CN104316550A - 6H-SiC材料应力沿表面法线分布信息的测量方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种6H-SiC材料应力沿表面法线分布信息的测量方法。其技术步骤是:将6H-SiC材料水平放置于x射线衍射仪的载物台;依次对6H-SiC材料中的(0002)晶面和()晶面进行对光;以不小于50nm的步长减小x射线透射深度,并在各透射深度下获取()晶面的布拉格角;将测得的一组布拉格角代入布拉格方程,得到一组()晶面的面间距;根据这一组面间距计算6H-SiC材料应力沿材料表面法线分布的信息。本发明具有测试成本低,且对被测材料无损伤的优点,可用于精确分析应力影响材料结晶质量的机理,提高材料结晶质量。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域,涉及半导体材料的测量方法,特别是一种6H-SiC材料应力沿表面法线分布信息的测量方法,可用于对6H-SiC材料应力的分析。
技术背景
作为第三代半导体材料的主要代表之一,SiC以其宽禁带、高电子迁移率、高热导率以及抗辐射、耐腐蚀等特性而被广泛应用于高频、大功率和高温电子器件。SiC材料拥有很多种晶体结构,其中6H-SiC是一种很重要的具有六方结构的材料。6H-SiC的器件结构普遍需要掺杂,而掺杂必然会对6H-SiC材料的晶格引入应力,从而影响材料的结晶质量。获取应力在材料中的分布信息是进行应力研究的前提。
目前,可对6H-SiC材料的应力进行测量的设备包括拉曼散射仪、卢瑟福背散射仪和高分辨率x射线衍射仪。
拉曼散射仪是一种可对6H-SiC材料应力沿表面法线分布信息进行测量的设备,参见T.Mitani,S.Nakashima,H.Okumura,and A.Ogura.Depth profiling of strain and defects inSiSi1-xGexSi heterostructures by microRaman imaging.Journal of Applied Physics 100,073511(2006)。采用该设备虽然可以直接获取6H-SiC材料中应力沿表面法线的分布信息,但测量前首先需要对被测材料进行切片,这对被测材料造成的损伤是不可逆转的。
卢瑟福背散射仪可以对6H-SiC材料应力沿表面法线分布的信息进行无损测量,参见Y.Lu,G.W.Cong,X.L.Liu,D.C.Lu,et al.Depth distribution of the strain in the GaN layer withlow-temperature AlN interlayer on Si(111)substrate studied by Rutherfordbackscattering/channeling.Applied Physics Letters 85,5562(2004)。采用该设备测量时虽然对被测材料造成的损伤非常小,但是由于设备价格高昂,使用不广泛,因此该测量不具有广泛应用价值。
高分辨率x射线衍射仪是一种对被测材料无损伤且低成本的材料测试设备。目前,采用该设备对6H-SiC材料应力进行测量的步骤为:(1)对垂直于c轴的晶面如(0002)晶面做对称2θ-ω扫描,获取该晶面的面间距,进而计算出应力沿c轴方向的分量ε⊥;(2)对与c轴有一定夹角的晶面如晶面做掠入射2θ-ω扫描,获取该晶面的面间距,结合(1)计算出的ε⊥算出应力在c面面内的分量ε//。参见许振嘉《半导体的检测与分析(第二版)》。然而,无论是对称2θ-ω扫描还是掠入射2θ-ω扫描,其对应的x射线透射深度都是固定的,因此这种方法给出的沿c轴方向的应力分量ε⊥和c面面内应力分量ε//仅能近似反映被测材料在一个固定的x射线透射深度下所受应力的大小,无法给出应力沿表面法线的分布信息,不能用来精确分析应力影响材料结晶质量的机理。
发明内容
