CN104303242B - 导电膜形成方法与烧结助剂 - Google Patents
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Abstract
在使用光烧结的导电膜形成方法中，容易地形成具有低电阻的导电膜。公开的是其中使用光烧结形成导电膜的导电膜形成方法，其包括以下步骤：在基板1上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜2，将该液体膜2干燥以形成铜颗粒层3，对该铜颗粒层3施以光烧结以形成导电膜4，将烧结助剂5粘接到该导电膜4上，并对粘接有烧结助剂5的导电膜4进一步施以光烧结。所述烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此，该烧结助剂5除去了导电膜4中铜颗粒21的表面氧化物膜。
Description
技术领域
本发明涉及使用光烧结的导电膜形成方法，以及允许在所述导电膜形成方法中进行光烧结的烧结助剂。
背景技术
迄今为止，存在其中在基板上通过光刻法形成由铜箔组成的电路的印刷电路板。光刻法需要蚀刻铜箔的步骤，处理由蚀刻等产生的废液需要高昂的成本。
作为无需蚀刻的技术，以下方法是已知的：其中，使用含有分散在分散载体中的铜颗粒(铜纳米颗粒)的铜颗粒分散体(铜墨水)在基板上形成导电膜(参见例如专利文献1)。根据这种方法，在基板上形成铜颗粒分散体的液体膜，并将该液体膜干燥以形成铜颗粒层。该铜颗粒通过光照经受光烧结，由此形成具有低电阻的导电膜。
但是，在上述方法中，光烧结可能不能充分进行，即使光烧结中照射的光能量很大，由此无法形成具有低电阻的导电膜。
现有技术文献
专利文献1:美国专利申请系列号2008/0286488
发明内容
本发明所要解决的问题
提出本发明以解决上述问题，其目的在于在使用光烧结的导电膜形成方法中容易地形成具有低电阻的导电膜。
解决问题的手段
本发明的导电膜形成方法是其中使用光烧结形成导电膜的方法，其特征在于包括以下步骤：在基板上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜，将该液体膜干燥以形成铜颗粒层，对该铜颗粒层施以光烧结以形成导电膜，将烧结助剂粘接到该导电膜上，并对粘接有烧结助剂的导电膜进一步施以光烧结，所述烧结助剂是从金属铜中除去氧化铜的化合物。
在该导电膜形成方法中，该烧结助剂优选选自酰胺类、酰亚胺类、酮类、氨基甲酸酯类、硫醚类、羧酸类和磷酸类。
在该导电膜形成方法中，该烧结助剂优选选自聚酰胺酸、聚乙烯吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、聚酰亚胺膜、聚酰亚胺清漆、聚酰胺酰亚胺、乙酰基丙酮、γ-丁内酯、乙酸、低分子量不饱和聚羧酸聚合物和磷酸酯。
在该导电膜形成方法中，该烧结助剂可以选自醇类、糖类、醛类、肼类、醌类、酚类和胺类。
在该导电膜形成方法中，该烧结助剂优选选自甲醇、异丙醇、乙二醇、3-甲氧基-3-甲基丁醇、二乙二醇单-2-乙基己基醚、聚乙二醇、L-山梨糖醇、肯特纸(Kent paper)、糠醛、肼、氢醌、羟基丁基茴香醚、羟胺、三乙醇胺和吗啉。
在该导电膜形成方法中，在将烧结助剂粘接到导电膜上的步骤中，优选在导电膜上涂覆该烧结助剂。
在该导电膜形成方法中，在将烧结助剂粘接到导电膜上的步骤中，该烧结助剂可以通过光照射粘接到该导电膜上。
本发明的烧结助剂用于上述导电膜形成方法。
本发明的优点
根据本发明，由于烧结助剂在将该烧结助剂粘接到导电膜上之后的光烧结中除去了铜颗粒的表面氧化物膜，已经从其上除去表面氧化物膜的铜颗粒进一步烧结，并由此容易地形成具有低电阻的导电膜。
附图说明
[图1]图1(a)至1(f)是以时间顺序显示通过本发明的一个实施方式的导电膜形成方法形成导电膜的横截面示意图。
具体实施方式
将参照图1(a)至1(f)描述本发明的一个实施方式的导电膜形成方法。如图1(a)和1(b)中所示，在基板1上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜2。
通过将基底材料成型为板形来获得基板1。基底材料的实例包括但不限于玻璃、树脂、陶瓷和硅片等。
该铜颗粒分散体是含有分散在其中的铜颗粒21的液体，并包括铜颗粒21、分散载体和分散剂。铜颗粒21是例如，具有1nm或更大且小于100nm的中值粒径的铜纳米颗粒。该分散载体是含有铜颗粒21的液体载体。该分散剂使得铜颗粒21能够分散在该分散载体中。由于颗粒表面被空气中的氧气氧化，铜颗粒21涂布有薄的表面氧化物膜。
例如通过印刷法形成液体膜2。在印刷法中，铜颗粒分散体用作印刷墨水，通过印刷设备在基板1上印刷预先确定的图案，并形成具有该图案的液体膜2。
接着，将液体膜2干燥。如图1(c)中所示，通过干燥液体膜2以便在基板1上形成由铜颗粒21组成的铜颗粒层3，由此使铜颗粒21保持在基板1上。
接着，用光照射铜颗粒层3，铜颗粒层3经历光烧结。如图1(d)中所示，通过光烧结铜颗粒层3形成导电膜4。在室温下在大气空气下进行光烧结。用于光烧结的光源是例如氙灯。激光装置可用作光源。进行该光烧结至以下程度：即使在导电膜上施涂液体，铜颗粒21也不会被洗脱在该液体中。在以下条件下进行此类光烧结：例如，其中照射的光的能量为0.5J/cm2至30J/cm2，照射时间为0.1ms至10ms，并且照射数量为一次。在该光烧结中，导电膜4未能充分经历块化(bulking)，由此该导电膜4的电阻并未变得足够低。其原因被认为是在该导电膜4中存在未充分烧结的铜颗粒21。
接着，如图1(e)中所示，将烧结助剂5粘接到导电膜4上。烧结助剂5粘接到导电膜4上还可以通过在导电膜4上涂覆烧结助剂5来实施。该烧结助剂5可以通过经由光照射的焊接或真空沉积粘接到导电膜4上。
烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜的化合物。该烧结助剂5可以是例如酰胺类、酰亚胺类、酮类、氨基甲酸酯类、硫醚类、羧酸类或磷酸类。烧结助剂5的实例包括但不限于：酰胺类如聚酰胺酸、聚乙烯吡咯烷酮、二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺；酰亚胺类如聚酰亚胺膜、聚酰亚胺清漆和聚酰胺酰亚胺；酮类如乙酰基丙酮和γ-丁内酯；羧酸类如乙酸和低分子量不饱和聚羧酸聚合物；以及磷酸类如磷酸酯。可以认为，此类烧结助剂5通过蚀刻从金属铜中除去氧化铜。
该烧结助剂5可以是醇类、糖类、醛类、肼类、醌类、酚类或胺类。烧结助剂5的实例包括但不限于醇类如甲醇、异丙醇、乙二醇、3-甲氧基-3-甲基丁醇、二乙二醇单-2-乙基己基醚和聚乙二醇；糖类如L-山梨糖醇和肯特纸；醛类如糠醛；肼类如肼；醌类如氢醌；酚类如羟基丁基茴香醚；胺类如羟胺、三乙醇胺和吗啉。此类烧结助剂5通过还原氧化铜从金属铜中除去氧化铜。
这些烧结助剂5可以单独使用，或者两种或更多种类型的烧结助剂可以适当地混合和使用。
接着，将粘接有烧结助剂5的导电膜4进一步施以光烧结。如图1(f)中所示，在该光烧结中，该导电膜4充分经历块化以形成具有低电阻的导电膜6。
迄今为止，已经考虑过，通过光烧结中的光能量造成的光还原反应将铜颗粒21的表面氧化物膜还原为铜并随后除去。
但是，根据本发明的发明人进行的试验，即使光烧结中照射的光的能量较大，铜颗粒层可能经受不充分的块化，这取决于铜颗粒分散体。由于照射在铜颗粒层上的过大的光能量可能造成铜颗粒层的破坏，对于光烧结中照射的光能量的量级存在限制。本发明的发明人考虑了存在某些情况，在这些情况中，仅通过光的能量不能充分去除铜颗粒21的表面氧化物膜，且由此无法充分进行光烧结，导致铜颗粒层的不充分块化。
本发明的发明人通过实验已经发现，通过使用从金属铜中除去氧化铜的化合物，使光烧结得以进行。在本实施方式的导电膜形成方法中，烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜，并除去未充分烧结的导电膜4中存在的铜颗粒21的表面氧化物膜的化合物。对粘接有烧结助剂5的导电膜4的光照射促进了其中烧结助剂5从铜颗粒21中除去氧化铜的化学反应。在将烧结助剂5粘接到导电膜4后的光烧结中，已经从其上除去表面氧化物膜的铜颗粒21被光的能量烧结，由此导电膜4经受块化以形成具有低电阻的导电膜6。
如上所述，根据本实施方式的导电膜形成方法，在烧结助剂5粘接到导电膜4上之后的光烧结中，由于烧结助剂2除去导电膜4中铜颗粒21的表面氧化物膜，已经从其上除去表面氧化物膜的铜颗粒21被进一步烧结，并容易地形成具有低电阻的导电膜6。
在烧结助剂5能够蚀刻氧化铜的情况下，通过蚀刻除去铜颗粒21的表面氧化物膜。
在烧结助剂5能够还原氧化铜的情况下，通过还原除去铜颗粒21的表面氧化物膜。
在实施例中，使用本发明的导电膜形成方法，形成导电膜6，并测量由此形成的导电膜6的电阻。
[实施例1]
无碱玻璃用作基板1。通过旋涂法将铜颗粒分散体(由ISHIHARACHEMICAL CO.,LTD.以商品名“CJ-0104”制造)以预定厚度涂覆在基板1上。涂有铜颗粒分散体的基板1在大气空气中在100℃下干燥30分钟，随后用具有氙灯的闪光灯照射装置施以光烧结。在可以通过单次照射获得具有大约1,000mΩ/□的薄膜电阻的导电膜4的条件下，以0.5J/cm2至30J/cm2范围内的能量幅度进行光烧结中的光照射0.1ms至10ms。由此获得的导电膜4具有黑色表面，并且被不完全烧结。但是，在该膜上施加液体不会造成任何铜颗粒21洗脱在该液体中。接着，使用醇类中的甲醇作为烧结助剂5，在导电膜4上涂覆烧结助剂5并进行第二次光烧结以制造测试基板。以0.5J/cm2至30J/cm2范围内的能量幅度进行第二次光烧结中的光照射0.1ms至10ms，并照射能量大于在第一次光烧结中的光。在第二次光烧结后，导电膜4表面的颜色变为铜色。该铜色是块状铜的颜色，从光烧结造成的颜色变化可以发现导电膜4经受块化，从而在测试基板上形成导电膜6。导电膜6的薄膜电阻显示出170mΩ/□的低值。
[实施例2]
使用醇类中的异丙醇作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例1相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出280mΩ/□的低值。
[实施例3]
使用醇类中的乙二醇作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例2相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出440mΩ/□的低值。
[实施例4]
使用醇类中的3-甲氧基-3-甲基丁醇作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例3相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出160mΩ/□的低值。
[实施例5]
使用醇类中的二乙二醇单-2-乙基己基醚作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例4相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出160mΩ/□的低值。
[实施例6]
使用醇中的聚乙二醇(分子量为600)作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例5相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出260mΩ/□的低值。
[实施例7]
使用醛类中的糠醛(呋喃-2-甲醛)作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例6相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出300mΩ/□的低值。
[实施例8]
使用酰胺中的二甲基乙酰胺作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例7相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出280mΩ/□的低值。
[实施例9]
使用酰胺中的二甲基甲酰胺作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例8相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出280mΩ/□的低值。
[实施例10]
使用酮类中的乙酰基丙酮作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例9相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出350mΩ/□的低值。
[实施例11]
使用酮类中的γ-丁内酯作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例10相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出400mΩ/□的低值。
[实施例12]
使用羧酸类中的乙酸作为烧结助剂5。除上述之外，以与实施例11相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出200mΩ/□的低值。
[实施例13]
使用糖类中的L-山梨糖醇作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1摩尔/升(M)。通过在导电膜4上涂覆该溶液，将烧结助剂5粘接到导电膜4上，并随后进行第二次光烧结。除上述之外，以与实施例12相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出400mΩ/□的低值。
[实施例14]
使用肼类中的肼作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1摩尔/升。除上述之外，以与实施例13相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出180mΩ/□的低值。
[实施例15]
使用醌类中的氢醌作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1摩尔/升。除上述之外，以与实施例14相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出260mΩ/□的低值。
[实施例16]
使用酚类中的羟基丁基茴香醚作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1摩尔/升(M)。除上述之外，以与实施例15相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出280mΩ/□的低值。
[实施例17]
使用胺类中的羟胺作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1摩尔/升(M)。除上述之外，以与实施例16相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出170mΩ/□的低值。
[实施例18]
使用胺类中的三乙醇胺作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1摩尔/升。除上述之外，以与实施例17相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出170mΩ/□的低值。
[实施例19]
使用胺类中的吗啉作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1摩尔/升。除上述之外，以与实施例18相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出200mΩ/□的低值。
[实施例20]
使用酰胺类中的聚酰胺酸作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1％。除上述之外，以与实施例19相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出280mΩ/□的低值。
[实施例21]
使用酰胺类中的聚乙烯吡咯烷酮(分子量为630,000)作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1摩尔/升(M)。除上述之外，以与实施例20相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出160mΩ/□的低值。
[实施例22]
使用酰亚胺类中的聚酰亚胺清漆(N-甲基-2-吡咯烷酮溶液)作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1％。除上述之外，以与实施例21相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出300mΩ/□的低值。
[实施例23]
使用酰亚胺类中的聚酰胺酰亚胺树脂作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1％。除上述之外，以与实施例22相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出300mΩ/□的低值。
[实施例24]
使用羧酸类中的低分子量不饱和羧酸的聚合物(由BYK-Chemie Inc.以商品名“DISPERBYK(注册商标)-P-105”制造)作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1％。除上述之外，以与实施例23相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出280mΩ/□的低值。
[实施例25]
使用磷酸类中磷酸酯(由BYK-Chemie Inc.以商品名“DISPERBYK(注册商标)-111”制造)作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1％。除上述之外，以与实施例24相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出240mΩ/□的低值。
[实施例26]
使用磷酸类中的聚氧乙烯十三烷基醚磷酸酯(由DAI-ICHI KOGYO SEIYAKU CO.,LTD.以商品名“PLYSURF(注册商标)A212C”制造)作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1％。除上述之外，以与实施例25相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出400mΩ/□的低值。
[实施例27]
使用磷酸类中的聚氧乙烯月桂基醚磷酸酯(由DAI-ICHI KOGYO SEIYAKU CO.,LTD.以商品名“PLYSURF(注册商标)A208B”制造)作为烧结助剂5，并使用碳酸丙烯酯作为溶剂，制备含有烧结助剂5的溶液。将烧结助剂5的浓度调节至1％。除上述之外，以与实施例25相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出400mΩ/□的低值。
[实施例28]
使用载玻片作为基板1。除上述之外，以与实施例2相同的方式制造测试基板。也就是说，使用醇类中的异丙醇作为烧结助剂5。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出280mΩ/□的低值。
[实施例29]
使用氧化铝(陶瓷)作为基板1。除上述之外，以与实施例28相同的方式制造测试基板。也就是说，使用醇类中的异丙醇作为烧结助剂5。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出280mΩ/□的低值。
[实施例30]
使用铝箔作为基板1。除上述之外，以与实施例29相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出500mΩ/□的低值。
[实施例31]
使用不锈钢箔作为基板1。除上述之外，以与实施例30相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出500mΩ/□的低值。
[实施例32]
使用硅片作为基板1。除上述之外，以与实施例31相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出200mΩ/□的低值。
[实施例33]
使用载玻片作为基板1。使用酰亚胺类中的聚酰亚胺膜(由Du Pont-Toray Co.,Ltd.以商品名“Kapton(注册商标)200EN”)作为烧结助剂5。在第二次光烧结中，用能量大于正常能量的光穿过作为烧结助剂5的聚酰亚胺膜掩膜照射导电膜4以制造测试基板。也就是说，通过用光照射烧结助剂5将烧结助剂5粘接到导电膜4上。除上述之外，以与实施例1相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出500mΩ/□的低值。
[实施例34]
使用硅片作为基板1。使用糖类中的肯特纸作为烧结助剂5。在第二次光烧结中，作为烧结助剂5的肯特纸安置在导电膜4临近，接着用能量大于正常能量的光照射导电膜4以制造测试基板。也就是说，通过用光照射烧结助剂5将烧结助剂5粘接到导电膜4上。除上述之外，以与实施例33相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜6的表面显示出铜色。导电膜6的薄膜电阻显示出500mΩ/□的低值。
在对比例中，通过使用不从金属铜中除去氧化铜的化合物取代烧结助剂5来形成导电膜，并随后测量由此形成的导电膜的电阻。
(对比例1)
使用碳酸丙烯酯取代烧结助剂5。除上述之外，以与实施例1相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜具有黑色表面。导电膜的薄膜电阻显示出1,000mΩ/□的高值。
(对比例2)
使用正己烷取代烧结助剂5。除上述之外，以与实施例1相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜具有黑色表面。导电膜的薄膜电阻显示出1,000mΩ/□的高值。
(对比例3)
使用二甲苯取代烧结助剂5。除上述之外，以与实施例1相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜具有黑色表面。导电膜的薄膜电阻显示出1,000mΩ/□的高值。
(对比例4)
使用液体石蜡取代烧结助剂5。除上述之外，以与实施例1相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜具有黑色表面。导电膜的薄膜电阻显示出1,000mΩ/□的高值。
(对比例5)
使用二乙二醇二丁基醚取代烧结助剂5。除上述之外，以与实施例1相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜具有黑色表面。导电膜的薄膜电阻显示出1,000mΩ/□的高值。
(对比例6)
使用二甘醇二甲醚(双(2-甲氧基乙基)醚)取代烧结助剂5。除上述之外，以与实施例1相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜具有黑色表面。导电膜的薄膜电阻显示出1,000mΩ/□的高值。
(对比例7)
使用蒸馏水取代烧结助剂5。除上述之外，以与实施例1相同的方式制造测试基板。在测试基板上形成的导电膜具有黑色表面。导电膜的薄膜电阻显示出1,000mΩ/□的高值。
(对比例8)
使用PET(聚对苯二甲酸乙二酯)膜取代烧结助剂5。除上述之外，以与实施例33相同的方式制造测试基板。通过用光照射PET膜将PET粘接到导电膜4上。在测试基板上形成的导电膜具有黑色表面。导电膜的薄膜电阻显示出1,000mΩ/□的高值。
如上所述，使用烧结助剂5能够形成具有低电阻的导电膜6。当使用不从金属铜中除去氧化铜的化合物取代烧结助剂5时，由此形成的导电膜显示出高电阻。
本发明不限于上述实施方式的配置，可以在不背离本发明的精神或范围的情况下进行各种修改。例如，基板1的表面形状不限于平面，可以是弯曲表面，或是多个平面的组合。
符号说明
1：基板
2：液体膜
21：铜颗粒
3：铜颗粒层
4：导电膜
5：烧结助剂
6：导电膜
Claims (7)
1.一种导电膜形成方法，其中使用光烧结形成导电膜，包括以下步骤：
在基板上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜，
将所述液体膜干燥以形成铜颗粒层，
对所述铜颗粒层施以光烧结以形成导电膜，
将烧结助剂粘接到所述导电膜，和
对粘接有烧结助剂的导电膜进一步施以光烧结，其中
所述烧结助剂是从金属铜中除去氧化铜的化合物。
2.根据权利要求1所述的导电膜形成方法，其中所述烧结助剂选自由如下组成的组：酰胺类、酰亚胺类、酮类、氨基甲酸酯类、硫醚类、羧酸类和磷酸类。
3.根据权利要求2所述的导电膜形成方法，其中所述烧结助剂选自由如下组成的组：聚酰胺酸、聚乙烯吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、聚酰亚胺膜、聚酰亚胺清漆、聚酰胺酰亚胺、乙酰基丙酮、γ-丁内酯、乙酸、低分子量不饱和聚羧酸聚合物和磷酸酯。
4.根据权利要求1所述的导电膜形成方法，其中所述烧结助剂选自由如下组成的组：醇类、糖类、醛类、肼类、醌类、酚类和胺类。
5.根据权利要求4所述的导电膜形成方法，其中所述烧结助剂选自由如下组成的组：甲醇、异丙醇、乙二醇、3-甲氧基-3-甲基丁醇、二乙二醇单-2-乙基己基醚、聚乙二醇、L-山梨糖醇、肯特纸、糠醛、肼、氢醌、羟基丁基茴香醚、羟胺、三乙醇胺和吗啉。
6.根据权利要求1所述的导电膜形成方法，其中在将烧结助剂粘接到导电膜的步骤中将所述烧结助剂涂覆在导电膜上。
7.根据权利要求1所述的导电膜形成方法，其中在将烧结助剂粘接到导电膜的步骤中通过用光照射将所述烧结助剂粘接到导电膜上。
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|---|---|---|---|
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Family
ID=
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101801674A (zh) * | 2007-05-18 | 2010-08-11 | 应用纳米技术控股股份有限公司 | 金属油墨 |
| CN101836268A (zh) * | 2007-10-22 | 2010-09-15 | 日立化成工业株式会社 | 铜配线图案形成方法以及用于其中的氧化铜粒子分散液 |
| JP2010239149A (ja) * | 2010-06-21 | 2010-10-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高周波電磁波照射による金属粒子を相互融着するための金属粒子の焼生方法及びそれを用いて製造した電子部品と金属粒子焼成用材料 |
| JP2011047003A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Toray Ind Inc | 銅膜の製造方法 |
| CN102084435A (zh) * | 2008-07-02 | 2011-06-01 | 应用纳米技术控股股份有限公司 | 金属糊料和油墨 |
| CN102112562A (zh) * | 2008-05-15 | 2011-06-29 | 应用纳米技术控股股份有限公司 | 用于金属油墨的光固化方法 |
| CN102245804A (zh) * | 2008-10-17 | 2011-11-16 | Ncc纳诺责任有限公司 | 还原低温基底上的薄膜的方法 |
| JP2011252202A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Hitachi Cable Ltd | ナノ粒子焼結膜の成膜方法 |
| CN102448623A (zh) * | 2009-03-31 | 2012-05-09 | 应用纳米技术控股股份有限公司 | 金属油墨 |
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101801674A (zh) * | 2007-05-18 | 2010-08-11 | 应用纳米技术控股股份有限公司 | 金属油墨 |
| CN101836268A (zh) * | 2007-10-22 | 2010-09-15 | 日立化成工业株式会社 | 铜配线图案形成方法以及用于其中的氧化铜粒子分散液 |
| CN102112562A (zh) * | 2008-05-15 | 2011-06-29 | 应用纳米技术控股股份有限公司 | 用于金属油墨的光固化方法 |
| CN102084435A (zh) * | 2008-07-02 | 2011-06-01 | 应用纳米技术控股股份有限公司 | 金属糊料和油墨 |
| CN102245804A (zh) * | 2008-10-17 | 2011-11-16 | Ncc纳诺责任有限公司 | 还原低温基底上的薄膜的方法 |
| CN102448623A (zh) * | 2009-03-31 | 2012-05-09 | 应用纳米技术控股股份有限公司 | 金属油墨 |
| JP2011047003A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Toray Ind Inc | 銅膜の製造方法 |
| JP2011252202A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Hitachi Cable Ltd | ナノ粒子焼結膜の成膜方法 |
| JP2010239149A (ja) * | 2010-06-21 | 2010-10-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高周波電磁波照射による金属粒子を相互融着するための金属粒子の焼生方法及びそれを用いて製造した電子部品と金属粒子焼成用材料 |
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