US20150031151A1 (en) 2015-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104342635A (zh) 薄膜沉积装置及方法,以及有机发光显示装置的制造方法
US11233102B2 (en) Organic light-emitting display apparatus having protected emission layer
EP3267505B1 (en) Organic light-emitting display device
US9932662B2 (en) Mask frame assembly, method of manufacturing the same and method of manufacturing display device by using the same
KR102136790B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
WO2020228209A1 (zh) 显示面板
US20140098005A1 (en) Array substrate for flexible display device
US9863037B2 (en) Deposition mask and method of fabricating the same
US9634072B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US9006777B2 (en) Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
US9406901B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US20160043342A1 (en) Flexible display apparatus and method of manufacturing the same
CN104342626B (zh) 溅射系统以及使用该系统制造显示器件的方法
TWI658621B (zh) 有機發光顯示裝置
US9299957B2 (en) Method of manufacturing organic light emitting display apparatus by performing plasma surface process using target sputtering apparatus
US8399284B2 (en) Method of manufacturing the organic light-emitting display
KR20150012504A (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102169595B1 (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US20230371317A1 (en) Display apparatus
US8920563B2 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
KR20220001048A (ko) 표시 장치의 제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180807