本发明的目的在于提供一种6H-SiC材料应力沿表面法线分布信息的测量方法,以解决现有技术不能用x射线衍射仪获取应力沿表面法线分布的信息这一问题。
实现本发明的关键技术是:在6H-SiC材料的晶面组中选择具有较高出光强度、且晶面倾角略大于其Bragg角的晶面,通过使用三轴晶衍射技术对该晶面在不同x射线透射深度下做2θ-ω扫描,获取应力沿表面法线分布的信息。其技术步骤如下:
(1)将6H-SiC材料水平放置于x射线衍射仪的载物台,该载物台设有三个转动轴,分别为ω轴、χ轴和φ轴,其中,ω轴平行于载物台,且垂直于x射线入射光束与x射线探测器组成的平面,χ轴平行于载物台,且与ω轴垂直,φ轴垂直于载物台;探测器可绕与ω轴重合的2θ轴旋转;
(2)依次对所述6H-SiC材料中的(0002)晶面和晶面进行对光;
(3)同时旋转载物台的ω轴、χ轴和φ轴,使该6H-SiC材料以晶面法线为轴单方向旋转,并以不小于50nm的步长逐渐减小x射线透射深度,每改变一次透射深度就对晶面进行一次三轴晶2θ-ω扫描,获取与该透射深度所对应的晶面的布拉格角θ。对所有的x射线透射深度依次进行三轴晶2θ-ω扫描,最后得到一组晶面的布拉格角θi,i=1,2,…,N,N表示x射线不同透射深度的个数;
(4)将测得的一组布拉格角θi依次代入以下布拉格方程,得到一组晶面的面间距di:
其中,λ为x射线源所发射的x射线的波长,n为衍射级数;
(5)将计算得到的一组面间距di依次代入以下方程组,得到6H-SiC材料沿表面法线分布的(0002)面内应力分量和c轴方向应力分量
其中,dr为所参考的晶面的面间距,h、k、l为晶面的米勒指数,ν6H为6H-SiC材料的泊松比,取值为0.142。
本发明与现有技术相比具有如下优点:
1.本发明将x射线透射深度可变的衍射技术与三轴晶2θ-ω扫描相结合,可以获取不同的x射线透射深度下材料沿表面法线分布的应力信息;
2.本发明能够给出一组沿表面法线分布的c轴应力分量和(0002)面内应力分量,因此为精确分析应力影响材料结晶质量的机理提供了依据。
附图说明
图1为本发明测量6H-SiC材料应力沿表面法线分布信息的流程图;
图2为本发明晶面的x射线透射深度随φ轴旋转角变化的曲线图。
具体实施方式
参照图1,本发明根据所参考的不同应力状态下晶面的面间距,给出如下两种实施例。
实施例1,以无应力状态下晶面的面间距为参考,对6H-SiC材料沿表面法线分布的(0002)面内应力分量和c轴方向应力分量进行测量。
步骤1,选用高分辨率x射线衍射仪作为测量所用的设备,该x射线衍射仪设有一个x射线源、一个x射线探测器、一个真空泵和一个载物台,该载物台设有三个转动轴,分别为ω轴、χ轴和φ轴,其中,ω轴平行于载物台,且垂直于x射线入射光束与x射线探测器组成的平面,χ轴平行于载物台,且与ω轴垂直,φ轴垂直于载物台;探测器可绕与ω轴重合的2θ轴旋转,本实例选用但不限于配有Ge(220)四晶单色器和三轴晶的Bruker D8Discover系统的x射线衍射仪。
步骤2,将6H-SiC材料水平放置于该x射线衍射仪的载物台中央,然后开启真空泵,使该6H-SiC材料吸附于载物台上。
步骤3,对所述6H-SiC材料中的(0002)晶面进行对光。
(3a)将x射线衍射仪工作模式调为双轴晶衍射模式;
(3b)对(0002)晶面做ω扫描,即固定x射线源和x射线探测器,让载物台以ω轴为轴心做角度摆动,得到该晶面的摇摆曲线,然后将载物台ω角旋转至该曲线的衍射峰中心位置;
(3c)对(0002)晶面做探测器扫描,即固定x射线源和载物台,让x射线探测器以2θ轴为轴心做角度摆动,得到探测器扫描曲线,然后将探测器2θ角旋转至该曲线的衍射峰中心位置;
(3d)重复步骤(3b),再对该(0002)晶面做一次χ扫描,即固定x射线源和x射线探测器,让载物台以χ轴为轴心做角度摆动,得到χ扫描曲线,并将载物台χ角旋转至χ扫描曲线最高点所在位置;
