CN104335112A - 液晶显示元件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及的液晶显示元件1是由上述TFT基板2和具备CF层7的CF基板3夹持液晶层4而构成的。在TFT基板2和CF基板3上设置液晶取向膜12。液晶显示元件1是将紫外线固化型树脂作为密封材料16使用的元件,在像素形成区域中为了密封材料16的固化而照射紫外线。液晶显示元件1使用包括由特定结构的二胺化合物合成的聚酰亚胺膜的液晶取向膜12来构成,即使在例如密封材料16的固化时像素形成区域中受到紫外线的照射,也可抑制性能的劣化。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示元件及其制造方法。
背景技术
液晶显示元件是在一对基板间夹持并封入液晶层的同时,将液晶层的液晶以一定方向进行取向而构成的。液晶的取向通过设置在该基板表面上的具备液晶取向控制能力的液晶取向膜来实现。液晶显示元件中,液晶通过向配置在基板和液晶取向膜之间的电极施加电压来进行响应,利用该液晶的取向变化,可以在图像形成范围中对所希望的图像进行显示。于是,液晶显示元件可提供薄型且轻量的高画质显示装置。
在液晶显示元件的制造中,作为在一对基板间封入制成液晶层的液晶的方法,可列举如下方法。即,使用配置在基板上的框状的密封材料,接着采用真空注入法或滴下注入法等将液晶注入框状的密封材料的内侧,在基板间内封入液晶层。在上述液晶的注入法中,由于可有效地减少液晶的使用量,因此近年来将滴下注入法(参考专利文献1。)作为优选方法。
滴下注入法中,首先将紫外线固化型的密封材料在一个基板的周围形成为框状,在真空气氛中,在该密封材料框内的基板上滴加液晶的同时,将滴加了液晶的基板与另一个基板贴合。接着,返回大气中,利用大气压使贴合的两个基板间的液晶扩散。然后,在密封材料上照射紫外线,使密封材料固化,结束液晶的封入。
此外,液晶显示元件的制造中,作为使液晶层的液晶以一定方向进行取向的方法,如上所述采用在基板表面上设置具备液晶取向控制能力的液晶取向膜的方法。液晶取向膜是对形成在基板上的聚酰亚胺等聚合物膜进行摩擦处理或照射偏振的紫外线来进行光取向处理等取向处理而形成的。
针对液晶取向膜的摩擦处理是指:对于基板上的聚酰亚胺等有机膜,将其表面用棉、尼龙、聚酯等的布朝一定方向擦拭(摩擦),使液晶朝擦拭的方向(摩擦方向)取向。该摩擦处理能简便地实现较为稳定的液晶的取向状态,因此在现有的液晶显示元件的制造工艺中一直都有使用。
然而,对由聚酰亚胺等构成的液晶取向膜表面进行摩擦的摩擦法中,扬尘和静电的产生有时成为问题。此外,由于近年来的液晶显示元件的高精细化、或者由于配置在基板上的电极或液晶驱动用的开关有源元件所导致的凹凸,有时无法用布对液晶取向膜表面进行均匀地摩擦,无法实现均匀的液晶取向。
于是,近年来,对不进行摩擦的光取向处理进行了大量研究(参考专利文献2。)。
光取向处理有各种各样的方法,但都是利用直线偏振光或准直的光在构成液晶取向膜的有机膜内形成各向异性,根据该各向异性使液晶取向。作为光,适合使用紫外线。该光取向处理不需要摩擦,可构成没有扬尘等担忧的液晶显示元件,实现所希望的液晶的取向。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开平11-109388号公报
专利文献2:日本专利特许第4504665号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
如上所述,液晶显示元件提供薄型轻量的高画质的显示装置,在其制造中,作为主要工序包括在基板间封入液晶材料的工序和使液晶取向的取向处理工序。而且,近年来不论是何种制造方法,都在对照射紫外线等光的工序进行研究,以有效利用。这样的使用光照射的工序可改善现有的真空注入法或摩擦处理等制造工序的问题,对生产效率的提高和制造成品率的提高是有效的。
然而,另一方面,在液晶显示元件的制造工序中,在设置光的照射、尤其是照射紫外线的光照射处理的情况下,有时使液晶显示元件的电荷保持特性下降,导致显示品质下降。
例如,在液晶注入、密封时以滴下注入法进行的情况下,在对密封材料照射紫外线时,也对图像形成范围的液晶取向膜照射了紫外线。在这样的情况下,制造的液晶显示元件有时电荷保持特性下降,图像的显示品质下降。
此外,在进行光取向处理的情况下,有时使用偏振紫外线对液晶取向膜赋予液晶取向控制能力。在这样的情况下,制造的液晶显示元件虽然实现了液晶的取向,但有时电荷保持特性下降,图像的显示品质下降。
于是,即使利用近年被大量研究的滴下注入法或光取向处理等实施紫外线的光照射处理的工序来进行制造,也要求液晶显示元件的电荷保持特性等性能不下降,不发生显示品质的下降。
于是,本发明的目的在于提供进行紫外线的光照射处理而制造的,抑制了显示品质的下降的液晶显示元件。
此外,本发明的目的还在于提供制造进行紫外线的光照射处理的,抑制了显示品质的下降的液晶显示元件的液晶显示元件的制造方法。
此外,本发明的其他目的和优点由以下的记载可知。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明的实施方式1是一种液晶显示元件,其特征在于,在像素形成区域内具有含有选自使用下式(1)所表示的化合物形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物的液晶取向膜,
对所述像素形成区域照射紫外线来构成。
[化1]
本发明的实施方式1中,液晶取向膜优选含有选自使用上式(1)所表示的化合物和下式(AM)所表示的化合物(上式(1)所表示的化合物除外)形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物。
[化2]
(式(AM)中,Y1为2价有机基团,可以2种以上混合存在。此外,式(AM)中,R1和R2表示氢原子或1价有机基团。)
本发明的实施方式1中,液晶取向膜优选含有选自使用下式(CB1)~(CB5)所表示的化合物中的至少一种形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物。
[化3]
(式(CB1)~(CB5)中,Z1为碳数4~13的4价有机基团,且含有碳数4~6的非芳香族环状烃基。式(CB4)和(CB5)中,R3表示碳数1~5、优选碳数1~2的烷基。)
本发明的实施方式2是一种液晶显示元件的制造方法,它是在像素形成区域内具有液晶层和液晶取向膜的液晶显示元件的制造方法,其特征在于,
具备在像素形成区域内形成含有选自使用下式(1)所表示的化合物形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物的液晶取向膜的液晶取向膜形成工序,和
在所述液晶取向膜形成工序之后,对所述像素形成区域照射紫外线的光照射工序。
[化4]
本发明的实施方式2中,液晶取向膜优选含有选自使用上式(1)所表示的化合物和下式(AM)所表示的化合物(上式(1)所表示的化合物除外)形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物。
[化5]
(式(AM)中,Y1为2价有机基团,可以2种以上混合存在。此外,式(AM)中,R1和R2表示氢原子或1价有机基团。)
本发明的实施方式2中,液晶取向膜优选含有选自使用下式(CB1)~(CB5)所表示的化合物的至少一种形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物。
[化6]
(式(CB1)~(CB5)中,Z1为碳数4~13的4价有机基团,且含有碳数4~6的非芳香族环状烃基。式(CB4)和(CB5)中,R3表示碳数1~5、优选碳数1~2的烷基。)
本发明的实施方式2中,优选在液晶取向膜形成工序之后具有在像素形成区域的周围形成密封材料的密封形成工序,
光照射工序为固化该密封形成工序中的密封材料的工序。
本发明的实施方式2中,光照射工序优选为对液晶取向膜进行取向处理的工序。
本发明的实施方式2中,优选在液晶取向膜形成工序之后具有在像素形成区域内形成液晶层的工序,
光照射工序为一边驱动该液晶层的液晶一边在像素形成区域内照射紫外线的工序。
本发明的实施方式2中,液晶层优选通过含有液晶和光聚合性化合物而构成,
光照射工序是使像素形成区域内的该液晶层的光聚合性化合物聚合的工序。
本发明的实施方式2中,优选在液晶取向膜形成工序之后具有在像素形成区域内形成液晶层的工序,
光照射工序为一边驱动该液晶层的液晶一边在像素形成区域内照射紫外线的工序。
发明的效果
采用本发明的实施方式1,可提供进行照射紫外线的光照射处理而制造的,抑制了显示品质的下降的液晶显示元件。
采用本发明的实施方式2,可提供制造进行照射紫外线的光照射处理,抑制了显示品质的下降的液晶显示元件的液晶显示元件的制造方法。
附图说明
图1是示意地表示本发明的实施方式的液晶显示元件的构造的剖视图。
具体实施方式
液晶显示元件的制造中,如上所述,作为主要工序,包括在基板间封入液晶的工序、为了使液晶取向的液晶取向膜的取向处理工序。这样的工序中,使用光、尤其是可见光或紫外线的照射,使光固化型的密封材料固化,或者进行液晶取向膜的光取向处理等,可实现所希望的效果。
此外,在PSA(聚合物稳定取向,Polymer Sustained Alignment)方式的液晶显示元件中,使用添加了少量光聚合性化合物(典型的是0.2重量%~1重量%。)的液晶,以在夹持该液晶的两个基板所具有的电极之间施加电压的状态照射紫外线。其结果是,在PSA方式的液晶显示元件中,通过这样的紫外线的照射处理,光聚合性化合物反应、聚合、被交联,从而加快液晶显示元件的响应速度。
此外,存在以在夹持该液晶的两个基板所具有的电极之间施加电压的状态照射紫外线而制得的类型的液晶显示元件(在本说明书中,以下简称为紫外线照射方式。)。该紫外线照射方式的液晶显示元件是液晶的初期取向为垂直取向的VA(Vertical Alignment)模式的液晶显示元件,如上所述,以在夹持该液晶的两个基板所具有的电极之间施加电压的状态照射紫外线来制造。紫外线照射方式的液晶显示元件也可以使用在液晶中少量添加了光聚合性化合物的液晶。从而,紫外线照射方式的液晶显示元件可实现液晶的优良响应特性。
如上所述,液晶显示元件通过在其制造工序包括中光照射、尤其是紫外线照射处理,能够实现所希望的特性。然而,另一方面已知有时会产生问题。即,现有的液晶显示元件在进行图像显示的像素形成区域中,光、尤其是紫外线的照射会使特性下降。具体而言,受到紫外线的照射使电荷保持特性(例如,电荷保持率)下降,或使残留DC特性下降。
于是,本发明人进行认真研究后发现,通过将液晶显示元件的液晶取向膜的结构设为最合适的结构,可有效地解决这样的问题。
在液晶显示元件中,如上所述,用于使液晶取向的液晶取向膜大多使用高耐热性且高强度的聚酰亚胺膜。
而且,在构成液晶显示元件的基板上形成构成液晶取向膜的聚酰亚胺膜的情况下,适合使用如下的使用液晶取向剂的方法。
作为该方法,如上所述,已知制备含有聚酰胺酸等聚酰亚胺前体的液晶取向剂,接着使用得到的液晶取向剂形成其涂膜,在基板上使其酰亚胺化得到聚酰亚胺膜的方法。此外,作为其它方法,有将事先酰亚胺化的聚酰亚胺溶解于溶剂,制备溶剂可溶型的液晶取向剂,接着,使用该液晶取向剂形成涂膜,得到聚酰亚胺膜的方法。
本发明人发现,通过最适化这样的聚酰亚胺系的液晶取向膜的分子结构,可以减少上述由于光、尤其是紫外线的照射而产生的问题。即,本发明人得到了经过在像素形成区域内照射光、尤其是紫外线的工序而制作的液晶显示元件,该液晶显示元件是具有含有选自该最适结构的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物的液晶取向膜,因光、尤其是紫外线的照射而造成的性能劣化有所降低的液晶显示元件,从而完成了本发明。
下面,对本发明的实施方式进行说明。
实施方式1
使用附图对本发明的实施方式1的液晶显示元件进行说明。
作为一例,本实施方式的液晶显示元件可为TN(扭曲向列型TwistedNematic)型彩色液晶显示元件。
在该情况下,本实施方式的液晶显示元件例如具有使用配置了薄膜晶体管(Thin Film Transistor:TFT)的TFT基板和具备滤色片层(以下,有时称为CF层。)的CF基板来夹持液晶层,在进行图像形成的像素形成区域的周围配置密封材料,并将这些基板间固定的结构。
以下,对本实施方式的液晶显示元件的结构进行进一步详细说明。
图1是示意地表示本实施方式的液晶显示元件的构造的剖视图。
图1所示的液晶显示元件1是本发明的实施方式1的液晶显示元件的一例,如上所述,可为利用TFT驱动的透射型的TN型液晶显示元件。该液晶显示元件1是由上述TFT基板2和具备CF层7的CF基板3夹持液晶层4而构成的。
如图1所示,液晶显示元件1的TFT基板2是在透明基板5的液晶层4的一侧由未图示的TFT和ITO等构成的透明像素电极6形成为矩阵状而构成的。例如,TFT基板2具备以与基板5相互平行延伸的方式设置的多个未图示的栅极线,以覆盖各栅极线的方式设置的未图示的栅极绝缘膜,在栅极绝缘膜上以与各栅极线的垂直方向相互平行延伸的方式设置的多个未图示的源极线,在各栅极线和各源极线的每个交差部分、即每个像素上分别设置的多个TFT,以覆盖各TFT和各源极线的方式设置的层间绝缘膜,在层间绝缘膜上形成为矩阵状的、与各TFT连接的多个像素电极6。
液晶显示元件1的CF基板3是在透明基板15的液晶层4的一侧配置CF层7和保护层8而构成的。CF层7具备由设置在TFT基板2的像素电极6对面位置的红、绿和蓝色的着色层9和设置在各着色层9之间用于遮光的黑底10而构成。在CF基板3的CF层7上的保护层8上配置由ITO等构成的透明共同电极11。
TFT基板2和CF基板3中,在与液晶层4接触的面上分别设置液晶取向膜12。液晶取向膜12在后文详细描述,可用所希望结构的聚酰亚胺膜构成的膜作为液晶取向膜12。液晶显示元件1中,对于液晶取向膜12,在有需要的情况下,例如可通过进行摩擦处理等取向处理,在以TFT基板2和CF基板3夹持的液晶层4中实现均匀的取向。
本实施方式的液晶显示元件1可作为TN型液晶显示元件。液晶层4由向列型液晶构成,通过液晶取向膜12的作用,在TFT基板2和CF基板3之间表现出90度的扭转取向状态。
TFT基板2和CF基板3中,在与液晶层4侧相反的外部侧的面上分别配置偏振片17。优选将TFT基板2和CF基板3的间隔(也称为间隙。)设为1μm~20μm,间隙通过设置在像素电极6的配置范围的周边部分的密封材料16来固定、维持。
密封材料16以包围配置了像素电极6、用于显示图像的像素形成区域的周围的方式设置为矩形框状。该密封材料16的框幅没有特别限定,例如可设为0.5mm以上2.0mm以下。作为形成密封材料16的密封材料,例如可使用丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、和环氧树脂等紫外线固化型树脂。这些树脂可以单独使用,也可以将2种以上同时使用。
于是,液晶显示元件1是密封材料16使用了例如紫外线固化型树脂的元件,受紫外线的照射而固化。为此,在像素形成区域中也同样为了密封材料16的固化而进行紫外线的照射,由此提供液晶显示元件1。
这样,即使在像素形成区域中也照射了紫外线的液晶显示元件1中,每个像素电极6构成1个像素,在各像素中通过向液晶层4施加规定大小的电压而使液晶层4的液晶取向状态变化,例如对从未图示的背光源入射的可见光的透射率进行调整,进行图像的显示。
具有以上结构的液晶显示元件1可如下制造。
首先,准备上述结构的TFT基板2。TFT基板2是例如在由透明玻璃基板等构成的基板5上根据公知的方法形成包括TFT或像素电极6的各种电极等而制造的。接着,在TFT基板2上形成液晶取向膜12。对于液晶取向膜12和其形成方法的细节,在后文中详述。
接着,准备上述结构的CF基板3。CF基板3是例如在由透明玻璃基板等构成的基板15上印制具有着色层9和黑底10的CF层7,以及共同电极11等图案而形成的。接着,在共同基板11的表面上形成液晶取向膜12。此外,黑底由分散了Ta(钽)、Cr(铬)、Mo(钼)、Ni(镍)、Ti(钛)、Cu(铜)、Al(铝)等金属材料、炭黑等黑色颜料的树脂材料,或者分别层积了具有光透射性的多个颜色的着色层的树脂材料等形成。
接着,在该TFT基板2的形成了像素电极6的的像素形成区域的周围使用紫外线固化型的密封材料,根据利用分配器的方法、或印刷所希望的形状的方法、或通过旋涂法涂布后利用光刻法形成图案的方法等,将密封材料16形成为框状。接着,真空气氛中在该密封材料16的框内的TFT基板2上滴加液晶的同时,贴合滴加了液晶的TFT基板2和CF基板3。接着,使TFT基板2和CF基板3在该状态下回到大气中,使贴合了的TFT2基板和CF基板3之间的液晶利用大气压扩散形成液晶层4。接着,对密封材料16照射紫外线,使密封材料16固化。然后,在TFT基板2和CF基板3的与液晶层4相反一侧的外部侧的面上分别配置偏振片17,制得液晶显示元件1。
因此,本实施方式的液晶显示元件1的制造中,照射紫外线的光照射工序是固化密封材料16的工序,是将TFT基板2和CF基板3互相固定的工序。照射光具有适于密封材料16的固化的合适的波长特性,可以是波长200nm~400nm的紫外线。而且,紫外线的照射量优选选择适于密封材料的固化的量。
此处,在通过紫外线的照射处理来固化密封材料16的光照射工序中,与密封材料16一起,对配置了像素电极6、液晶取向膜12和液晶层4等的像素形成区域也进行了紫外线的照射。无需为了使像素形成区域的液晶取向膜12等不受到紫外线照射而采取例如设置规定形状的掩模等其它手段。因此,光照射工序更简便的是不区分密封材料16的形成范围和像素形成区域,对全部区域照射紫外线,使密封材料16固化。
然而,本实施方式的液晶显示元件1是使用含有后述结构的聚酰亚胺膜的液晶取向膜12构成的。为此,即使例如在密封材料16的固化时像素形成区域中受到紫外线的照射,也可抑制性能的劣化。因此,本实施方式的液晶显示元件1即使在经过对像素形成区域照射紫外线的工序制作而成的情况下,也可抑制现有的因紫外线照射而性能劣化的问题。即,如果采用本实施方式,则可提供尤其是采用照射紫外线的光照射处理而制得的抑制了显示品质的下降的液晶显示元件1。
此外,在密封材料16的形成中,本实施方式的液晶显示元件1也可以使用可见光固化型的密封材料。可以使用例如丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、环氧树脂和有机硅树脂等通过照射可见光的光能量而固化的光固化性树脂。在该情况下,本实施方式的液晶显示元件1使用包括后述的特定结构的聚酰亚胺膜的液晶取向膜12来构成,即使例如在密封材料16的固化时像素形成区域中受到可见光的照射,也可抑制性能的劣化。因此,本实施方式的液晶显示元件1即使是经过对像素形成区域照射可见光的工序而制得的情况,也可抑制因可见光照射而造成的性能劣化。
此外,本实施方式的液晶显示元件除了上述的TN型之外,还可制成STN(超扭曲向列,Super Twisted Nematic)型、IPS(平面转换,In-PlanesSwitching)型、VA(垂直取向,Vertical Alignment)型、或者OCB(光学补偿弯曲排列,Optically Compensated Birefringence)型等液晶型。该情况下,TFT基板或CF基板与图1所示的例子不同,可以是适于各液晶型的公知的结构。
以上结构的本实施方式的液晶显示元件具备接受紫外线的照射来进行制造的同时可抑制显示品质的下降的特征,在实现这样的特征的情况下,液晶取向膜是重要构成要素。于是,接着对本实施方式的液晶显示元件的主要构成要素,也就是即使受到可见光或紫外线等光的照射也可有效减少性能劣化的液晶取向膜进行说明。
此外,上述图1的本实施方式的液晶显示元件1是TN型的液晶显示元件,但仅是本实施方式的一例,以下进行说明的液晶取向膜是将IPS型或VA型等适用于本实施方式的液晶显示元件的液晶取向膜包括在内进行说明的。
构成本实施方式的液晶显示元件的本实施方式的液晶取向膜优选为含有选自聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物的液晶取向膜。通过含有这样的聚合物,本实施方式的液晶取向膜具有高耐热性等、优良的耐久性。
并且,本实施方式的液晶取向膜是即使受到紫外线的照射也能有效减少液晶显示元件的性能劣化的液晶取向膜。如上所述,在TFT基板或CF基板等基板上形成含有聚酰亚胺等聚合物的液晶取向膜的情况下,适用使用液晶取向剂的方法。该液晶取向剂优选含有选自二胺化合物和四羧酸衍生物反应而得的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物而构成。接着,可在TFT基板或CF基板等基板上加热液晶取向剂的涂膜形成聚酰亚胺等聚合物膜,实施所需的取向处理,形成液晶取向膜。
因此,本实施方式的液晶取向膜优选采用本实施方式的液晶取向剂来形成。本实施方式的液晶取向剂以含有选自聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物、形成上述特性的液晶取向膜为条件,使该聚合物的结构最适化。
其结果是,利用液晶取向剂所含有的聚酰亚胺前体和聚酰亚胺等聚合物的结构特征,可提供即使受到紫外线照射也可有效减少性能劣化的液晶取向膜。
如上所述,液晶取向剂中能够含有的聚酰亚胺前体由二胺化合物和四羧酸衍生物反应而得,聚酰亚胺由对该聚酰亚胺前体进行酰亚胺化而得。为了使本实施方式的液晶取向剂所含有的聚酰亚胺前体实现所希望的结构,优选选择特定结构的二胺化合物用于该合成。
即,本实施方式的液晶取向剂含有选自特定结构的二胺化合物和四羧酸衍生物反应而得的、所希望的结构的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物,可提供本实施方式的液晶取向膜。
接着,对本实施方式的液晶取向剂中能够含有的、用于形成聚酰亚胺前体和聚酰亚胺的特定结构的二胺化合物和四羧酸衍生物进行进一步详细说明。之后,对该聚酰亚胺前体和聚酰亚胺进行进一步详细说明,对含有这些化合物的本实施方式的液晶取向剂、使用该取向剂的本实施方式的液晶取向膜的形成进行进一步详细说明。
此外,本发明中,作为聚酰亚胺前体,包括聚酰胺酸、聚酰胺酸酯等。
<二胺化合物>
作为适合于用于本实施方式的液晶取向膜的形成的本实施方式的液晶取向剂中所含有的聚酰亚胺前体的合成的特定结构的二胺化合物,可使用下式(1)所表示的化合物。
[化7]
作为与四羧酸衍生物进行反应的、用于合成本实施方式的液晶取向剂能够含有的成分的聚酰亚胺前体和聚酰亚胺的二胺,可单独使用上式(1)所表示的二胺化合物。此外,上式(1)所表示的化合物也可和上式(1)所表示的二胺化合物以外的、接下来进行说明的下式(AM)所表示的其他的二胺化合物组合使用。
<其他的二胺化合物>
可以将用于合成本实施方式的液晶取向剂能够含有的成分聚酰亚胺前体和聚酰亚胺的、如上所述的上式(1)所表示的化合物,和上式(1)所表示的二胺化合物以外的、接下来进行说明的下式(AM)所表示的其他的二胺化合物组合使用。
[化8]
上式(AM)中,Y1为2价有机基团,也可以2种以上混合存在。此外,上式(AM)中,R1和R2表示氢原子或1价有机基团。
更具体地,上式(AM)中,R1~R2分别独立地为氢原子,或可具有取代基的碳数1~10的烷基、链烯基、炔基。
上式(AM)中,R1和R2如上所述,分别独立地为氢原子,或可具有取代基的碳数1~10的烷基、链烯基、炔基,作为上述烷基的具体例,可例举甲基、乙基、丙基、丁基、叔丁基、己基、辛基、癸基、环戊基、环己基、二环己基等。作为上述链烯基,可例举上述烷基中存在的1个以上的CH-CH结构被C=C结构取代的基团,更具体而言,可例举乙烯基、烯丙基、1-丙烯基、异丙烯基、2-丁烯基、1,3-丁二烯基、2-戊烯基、2-己烯基、环丙烯基、环戊烯基、环己烯基等。作为上述炔基,可例举将上述烷基中存在的1个以上的CH2-CH2结构取代为C≡C结构的基团,更具体而言,可例举乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基等。
上述烷基、链烯基、炔基只要整体碳数为1~10则也可以具有取代基,还可以由取代基形成环结构。另外,由取代基形成环结构表示取代基之间或取代基和主体骨架的一部分结合而成为环结构。
在该情况下,作为取代基的例子,可例举卤素基团、羟基、巯基、硝基、芳基、有机氧基、有机硫基、有机甲硅烷基、酰基、酯基、硫酯基、磷酸酯基、酰胺基、烷基、链烯基、炔基。
作为上述取代基的卤素基团,可例举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
作为上述取代基的芳基,可例举苯基。该芳基可进一步被上述其他取代基取代。
作为上述取代基的有机氧基可由O-R所表示的结构来表示。该R可相同或不同,可例举上述的烷基、链烯基、炔基、芳基等。这些R还可以进一步被上述的取代基取代。作为有机氧基的具体例,可例举甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基等。
作为上述取代基的有机硫基可由-S-R所表示的结构来表示。作为该R,可例举上述的烷基、链烯基、炔基、芳基等。这些R还可以进一步被上述的取代基取代。作为有机硫基的具体例,可例举甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基等。
作为上述取代基的有机甲硅烷基可由-Si-(R)3所表示的结构来表示。该R可相同或不同,可例举上述的烷基、链烯基、炔基、芳基等。这些R还可以进一步被上述的取代基取代。作为有机甲硅烷基的具体例,可例举三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、三戊基甲硅烷基、三己基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基等。
作为上述取代基的酰基可由-C(O)-R所表示的结构来表示。作为该R,可例举上述的烷基、链烯基、芳基等。这些R还可以进一步被上述的取代基取代。作为酰基的具体例,可例举甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、异戊酰基、苯甲酰基等。
作为上述取代基的酯基可由-C(O)O-R或-OC(O)-R所表示的结构来表示。作为该R,可例举上述的烷基、链烯基、炔基、芳基等。这些R还可以进一步被上述的取代基取代。
作为上述取代基的硫酯基可由-C(S)O-R或-OC(S)-R所表示的结构来表示。作为该R,可例举上述的烷基、链烯基、炔基、芳基等。这些R还可以进一步被上述的取代基取代。
作为上述取代基的磷酸酯基,可由-OP(O)-(OR)2所表示的结构来表示。该R可相同或不同,可例举上述的烷基、链烯基、炔基、芳基等。这些R还可以进一步被上述的取代基取代。
作为上述取代基的酰胺基可示出由-C(O)NH2、或-C(O)NHR、-NHC(O)R、-C(O)N(R)2、-NRC(O)R表示的结构。该R可相同或不同,可例举上述的烷基、链烯基、炔基、芳基等。这些R还可以进一步被上述的取代基取代。
作为上述取代基的芳基,可例举与上述的芳基相同的基团。该芳基可进一步被上述其他取代基取代。
作为上述取代基的烷基,可例举与上述的烷基相同的基团。该烷基可进一步被上述的其他取代基取代。
作为上述取代基的链烯基,可例举与上述的链烯基相同的基团。该链烯基可进一步被上述的其他取代基取代。
作为上述取代基的炔基,可例举与上述的炔基相同的基团。该炔基可进一步被上述的其他取代基取代。
通常,如果引入体积大的结构,则具有降低氨基的反应性以及液晶取向性的可能性,因此作为R1及R2,更优选氢原子或可具有取代基的碳数1~5的烷基,特别优选氢原子、甲基或乙基。
上式(AM)中,如果要示出Y1的具体结构的例子,可例举以下示出的Y-1~Y-106,但并不被这些所限定。
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
[化21]
[化22]
<四羧酸衍生物>
对用于与上述二胺化合物的反应的、合成本实施方式的液晶取向剂中能够含有的聚酰亚胺前体和聚酰亚胺的四羧酸衍生物没有特别的限定。
作为四羧酸衍生物,作为例子可例举四羧酸二酐(以下式(CB1)表示。)、四羧酸一酐(以下式(CB2)表示。)、四羧酸(以下式(CB3)表示。)、二羧酸二烷基酯(以下式(CB4)表示。)、二羧酰氯二烷基酯(以下式(CB5)表示。)等。作为四羧酸衍生物,可单独使用1种,或者2种以上组合使用。
[化23]
上式(CB4)和(CB5)中,R3表示碳数1~5、优选碳数1~2的烷基。
上式(CB1)~(CB5)中,作为Z1的具体例,可例举以下式(Z-1)~式(Z-46)。
[化24]
[化25]
[化26]
[化27]
对于以上结构的四羧酸衍生物,用于与上述二胺化合物的反应的、合成所希望结构的聚酰亚胺前体或聚酰亚胺并含有在液晶取向剂中的、有利于本实施方式的液晶取向膜的获得的四羧酸衍生物优选上式(CB1)~(CB5)中Z1为式(Z-1)的四羧酸衍生物。该四羧酸与上式(1)的特定结构的二胺化合物进行反应,提供所希望结构的聚酰亚胺前体和所希望结构的聚酰亚胺。于是,可提供即使受到可见光或紫外线等光的照射也可将较高程度地减少性能劣化的本实施方式的液晶取向膜。因此,合成本实施方式的液晶取向剂中能够含有的聚酰亚胺前体或聚酰亚胺的四羧酸衍生物在单独使用一种的情况下,优选使用上式(CB1)~(CB5)中Z1为式(Z-1)的四羧酸衍生物。
<聚酰亚胺前体>
本实施方式的液晶取向剂中能够含有的聚酰亚胺前体是使用作为必需成分含有上式(1)的二胺化合物的二胺成分合成的聚酰亚胺前体。本实施方式的液晶取向剂中含有的聚酰亚胺前体,例如为聚酰胺酸及聚酰胺酸酯,具有下式(PA)所表示的结构单元。
[化28]
上式(PA)中,Z是来自作为上述四羧酸衍生物的例子的四羧酸二酐(上式(CB1)表示。)、四羧酸一酐(上式(CB2)表示。)、四羧酸(上式(CB3)表示。)、二羧酸二烷基酯(上式(CB4)表示。)、以及二羧酰氯二烷基酯(上式(CB5)表示。)中的Z1基的基团。
此外,Ra表示氢原子或来源于上述四羧酸衍生物或后述酯化剂的1价有机基团,优选碳数1~5,更优选碳数1~2的烷基。
上式(PA)中,Y为来源于上式(1)所表示的二胺化合物所对应的基团和上式(AM)所表示的其他的二胺化合物的Y1基的基团。A1和A2表示氢原子或来源于上式(AM)所表示的其他的二胺化合物的R1基和R2基的1价有机基团。
作为聚酰亚胺前体的聚酰胺酸,例如通过作为必需成分含有上式(1)的二胺化合物的二胺成分(以下简称二胺成分。)和上述的作为四羧酸衍生物的四羧酸二酐的反应而得。
作为通过上述二胺成分和四羧酸二酐的反应得到本实施方式的液晶取向剂中含有的聚酰胺酸的方法,可利用公知的方法。该合成方法为使二胺成分和四羧酸二酐在有机溶剂中进行反应的方法。二胺成分和四羧酸二酐的反应在有机溶剂中比较容易进行,且在不生成副产物这一点上是有利的。
作为上述二胺成分和四羧酸二酐的反应中使用的有机溶剂,只要是可溶解生成的聚酰胺酸的溶剂,则没有特别限定。下面例举其具体例。
可例举N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-甲基己内酰胺、二甲亚砜、四甲基脲、吡啶、二甲砜、六甲亚砜、γ-丁内酯、异丙醇、甲氧基甲基戊醇、二戊烯、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲基乙基酮、甲基异戊基酮、甲基异丙基酮、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、丁基卡必醇、乙基卡必醇、乙二醇、乙二醇单乙酸酯、乙二醇单异丙基醚、乙二醇单丁基醚、丙二醇、丙二醇单乙酸酯、丙二醇单甲基醚、丙二醇叔丁基醚、二丙二醇单甲基醚、二乙二醇、二乙二醇单乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇单乙酸酯单甲基醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇单乙基醚、二丙二醇单乙酸酯单乙基醚、二丙二醇单丙基醚、二丙二醇单乙酸酯单丙基醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲基醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二异丙醚、乙基异丁基醚、二异丁烯、乙酸戊酯、丁酸丁酯、丁醚、二异丁基酮、甲基环己烯、丙醚、二己醚、二烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、二乙醚、环己酮、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸丙二醇酯单乙基醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、二甘醇二甲醚、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-乙氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺等。
这些例示的溶剂可以单独使用,也可以混合使用。此外,即使是不溶解聚酰胺酸的溶剂,只要是在生成的聚酰胺酸不会析出的范围内,也可以与上述溶剂混合使用。
此外,有机溶剂中的水分阻碍聚合反应,而且会使生成的聚酰胺酸水解,因此有机溶剂优选使用尽可能脱水干燥后的有机溶剂。
使上述二胺成分和四羧酸二酐在有机溶剂中反应时,可例举下述方法:搅拌使二胺成分分散或溶解于有机溶剂而得的溶液,然后直接添加四羧酸二酐或者使四羧酸二酐分散或溶解于有机溶剂后再添加的方法;相反地在将四羧酸二酐分散或溶解于有机溶剂而得的溶液中添加二胺成分的方法;交替添加四羧酸二酐和二胺成分的方法等,也可以使用其中的任一种方法。另外,二胺成分或四羧酸二酐由多种化合物构成时,可以在预先混合的状态下使其反应,也可以使其分别依次反应,再使分别反应而得的低分子量体混合反应而获得高分子量体。
此时的聚合温度可以选择-20℃~150℃的任意温度,优选-5℃~100℃的范围。此外,反应虽能以任意的浓度进行,但如果浓度过低则难以获得高分子量的聚合物,如果浓度过高则反应液的粘性变得过高而难以进行均匀的搅拌,因此二胺成分和四羧酸二酐在反应溶液中的总浓度优选为1质量%~50质量%,更优选5质量%~30质量%。反应初期可以在高浓度下进行,之后追加有机溶剂。
聚酰胺酸的聚合反应中,四羧酸二酐的总摩尔数和二胺成分的总摩尔数的比较好是0.8~1.2。与通常的缩聚反应相同,该摩尔比越接近于1.0,生成的聚酰胺酸的分子量越大。
<聚酰胺酸酯>
如上所述,本实施方式的液晶取向剂可含有的聚酰亚胺前体为聚酰胺酸及聚酰胺酸酯等。作为聚酰亚胺前体的聚酰胺酸酯,例如可使用作为必需成分含有上述上式(1)二胺化合物的二胺成分和四羧酸衍生物,以如下示出的(1)~(3)的方法进行合成。
(1)由聚酰胺酸进行合成的方法
聚酰胺酸酯可通过将由二胺成分和四羧酸二酐获得的聚酰胺酸进行酯化来合成。
具体而言,可通过使聚酰胺酸和酯化剂在有机溶剂的存在下,于-20℃~150℃、优选0℃~50℃反应30分钟~24小时、优选1小时~4小时来合成。
作为上述酯化剂,优选可通过纯化容易地除去的酯化剂,可例举N,N-二甲基甲酰胺二甲基缩醛、N,N-二甲基甲酰胺二乙基缩醛、N,N-二甲基甲酰胺二丙基缩醛、N,N-二甲基甲酰胺二新戊基丁基缩醛、N,N-二甲基甲酰胺二叔丁基缩醛、1-甲基-3-对甲苯基三氮烯、1-乙基-3-对甲苯基三氮烯、1-丙基-3-对甲苯基三氮烯、氯化4-(4,6-二甲氧基-1,3,5-三嗪-2-基)-4-甲基吗啉盐等。酯化剂的添加量,相对于1摩尔聚酰胺酸的重复单元,优选2摩尔当量~6摩尔当量。
从聚合物的溶解性考虑,上述反应中使用的溶剂较好是N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮或γ-丁内酯,这些可以使用1种或2种以上混合使用。从不易发生聚合物的析出、且容易获得高分子量体的观点考虑,合成时的浓度优选1质量%~30质量%,更优选5质量%~20质量%。
(2)通过四羧酸二酯二酰氯和二胺成分的反应进行合成的方法
聚酰胺酸酯可由四羧酸二酯二酰氯和上述二胺成分来合成。
具体而言,可通过使四羧酸二酯二酰氯和二胺成分在碱和有机溶剂的存在下,于-20~150℃、优选0~50℃反应30分钟~24小时、优选1~4小时来合成。
上述碱可使用吡啶、三乙胺、4-二甲基氨基吡啶等,为了使反应温和地进行,优选吡啶。碱的添加量从容易除去的量且容易获得高分子量体的观点考虑,相对于四羧酸二酯二酰氯,优选2摩尔倍~4摩尔倍。
上述反应中所使用的溶剂,从单体以及聚合物的溶解性考虑,优选N-甲基-2-吡咯烷酮、γ-丁内酯,这些可以1种或2种以上混合使用。从不易发生聚合物的析出、且容易获得高分子量体的观点考虑,合成时的聚合物浓度优选1质量%~30质量%,更优选5质量%~20质量%。此外,为了防止四羧酸二酯二酰氯的水解,聚酰胺酸酯的合成中所使用的溶剂优选尽可能脱水的状态,优选在氮气气氛中进行,以防止外来气体的混入。
(3)由四羧酸二酯和二胺成分合成的方法
聚酰胺酸酯可通过使四羧酸二酯和上述二胺成分缩聚来合成。
具体而言,可通过使四羧酸二酯和上述二胺成分在缩合剂、碱、有机溶剂的存在下,于0℃~150℃、优选0℃~100℃反应30分钟~24小时、优选3小时~15小时来合成。
作为上述缩合剂,可使用亚磷酸三苯酯、二环己基碳二亚胺、1-乙基-3-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐、N,N’-羰基二咪唑、二甲氧基-1,3,5-三嗪甲基吗啉、O-(苯并三唑-1-基)-N,N,N’,N’-四甲基脲四氟硼酸盐、O-(苯并三唑-1-基)-N,N,N’,N’-四甲基脲六氟磷酸盐、(2,3-二氢-2-硫代-3-苯并唑基)膦酸二苯酯等。缩合剂的添加量相对于四羧酸二酯优选为2摩尔倍~3摩尔倍。
上述碱可使用吡啶、三乙胺等叔胺。从容易除去的量且容易获得高分子量体的观点来看,碱的添加量相对于二胺成分,优选2摩尔倍~4摩尔倍。
此外,上述反应中,加入路易斯酸作为添加剂可使反应高效地进行。作为路易斯酸,优选氯化锂、溴化锂等卤化锂。路易斯酸的添加量相对于二胺成分优选为0摩尔倍~1.0摩尔倍。
在上述3种聚酰胺酸酯的合成方法中,为了得到高分子量的聚酰胺酸酯,特别优选上述(1)或(2)的合成方法。
如上所述制得的聚酰胺酸酯的溶液可以按照一边充分搅拌反应溶液一边注入到不良溶剂中的方式来使聚合物析出。进行数次析出并用不良溶剂清洗后,在常温下或加热干燥,可以获得纯化了的聚酰胺酸酯的粉末。对不良溶剂没有特别限定,可例举水、甲醇、乙醇、己烷、丁基溶纤剂、丙酮、甲苯等。
<聚酰亚胺>
本实施方式的液晶取向剂含有选自上述聚酰亚胺前体和聚酰亚胺的至少一种聚合物。本实施方式的液晶取向剂中含有的聚酰亚胺为使上述聚酰亚胺前体的聚酰胺酸脱水闭环而得的聚酰亚胺。即,该聚酰亚胺是使作为上述聚酰亚胺前体的聚酰胺酸进行脱水闭环而得的聚酰亚胺,所述聚酰亚胺前体是使用作为必需成分含有上式(1)的特定结构的二胺化合物的二胺成分来合成的。该聚酰亚胺包含在本实施方式的液晶取向剂中,作为用于得到液晶取向膜的聚合物是有用的。
此外,本实施方式的液晶取向剂含有的聚酰亚胺中,酰胺酸基的脱水闭环率(酰亚胺化率)不需要一定为100%,可以根据用途或目的任意调整。
<聚酰亚胺的制造方法>
使用上述聚酰胺酸得到聚酰亚胺时,作为使聚酰胺酸酰亚胺化的方法,可例举直接加热聚酰胺酸的溶液的热酰亚胺化、在聚酰胺酸的溶液中添加催化剂的催化酰亚胺化。
此时,上述聚酰胺酸理想的是进行在较低温下能够反应的催化酰亚胺化。
聚酰胺酸的催化酰亚胺化通过在聚酰胺酸溶液中添加碱性催化剂和酸酐,且在-20℃~250℃、优选0℃~180℃下搅拌而进行。碱性催化剂的量是酰胺酸基的0.5摩尔倍~30摩尔倍,优选2摩尔倍~20摩尔倍,酸酐的量是酰胺酸基的1摩尔倍~50摩尔倍,优选3摩尔倍~30摩尔倍。
作为上述催化酰亚胺化中使用的碱性催化剂,可例举吡啶、三乙胺、三甲胺、三丁胺、三辛胺等,其中吡啶具有对于使反应进行而言适度的碱性,因此优选。
作为上述催化酰亚胺化中使用的酸酐,可例举乙酸酐、偏苯三酸酐、均苯四甲酸酐等。其中如果使用乙酸酐则因反应结束后容易纯化,因而优选。
采用催化酰亚胺化的酰亚胺化率可以通过调整催化剂量和反应温度、反应时间来控制。
以上,对本实施方式的液晶取向剂中能够含有的成分进行了说明,接着对使用这些成分来进行制备的本实施方式的液晶取向剂进行说明。
<液晶取向剂>
本实施方式的液晶取向剂是用于形成液晶取向膜的涂布液,而且是用于形成树脂被膜的树脂成分溶解于有机溶剂中而形成的溶液。这里,上述树脂成分为包含选自上述聚酰亚胺前体和聚酰亚胺的至少一种聚合物的树脂成分。此时,树脂成分的含量优选1质量%~20质量%,更优选3质量%~15质量%,进一步优选3质量%~10质量%。
此外,本实施方式中,上述的树脂成分可以全部都是上述聚合物,也可以混合除此以外的其他的聚合物。此时,树脂成分中的上述聚合物以外的其他聚合物的含量为0.5质量%~15质量%,优选1质量%~10质量%。
用于本实施方式的液晶取向剂的有机溶剂,只要是能够溶解上述聚合物等树脂成分的有机溶剂即可,没有特别限定。下面例举其具体例。
可例举N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基己内酰胺、2-吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、二甲亚砜、四甲基脲、吡啶、二甲砜、六甲亚砜、γ-丁内酯、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-乙氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺、1,3-二甲基-咪唑啉酮、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲基乙基酮、甲基异戊基酮、甲基异丙基酮、环己酮、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、二甘醇二甲醚、4-羟基-4-甲基-2-戊酮等。这些溶剂可以单独使用,也可以混合使用。
本实施方式的液晶取向剂可以包含上述以外的成分。具体例子有,提高涂布液晶取向剂时的膜厚均匀性及表面平滑性的溶剂或化合物、提高液晶取向膜和基板的密合性的化合物等。
作为提高膜厚的均匀性或表面平滑性的溶剂(不良溶剂)的具体例,可例举以下溶剂。
例如可例举异丙醇、甲氧基甲基戊醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、丁基卡必醇、乙基卡必醇、乙基卡必醇乙酸酯、乙二醇、乙二醇单乙酸酯、乙二醇单异丙基醚、乙二醇单丁基醚、丙二醇、丙二醇单乙酸酯、丙二醇单甲基醚、丙二醇叔丁基醚、二丙二醇单甲基醚、二乙二醇、二乙二醇单乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二丙二醇单乙酸酯单甲基醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇单乙基醚、二丙二醇单乙酸酯单乙基醚、二丙二醇单丙基醚、二丙二醇单乙酸酯单丙基醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲基醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二异丙醚、乙基异丁基醚、二异丁烯、乙酸戊酯、丁酸丁酯、丁醚、二异丁基酮、甲基环己烯、丙醚、二己醚、1-己醇、正己烷、正戊烷、正辛烷、二乙醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸丙二醇酯单乙基醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙基酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、1-苯氧基-2-丙醇、丙二醇单乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、丙二醇-1-单甲基醚-2-乙酸酯、丙二醇-1-单乙基醚-2-乙酸酯、二丙二醇、2-(2-乙氧基丙氧基)丙醇、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸正丁酯或乳酸异戊酯等具有低表面张力的溶剂等。
这些不良溶剂可以使用1种,或将多种混合使用。使用如上所述的溶剂时,优选占液晶取向剂中所含的溶剂总量的5质量%~80质量%,更优选20质量%~60质量%。
作为提高膜厚均匀性或表面平滑性的化合物,可例举氟类表面活性剂、硅氧烷类表面活性剂、非离子型表面活性剂等。
更具体而言,可例举例如エフトップ(注册商标)EF301、EF303、EF352(托凯姆产品株式会社(トーケムプロダクツ社)制)、メガファック(注册商标)F171、F173、R-30(大日本油墨化学株式会社(大日本インキ社)制)、フロラードFC430、FC431(住友3M株式会社(住友スリーエム社)制)、アサヒガード(注册商标)AG710、サーフロン(注册商标)S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子株式会社(旭硝子社)制)等。
这些表面活性剂的使用比例相对于100质量份的液晶取向剂中所含的树脂成分,优选0.01质量份到2质量份,更优选0.01质量份到1质量份。
作为提高液晶取向膜和基板的密合性的化合物的具体例,可例举以下所示的含官能性硅烷的化合物、含环氧基的化合物等。
例如,可例举3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、2-氨基丙基三甲氧基硅烷、2-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-脲基丙基三甲氧基硅烷、3-脲基丙基三乙氧基硅烷、N-乙氧基羰基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-乙氧基羰基-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-三乙氧基甲硅烷基丙基三亚乙基三胺、N-三甲氧基甲硅烷基丙基三亚乙基三胺、10-三甲氧基甲硅烷基-1,4,7-三氮杂癸烷、10-三乙氧基甲硅烷基-1,4,7-三氮杂癸烷、9-三甲氧基甲硅烷基-3,6-二氮杂壬基乙酸酯、9-三乙氧基甲硅烷基-3,6-二氮杂壬基乙酸酯、N-苄基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苄基-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-双(氧乙烯基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-双(氧乙烯基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、乙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、三丙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、1,6-己二醇二缩水甘油醚、甘油二缩水甘油醚、2,2-二溴新戊二醇二缩水甘油醚、1,3,5,6-四缩水甘油基-2,4-己二醇、N,N,N’,N’,-四缩水甘油基-间二甲苯二胺、1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷、N,N,N’,N’,-四缩水甘油基-4,4’-二氨基二苯基甲烷等。
在使用能够提高与基板的密合性的化合物的情况下,相对于100质量份的液晶取向处理剂中含有的树脂成分,其使用量优选0.1质量份到30质量份,更优选1质量份到20质量份。如果使用量不足0.1质量份,则无法期待密合性提高的效果,如果多于30质量份,则有时所形成的液晶取向膜的液晶取向性会下降。
本实施方式的液晶取向剂中,除了上述以外,在不损害本发明的效果的范围内,可以添加以改变液晶取向膜的介电常数或导电性等电特性为目的的电介质或导电物质,还可以添加以提高形成液晶取向膜时的膜的硬度或致密度为目的的交联性化合物。
接着,对本发明的实施方式的液晶取向膜和使用该液晶取向膜的液晶显示元件进行说明。
<液晶取向膜的形成>
上述本实施方式的液晶取向剂包含选自使用作为必需成分含有上式(1)的二胺化合物的二胺成分合成的聚酰亚胺前体和聚酰亚胺中的至少一种聚合物。并且,本实施方式的液晶取向剂优选在基板上涂布之前进行过滤然后再涂布于基板,接着通过预烘烤进行干燥后加热烧成,藉此可形成含有聚酰亚胺的聚合物膜。
作为使用本实施方式的液晶取向剂在基板上进行涂布的涂布方法没有特别限定,工业上通常采用通过丝网印刷、胶版印刷、柔版印刷或喷墨法等进行涂布的方法。作为其他涂布方法,有浸涂法、辊涂法、狭缝涂布法、旋涂法或喷涂法等,可以根据目的使用这些方法。本实施方式的液晶取向剂即使在使用以上的涂布法的情况下,涂布性也良好。
涂布液晶取向剂后通过预烘烤的干燥工序不是必需的,但在涂布后到加热烧成前的这段时间对每一块基板而言都不固定或涂布后不立即加热烧成的情况下,优选包括干燥工序。利用该预烘烤的干燥中,溶剂只要蒸发至经过基板运送等涂膜形状不发生变形的程度即可。
对于干燥方法没有特别限定。如果例举具体例,较好是在50℃~120℃、优选80℃~120℃的加热板上干燥0.5分钟~30分钟,优选1分钟~5分钟的方法。
涂布了液晶取向剂的基板的烧成,可通过加热板、热循环式炉或IR(红外线)型炉等加热方法以120℃~350℃的温度进行。烧成温度优选140℃~300℃,进一步优选180℃~250℃。液晶取向剂中包含聚酰胺酸或聚酰胺酸酯时,向聚酰亚胺转化的转化率随该烧成温度而变化,但本实施方式的液晶取向剂无需一定100%酰亚胺化。并且,液晶取向剂的涂膜的烧成时间可设定为任意的时间。烧成时间过短时,由于残存溶剂的影响,有时会发生显示不良,所以优选5分钟~60分钟,更优选10分钟~40分钟。
如果烧成后得到的含有聚酰亚胺的聚合物膜的厚度过厚,则在液晶显示元件的消耗电力方面不利,如果过薄,则有时液晶显示元件的可靠性降低,因此优选10nm~200nm,更优选50nm~100nm。在使液晶水平取向或倾斜取向的情况下,烧成后的聚合物膜优选进行使用布对膜表面朝着一定方向擦拭的摩擦等取向处理。
如上形成的本实施方式的液晶取向膜是即使受到紫外线照射也能有效减少性能劣化的液晶取向膜,提供经过在像素形成区域照射紫外线的工序而制得的抑制了性能劣化的减少的本实施方式的液晶显示元件。
实施方式2
本发明的实施方式2的液晶显示元件与上述实施方式1的液晶显示元件相同,使用即使受到紫外线照射也可有效减少性能劣化的液晶取向膜构成。并且,在实施方式2的液晶显示元件的情况下,该液晶取向膜为通过利用紫外线照射进行光取向处理来发挥液晶取向控制能力的光取向膜。因此,本发明的实施方式2的液晶显示元件是经过为了进行光取向处理而在液晶取向膜的像素形成区域内照射紫外线的工序而制得的是抑制了性能劣化的减少的液晶显示元件。
本实施方式的液晶显示元件与上述实施方式1相同,作为一例,可为TN(扭曲向列,Twisted Nematic)型的彩色液晶显示元件。因此,可以是与上述实施方式1的图1的液晶显示元件1相同的结构,因此省略重复说明。
实施方式2的液晶显示元件的液晶取向膜与实施方式1的液晶显示元件的液晶取向膜相同,优选使用液晶取向剂来形成。因此,本实施方式的液晶取向膜为了提供经过在像素形成区域内照射紫外线的工序而制得的抑制了性能劣化的减少的本实施方式的液晶显示元件,优选使用上述实施方式1的液晶取向剂来形成。
因此,本实施方式所使用的液晶取向剂是上述实施方式1的液晶取向剂,在得到的液晶取向膜中,为了通过光取向处理实现优良的液晶取向控制能力,优选含有选自使用含有上式(1)的二胺化合物的二胺成分、和上式(CB1)~(CB5)中Z1为式(Z-1)的四羧酸衍生物来形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺中的至少一种聚合物来构成。其结果是,本实施方式的液晶取向膜含有选自使用含有上式(1)的二胺化合物的二胺成分、和上式(CB1)~(CB5)中Z1为式(Z-1)的四羧酸衍生物来形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺中的至少一种聚合物来构成。
本实施方式的液晶取向膜的形成可与上述实施方式1同样进行。并且,对本实施方式的液晶取向膜中的光取向处理的方法没有特别的限定,但从可得到均匀的液晶取向来看,优选使用经偏振的紫外线。在该情况下,对照射偏振紫外线的方法没有特别的限定。例如,可以从一定方向对形成了含有聚酰亚胺等聚合物的聚合物膜的基板照射介由偏振片偏振了的紫外线。此外,也可以将偏振紫外线的入射角改变2次以上进行照射。此外,可以进行实质上的偏振,也可以从基板的法线倾斜一定角度来照射非偏振的紫外线。
作为使用的紫外线的波长,一般而言可使用100nm~400nm范围的紫外线,特别优选根据使用的聚合物膜的种类,介由滤色片等选择最适波长。此外,紫外线的照射时间一般而言在数秒到数小时的范围内。并且,考虑到工业上的生产性,优选根据所使的液晶取向膜的种类来选择实现良好的液晶取向控制能力的必需量。
可如下制造实施方式2的液晶显示元件。此外,本实施方式的液晶显示元件可以设为与上述实施方式1的图1的液晶显示元件1相同的结构,对涉及共同的构成要素的说明使用同样符号,参照图1进行说明。
首先,准备上述结构的TFT基板2。TFT基板2是例如在由透明玻璃基板等构成的基板5上根据公知的方法,形成包括TFT或像素电极6的各种电极等而制造的。然后,在TFT基板2上配置实施了上述光取向处理的本实施方式的液晶取向膜12。
接着,准备上述结构的CF基板3。CF基板3是例如在由透明玻璃基板等构成的基板15上,印制具有着色层9和黑底10的CF层7,以及共同电极11等图案而形成的。接着,在共同电极11的表面配置实施了上述光取向处理的液晶取向膜12。此外,黑底由分散了Ta(钽)、Cr(铬)、Mo(钼)、Ni(镍)、Ti(钛)、Cu(铜)、Al(铝)等金属材料、炭黑等黑色颜料的树脂材料,或者分别层积了具有光透射性的多个颜色的着色层的树脂材料等形成。
接着,在该TFT基板2的形成了像素电极6的的像素形成区域的周围使用密封材料,根据利用分配器的方法、或印刷所希望的形状的方法、或通过旋涂法涂布后利用光刻法形成图案的方法等,将密封材料16形成为框状。作为密封材料,例如可使用热固化型的密封材料。
接着,使该TFT基板2和CF基板3夹持优选1μm~30μm、更优选2μm~10μm的间隔物,以照射在各基板上的偏振紫外线的光轴投影方向例如垂直的方式进行设置,用密封材料16固定周围。接着,在TFT基板2和CF基板3之间注入液晶并密封,构成液晶层4。对于封入液晶的方法没有特别的限制,可以利用对TFT基板2和CF基板3之间的以密封材料16包围了的像素形成区域进行减压后再注入液晶的真空法。此外,可例示实施例1所说明的滴加液晶之后进行密封的滴下法等。
然后,在TFT基板2和CF基板3的与液晶层4相反一侧的外部侧的面上分别配置偏振片17,制造液晶显示元件1。
因此,在本实施方式的液晶显示元件的制造中,照射紫外线的光照射工序是进行液晶取向膜的取向处理的工序,是对液晶取向膜赋予液晶取向的控制能力的工序。照射光具有适于液晶取向膜的光取向处理的波长特性,如上所述,可设为波长100nm~400nm的紫外线。并且,紫外线的照射量,如上所述优选根据液晶取向膜的种类、选择适合光取向处理的量。
本实施方式的液晶显示元件使用含有选自上述结构的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物而构成的液晶取向膜来构成,即使由于进行光取向处理而在像素形成区域中受到紫外线的照射,也可抑制性能的劣化。因此,本实施方式的液晶显示元件即使是经过因光取向处理而对像素形成区域照射紫外线的工序而制得的情况下,也可抑制现有的因紫外线照射而性能劣化的问题。即,如果采用本实施方式,则可提供尤其是采用照射紫外线的光照射处理而制得的抑制了显示品质的下降的液晶显示元件。
此外,在密封材料16的形成中,本实施方式的液晶显示元件1也可以使用可见光固化型以及紫外线固化型等光固化型的密封材料。作为可见光固化型的密封材料,可以使用例如丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、环氧树脂和有机硅树脂等通过照射可见光的光能量而固化的光固化性树脂。此外,作为紫外线固化型的密封材料,可使用与上述实施方式1中所说明的相同的材料。
密封材料是光固化型的情况下,本实施方式的液晶显示元件使用包括上述特定结构的聚酰亚胺膜的液晶取向膜来构成,即使在例如密封材料16的固化时像素形成区域中受到可见光或紫外线的照射,也可抑制性能的劣化。因此,本实施方式的液晶显示元件即使是光取向处理之后经过对像素形成区域照射可见光或紫外线的工序而制得的情况,也可抑制因可见光照射而导致的性能劣化。
此外,本实施方式的液晶显示元件在上述的TN型之外,还可制成STN(超扭曲向列,Super Twisted Nematic)型、IPS(平面转换,In-Planes Switching)型、VA(垂直取向,Vertical Alignment)型、或者OCB(光学补偿弯曲排列,Optically Compensated Birefringence)型等液晶型。该情况下,TFT基板或CF基板与图1所示的例子不同,可以是适于各液晶型的公知的结构。
实施方式3
本发明的实施方式3的液晶显示元件为PSA(聚合物稳定取向,PolymerSustained Alignment)方式的液晶显示元件。构成PSA方式的液晶显示元件时使用垂直取向型的液晶取向膜作为液晶取向膜。
