CN104325389A - 磁记录介质用玻璃基板的研磨方法以及制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供磁记录介质用玻璃基板的研磨方法以及制造方法，即使所研磨的玻璃基板的主平面为镜面，也能够使用固定磨粒工具以较高的研磨速度进行研磨。在使用固定磨粒工具对作为镜面的玻璃基板的主平面进行研磨的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法中，所述固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积为10μm2以上且300μm2以下，所述固定磨粒工具的研磨面的磨粒露出率为1.1％以上且3.0％以下。

Description

磁记录介质用玻璃基板的研磨方法以及制造方法
技术领域
本发明涉及磁记录介质用玻璃基板的研磨方法、磁记录介质用玻璃基板的制造方法。
背景技术
作为磁盘记录装置等所使用的磁记录介质用基板，以往使用铝合金基板。然而近年来，伴随高记录密度化的要求，比铝合金基板硬、平坦性、平滑性优异的玻璃基板成为主流。
磁记录介质用玻璃基板(以下，也记载为“玻璃基板”)具有圆盘形状，该圆盘形状在中心部具有同心圆状的开口部，并且通过进行从玻璃素基板加工为上述形状的工序、研磨主平面的工序、以及研磨端面的工序等来制造磁记录介质用玻璃基板。
研磨玻璃基板的主平面的工序，是将玻璃基板的主平面形成为预期的平坦度、将玻璃基板形成为预期的板厚、将玻璃基板的主平面形成为预期的波纹、粗糙度的工序。作为在研磨玻璃基板的主平面的工序中的研磨方法，公知有使用游离磨粒的研磨、使用固定磨粒工具的研磨等。特别是使用固定磨粒工具的研磨，与由游离磨粒进行的研磨相比，研磨速度(研磨速率)高，并且难以在玻璃基板的表面产生划痕、裂缝等损伤。
因此，寻求利用研磨速度高且难以在玻璃基板的表面产生损伤的固定磨粒工具，对玻璃素基板、或从玻璃素基板加工为圆盘形状的玻璃基板的主平面进行研磨。
但是，在作为研磨对象的玻璃基板的主平面为镜面的情况下，由于固定磨粒工具的磨粒无法嵌入玻璃基板的表面而产生滑动，所以存在研磨速度极度降低的问题。
因此，例如在专利文献1中提出有包括粗糙化工序的磁盘用玻璃基板的制造方法，所述粗糙化工序是在使用固定磨粒的研磨工序(表面磨削工序)前，通过使用游离磨粒的加工、磨砂加工来使板状玻璃的表面粗糙化的工序。
专利文献1：日本特开2012-164417号公报
然而，在专利文献1所记载的方法中，需要在由固定磨粒工具进行的研磨(磨削)之前，通过使用游离磨粒的加工、磨砂加工进行使板状玻璃的表面粗糙化的粗糙化工序。因此存在工序数增加、生产率降低、成本上升等问题。此外，若利用固定磨粒工具对粗糙化后的玻璃基板进行研磨，则有可能缩短固定磨粒工具的寿命。
发明内容
因此，本发明鉴于上述现有技术存在的问题，目的在于提供一种磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，即使所研磨的玻璃基板的主平面是镜面，也能够使用固定磨粒工具以较高的研磨速度对玻璃基板的表面进行研磨。
为了解决上述课题，本发明提供一种磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，使用固定磨粒工具对作为镜面的玻璃基板的主平面进行研磨，所述磁记录介质用玻璃基板的研磨方法的特征在于，
所述固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积为10μm2以上且300μm2以下，
所述固定磨粒工具的研磨面的磨粒露出率为1.1％以上且3.0％以下。
根据本发明的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，即使所研磨的玻璃基板的主平面为镜面，也能够使用固定磨粒工具以较高的研磨速度对玻璃基板的表面进行研磨。
附图说明
图1是双面研磨装置的构成例的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明，但本发明不限定于下述实施方式，在不脱离本发明的范围的情况下，能够对下述实施方式施加各种变形以及置换。
首先，对本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法的构成例进行说明。
本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，是使用固定磨粒工具对作为镜面的玻璃基板的主平面进行研磨的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法。并且其特征在于，将固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积设为10μm2以上且300μm2以下，将固定磨粒工具的研磨面的磨粒露出率设为1.1％以上且3.0％以下。