(3e)重复步骤(3b)-(3c),直到摇摆曲线的峰值不再增大,得到(0002)晶面双轴晶最佳对光条件,推出ω、2θ和χ轴的零点校正角。
步骤4,对6H-SiC材料中的晶面进行对光。
(4a)将载物台的χ角调为χ轴零点校正角加58.5609°,将载物台的ω角调为ω轴零点校正角加35.984°,将探测器2θ角调为2θ轴零点校正角加71.968°,便于晶面衍射出光;
(4b)对晶面做φ扫描,即固定x射线源和x射线探测器,让载物台以φ轴为轴心旋转,得到该晶面的φ扫描曲线,然后将载物台旋转至该曲线的衍射峰中心位置;
(4c)对晶面做ω扫描,得到该晶面的摇摆曲线,然后将载物台ω角旋转至该曲线的衍射峰中心位置;
(4d)对晶面做探测器扫描,得到探测器扫描曲线,然后将探测器2θ角旋转至该曲线的衍射峰中心位置;
(4e)重复步骤(4c)和(4b),再按顺序重复步骤(4c)、(4d)、(4c)和(4b),直到摇摆曲线的峰值不再增大;
(4f)将x射线衍射仪工作模式调为三轴晶衍射模式;
(4g)重复步骤(4d),得到晶面三轴晶最佳对光条件。
步骤5,获取不同x射线透射深度下晶面的布拉格角。
参照图2,x射线透射深度与φ轴旋转角具有一一对应的关系,φ轴每旋转一个角度,通过配合旋转χ轴和ω轴,使晶面位置保持不变,可以实现相应的x射线透射深度。
测试时,以100nm的步长逐渐减小x射线透射深度,每改变一次透射深度,就对晶面进行三轴晶2θ-ω扫描,即固定x射线源,使载物台绕ω轴旋转,同时x射线探测器以两倍于载物台的旋转速度绕2θ轴旋转,得到2θ-ω曲线,该曲线峰值位置即为该透射深度所对应的晶面的布拉格角θ;对所有的x射线透射深度依次进行三轴晶2θ-ω扫描,最后得到一组晶面的布拉格角θi,i=1,2,…,N,N表示x射线不同透射深度的个数。
步骤6,计算不同x射线透射深度下晶面的面间距。
将测得的一组布拉格角θi代入以下布拉格方程,得到一组晶面的面间距di:
其中,λ为x射线源所发射的x射线的波长,n为衍射级数。
步骤7,计算6H-SiC材料应力沿表面法线分布的信息。
将计算得到的一组面间距di代入以下方程组,得到6H-SiC材料沿表面法线分布的(0002)面内应力分量和c轴方向应力分量
其中,d0=0.151nm为无应力状态下晶面的面间距,h=1、k=1、l=6为晶面的米勒指数,ν6H为6H-SiC材料的泊松比,取值为0.142。
实施例2,以斜对称衍射下得到的晶面的面间距为参考,对6H-SiC材料沿表面法线分布的(0002)面内应力分量和c轴方向应力分量进行测量。
步骤A,与实施例1的步骤1相同。
步骤B,与实施例1的步骤2相同。
步骤C,对6H-SiC材料中的(0002)晶面进行对光。
本步骤的具体实现与实施例1的步骤3相同。
步骤D,对6H-SiC材料中的晶面进行对光。
本步骤的具体实现与实施例1的步骤4相同。
步骤E,获取不同x射线透射深度下晶面的布拉格角。
参照图2给出的x射线透射深度随φ轴旋转角变化曲线图,以200nm的步长逐渐减小x射线透射深度,每改变一次透射深度,就对晶面进行三轴晶2θ-ω扫描,得到2θ-ω曲线,该曲线峰值位置即为该透射深度所对应的晶面的布拉格角θ。对所有的x射线透射深度依次进行三轴晶2θ-ω扫描,最后得到一组晶面的布拉格角θi,i=1,2,…,N,N表示x射线不同透射深度的个数。
步骤F,计算不同x射线透射深度下晶面的面间距。
将测得的一组布拉格角θi代入以下布拉格方程,得到一组晶面的面间距di:
其中,λ为x射线源所发射的x射线的波长,n为衍射级数。
步骤G,计算6H-SiC材料应力沿表面法线分布的信息。
将计算得到的一组面间距di代入以下方程组,得到6H-SiC材料沿表面法线分布的(0002)面内应力分量和c轴方向应力分量
其中,d0'为斜对称衍射下得到的晶面的面间距,h=1、k=1、l=6为晶面的米勒指数,ν6H为6H-SiC材料的泊松比,取值为0.142。
Claims (4)