因此,实施方式3的液晶显示元件的液晶取向膜与实施方式1的液晶显示元件的液晶取向膜相同,优选使用液晶取向剂来形成。因此,本实施方式的液晶取向膜为了提供经过在像素形成区域内照射紫外线的工序而制得的抑制了性能劣化的减少的本实施方式的液晶显示元件,优选使用上述实施方式1的液晶取向剂来形成。并且,特别地,为了使得到的液晶取向膜能够实现液晶的垂直取向,优选使用含有选自适合垂直取向的结构的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物的实施方式1的液晶取向剂来构成。
对于实施方式3的液晶显示元件的制造方法,如上所述可使用含有适合垂直取向的结构的聚酰亚胺前体等聚合物的实施方式1的液晶取向剂,在基板上形成液晶取向膜后,根据公知的方法制作液晶晶胞而获得。若要例举制作液晶晶胞的一例,通常方法是将形成了上述液晶取向膜的1对基板夹持间隔物,用密封材料固定,注入液晶后密封。此时,所用的间隔物的大小为1μm~30μm,优选2μm~10μm。
作为本实施方式的PSA方式液晶显示元件所使用的基板,只要是透明性高的基板即可,没有特别限定,优选在基板上形成用于驱动液晶的透明电极的基板。可用于PSA方式的液晶显示元件的基板能够使用标准的称为PVA或MVA电极图案或突起图案。但是,作为PSA方式的液晶显示元件的一例,即使是在一侧基板上形成1μm~10μm的线状/狭缝电极图案、在对向基板上未形成狭缝图案或突起图案的结构的情况下,也能够进行所希望的液晶动作,通过该结构例的PSA方式的液晶显示元件,可简化制造时的步骤,且可得到高透射率。
此外,用于本实施方式的PSA方式的液晶显示元件的基板可使用配置了TFT和电极等的TFT基板,该例子中,可提供通过TFT驱动的PSA方式的液晶显示元件。
在本实施方式的PSA方式的液晶显示元件为透射型的情况下,优选使用如上所述的透明基板,但为反射型的情况下,如果单单是一侧的基板则也能够使用硅晶片等不透明基板。此时,在基板上形成的电极也可使用铝等反射光的材料。
对注入液晶的方法没有特别的限定,可例举在对制得的液晶晶胞内进行减压后注入液晶的真空法,滴下液晶后进行密封的滴下法等。
PSA方式的液晶显示元件中,作为所使用的液晶,使用少量(优选0.2重量%~1重量%)添加了光聚合性化合物的液晶。得到封入该液晶形成液晶层的液晶晶胞之后,在夹持该液晶晶胞的液晶层的两侧基板的电极间施加电压。接着,在该电压施加的状态下,通过照射紫外线将聚合性化合物在该状态下聚合、交联,其结果是,该液晶显示元件的响应速度变快。此处,施加的电压为5Vp-p~30Vp-p,优选5Vp-p~20Vp-p。照射的紫外线的照射量为1J~60J,但优选40J以下,紫外线照射量越少则越能够抑制液晶显示元件的可靠性下降,且由于通过减少紫外线的照射时间可加快制造节奏,因此适于提高生产性。
如上所述,本发明的实施方式3的PSA方式的液晶显示元件与上述实施方式1的液晶显示元件相同,使用即使受到紫外线照射也可有效减少性能劣化的液晶取向膜构成。并且,在实施方式3的液晶显示元件的情况下,使用少量添加光聚合性化合物的液晶,在液晶显示元件的制造时对该光聚合性化合物照射紫外线,在液晶中实现所希望的响应特性。因此,本发明的实施方式3的液晶显示元件是经过为了使液晶中的光聚合性化合物反应而在像素形成区域内照射紫外线的工序制得的抑制了性能劣化的减少的液晶显示元件。
实施方式4
本发明的实施方式4的液晶显示元件为紫外线照射方式的液晶显示元件。紫外线照射方式的液晶显示元件是将液晶取向剂涂布在2片基板上形成液晶取向膜,以使该液晶取向膜对向的方式配置2片基板,在该2片基板之间夹持液晶层,通过一边对液晶层施加电场一边照射紫外线来制作的垂直取向(VA)型的液晶显示元件。构成紫外线照射方式的液晶显示元件时使用垂直取向型的液晶取向膜作为液晶取向膜。
因此,实施方式4的液晶显示元件的液晶取向膜与实施方式1的液晶显示元件的液晶取向膜相同,优选使用液晶取向剂来形成。因此,本实施方式的液晶取向膜为了提供经过在像素形成区域内照射紫外线的工序而制得的抑制了性能劣化的减少的本实施方式的液晶显示元件,优选使用上述实施方式1的液晶取向剂来形成。并且,特别地,为了使得到的液晶取向膜能够实现液晶的垂直取向,优选使用含有选自适合垂直取向的结构的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物的实施方式1的液晶取向剂来构成。
并且,进一步为了无需像上述的PSA方式那样在液晶中添加光聚合性化合物,特别优选使用含有选自适合紫外线照射方式的结构的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物的实施方式1的液晶取向剂来构成。通过这样,可简便地提高液晶的响应特性。
对于实施方式4的液晶显示元件的制造方法,如上所述可使用含有适合垂直取向的结构的、适合紫外线照射方式的结构的聚酰亚胺前体等聚合物的实施方式1的液晶取向剂,在基板上形成液晶取向膜后,根据公知的方法制作液晶晶胞而获得。若例举制造液晶晶胞的一例,可例示如下方法:准备形成有上述液晶取向膜的一对基板,在一块基板的液晶取向层上散布间隔物,以液晶取向层的一面位于内侧的方式贴合另一块基板,减压注入液晶并密封的方法;或在散布了间隔物的液晶取向层的面上滴加液晶之后,贴合基板进行密封的方法等。此时,所用的间隔物的大小为1μm~30μm,优选2μm~10μm。
作为本实施方式的液晶显示元件所使用的基板,只要是透明性高的基板即可,没有特别限定,优选在基板上形成用于驱动液晶的透明电极的基板。可用于紫外线照射方式的液晶显示元件的基板能够使用标准的称为PVA或MVA电极图案或突起图案。但是,作为紫外线照射方式的液晶显示元件的一例,即使是在一侧基板上形成1μm~10μm的线状/狭缝电极图案、在对向基板上未形成狭缝图案或突起图案的结构的情况下,也能够进行所希望的液晶动作,通过该结构例的紫外线照射方式的液晶显示元件,可简化制造时的步骤,且可得到高透射率。
此外,用于本实施方式的紫外线照射方式的液晶显示元件的基板可使用配置了TFT和电极等的TFT基板,该例子中,可提供通过TFT驱动的紫外线照射方式的液晶显示元件。
在本实施方式的紫外线照射方式的液晶显示元件为透射型的情况下,优选使用如上所述的透明基板,但为反射型的情况下,如果单单是一侧的基板则也能够使用硅晶片等不透明基板。此时,在基板上形成的电极也可使用铝等反射光的材料。
用于本实施方式的液晶显示元件的液晶可以是不添加光聚合性化合物的液晶,或者也可以使用添加了光聚合性化合物的液晶。本实施方式的液晶显示元件使用任一种液晶都可加快其响应速度。
一边向液晶层施加电场、一边照射紫外线的工序可以例举例如通过对设置在基板上的电极间施加电压来向液晶层施加电场,在保持该电场的状态下照射紫外线的方法。此处,施加在电极间的电压为例如为55Vp-p~30Vp-p,优选5Vp-p~20Vp-p。照射的紫外线的照射量为1J~60J,但优选40J以下,紫外线照射量越少则越能够抑制液晶显示元件的可靠性下降,且由于通过减少紫外线的照射时间可加快制造节奏,因此适于提高生产性。
如上所述,本发明的实施方式4的紫外线照射方式的液晶显示元件与上述实施方式1的液晶显示元件相同,使用即使受到紫外线照射也可有效减少性能劣化的液晶取向膜构成。于是,在实施方式4的液晶显示元件的情况下,在制造时,在形成了液晶层的像素形成区域照射紫外线,可在液晶中实现所希望的响应特性。因此,本发明的实施方式4的液晶显示元件是经过在形成了液晶层的像素形成区域内照射紫外线的工序而制得的抑制了性能劣化的减少的液晶显示元件。
实施例
以下,例举实施例对本发明进行更具体的说明。此外,本发明不应被解释为局限于此。
实施例和比较例所使用的主要化合物的简称和结构如下。
<结构式>
[化29]
<四羧酸衍生物>
CBDA:1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐
<二胺化合物>
DDM:4,4’-二氨基二苯基甲烷
联三苯:4,4’-二氨基对联三苯
ADA:双(对氨基苯基)-9,10-蒽
p-PDA:1,4-苯二胺
<溶剂>
NMP:N-甲基-2-吡咯烷酮
BC:丁基溶纤剂
接着,对本实施例和比较例所进行的分子量测定方法进行说明。
[分子量测定]
合成例中的聚酰亚胺的分子量通过森秀科学株式会社(センシュー科学社)制的常温凝胶渗透色谱(GPC)装置(SSC-7200)、昭和电工(Shodex)株式会社制的柱(KD-803,KD-805)如下测定。
柱温:50℃
洗脱液:N,N'-二甲基甲酰胺(作为添加剂,溴化锂水合物(LiBr·H2O)为30毫摩尔/升、磷酸酐结晶(o-磷酸)为30毫摩尔/升、四氢呋喃(THF)为10毫升/升)
流速:1.0毫升/分钟
校正曲线制作用标准样品:东曹株式会社(東ソー社)制TSK标准聚环氧乙烷(分子量约9000000、150000、100000、30000)、以及聚合物实验室公司(ポリマーラボラトリー社)制聚乙二醇(分子量约12000、4000、1000)。
<实施例1>
将CBDA(7.4g,38毫摩尔)、ADA(14.4g,40毫摩尔)在NMP(87.5g)中混合,在室温下反应10小时得到聚酰胺酸溶液。在该聚酰胺酸溶液中加入NMP(182.3g)、BC(72.9g),稀释为6质量%,通过在室温下搅拌5小时得到液晶取向剂(A1)。液晶取向剂(A1)所含的聚酰胺酸的数均分子量为8000,重均分子量为19500。
<实施例2>
将CBDA(4.5g,23毫摩尔)、ADA(4.3g,12毫摩尔)、p-PDA(1.3g,12毫摩尔)在NMP(90.8g)中混合,在室温下反应10小时得到聚酰胺酸溶液。在该聚酰胺酸溶液中加入NMP(33.6g)、BC(33.6g),稀释为6质量%,通过在室温下搅拌5小时得到液晶取向剂(A2)。液晶取向剂(A2)所含的聚酰胺酸的数均分子量为9600,重均分子量为21000。
<比较例1>
将CBDA(7.5g,38.4毫摩尔)、DDM(7.9g,40毫摩尔)在NMP(87.6g)中混合,在室温下反应10小时得到聚酰胺酸溶液。在该聚酰胺酸溶液中加入NMP(103.1g)、BC(51.5g),稀释为6质量%,通过在室温下搅拌5小时得到液晶取向剂(B1)。液晶取向剂(B1)所含的聚酰胺酸的数均分子量为9800,重均分子量为19000。
<比较例2>
将CBDA(7.5g,38毫摩尔)、联三苯(10.4g,40毫摩尔)在NMP(160.8g)中混合,在室温下反应10小时得到聚酰胺酸溶液。在该聚酰胺酸溶液中加入NMP(59.6g)、BC(59.6g),稀释为6质量%,通过在室温下搅拌5小时得到液晶取向剂(B2)。液晶取向剂(B2)所含的聚酰胺酸的数均分子量为8000,重均分子量为18000。
<比较例3>
将CBDA(5.5g,29毫摩尔)、p-PDA(3.2g,30毫摩尔)在NMP(101.6g)中混合,在室温下反应10小时得到聚酰胺酸溶液。在该聚酰胺酸溶液中加入NMP(7.4g)、BC(29.4g),稀释为6质量%,通过在室温下搅拌5小时得到液晶取向剂(B3)。液晶取向剂(B3)所含的聚酰胺酸的数均分子量为10000,重均分子量为22000。
<实施例3>
[根据电压保持率(VHR)测定的耐光性评价]
将实施例1得到的液晶取向剂(A1)用1.0μm的过滤器过滤后旋涂于带有透明电极的玻璃基板上,在80℃的加热板上干燥5分钟后,在250℃下烧成20分钟,得到膜厚100nm的涂膜。用人造丝布对该聚酰亚胺膜进行摩擦(辊径120mm、转速1000rpm、移动速度30mm/秒、压入量0.2mm)后,在纯水中进行1分钟的超声波照射,在80℃下干燥10分钟。准备2块带有这样的液晶取向膜的基板,在一块基板的液晶取向膜面上设置6μm的间隔物之后,以使2块基板的摩擦方向垂直的方式将2块基板组合,将周围密封,但留下液晶注入口,制成晶胞间隙(cell gap)为6μm的空晶胞。在该晶胞中常温下真空注入液晶(MLC-2003(C080),默克日本公司(メルク·ジャパン社)制),密封注入口,得到液晶扭转90度取向的液晶晶胞。
然后,评价VHR。
VHR评价是对得到的液晶晶胞在23℃的温度下施加4V的电压60μs,测定16.67ms后的电压,算出了电压能够保持多少,将此作为电压保持率。此外,在90℃的温度下也进行相同的测定。另外,电压保持率的测定采用东阳特克尼卡株式会社(東陽テクニカ社)制的电压保持率测定装置VHR-1。评价结果示于表1。
接着,对液晶晶胞照射1J的365nm的紫外线,对紫外线照射后的VHR同样进行评价。评价结果示于表1。
使用比较例1得到的液晶取向剂(B1)和比较例2得到的液晶取向剂(B2),进行与使用上述液晶取向剂(A1)的情况相同的液晶晶胞的制造,以相同的方法评价紫外线照射前后的VHR。将评价结果汇总示于表1。
<实施例4>
[光取向性的评价]
用1.0μm的过滤器过滤实施例1得到的液晶取向剂(A1)后,旋涂于带有透明电极的玻璃基板上,在温度80℃的加热板上干燥5分钟后,在温度220℃的热风循环式炉中进行30分钟的烧成,形成膜厚100nm的涂膜。介由偏振片向该涂膜面照射254nm的紫外线500mJ/cm2,得到带液晶取向膜的基板。
为了评价液晶晶胞的电特性,准备2块带有上述液晶取向膜的基板,在其中1块的液晶取向膜面上散布4μm的间隔物。从其上印刷密封材料,将另1块基板面向液晶取向膜面以使光取向方向垂直的方式进行贴合后,使密封材料固化来制作空晶胞。在该晶胞中通过真空注入法在常温下真空注入液晶MLC-2003((C080),默克日本公司制),密封注入口,得到液晶扭转90度取向的液晶晶胞。对该液晶晶胞进行105℃10分钟热处理,之后缓慢冷却至室温并进行晶胞的观察时,发现取向性良好。评价结果汇总示于表2。
使用实施例2得到的液晶取向剂(A2),进行与使用上述液晶取向剂(A1)的情况相同的液晶晶胞的制造,以相同的方法进行取向性的评价。将评价结果汇总示于表2。
使用比较例3得到的液晶取向剂(B3),进行与使用上述液晶取向剂(A1)的情况相同的液晶晶胞的制造,以相同的方法进行取向性的评价。将评价结果汇总示于表2。
<实施例5>
[残留DC的测定]
分别使用实施例4所制造的液晶晶胞,利用东阳特克尼卡株式会社制的6254型液晶物性评价装置,以电介质吸收法进行残留DC的测定。测定在60℃的环境下进行,以30分钟对晶胞施加10V的直流电压后,使其放电1秒,将该晶胞的20分钟后的残留DC量为500mV以下的结果作为“良好”,将500mV以上的结果作为“不良”。评价结果汇总示于表2,在实施例4所制造的液晶晶胞中,使用实施例1和实施例2的液晶取向剂(A1,A2)制造的液晶晶胞评价结果为“良好”。
[表1]
[表2]
由上可知,本实施例的液晶显示元件即使受到紫外线照射电荷保持率也良好,并减少了因紫外线照射而造成的性能劣化。
此外可知,本实施例的液晶显示元件在通过光取向处理实现液晶的良好取向的同时,还具备优良的残留DC特性,减少了因紫外线照射而造成的性能劣化。
符号说明
1 液晶显示元件
2 TFT基板
3 CF基板
4 液晶层
5、15 基板
6 像素电极
7 CF层
8 保护层
9 着色层
10 黑底
11 共同电极
12 液晶取向膜
16 密封材料
17 偏振片
产业上利用的可能性
本发明的液晶显示元件是经过在像素形成区域内照射紫外线的工序而制得的抑制了性能劣化的减少的液晶显示元件。因此,可兼顾优良的显示特性和生产性。因此,可适用于大型的液晶TV或显示高清晰的图像的智能手机等便携式信息终端用的液晶显示元件的制造。
Claims (11)
1.一种液晶显示元件,其特征在于,
在像素形成区域内具有含有选自使用下式(1)所表示的化合物形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物的液晶取向膜,
对所述像素形成区域照射紫外线来构成,
2.如权利要求1所述的液晶显示元件,其特征在于,所述液晶取向膜含有选自使用上式(1)所表示的化合物和上式(1)所表示的化合物除外的、下式(AM)所表示的化合物形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物;
式(AM)中,Y1为2价有机基团,可以2种以上混合存在;此外,式(AM)中,R1和R2表示氢原子或1价有机基团。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示元件,其特征在于,所述液晶取向膜含有选自使用下式(CB1)~(CB5)所表示的化合物中的至少一种形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物;
式(CB1)~(CB5)中,Z1为碳数4~13的4价有机基团,且含有碳数4~6的非芳香族环状烃基;式(CB4)和(CB5)中,R3表示碳数1~5、优选碳数1~2的烷基。
4.一种液晶显示元件的制造方法,它是在像素形成区域内具有液晶层和液晶取向膜的液晶显示元件的制造方法,其特征在于,
具备在所述像素形成区域内形成含有选自使用下式(1)所表示的化合物形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物的液晶取向膜的液晶取向膜形成工序,和
在所述液晶取向膜形成工序之后,对所述像素形成区域照射紫外线的光照射工序。
5.如权利要求4所述的液晶显示元件的制造方法,其特征在于,所述液晶取向膜含有选自使用上式(1)所表示的化合物和上式(1)所表示的化合物除外的、下式(AM)所表示的化合物形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物;
式(AM)中,Y1为2价有机基团,可以2种以上混合存在;此外,式(AM)中,R1和R2表示氢原子或1价有机基团。
6.如权利要求4或5所述的液晶显示元件的制造方法,其特征在于,所述液晶取向膜含有选自使用下式(CB1)~(CB5)所表示的化合物中的至少一种形成的聚酰亚胺前体和将其酰亚胺化而得的聚酰亚胺的至少一种聚合物;
式(CB1)~(CB5)中,Z1为碳数4~13的4价有机基团,且含有碳数4~6的非芳香族环状烃基;式(CB4)和(CB5)中,R3表示碳数1~5、优选碳数1~2的烷基。
7.如权利要求4~6中任一项所述的液晶显示元件的制造方法,其特征在于,
在所述液晶取向膜形成工序之后,具备在所述像素形成区域的周围形成密封材料的密封形成工序,
所述光照射工序为固化所述密封形成工序的所述密封材料的工序。
8.如权利要求4~6中任一项所述的液晶显示元件的制造方法,其特征在于,所述光照射工序为对所述液晶取向膜进行取向处理的工序。
9.如权利要求4~6中任一项所述的液晶显示元件的制造方法,其特征在于,
在所述液晶取向膜形成工序之后,具备在所述像素形成区域内形成所述液晶层的工序,
所述光照射工序为一边驱动所述液晶层的液晶一边对所述像素形成区域照射紫外线的工序。
10.如权利要求4~6的任一项所述的液晶显示元件的制造方法,其特征在于,
所述液晶层通过含有液晶和光聚合性化合物而构成,
所述光照射工序是使所述像素形成区域内的所述液晶层的所述光聚合性化合物聚合的工序。
11.如权利要求10所述的液晶显示元件的制造方法,其特征在于,
在所述液晶取向膜形成工序之后,具备在所述像素形成区域内形成所述液晶层的工序,
所述光照射工序为一边驱动所述液晶层的液晶一边对所述像素形成区域照射紫外线的工序。
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