本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，例如能够使用图1所示的双面研磨装置来实施。
图1(A)表示进行主平面研磨时使用的行星齿轮的构成例，图1(B)表示双面研磨装置的示意图。
在研磨玻璃基板的主平面时，如图1(A)所示，在具有能够保持玻璃基板的玻璃基板保持孔11的行星齿轮(主平面研磨用机架)10上设置多个玻璃基板。另外，虽然在图中以设置有圆形的玻璃基板保持孔11的行星齿轮10为例来表示，但不限定于上述方式，而是能够形成与进行研磨的玻璃基板的形状相匹配的玻璃基板保持孔11。例如，如后述那样，在对赋形前的玻璃基板进行研磨的情况下，能够使用具有四边形状的玻璃基板保持孔11的行星齿轮10。
将设置有玻璃基板的行星齿轮10放置于图1(B)所示的双面研磨装置12，并以规定的旋转比率对太阳轮13、内齿轮14进行旋转驱动。由此，使行星齿轮10以一边自转、一边绕太阳轮13公转的方式移动。此时，由于保持于行星齿轮10的玻璃基板的两个主平面被夹持、按压于上平板15与下平板17之间，所以玻璃基板的两个主平面同时被研磨，上述上平板15和下平板17分别在与玻璃基板对置的面上安装有固定磨粒工具16、18。此外，在进行研磨时，能够向研磨面与玻璃基板之间供给研磨液(冷却介质)。研磨时使用的研磨液的种类不特殊限定，例如能够使用包含甲醇、乙醇等的醇；单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、羧酸胺盐(amine carboxylate)、硫胺盐、异丙醇胺、三乙二胺四乙酸等的胺化合物；聚亚烷基二醇、亚烷基二醇单烷基醚、乙二醇、丙二醇、丙二醇甲醚、己二醇等的表面活性剂；松油、矿物油等的润滑剂；具有羧酸、磺酸的阴离子系化合物中的一种以上的水溶液。
本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法中使用的玻璃基板，只要是磁记录介质用的玻璃基板即可，不做特殊限定。例如玻璃的种类可以是非晶玻璃、结晶玻璃，也可以是在玻璃基板的表层具有强化层的强化玻璃。另外，向研磨工序供给的玻璃基板可以是中央具备圆形的开口部的圆盘形状的玻璃基板，也可以是加工成该圆盘形状前的、即进行赋形工序前的四边形状的玻璃基板。玻璃基板例如能够使用通过浮式法、熔融法、下拉法或冲压成型法等成形的玻璃基板。本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，在一边抑制在玻璃基板的表面产生的划痕、一边以较高的研磨速度对主平面为镜面的玻璃基板进行研磨的情况下具有特殊效果。
作为镜面的玻璃基板的主平面的表面粗糙度Ra优选为0.009μm以下。其中，所谓的表面粗糙度Ra能够通过以JIS B0601-2001为基准的方法来测量。对于玻璃基板的主平面而言，有两个面的主平面优选双面均为镜面，特别是更优选双面的平面粗糙度Ra均为0.009μm以下。
在此，对本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法中使用的固定磨粒工具进行说明。固定磨粒工具如上所述安装于平板的与被研磨物对置的面。
固定磨粒工具只要是利用树脂、金属等粘接材料固定有磨粒(研磨粒)的工具即可，不做特殊限定。
例如，作为磨粒，能够优选使用金刚石、氧化铝(Alumina，WA)、碳化硅(GC)、氮化硼(CBN)等，特别是为了提高研磨速度(研磨速率)而更优选使用金刚石。
另外，作为粘接材料，能够优选使用金属、陶瓷、树脂等。其中，作为用于粘接材料的树脂，例如能够优选使用酚醛树脂、环氧树脂、丙烯树脂等。另外，粘接材料不限定于一种，而是能够使用多种粘接材料。例如能够使用使磨粒在陶瓷上固化后将其埋入树脂的固定磨粒工具。另外，也能够向粘接材料中添加填料等无机物。
另外，固定磨粒工具的研磨面、即与玻璃基板对置的面的构造不做特殊限定，例如也能够形成为平坦的面，但是优选形成为用于使研磨液的供给均匀的槽(凹部)。槽的形状不做特殊限定，能够任意地进行选择，但是例如槽的宽度优选为0.3mm以上且20mm以下，更优选为0.5mm以上且10mm以下。另外，槽的深度优选为0.1mm以上且15mm以下，更优选为0.2mm以上且10mm以下。这是因为，通过将槽的宽度、深度设为上述范围，由此能够不使研磨速度降低而均匀地供给研磨液。
另外，由槽划分出的凸部的表面、即与被研磨物接触的面的形状能够形成为任意的形状，虽不做特殊限定，但是例如能够形成为：正方形、长方形等矩形；三角形、六边形、八边形等多边形；以及圆形或椭圆形等圆形状。另外，在安装于研磨装置的平板的固定磨粒工具内，无需使凸部的形状相同，例如也可以将正方形与长方形的形状混在一起。在将凸部为矩形的情况下的短边的长度、凸部为多边形的情况下连结该多边形的中心与各顶点的线段中最短的线段的长度、或者凸部为圆形的情况下短径的长度设为L时，L例如优选为1mm以上且30mm以下，更优选为2mm以上且20mm以下。通过使L处于上述范围内，由此能够以更高的研磨速度研磨玻璃基板，并且能够向玻璃基板与固定磨粒工具之间均匀地供给研磨液，因而优选。
此外，对凸部的与玻璃基板接触的表面的总面积相对于固定磨粒工具的研磨面整体的比率不做特殊限定，但是例如优选为20％以上且95％以下，更优选为40％以上且90％以下。这是因为，通过使凸部的比率处于上述范围，由此能够更均匀地供给研磨液，并以特别高的研磨速度对作为被研磨物的磁记录介质用玻璃基板进行研磨。
而且，如上所述，固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积(以下，也记载为“露出的磨粒的平均面积”)、即固定磨粒工具的露出于研磨面的每一个磨粒的平均面积优选为10μm2以上且300μm2以下。
在露出的磨粒的平均面积小于10μm2的情况下，存在由于固定磨粒工具的磨粒在镜面的玻璃基板的表面滑动从而无法研磨的情况，另外，由于磨粒的棱角过早磨损而变圆，所以有可能使研磨速度过早地降低。在露出的磨粒的平均面积大于300μm2的情况下，存在包括进行研磨的玻璃基板表面的划痕、裂缝等的层亦即加工变质层加深的情况。因此，为了去除加工变质层，需要在之后的研磨工序中增加研磨量，从而导致生产率降低。另外，根据情况，也有可能在磁记录介质用玻璃基板的表面残留潜在的划痕。此外，若露出的磨粒的平均面积较大，则由于磨粒未在适当的时刻从研磨面脱离，所以有可能使自生作用不充分而无法维持较高的研磨速度。特别是更优选固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积为20μm2以上且180μm2以下。
此外，固定磨粒工具的研磨面的磨粒露出率(以下，也记载为“磨粒露出率”)优选为1.1％以上且3.0％以下。这是因为，若磨粒露出率小于1.1％，则固定磨粒工具的研磨面会过早磨损，使得固定磨粒工具的寿命缩短，从而有可能使固定磨粒工具(磨石)的更换频率上升而降低生产率。进而还有可能使研磨速度降低，因此不优选。在磨粒露出率大于3.0％的情况下，由于固定磨粒工具的研磨面的自生作用变得不充分，使得研磨面堵塞而降低研磨速度，所以有可能无法维持研磨速度。磨粒露出率更优选为1.2％以上，并且更优选为2.2％以下。
在此，对固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积、以及固定磨粒工具的研磨面的磨粒露出率的计算方法进行说明。
固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积、固定磨粒工具的研磨面的磨粒露出率，例如能够使用SEM/EDX、激光显微镜来测量、计算。
例如，在使用SEM/EDX的情况下，能够用以下的公式1、公式2来计算。
(露出的磨粒的平均面积)＝{(观察视野的面积)×(构成磨粒的元素的计数为规定值以上(例如，构成磨粒的元素的计数为30以上)的测量点的数量)/(观察视野内的全部测量点的数量)}/(所观察到的磨粒的个数)···公式1
(磨粒露出率)＝100×(构成磨粒的元素的计数为规定值以上(例如，构成磨粒的元素的计数为30以上)的测量点的数量)/(观察视野内的全部测量点的数量)···公式2
对上述公式的各参数的测量、计算顺序进行说明。
首先，在固定磨粒工具的研磨面的任意选择的多个位置进行SEM观察。此时，观察视野(观察区域)的尺寸、倍率、观察位置的数量不做特殊限定，但是例如能够对倍率为1500倍，且以一次测量而在90μm×l20μm的观察视野下进行观察。此时的观察视野的尺寸相当于上述公式的“观察视野的面积”。另外，优选为在固定磨粒工具的研磨面的任意的多个位置、例如10～20个位置进行观察。
而且，对SEM观察的各个观察视野，通过EDX(Energy DispersiveX-ray spectrometry：能量分散X射线分析)进行元素映射。根据元素映射的结果来计量构成磨粒的元素的计数为规定值以上(例如，在30以上)的测量点(点)的数量、观察视野内的全部测量点(点)的数量、以及所观察到的磨粒的个数。
具体而言，根据基于EDX的元素映射的结果，将构成磨粒的元素的计数为规定值以上(例如，在30以上)的测量点(点)判断为磨粒。然后数出观察视野内的构成磨粒的元素的计数成为规定值以上(例如，30以上)的测量点(点)的数量，并将该测量点(点)的数量作为上述公式中“构成磨粒的元素的计数为规定值以上(例如，构成磨粒的元素的计数在30以上)的测量点的数量”。另外，构成磨粒的元素是指，例如在磨粒为金刚石的情况下，C元素(碳元素)为构成磨粒的元素，将C元素的计数为规定值以上(例如，在30以上)的测量点(点)判断为磨粒。
而且，将进行基于EDX的元素映射时的、观察视野内的全部测量点(点)作为上述公式中的“观察视野内的全部测量点的数量”。
另外，在进行基于EDX的元素映射时，构成磨粒的元素的计数值为规定值以上(例如，在30以上)的测量点(点)，形成使多个聚集而成的区域而被检测出。这是因为，磨粒的尺寸比基于EDX的映射的最小单位、即测量点(点)的尺寸大。因此能够将构成磨粒的元素的计数值为规定值以上(例如，在30以上)的测量点(点)集合而成的一个区域判断为一个磨粒。因此将观察视野内的构成磨粒的元素的计数值为规定值以上(例如，在30以上)的测量点(点)集合而成的区域的数量，作为上述公式中的“所观察到的磨粒的个数”。
通过以上说明的方法能够计算出各观察视野中的露出的磨粒的平均面积、磨粒露出率。而且，如上所述，在以多个观察位置进行观察的情况下，优选将全部的观察位置(观察视野)的平均值作为该固定磨粒工具的露出的磨粒的平均面积、磨粒露出率。
另外，虽然在此对使用SEM/EDX来计算各参数的方法进行了说明，但是例如也可以根据使用激光显微镜观察到的结果，来计算露出的磨粒的平均面积、磨粒露出率。在使用激光显微镜进行计算的情况下，根据拍摄到的图像来测量观察视野内各磨粒的面积，并计算平均值，由此能够得到露出的磨粒的平均面积。另外，通过用观察视野的面积除观察视野内的磨粒的露出面积，由此能够计算磨粒露出率。在使用激光显微镜的情况下观察视野的尺寸也不做特殊限定，但是例如优选为90μm×120μm。另外，对于观察而言，优选对多个位置、例如对任意的10～20个位置进行观察。而且，在多个观察位置进行观察的情况下，优选将全部观察位置的平均值作为该固定磨粒工具的露出的磨粒的平均面积、磨粒露出率。
另外，上述露出的磨粒的平均面积、磨粒露出率优选满足于研磨玻璃基板之前或研磨中。即，例如通过在进行研磨前进行修整(磨具修整)，能够以使露出的磨粒的平均面积、磨粒露出率成为规定的值的方式进行调整。另外，在使用图1(B)所示的双面研磨装置12的情况下，分别将磨粒工具安装固定于上平板侧、下平板侧。在该情况下，露出的磨粒的平均面积、磨粒露出率分别为，上平板侧的固定磨粒工具与下平板侧的固定磨粒工具的平均值处于上述规定的范围即可。
如上所述，在固定磨粒工具的研磨面上，通过使露出的磨粒的平均面积、磨粒露出率处于规定的范围，由此即使作为被研磨物的玻璃基板的表面为镜面，也能够使用固定磨粒工具以较高的研磨速度进行研磨。
在本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法中使用的固定磨粒工具进一步优选为，将磁记录介质用玻璃基板的主平面研磨掉50μm时固定磨粒工具的研磨面的磨损量为0.11μm以上。特别是更优选为，将磁记录介质用玻璃基板的主平面研磨掉50μm时固定磨粒工具的研磨面的磨损量为0.12μm以上。
若利用固定磨粒工具对玻璃基板的表面进行研磨，则存在随着反复进行玻璃基板的加工，研磨速度越降低的情况。考虑这是因为，由于研磨玻璃基板而引起固定磨粒工具的磨削面堵塞。以往欲通过管理研磨液中的成分等方法来抑制研磨速度降低，但是在管理研磨液的成分的方法中难以充分地抑制研磨速度的降低。
本发明的发明人们进行研究后发现：由于通过使研磨掉50μm玻璃基板时的固定磨粒工具的研磨面的磨损量为0.11μm以上，从而使自生作用变得充分，所以能够防止研磨面的堵塞，而抑制研磨速度降低。为了抑制研磨面的堵塞，更优选将玻璃基板研磨掉50μm时的磨损量为0.12μm以上。
将玻璃基板研磨掉50μm时固定磨粒工具的研磨面的磨损量的上限值虽然不做特殊限定，但是例如优选为0.4μm以下。这是因为，在固定磨粒工具的研磨面的磨损量大于0.4μm的情况下，由于固定磨粒工具的寿命缩短，因此固定磨粒工具的更换频率升高，所以成为生产率降低、成本上升的原因，因而是不优选的。另外还因为，由于磨粒容易从研磨面脱落，由此有可能在玻璃基板的表面产生划痕因而不优选。特别是玻璃基板研磨掉50μm时固定磨粒工具的研磨面的磨损量更优选为0.35μm以下。
将玻璃基板的主平面研磨掉50μm时固定磨粒工具的研磨面的磨损量的计量方法不做特殊限定。例如，在将玻璃基板的主平面研磨掉50μm时，在研磨的前后测量固定磨粒工具的厚度，并将研磨前后的固定磨粒工具的厚度之差作为固定磨粒工具的研磨面的磨损量。测量例如能够使用千分尺等来测量。在测量时，从操作的简便性出发，优选测量固定磨粒工具与平板相加的厚度，并将研磨前后的厚度进行比较，但是在测量时，也能够将固定磨粒工具从平板取下而仅测量、比较固定磨粒工具的厚度，还能够测量、比较形成于固定磨粒工具的研磨面的槽的深度。
另外，在利用双面研磨装置来研磨玻璃基板的情况下，由于同时对玻璃基板的上下表面进行研磨，所以将玻璃基板的主平面研磨掉50μm时是指，使玻璃基板的上表面的研磨量与玻璃基板的下表面的研磨量相加后两个主平面的研磨量的平均值为50μm。即，在该情况下，两个主平面的研磨量合计为100μm。而且，在为双面研磨装置的情况下，上平板侧的固定磨粒工具与下平板侧的固定磨粒工具的磨损量的平均值成为固定磨粒工具的磨损量。即，在使玻璃基板的上表面的研磨量与玻璃基板的下表面的研磨量相加后两个主平面的研磨量的平均值为50μm时，对上平板侧的固定磨粒工具以及下平板侧的固定磨粒工具分别测量磨损量，能够将两者的磨损量的平均值作为双面研磨装置的固定磨粒工具的研磨面的磨损量。
另外，在测量固定磨粒工具的研磨面的磨损量时，优选对玻璃基板研磨50μm以上，并根据此时固定磨粒工具的磨损量来计算对玻璃基板的主平面研磨50μm时固定磨粒工具的磨损量。例如，首先求出将玻璃基板的主平面研磨掉4000μm时固定磨粒工具的磨损量，并用80除该磨损量，从而能够得到将玻璃基板的主平面研磨掉50μm时固定磨粒工具的研磨面的磨损量。
采用以上说明的本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法得到的玻璃基板的特性，虽不做特殊限定，但是使用固定磨粒工具研磨掉的主平面的表面粗糙度Ra优选为0.7μm以下，更优选为0.6μm以下。在表面粗糙度Ra超过0.7μm的情况下，在进行研磨时，有可能在玻璃基板的主平面形成较深的划痕、裂缝等(加工变质层)。这是因为，若表面粗糙度Ra的值越小，则表示越能够以抑制形成于主平面的划痕等加工变质层变深的方式进行研磨。
根据以上说明的本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，即使所研磨的玻璃基板的主平面为镜面，也能够使用固定磨粒工具以较高的研磨速度进行研磨。即，即使磁记录介质用玻璃基板的表面为镜面，也能够不进行粗糙化处理等而使用固定磨粒工具以较高的研磨速度进行研磨。而且，即使成形的玻璃素基板的主平面为镜面，由于能够用固定磨粒工具来研磨主平面，所以难以在玻璃基板的表面产生划痕、裂缝等。另外，即使玻璃基板的表面产生了划痕、裂缝等，也能够使其深度变浅。因此即使在之后进一步研磨主平面的情况下，由于能够减少其研磨量，所以能够提高生产率，降低成本。另外，由于使用固定磨粒工具，所以能够抑制将磨粒带入后续工序，能够在之后的加工工序中减少因粗颗粒混入所产生的缺点。此外，与使用游离磨粒的情况相比，由于无需进行浆料的更换、废弃，所以能够提高生产率并降低成本。
接下来，对具有使用上述磁记录介质用玻璃基板的研磨方法的研磨工序的磁记录介质用玻璃基板的制造方法进行说明。
磁记录介质用玻璃基板，例如能够采用包括以下的工序1～5的制造方法来制造。
(工序1)赋形工序，将玻璃素基板加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状的玻璃基板。
(工序2)倒角工序，进行玻璃基板的内周与外周的端面部分的倒角。
(工序3)主平面研磨工序，对玻璃基板的主平面进行研磨。
(工序4)端面研磨工序，对玻璃基板的端面(内周端面以及外周端面)进行研磨。
(工序5)清洗工序，对玻璃基板进行清洗、干燥。
上述工序无需以记载的顺序来进行，例如也可以在赋形工序之前进行主平面研磨工序。另外，各工序不限定于一次，而是能够根据所要求的玻璃基板的规格等实施任意的次数。例如，也能够在赋形工序后进行主平面研磨工序，并在之后进行倒角工序与端面研磨工序后，再次实施主平面研磨工序。
其中，(工序1)的赋形工序是将通过浮式法、熔融法、冲压成型法、下拉法或重绘法(Re-Draw Process)成形的玻璃素基板加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状的玻璃基板的工序。另外，使用的玻璃素基板可以是非晶玻璃、可以是结晶玻璃，也可以是在玻璃基板的表层具有强化层的强化玻璃。
在(工序2)的倒角工序中，进行玻璃基板的内周、外周的端面部分的倒角。
接着，上述本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法包含在(工序3)的主平面研磨工序内。在该情况下，使用具备图1所示的固定磨粒工具的双面研磨装置，一边向玻璃基板的主平面供给研磨液、一边同时对玻璃基板的上下主平面进行研磨。主平面研磨工序可以仅进行1次使用上述磁记录介质用玻璃基板的研磨方法的研磨，但在之后可以再进行2次研磨、或者再进行3次～5次研磨。2次～5次研磨的方法不做特殊限定，可以与上述磁记录介质用玻璃基板的研磨方法同样，使用固定磨粒工具来进行研磨，也能够采用使用游离磨粒的研磨方法。
在使用固定磨粒工具进行2次～5次研磨的情况下，将2次～5次研磨中使用的固定磨粒工具所包括的磨粒的尺寸设定为：小于1次研磨中使用的固定磨粒工具所包括的磨粒的尺寸。
即使在使用游离磨粒的2次～5次研磨的情况下，例如也能够使用图1(B)所示的双面研磨装置12来进行玻璃基板的上下主平面的研磨。在使用游离磨粒的研磨的情况下，可以代替固定磨粒工具16、18而安装研磨垫，作为研磨液，例如能够使用含有氧化铈磨粒的研磨液、含有硅石磨粒的研磨液来进行研磨。
另外，优选进行1次研磨的玻璃基板的主平面为镜面，且主平面的表面粗糙度Ra为0.009μm以下。这里所说的表面粗糙度Ra能够通过以J1S B0601-2001为基准的方法来评价。优选玻璃基板的主平面的双面均为镜面，特别是更优选双面的平面粗糙度Ra均为0.009μm以下。
在进行2次～5次研磨的情况下，也能够接着1次研磨而连续进行2次～5次研磨，但是也能够在1次研磨后且2次研磨前或3次研磨前，进行(工序2的)倒角工序、(工序4的)端面研磨工序等。
(工序4的)端面研磨工序是对玻璃基板的端面(侧面部与倒角部)进行端面研磨的工序。
(工序5的)清洗工序是对研磨后的玻璃基板进行清洗、干燥的工序。具体的清洗方法不做特殊限定。例如，能够通过使用洗涤剂的磨砂清洗、浸泡于洗涤剂溶液的状态下的超声波清洗、浸泡于纯水的状态下的超声波清洗等来进行清洗。另外，干燥方法也不做特殊限定，例如利用异丙醇蒸气进行干燥。
此外，也可以在上述各工序之间实施玻璃基板的清洗(工序间清洗)、玻璃基板表面的蚀刻(工序间蚀刻)。另外，在玻璃基板要求有较高的机械强度的情况下，也可以在工序3、4列举的研磨工序前、或研磨工序后、或者研磨工序之间，实施在玻璃基板的表层形成强化层的强化工序(例如，化学强化工序)。
然后，采用包括上述各工序的制造方法得到的玻璃基板，通过进一步进行在其上形成磁性层等薄膜的工序，从而成为磁记录介质。
根据以上说明的本实施方式的磁记录介质用玻璃基板的制造方法，在主平面研磨工序中，能够优选使用上述磁记录介质用玻璃基板的研磨方法。因此即使研磨的玻璃基板的主平面为镜面，也能够使用固定磨粒工具以较高的研磨速度对玻璃基板的主平面进行研磨。而且，由于能够利用固定磨粒工具来实施研磨，所以难以在玻璃基板的表面产生划痕、裂缝等，即难以产生加工变质层，并且即使产生加工变质层，也能够使其厚度变薄。因此在之后进一步研磨玻璃基板的表面的情况下，能够减少其研磨量，能够提高生产率，降低成本。另外，由于使用固定磨粒工具，所以能够抑制将粗磨粒带入后续工序，能够在之后的加工工序中减少因粗粒子混入所产生的缺点。进而与使用游离磨粒的情况相比较，由于无需进行浆料的更换、废弃，所以能够提高生产率并降低成本。
实施例
以下列举具体的实施例进行说明，但本发明不限定于这些实施例。
首先，对以下的实验例中固定磨粒工具的研磨面的特性、研磨速度、玻璃基板表面的评价方法进行说明。
(1)固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积、固定磨粒工具的研磨面的磨粒露出率
固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积、固定磨粒工具的研磨面的磨粒露出率分别由以下的公式1、公式2算出。另外，在后述的9B型双面研磨装置的上平板、下平板安装固定磨粒工具后，在使用修整工具对固定磨粒工具的研磨面进行修整处理后，进行测量。
(露出的磨粒的平均面积)＝{(观察视野的面积)×(构成磨粒的元素的计数为30以上的测量点的数量)/(观察视野内的全部测量点的数量)}/(观察到的磨粒的个数)···公式1
(磨粒露出率)＝100×(构成磨粒的元素的计数为30以上的测量点的数量)/(观察视野内的全部测量点的数量)···公式2
上述公式的各参数，使用SEM/EDX(SEM：日立高新技术株式会社，型号：SU-8030/EDX检测器：株式会社堀场制造所，型号：X-MAX80)，按照以下顺序来算出。
对于固定磨粒工具的研磨面，使用SEM/EDX，使倍率为1500倍，并在90μm×l20μm的观察视野下，观察固定磨粒工具的研磨面的任意20个位置，并对各个观察视野进行基于EDX的元素映射。另外，在上平板的固定磨粒工具的研磨面对10个位置进行观察，并且在下平板的固定磨粒工具的研磨面对10个位置进行观察。基于EDX的元素映射是在加速电压15keV、射极电流10μA、工作距离15mm、测量时间20min的条件下实施的。
首先，上述公式1中“观察视野的面积”为90μm×l20μm＝10800μm2。而且，以192×256的像素对该观察视野进行了元素映射测量。
上述公式1、公式2中“构成磨粒的元素的计数为规定值以上的测量点的数量”，根据基于EDX的元素映射的结果，数出在观察视野内构成磨粒的元素的计数为30以上的测量点(点)的数量。在以下的实施例、比较例中，由于使用金刚石作为磨粒，所以数出了C元素的计数为30以上的测量点(点)的数量。
上述公式1、公式2中“观察视野内的全部测量点(点)的数量”是指，数出进行基于EDX的元素映射时观察视野(90μm×l20μm)内全部测量点(点)的数量。由于在观察视野内以192×256的像素进行元素映射测量，所以观察视野内的全部测量点(点)为49152点。
上述公式1中“所观察到的磨粒的个数”通过数出进行基于EDX的元素映射时、聚集形成有多个构成磨粒的元素的计数值为30以上的点的区域的数量来算出。
而且，在算出各观察视野的露出的磨粒的平均面积、磨粒露出率后，进一步算出20个位置的观察视野的平均值。即，将上平板侧的固定磨粒工具与下平板侧的固定磨粒工具的平均值作为露出的磨粒的平均面积、磨粒露出率。
(2)固定磨粒工具的研磨面的磨损量
将玻璃基板研磨50μm时固定磨粒工具的研磨面的磨损量，通过测量将玻璃基板总共研磨4000μm左右的固定磨粒工具的厚度，并计算以下的公式3而算出。另外，由于在以下的实验例中使用双面研磨装置，所以将玻璃基板总共研磨4000μm是指，将玻璃基板的上表面的研磨量与玻璃基板的下表面的研磨量相加后两个主平面的研磨量的平均值为4000μm。即，两个主平面的总研磨量为8000μm。
(固定磨粒工具的研磨面的磨损量)＝{(研磨前的固定磨粒工具的厚度)－(将玻璃基板研磨4000μm后的固定磨粒工具的厚度)}×50/4000···公式3
其中，双面研磨装置中固定磨粒工具具有两个，即：安装于上平板的固定磨粒工具(上平板侧的固定磨粒工具)、和安装于下平板的固定磨粒工具(下平板侧的固定磨粒工具)。在本实验例中，将上平板侧的固定磨粒工具、以及下平板侧的固定磨粒工具的磨损量的平均值作为固定磨粒工具的研磨面的磨损量。而且，研磨前的固定磨粒工具的厚度、将玻璃基板研磨4000μm后的固定磨粒工具的厚度分别是指：研磨前上平板侧的固定磨粒工具及下平板侧的固定磨粒工具的厚度的平均值、以及将玻璃基板研磨4000μm后上平板侧的固定磨粒工具及下平板侧的固定磨粒工具的厚度的平均值。
另外，固定磨粒工具的厚度是使用千分尺，在各平板与安装于各平板的固定磨粒工具的任意的端部测量出的。
(3)研磨速度
在对后述的固定磨粒工具的研磨面进行修整处理后，在第1批次与第15批次的玻璃基板研磨中，测量从开始玻璃基板的研磨到结束研磨为止的时间，并用研磨时间(加工时间)除研磨量来算出研磨速度。即，通过以下公式算出。
(研磨速度)＝{(研磨前的玻璃基板的厚度)－(研磨后的玻璃基板的厚度)}/(加工时间)
(4)玻璃基板的表面粗糙度Ra
研磨后的玻璃基板的主平面的表面粗糙度(算术平均粗糙度)Ra，通过以JIS B0601-2001为基准的方法进行评价。在测量中使用接触式表面粗糙度计(三丰株式会社制造商品名：Surftest SV624)。在测量长度4.8mm、测量速度0.5mm/sec、基准长度0.8mm、截止波长λc＝0.8mm、λs＝0.0025mm的条件下进行测量。另外，测量是分别对玻璃基板的上下表面的每一点进行测量，并将其平均值作为该玻璃基板的表面粗糙度Ra。
接下来对各实验例进行说明。
(例1)
按照以下的顺序，对磁记录介质用玻璃基板的主平面进行了研磨。
首先，按照以下顺序，制造了供研磨的玻璃基板(赋形工序)。
从采用浮式法成形的以SiO2为主要成分的硅酸盐玻璃基板，以得到具有直径为20mm的圆孔的直径65mm的磁记录介质用玻璃基板的方式，加工成圆盘形状玻璃基板。
然后，进行玻璃基板的内周、外周的断面部分的倒角(倒角工序)。
接下来，按照以下顺序，对磁记录介质用玻璃基板的主平面进行研磨(主平面研磨工序)。
主平面的研磨借助图1所示的9B型双面研磨装置12来进行。双面研磨装置12具备上平板15和下平板17，它们分别在与玻璃基板对置的面安装有固定磨粒工具16、18。使用含有金刚石磨粒作为磨粒的固定磨粒工具，作为固定磨粒工具16、18。
固定磨粒工具16、18在进行玻璃基板的研磨前预先进行修整处理，并且使用圆盘形状的白刚玉作为修整工具来进行修整处理。将上述修整工具放置于修整处理用的行星齿轮，并与进行玻璃基板的双面研磨的情况同样，使双面研磨装置12运转来进行修整处理。
表1示出修整处理后且进行玻璃基板的研磨前的、固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积、固定磨粒工具的研磨面的磨粒露出率。另外，对于露出于研磨面的磨粒的平均面积、研磨面的磨粒露出率而言，分别对上平板侧的固定磨粒工具与下平板侧的固定磨粒工具进行测量。然后，计算上平板侧的固定磨粒工具与下平板侧的固定磨粒工具的平均值，并示于表1。
接下来，将圆盘形状玻璃基板放置于行星齿轮10，并将每一批次25块玻璃基板放置于双面研磨装置进行了研磨。另外，供给至主平面研磨工序的研磨前的玻璃基板的主平面的上表面、下表面的表面粗糙度Ra均为0.001μm。
在主平面研磨工序中，利用上平板15、下平板17以使加工压力为10kPa的方式按压并研磨玻璃基板。在研磨时，以使玻璃基板与上平板15的相对速度为750mm/sec的方式驱动太阳轮13、内齿轮14，从而分别对玻璃基板的上表面、下表面研磨了200μm。在研磨期间，以1.0L/min的流量向固定磨粒工具的研磨面与玻璃基板之间供给研磨液。
主平面研磨工序不更换固定磨粒工具，而是更换玻璃基板，合计更换20批次。此时，通过上述方法进行初始(第1批次)的研磨速度、连续加工时(第15批次)的研磨速度、研磨面的磨损量、以及第1批次玻璃基板研磨后的表面粗糙度Ra的测量。将结果示于表1。
(例2)
在主平面研磨工序中，除了使用修整处理后的研磨面具有表1表示的特性的固定磨粒工具这点以外、其余与例1同样地进行磁记录介质用玻璃基板的研磨。
另外，在表1中示出初始(第1批次)的研磨速度、连续加工时(第15批次)的研磨速度、研磨面的磨损量、以及第1批次的玻璃基板的研磨后的表面粗糙度Ra的测量结果。
(例3)
在主平面研磨工序中，作为固定磨粒工具16、18，使用金刚石作为磨粒，使用金属粘接磨石作为粘接材料，上述金属粘接磨石使用含有铜、镍的合金，除了使用修整处理后的研磨面具有表1表示的特性的固定磨粒工具这点以外、其余与例1同样地进行磁记录介质用玻璃基板的研磨。
另外，在表1中示出初始(第1批次)的研磨速度、连续加工时(第15批次)的研磨速度、研磨面的磨损量、以及第1批次的玻璃基板的研磨后的表面粗糙度Ra的测量结果。
(例4)
在主平面研磨工序中，除了使用修整处理后的研磨面具有表1所示的特性的固定磨粒工具这点以外、其余与例1同样地进行磁记录介质用玻璃基板的研磨。
另外，在表1中示出初始(第1批次)的研磨速度、连续加工时(第15批次)的研磨速度、研磨面的磨损量、以及第1批次的玻璃基板的研磨后的表面粗糙度Ra的测量结果。
(例5)
在主平面研磨工序中，除了使用修整处理后的研磨面具有表1表示的特性的固定磨粒工具这点以外、其余与例1同样地进行磁记录介质用玻璃基板的研磨。
另外，在表1中示出了初始(第1批次)的研磨速度、连续加工时(第15批次)的研磨速度、研磨面的磨损量、以及第1批次的玻璃基板的研磨后的表面粗糙度Ra的测量结果。
(例6)
在主平面研磨工序中，除了使用修整处理后的研磨面具有表1表示的特性的固定磨粒工具这点以外、其余与例1同样地进行磁记录介质用玻璃基板的研磨。
在本实验例中，固定磨粒工具在玻璃基板表面滑动而无法实施玻璃基板的研磨。
表1
根据表1的结果，对于作为实施例的例1～例5而言，即使所研磨的玻璃基板的主平面为镜面，也确认了使用固定磨粒工具能够以较高的研磨速度进行研磨。与此相对，对于作为比较例的例6而言，固定磨粒工具在玻璃基板表面滑动而无法进行研磨。考虑这是因为，由于例6的固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积、以及研磨面的磨粒露出率较小，所以磨粒无法嵌入玻璃基板。
研磨后的玻璃基板的表面粗糙度Ra反映对玻璃基板的主平面进行研磨时在玻璃基板的表面产生的划痕、裂缝等状态，表面粗糙度Ra优选为较小。即使在表面粗糙度Ra大的情况下，由于之后进一步进行研磨工序，因而也能够去除划痕等，所以作为产品没有问题，但是有可能使工序数增加、加工时间变长，因而不优选。因此，优选减少玻璃基板的主平面所产生的划痕、裂缝等，即、使加工变质层的厚度变浅。在本实验例中能够进行使用固定磨粒工具的研磨的实施例亦即例1～例5中，由于固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积较小、例如为300/μm2以下，所以确认了研磨后的玻璃基板的表面粗糙度Ra均减小。特别是对于例1～例4而言，由于固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积特别小，所以确认了研磨后的玻璃基板的表面粗糙度Ra进一步减小。
另外，在与例1～3相比研磨面的磨损量较小的例4、例5中，确认了与初始(第1批次)的研磨速度相比，第15批次的研磨速度下降较大。由此确认了为了在连续加工时维持稳定的研磨速度，研磨面的磨损量优选为较高。
另外，除了无法进行主平面的研磨的例6之外，通过进一步实施以下工序而制造出磁记录介质用玻璃基板。
具体而言，首先，提供使用研磨刷和含有氧化铈磨粒的研磨液，对玻璃基板的内周以及外周的端面进行研磨的端面研磨工序。
接下来，进行了主平面研磨的2次、3次研磨。2次研磨工序、3次研磨工序使用游离磨粒进行研磨。在图1(B)表示的双面研磨装置12中，代替固定磨粒工具16、18而安装固定有研磨垫，并且一边供给研磨液、一边进行使用游离磨粒的研磨。在2次研磨工序中使用含有氧化铈磨粒的研磨液作为研磨液来进行研磨，在3次研磨工序中使用含有二氧化硅磨粒的研磨液作为研磨液来进行研磨。
然后，在端面研磨工序之后，在依次进行使用洗涤剂的磨砂清洗、浸泡于洗涤剂溶液的状态下的超声波清洗、以及浸泡于纯水的状态下的超声波清洗的清洗工序后，利用异丙醇蒸气进行干燥，从而制造出磁记录介质用玻璃基板。
在以上的磁记录介质用玻璃基板的制造方法中，即使主平面的研磨工序中所研磨的玻璃基板的主平面为镜面，由于能够利用固定磨粒工具以较高的研磨速度进行研磨，所以与以往相比能够提高生产率。另外，由固定磨粒工具进行的研磨难以在玻璃基板的表面产生划痕、裂缝等，能够减少之后的加工工序中去除划痕等的加工的负荷，从而能够提高生产率，降低成本。进而，由于使用固定磨粒工具，所以能够抑制将粒径大的磨粒带入后续工序，从而能够减少由粗粒子混入所产生的缺点，另外，与使用游离磨粒的情况相比，由于无需进行浆料的更换、废弃，所以能够提高生产率并降低成本。

Claims (3)

1.一种磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，使用固定磨粒工具对作为镜面的玻璃基板的主平面进行研磨，所述磁记录介质用玻璃基板的研磨方法的特征在于，
所述固定磨粒工具的露出于研磨面的磨粒的平均面积为10μm2以上且300μm2以下，
所述固定磨粒工具的研磨面的磨粒露出率为1.1％以上且3.0％以下。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，
将磁记录介质用玻璃基板的主平面研磨掉50μm时所述固定磨粒工具的研磨面的磨损量为0.11μm以上。
3.一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其特征在于，
具有研磨工序，该研磨工序采用权利要求1或2所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法。
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