1.一种6H-SiC材料应力沿表面法线分布信息的测量方法,包括如下步骤:
(1)将6H-SiC材料水平放置于x射线衍射仪的载物台,该载物台设有三个转动轴,分别为ω轴、χ轴和φ轴,其中,ω轴平行于载物台,且垂直于x射线入射光束与x射线探测器组成的平面,χ轴平行于载物台,且与ω轴垂直,φ轴垂直于载物台;探测器可绕与ω轴重合的2θ轴旋转;
(2)依次对所述6H-SiC材料中的(0002)晶面和晶面进行对光;
(3)同时旋转载物台的ω轴、χ轴和φ轴,使该6H-SiC材料以晶面法线为轴单方向旋转,并以不小于50nm的步长逐渐减小x射线透射深度,每改变一次透射深度就对晶面进行一次三轴晶2θ-ω扫描,获取与该透射深度所对应的晶面的布拉格角θ。对所有的x射线透射深度依次进行三轴晶2θ-ω扫描,最后得到一组晶面的布拉格角θi,i=1,2,…,N,N表示x射线不同透射深度的个数;
(4)将测得的一组布拉格角θi依次代入以下布拉格方程,得到一组晶面的面间距di:
其中,λ为x射线源所发射的x射线的波长,n为衍射级数;
(5)将计算得到的一组面间距di依次代入以下方程组,得到6H-SiC材料沿表面法线分布的(0002)面内应力分量εi //和c轴方向应力分量εi ⊥:
其中,dr为所参考的晶面的面间距,h、k、l为晶面的米勒指数,ν6H为6H-SiC材料的泊松比,取值为0.142。
2.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(2)所述的对6H-SiC材料中的(0002)晶面进行对光,其步骤如下:
(2a)将x射线衍射仪工作模式调为双轴晶衍射模式;
(2b)对(0002)晶面做ω扫描,得到该晶面的摇摆曲线,然后将载物台ω角旋转至该曲线的衍射峰中心位置,其中,ω角表示载物台绕ω轴相对于载物台初始位置旋转过的角度;
(2c)对(0002)晶面做探测器扫描,得到探测器扫描曲线,然后将探测器2θ角旋转至该曲线的衍射峰中心位置,其中2θ角表示探测器绕2θ轴相对于探测器初始位置旋转过的角度;
(2d)重复步骤(2b),再对该(0002)晶面做一次χ扫描,得到χ扫描曲线,并将载物台χ角旋转至χ扫描曲线最高点所在位置,其中χ角表示载物台绕χ轴相对于载物台初始位置旋转过的角度;
(2e)重复步骤(2b)-(2c),直到摇摆曲线的峰值不再增大,得到(0002)晶面双轴晶最佳对光条件,推出ω、2θ和χ轴的零点校正角。
3.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(2)所述的对6H-SiC材料中的晶面进行对光,其步骤如下:
(3a)将载物台的χ角调为χ轴零点校正角加58.5609°,将载物台的ω角调为ω轴零点校正角加35.984°,将探测器2θ角调为2θ轴零点校正角加71.968°,便于晶面衍射出光;
(3b)对晶面做φ扫描,即固定x射线源和x射线探测器,让载物台以φ轴为轴心旋转,得到该晶面的φ扫描曲线,然后将载物台旋转至该曲线的衍射峰中心位置;
(3c)对晶面做ω扫描,得到该晶面的摇摆曲线,然后将载物台ω角旋转至该曲线的衍射峰中心位置;
(3d)对晶面做探测器扫描,得到探测器扫描曲线,然后将探测器2θ角旋转至该曲线的衍射峰中心位置;
(3e)重复步骤(3c)和(3b),再按顺序重复步骤(3c)、(3d)、(3c)和(3b),直到摇摆曲线的峰值不再增大;
(3f)将x射线衍射仪工作模式调为三轴晶衍射模式;
(3g)重复步骤(3d),得到晶面三轴晶最佳对光条件。
4.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(3)所述的三轴晶2θ-ω扫描,其操作是:在三轴晶衍射模式下,固定x射线源,使载物台绕ω轴旋转,同时x射线探测器以两倍于载物台的旋转速度绕2θ轴旋转,得到2θ-ω曲线。
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |