CN104285375A - 自偏置振荡器 - Google Patents

自偏置振荡器 Download PDF

Info

Publication number
CN104285375A
CN104285375A CN201280071591.0A CN201280071591A CN104285375A CN 104285375 A CN104285375 A CN 104285375A CN 201280071591 A CN201280071591 A CN 201280071591A CN 104285375 A CN104285375 A CN 104285375A
Authority
CN
China
Prior art keywords
differentiator
oscillator
coupled
node
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280071591.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104285375B (zh
Inventor
T·苏梅萨拉姆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Corp
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Publication of CN104285375A publication Critical patent/CN104285375A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104285375B publication Critical patent/CN104285375B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/03—Astable circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08—Details of the phase-locked loop
    • H03L7/099—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop
    • H03L7/0991—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop the oscillator being a digital oscillator, e.g. composed of a fixed oscillator followed by a variable frequency divider
    • H03L7/0992—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop the oscillator being a digital oscillator, e.g. composed of a fixed oscillator followed by a variable frequency divider comprising a counter or a frequency divider
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/03—Astable circuits
    • H03K3/0315—Ring oscillators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08—Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/089—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses
    • H03L7/0891—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses the up-down pulses controlling source and sink current generators, e.g. a charge pump
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08—Details of the phase-locked loop
    • H03L7/099—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop
    • H03L7/0995—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop the oscillator comprising a ring oscillator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08—Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/087—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal using at least two phase detectors or a frequency and phase detector in the loop

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

在本文描述了自偏置振荡器。自偏置振荡器包括：具有可调节电阻或电容的第一微分器，第一微分器具有输出节点和输入节点；以及具有可调节电阻或电容的第二微分器，第二微分器具有耦合到第一微分器的输出节点的输入节点并具有耦合到第一微分器的输入节点的输出节点。

Description

自偏置振荡器
背景技术
传统电压控制振荡器(VCO)展示了取决于被提供到VCO的电源水平的振荡频率。当电源水平增加时，振荡频率增加，因为形成VCO的延迟元件变得更快。同样，当电源水平降低时，振荡频率降低。这样的传统VCO展示可导致VCO的输出中的噪声/抖动的电源噪声敏感性。
附图说明
从下面给出的详细描述中和从本公开的各种实施例的附图中将更充分地理解本公开的实施例，然而这不应被理解为将本公开限制到特定的实施例，而是仅为了解释和理解。
图1是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器的高级电路。
图2是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器。
图3是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器的电压控制电阻设备。
图4是根据本公开的另一实施例的自偏置振荡器的电压控制电阻设备。
图5是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器的数字控制电阻设备。
图6是根据本公开的一个实施例的具有自偏置振荡器的锁相环路(PLL)。
图7是根据本公开的一个实施例的具有自偏置振荡器的数字锁相环路(DPLL)。
图8是根据本公开的一个实施例的包括具有自偏置振荡器的处理器的智能设备的系统级视图。
具体实施方式
传统电压控制振荡器(VCO)(例如基于反相器的环形振荡器、伪微分反相器环、自偏置电流模式逻辑(CML)环等)展示出对电源噪声的高敏感性。对电源噪声的高敏感性转换到在由VCO产生的振荡信号中的抖动和噪声。为了补偿电源噪声的高敏感性，传统振荡器在尺寸(W/L)上被制造得更大，从而导致较高的功耗和面积。
环形振荡器拓扑由于其大的频率调谐范围而常常用在锁相环路(PLL)中，然而当该环形振荡器拓扑涉及噪声抑制时具有差的性能(如电源抑制比所定义的)。自偏置微分环形振荡器具有比基于反相器的传统环形振荡器更好的噪声抑制，然而以相当大的功率/面积成本为代价。这些环形振荡器的差性能是因为这些振荡器的振荡频率(fo)是其电源(Vcc)的直接函数。这样的传统振荡器的振荡频率(fo)可被表示为：
f o ≅ I N · C · Vcc
其中，“N”是振荡器的延迟级的数量，且其中“I”是穿过振荡器的输出电容“C”的电流。上面的方程说明fo与电源Vcc成反比。在电源Vcc上的任何噪声均可转换到在具有频率fo的振荡信号上的抖动和噪声。
在本文讨论的自偏置振荡器提供比传统VCO更好的电源抑制，因为自偏置振荡器的输出的振荡频率不是自偏置振荡器的延迟元件或放大器的电源或增益的函数(或不是强函数)。在一个实施例中，自偏置振荡器被其反馈电阻器自偏置。本文讨论的自偏置振荡器比伪微分反相器环形振荡器或自偏置CML环形振荡器消耗少得多的功率，并比传统振荡器消耗更少的面积。自偏置振荡器可在包括模拟脉冲锁相环路和数字锁相环路的任何振荡器使用模型中使用。本文讨论的自偏置振荡器包括反相器、可变电阻和/或电容，这使设计简单且对加工技术是高度可升级的。本文讨论的实施例设想其它技术效果。
术语“标度(scaling)”在这里通常指将电路设计和布局从一种工艺技术转移到另一工艺技术。
在下面的描述中，讨论了很多细节以提供对本公开的实施例的更彻底的解释。然而对于本领域技术人员明显的是，本公开的实施例可在没有这些特定细节的情况下被实施。在其它实例中，公知的结构和设备以方框图形式而不是详细示出，以便避免使本公开的实施例难理解。
注意，在实施例的相应附图中，用线表示信号。一些线可以更粗，以指示更多的组成信号路径，和/或具有在一端或多端处的箭头以指示主要信息流方向。这样的指示并不旨在为限制性的。更确切地，线结合一个或多个实施例使用，以便于更容易理解电路或逻辑单元。如设计需要或偏好指示的，任何所表示的信号可实际上包括可在任一方向上行进的一个或多个信号，并可使用任何适当类型的信号方案来实现。
在整个说明书中和权利要求中，术语“连接”意味着在所连接的事物之间的直接电连接，而没有任何中间设备。术语“耦合”意指在所连接的事物之间的直接电连接或通过一个或多个无源或有源中间设备的间接连接。术语“电路”意指布置成彼此协作以提供期望功能的一个或多个无源和/或有源部件。术语“信号”意指至少一个电流信号、电压信号和/或数据/时钟信号。“一”、“一个”和“该”的含义包括多个所指对象。“在…中”的含义包括“在…中”和“在…上”。
如在本文使用的，除非另有规定，描述公共对象的顺序形容词“第一”、“第二”和“第三”等的使用仅表示相似的对象的不同实例被提及且并不旨在暗示如此描述的对象必须在时间上、在空间上、在等级上或以任何其它方式以给定的顺序。术语“基本上”在本文指在目标的10％内。
为了本文描述的实施例的目的，晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其包括漏极、源极、栅极和体端子。源极和漏极端子可以是相同的端子，并在本文可互换地使用。本领域技术人员将认识到，在不偏离本公开的范围的情况下，可使用其它晶体管，例如双极结晶体管——BJTPVN/NPN、BiCMOS、CMOS、eFET等。术语“MN”在本文表示n型晶体管(例如NMOS、NPN BJT等)，且术语“MP”表示p型晶体管(例如PMOS、PNP BJT等)。
图1是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器100的高级电路。在一个实施例中，自偏置振荡器100包括耦合到形成振荡器的第二微分器102的第一微分器101。第一微分器101和第二微分器102是提供与输入的时间导数成比例的输出的电路。
在这个实施例中，第一微分器101的输出节点Out耦合到第二微分器102的输入，且第二微分器102的输出节点耦合到第一微分器的输入节点。在一个实施例中，第一微分器101和第二微分器102由电源供电。电源的噪声对振荡器100的振荡频率有很少或没有影响。
在一个实施例中，第一微分器的增益或传递函数与第二微分器的增益或传递函数相同。在另一实施例中，第一微分器的增益或传递函数不同于第二微分器的增益或传递函数。
本文讨论的电路100在输出节点Out上产生信号以具有振荡频率。在一个实施例中，控制信号Vctrl分别被输入到第一和第二微分器101和102，以调节在输出节点Out上的信号的振荡频率。在一个实施例中，控制信号Vctrl是模拟信号以控制晶体管的电阻和/或电容。在另一实施例中，控制信号Vctrl是数字总线，以分别导通/截止在第一和第二微分器101和102中的多个晶体管，以分别改变第一和第二微分器101和102的电阻和/或电容。
图2是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器200。在一个实施例中，第一和第二微分器101和102中的每个分别包括：如所示耦合在一起的放大器201和211、电阻设备202和212以及电容设备203和213。在一个实施例中，具有电阻Rf的电阻设备202和212耦合在放大器201和211的输出节点与放大器201和211的输入节点之间。在一个实施例中，可借助于控制信号Vctrl来调节电阻设备202和212的电阻Rf。
例如，晶体管用于提供有效电阻Rf，其中控制信号耦合到晶体管的栅极并控制晶体管的电阻。在另一实施例中，晶体管耦合到用于提供电阻Rf的无源电阻器或有源电阻器(例如总是导通晶体管)，其中控制信号耦合到晶体管的栅极并控制晶体管的电阻和因而组合的电阻Rf(无源或有源电阻器和晶体管的组合电阻)。在另一实例中，控制信号是导通/截止彼此并联耦合在一起的任何数量的晶体管以提供电阻Rf的数字总线。在一个实施例中，只有晶体管提供有效电阻Rf，即，没有耦合到晶体管的无源电阻器。
在一个实施例中，放大器201和211具有-A的增益(其中A＝Vo/Vin)。在一个实施例中，放大器201和211是具有串联耦合到n型设备的p型设备的反相器。在另一实施例中，放大器201和211是运算放大器(OPAMP)。在其它实施例中，可使用其它形式的放大器。
在一个实施例中，电容设备203和213具有相应的第一和第二端子，它们相应的第一端子耦合到放大器201和211的输入端204和214。电容设备203和213的第二端子形成相应的第一和第二微分器101和102的输入端。在这个实施例中，(第二微分器102的)电容设备213的第二端子耦合第一微分器101的输出节点Out。在这个实施例中，电容设备203的第二端子耦合到第二微分器102的输出端子In(也是第一微分器101的输入端子)。
在本文讨论的实施例中，电容设备203和213具有Cf的电容。在一个实施例中，电容设备203和213是无源设备。在其它实施例中，电容设备203和213由在电容模式中操作的有源设备(例如晶体管)形成。在其它实施例中，电容设备203和213被实现为任何已知设计的变容二极管。在一个实施例中，通过使被称为金属电容器的金属层交错来实现电容设备203和213。在其它实施例中，通过使金属层和在电容模式中可操作的有源晶体管交错来实现电容设备203和213。在一个实施例中，电容设备203和213具有由控制信号Vctrl或仅用于电容设备203和213的另一控制信号(未示出)控制的可变电容，该另一控制信号不同于调节Rf的控制电压。
在一个实施例中，电阻设备202和212及电容设备203和213都具有由控制信号例如(并包括)Vctrl可控制的相应的可变电阻和电容。在另一实施例中，只有电阻设备202和212具有由控制信号(例如(并包括)Vctrl)可控制的可变电阻，而电容设备203和213的电容具有固定的电容。在另一实施例，只有电容设备203和213具有由控制信号(例如(并包括)Vctrl)可控制的可变电容，而电阻设备(202和212)的电阻具有固定的电阻。
包括作为放大器201和211的反相器的第一微分器101和/或第二微分器102的下面的小信号分析示出如图1和图2所示由耦合在一起的第一微分器101和第二微分器102形成的振荡器产生具有振荡频率的输出信号(在输出节点Out上)，该振荡频率不是放大器201和211的电源或增益的函数。
第一微分器101和/或第二微分器102的s域中的传递函数可被表示为：
H ( s ) = V o V i = - sA s + A / R f C f
其中“A”是反相器201或211的增益，其被表示为反相器的p型和n型晶体管的跨导的和之比，即，(gmn+gmp)/(gop+gon)，其中Vo是节点Out处的输出电压，而Vi是在节点In处的输入电压，其中Rf是反馈电阻器202/212的有效电阻，且其中Cf是电容设备203/213的有效电容。
根据对振荡的Bark-Hausen标准，下式被满足：
1+H(s)*H(s)＝0
对上面的方程求解导致：
s 2 + s 2 A ( A 2 + 1 ) R f C f + A 2 ( A 2 + 1 ) ( R f C f ) 2 = 0
假设A2>>1，对上述方程的解产生两个右半平面极对，给出为：
S 1,2 = - 1 R f C f ( 1 A ± j )
这说明振荡将开始，且然后极对将移动到在右半平面和左半平面之间的线，所以振荡被维持。自偏置振荡器100/200的振荡频率被给出为：
f o = 1 2 π · R f C f
本文的分析说明自偏置振荡器100/200的振荡频率取决于第一微分器102和/或第二微分器102的相应的反馈电阻器202/212和电容设备203/213的电阻Rf和电容Cf。
本文的分析说明在具有取决于电源电压(Vcc)的振荡频率的传统环形振荡器之间的基本差异，且因此传统环形振荡器容易受到来自电源噪声的抖动。
图3是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器100/200的电压控制电阻设备300/202/212。参考图1-2描述了图3的实施例。在这个实施例中，电阻设备300/202/212包括晶体管，其栅极端子耦合到控制信号Vctrl。虽然本文的实施例讨论了n型晶体管MN1，但也可使用能够响应于改变控制信号Vctrl的电压电平而提供可调节电阻的任何晶体管。
例如在一个实施例中，晶体管是p型晶体管。在另一实施例中，晶体管是p型和n型晶体管(例如传输通过栅极)的组合。虽然本文的实施例示出单个晶体管MN1，彼此串联或并联的多个晶体管可被使用并由控制信号Vctrl控制以提供可调节电阻。
在一个实施例中，具有可调节电阻的晶体管与另一电阻设备R1串联耦合以提供有效电阻Rf。在一个实施例中，电阻设备R1具有固定电阻。在另一实施例中，使用无源电阻器(例如多电阻器或分立电阻器)来实现电阻设备R1。在其它实施例中，可使用电阻设备R1的其它实现方式。例如，电阻设备R1是总是导通的晶体管。在一个实施例中，不使用电阻设备R1，且有效电阻Rf由晶体管MN1提供。
图4是根据本公开的另一实施例的自偏置振荡器100/200的电压控制电阻设备400/202/212。参考图1-2描述图4。在该实施例中，将提供可调节电阻的晶体管并联耦合到电阻设备R1以提供有效电阻Rf。在一个实施例中，不使用电阻设备R1，且有效电阻Rf由并联晶体管提供。
虽然本文的实施例描述n型晶体管MN1，可使用能够响应于改变控制信号Vctrl的电压电平而提供可调节电阻的任何晶体管。
例如在一个实施例中，晶体管是p型晶体管。在另一实施例中，晶体管是p型和n型晶体管(例如传输通过栅极)的组合。虽然本文的实施例示出单个晶体管MN1，彼此串联或并联的多个晶体管可被使用并由控制信号Vctrl控制以提供可调节电阻。
在一个实施例中，电阻设备R1具有固定电阻。在另一实施例中，使用无源电阻器(例如多电阻器或分立电阻器)来实现电阻设备R1。在其它实施例中，可使用电阻设备R1的其它实现方式。例如，电阻设备R1是总是导通的晶体管。
图5是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器100/200的数字控制电阻设备500/202/212。参考图1-2描述图5。在这个实施例中，多个数字控制晶体管耦合在一起以提供可调节电阻，并耦合到电阻设备R1以提供有效电阻Rf。在一个实施例中，不使用电阻设备R1且数字控制晶体管提供有效电阻Rf。
在该实施例中，控制信号Vctrl是“N”位的数字总线Vctrl_digital[1:N]，其中“N”是大于或等于1的整数。在一个实施例中，数字总线Vctrl_digital[1:N]的每个位耦合到晶体管的栅极端子，其可根据所耦合的位信号的信号电平而导通或截止。
虽然本文的实施例描述了并联的n型晶体管MN1，可使用能够响应于改变控制信号Vctrl的电压电平来提供可调节电阻的任何晶体管。例如，在一个实施例中，晶体管是p型晶体管。在另一实施例中，晶体管是p型和n型晶体管(例如，传输通过栅极)的组合。虽然本文的实施例示出与电阻设备R1串联的晶体管MN1-N，晶体管MN1-N可与电阻设备R1并联。
在一个实施例中，电阻设备R1具有固定电阻。在另一实施例中，使用无源电阻器(例如多电阻器或分立电阻器)来实现电阻设备R1。在其它实施例中，可使用电阻设备R1的其它实现方式。例如，电阻设备R1是总是导通的晶体管。
图6是根据本公开的一个实施例的具有自偏置振荡器100/200的锁相环路(PLL)600。在一个实施例中，PLL 600包括相位检测器601、电荷泵、滤波器603、振荡器100和分频器605。为了不模糊本公开的实施例，示出了简化的PLL 600，而未详细示出。
在这个实施例中，自偏置振荡器100/200用作PLL 600的电压控制振荡器，其中自偏置振荡器100/200提供电压可调节输出时钟信号，该电压可调节输出时钟信号对于在自偏置振荡器100/200的电源上的电源噪声具有小的或无敏感性。在一个实施例中，相位检测器601比较参考时钟信号与通过由分频器605划分输出时钟信号而产生的反馈时钟信号。在一个实施例中，相位检测器601的输出是up/dn信号，其表示反馈时钟信号的相位是否在参考时钟信号的相对相位前面或后面。任何已知的相位检测器架构可用于实现相位检测器601。
在一个实施例中，相位检测器601的输出(up/dn)信号由电荷泵602接收。在一个实施例中，电荷泵602产生指示控制电压Vctrl是否应相对于其以前的值升高或降低的电流或电压(例如，vcp)。在本文可使用任何已知的电荷泵。在一个实施例中，电荷泵的输出vcp由模拟滤波器(例如RC网络)过滤，以产生控制信号Vctrl来控制电阻设备202/212的电阻和/或电容以及自偏置振荡器100/200的电容设备203/213。在一个实施例中，电阻设备是参考图3-4讨论的设备。
图7是根据本公开的一个实施例的具有自偏置振荡器100/200的数字锁相环路(DPLL)700。在一个实施例中，DPLL 700包括相位检测器601、控制器或有限状态机(FSM)701、数字滤波器702、数字自偏置振荡器100/200和分频器605。为了不模糊本公开的实施例，示出简化的DPLL 700，而未详细示出。在一个实施例中，数字锁相环路是全数字锁相环路(ADPLL)。
在这个实施例中，自偏置振荡器100/200用作DPLL 700的数字控制振荡器，其中自偏置振荡器100/200提供电压可调节输出时钟信号，该电压可调节输出时钟信号对自偏置振荡器100/200的电源电压具有小的或没有敏感性。在一个实施例中，相位检测器601(如参考图6讨论的)比较参考时钟信号与通过由分频器605划分输出时钟信号而产生的反馈时钟信号。在一个实施例中，相位检测器601的输出是up/dn信号，其表示反馈时钟信号的相位是否在参考时钟信号的相对相位前面或后面。
在一个实施例中，相位检测器601的输出up/dn信号由控制器701接收，该控制器701产生指示自偏置DCO(数字控制振荡器)100/200的阶跃尺寸和振荡频率设置的数字代码。在一个实施例中，控制器701的输出代码由过滤代码中的噪声的数字滤波器702接收并产生如参考图5描述的Vctrl_digital[1:N]信号。DCO 100/200的输出接着由分频器605划分用于比较反馈信号与参考时钟信号。
参考振荡器性能参数，与传统反相器环形振荡器、伪微分反相器环形振荡器、自偏置CML环形振荡器比较，本文讨论的实施例提供几个意想不到的结果。
例如，本文讨论的实施例提供较低电源噪声抑制、较低峰间抖动、较低功耗、较低Kvcc GHz/V、较低Kvctrl GHz/V和Kvctrl/Kvcc的较高比，其中Kvcc是相对于电源电压(Vcc)的变化的振荡频率增益，且其中Kvctrl是相对于控制电压Vctrl的变化的振荡器的频率增益。
表1提供包括自偏置振荡器100/200的四个不同的振荡器的性能参数的比较。从顶部起的三个振荡器是传统振荡器。性能结果基于1V电源(Vcc)和可操作来提供2-6GHz的振荡频率范围的振荡器。
参数I(vcc)指示由振荡器消耗的电流以提供在相同的电源电平处的相同振荡频率。参数“PSN”指示对相同的电源注入噪声的以皮秒为单位的峰间抖动。参数Kvcc是相对于电源电压(Vcc)的变化的振荡频率增益。参数Kvctrl是相对于控制电压Vctrl的变化的振荡器的频率增益。参数KVctrl/Kvcc关于控制敏感性是电源敏感的。
表1：性能参数的比较
如表1中所示，自偏置振荡器100/200比大部分传统振荡器消耗少得多的功率。自偏置振荡器100/200展示高电源抑制比并具有更高的Kvctrl/Vcc比。
图8是根据本公开的一个实施例的包括具有自偏置振荡器100/200的处理器的智能设备1600的系统级视图。图8还示出移动设备的实施例的框图，其中可使用扁平表面接口连接器。在一个实施例中，计算设备1600代表移动计算设备，例如平板计算机、移动电话或智能电话、启用无线的电子阅读器或其它无线移动设备。将理解，通常示出某些部件，而并非这样的设备的所有部件都在设备1600中示出。
在一个实施例中，计算设备1600根据本文讨论的实施例包括具有自偏置振荡器100的第一处理器1610和具有自偏置振荡器100的第二处理器1690。自偏置振荡器100可放置在任何适当的区域中以提供振荡信号。
本公开的各种实施例也可包括网络接口1670(例如无线接口)，使得系统实施例可合并到无线设备，例如蜂窝电话或个人数字助理中。
在一个实施例中，处理器610可包括一个或多个物理设备，例如微处理器、应用处理器、微控制器、可编程逻辑设备或其它处理装置。由处理器1610执行的处理操作包括操作平台或操作系统的执行，应用和/或设备功能在操作平台或操作系统上被执行。处理操作包括与人用户或其它设备的I/O(输入/输出)有关的操作、与功率管理有关的操作和/或与将计算设备1600连接到另一设备有关的操作。处理操作还可包括与音频I/O和/或显示器I/O有关的操作。
在一个实施例中，计算设备1600包括音频子系统1620，其代表与向计算设备提供音频功能相关的硬件(例如音频硬件和音频电路)和软件(例如驱动器、编码译码器)部件。音频功能可包括扬声器和/或耳机输出以及麦克风输入。用于这样的功能的设备可集成到设备1600中或连接到计算设备1600。在一个实施例中，用户通过提供由处理器1610接收并处理的音频命令来与计算设备1600互动。
显示子系统1630代表提供视觉和/或触觉显示器用于使用户与计算设备互动的硬件(例如显示设备)和软件(例如驱动器)部件。显示子系统1630包括显示接口1632，其包括用于向用户提供显示器的特定屏幕或硬件设备。在一个实施例中，显示接口1632包括与处理器1610分离的逻辑，以执行与显示器有关的至少一些处理。在一个实施例中，显示子系统1630包括向用户提供输出和输入的触摸屏(或触控板)设备。
I/O控制器1640代表和与用户的互动有关的硬件设备和软件部件。I/O控制器1640可操作来管理硬件，其为音频子系统1620和/或显示子系统1630的部分。此外，I/O控制器1640示出连接到设备1600的额外设备的连接点，用户可通过设备1600与系统互动。例如，可附接到计算设备1600的设备可包括麦克风设备、扬声器或立体声系统、视频设备或其它显示设备、键盘或小键盘设备、或用在特定的应用(例如读卡器或其它设备)上的其它I/O设备。
如上面提到的，I/O控制器1640可与音频子系统1620和/或显示子系统1630互动。例如，通过麦克风或其它音频设备的输入可为计算设备1600的一个或多个应用或功能提供输入或命令。此外，代替或除了显示输出以外，还可提供音频输出。在另一例子中，如果显示子系统包括触摸屏，则显示设备还充当输入设备，其可至少部分地被I/O控制器1640管理。还可以具有在计算设备1600上的额外按钮或开关，以提供由I/O控制器1640管理的I/O功能。
在一个实施例中，I/O控制器1640管理设备，例如加速度计、照相机、光传感器或其它环境传感器或可包括在计算设备1600中的其它硬件。输入可以是直接用户互动的部分，以及向系统提供环境输入以影响其操作(例如针对噪声进行滤波、针对亮度检测调节显示器、对照相机应用闪光灯或其它特征)。
在一个实施例中，计算设备1600包括管理电池功率使用、电池的充电、以及与功率节约操作有关的特征的功率管理器1650。存储器子系统1660包括用于将信息存储在设备1600中的存储器设备。存储器可包括非易失性(如果到存储器设备的功率被中断，则状态不改变)和/或易失性(如果到存储器设备的功率被中断，则状态是不确定的)存储器设备。存储器1660可存储应用数据、用户数据、音乐、照片、文件或其它数据以及与计算设备1600的应用和功能的执行有关的系统数据(不管是长期的还是临时的)。
实施例的元件也被设置为用于存储计算机可执行指令(例如实现本文讨论的任何其它过程的指令)的计算机可读介质(例如存储器1660)。机器可读介质(例如存储器1660)可包括但不限于闪存、光盘、CD-ROM、DVDROM、RAM、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡或适合于存储电子或计算机可执行指令的其它类型的机器可读介质。例如，本公开的实施例可被下载为计算机程序(例如，BIOS)，其可经由通信链路(例如调制解调器或网络连接)通过数据信号的方式从远程计算机(例如服务器)转移到请求计算机(例如客户端)。
连接1670包括硬件设备(例如无线和/或有线连接器和通信硬件)和软件部件(例如驱动器、协议堆栈)，以使计算设备100能够与外部设备通信。设备1600可以是单独的设备，例如其它计算设备、无线接入点或基站以及外围设备(例如头戴式耳机、打印机或其它设备)。
连接1670可包括多种不同类型的连接。为了一般化，示出具有蜂窝连接1672和无线连接1674的计算设备1600。蜂窝连接1672通常指由无线载体提供(例如经由GSM(全球移动通信系统)或变形体或衍生物、CDMA(码分多址)或变形体或衍生物、TDM(时分复用)或变形体或衍生物或其它蜂窝服务标准提供)的蜂窝网络连接。无线连接1674指的是并非蜂窝的无线连接，并可包括个人区域网(例如蓝牙、近场等)、局域网(例如Wi-Fi)和/或广域网(例如WiMax)或其它无线通信。
外围连接1680包括硬件接口和连接器以及软件部件(例如驱动器、协议堆栈)以产生外围连接。将理解的是，计算设备1600可以是其它计算设备的外围设备(“到”1682)以及连接到它的外围设备(“从”1684)。计算设备1600通常具有“对接”连接器，以连接到其它计算设备用于诸如管理(例如下载和/或上传、改变、同步化)设备1600上的内容的目的。此外，对接连接器可允许设备1600连接到某些外围设备，其允许计算设备1600控制例如视听或其它系统的内容输出。
除了专用对接连接器或其它专用连接硬件以外，计算设备1600可经由普通或基于标准的连接器产生外围连接1680。普通类型可包括通用串行总线(USB)连接器(其可包括多个不同的硬件接口中的任一个)、包括迷你显示器端口(MDP)的显示器端口、高清多媒体接口(HDMI)、火线或其它类型。
本文讨论的自偏置振荡器100可用于无线电路。在一个实施例中，在块1670、1680、1620、1640和1630中使用自偏置振荡器100，以提供具有电源噪声免疫性、低功耗和面积比传统振荡器小的振荡信号。
在说明书中对“实施例”、“一个实施例”、“一些实施例”或“其它实施例”的提及意指关于实施例描述的特定特征、结构或特性包括在至少一些实施例但不一定所有实施例中。“实施例”、“一个实施例”或“一些实施例”的不同出现并不一定都指同一实施例。如果说明书陈述部件、特征、结构或特性“可以(may)”、“可以(might)”或“可能(could)”被包括，特定的部件、特征、结构或特性不需要被包括。如果说明书或权利要求指“一”或“一个”元件，则并不意味着只有一个元件。如果说明书或权利要求指“额外的”元件，则并不排除有多于一个额外的元件。
虽然本发明结合其特定的实施例被描述，然而根据前述描述，这样的实施例的很多可选形式、修改和变化将对于本领域技术人员而言是明显的。
例如，第一和第二微分器的电容设备可独立于彼此而被控制。在一个实施例中，第一微分器的电容设备被制造成可调节的，而第二微分器的电容设备是固定的。在另一实施例中，第二微分器的电容设备被制造成可调节的，而第一微分器的电容设备是固定的。在一个实施例中，第一和第二微分器的电阻设备可独立于彼此而被控制。在一个实施例中，第一微分器的电阻设备被制造成可调节的，而第二微分器的电阻设备是固定的。在另一实施例中，第二微分器的电阻设备被制造成可调节的，而第一微分器的电阻设备是固定的。在其它实施例中，第一和第二微分器的固定和可调节电容和电阻设备的各种组合可用于形成振荡器。
本公开的实施例旨在包括如落在所附权利要求的宽范围内的所有这样的可选形式、修改和变形。
此外，为了说明和讨论的简单，且为了不使本公开难理解，到集成电路(IC)芯片和其它部件的公知功率/接地可以或可以不在所呈现的附图中示出。此外，布置可以在方框图形式中示出，以便避免使本公开难理解，且也考虑到关于这样的方框图布置的实现的细节高度依赖于平台(本公开应在该平台内实现)，即，这样的细节应完全在本领域技术人员的范围内。在特定的细节(例如电路)被阐述以便描述本公开的示例性实施例的场合，对本领域技术人员应明显的是，可在没有或具有这些特定细节的变化的情况下实施本公开。本描述因此应被视为例证性的而不是限制性的。
下面的例子涉及另外的实施例。可在一个或多个实施例中的任何地方使用在例子中的细节。也可关于方法或过程实现本文描述的装置的所有可选的特征。
例如，在一个实施例中，该装置包括：具有可调节电阻或电容的第一微分器，第一微分器具有输出节点和输入节点；以及具有可调节电阻或电容的第二微分器，第二微分器具有耦合到第一微分器的输出节点的输入节点，并具有耦合到第一微分器的输入节点的输出节点。
在一个实施例中，第一和第二微分器包括：具有输入节点和输出节点的放大器；以及具有耦合到放大器的输入节点的节点的电阻设备。在一个实施例中，第一和第二微分器包括：与电阻设备串联或并联地耦合的可切换设备，其中可切换设备具有耦合到放大器的输出节点的节点。在一个实施例中，可切换设备具有由控制信号可控制的电阻。在一个实施例中，电阻设备具有由控制信号可控制的电阻。在一个实施例中，放大器是反相器或运算放大器(OPAMP)。
在一个实施例中，第一微分器包括：电容设备，其具有耦合到第一微分器的输入节点的第一节点和耦合到放大器的输入端的第二节点。在一个实施例中，电容设备是具有由控制信号可控制的电容的变容二极管。在一个实施例中，电容设备的第一节点耦合到第二微分器的输出节点。在一个实施例中，第二微分器包括：电容设备，其具有耦合到第二微分器的输入节点的第一节点和耦合到放大器的输入端的第二节点。在一个实施例中，电容设备是具有由控制信号可控制的电容的变容二极管。在一个实施例中，电容设备的第一节点耦合到第二微分器的输出节点。
在一个实施例中，该装置还包括用于产生控制信号以调节第一和第二微分器的电阻或电容的电路。在一个实施例中，第一和第二微分器耦合在一起用于作为振荡器来操作。在一个实施例中，第一微分器的输出节点具有输出信号，其具有与被提供到第一微分器的放大器的电源无关的振荡频率。
在另一例子中，该装置包括：第一微分器；以及第二微分器，其耦合到第一微分器以形成具有与第一和第二微分器的电源无关的振荡频率的振荡器。在一个实施例中，第一和第二微分器包括：具有输入节点和输出节点的放大器；以及具有耦合到放大器的输入节点的节点的电阻设备。在一个实施例中，第一和第二微分器包括：与电阻设备串联或并联地耦合的可切换设备，其中可切换设备具有耦合到放大器的输出节点的节点。在一个实施例中，电阻设备具有由控制信号可控制的电阻。在一个实施例中，放大器是反相器或运算放大器(OPAMP)。
在另一例子中，系统包括：无线天线；以及可操作来经由无线天线与其它设备通信的处理器，处理器包括根据本文讨论的装置的振荡器。在一个实施例中，系统还包括显示单元。
在另一例子中，相位或延迟闭锁环(即，电路)包括：比较参考时钟信号和反馈信号的相位的相位检测器；以及直接或间接产生反馈信号的振荡器，振荡器是根据本文讨论的装置。
提供了将允许读者确定技术公开的性质和要点的摘要。摘要在理解它将不用于限制权利要求的范围或意义的情况下被主张。下面的权利要求特此通过引用并入详细描述中，每个权利要求独立地作为单独的实施例。

Claims (30)

1.一种装置，包括：
第一微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第一微分器具有输出节点和输入节点；以及
第二微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第二微分器具有耦合到所述第一微分器的输出节点的输入节点，并具有耦合到所述第一微分器的输入节点的输出节点。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一微分器和所述第二微分器包括：
放大器，其具有输入节点和输出节点；以及
电阻设备，其具有耦合到所述放大器的输入节点的节点。
3.如权利要求1或2中的任一项所述的装置，其中所述第一微分器和所述第二微分器包括：
可切换设备，其串联或并联地耦合到所述电阻设备，其中所述可切换设备具有耦合到所述放大器的输出节点的节点。
4.如权利要求3所述的装置，其中所述可切换设备具有由控制信号可控制的电阻。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述电阻设备具有由控制信号可控制的电阻。
6.如权利要求2所述的装置，其中所述放大器是反相器或运算放大器(OPAMP)。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述第一微分器包括：
电容设备，其具有耦合到所述第一微分器的输入节点的第一节点和耦合到放大器的输入端的第二节点。
8.如权利要求2或7中的任一项所述的装置，其中所述电容设备是具有由控制信号可控制的电容的变容二极管。
9.如权利要求2或7中的任一项所述的装置，其中所述电容设备的第一节点耦合到所述第二微分器的输出节点。
10.如权利要求1所述的装置，其中所述第二微分器包括：
电容设备，其具有耦合到所述第二微分器的输入节点的第一节点和耦合到放大器的输入端的第二节点。
11.如权利要求2或10中的任一项所述的装置，其中所述电容设备是具有由控制信号可控制的电容的变容二极管。
12.如权利要求2或10中的任一项所述的装置，其中所述电容设备的第一节点耦合到所述第二微分器的输出节点。
13.如权利要求1所述的装置，还包括用于产生控制信号以调节所述第一微分器和所述第二微分器的电阻或电容的电路。
14.如权利要求1所述的装置，其中所述第一微分器和所述第二微分器耦合在一起用于作为振荡器来操作。
15.如权利要求1所述的装置，其中所述第一微分器的输出节点具有输出信号，所述输出信号具有与被提供到所述第一微分器的放大器的电源无关的振荡频率。
16.一种装置包括：
第一微分器；以及
第二微分器，其耦合到所述第一微分器以形成振荡器，所述振荡器具有与所述第一微分器和所述第二微分器的电源无关的振荡频率。
17.如权利要求16所述的装置，其中所述第一微分器和所述第二微分器包括：
放大器，其具有输入节点和输出节点；以及
电阻设备，其具有耦合到所述放大器的输入节点的节点。
18.如权利要求17所述的装置，其中所述第一微分器和所述第二微分器包括：
可切换设备，其串联或并联地耦合到所述电阻设备，其中所述可切换设备具有耦合到所述放大器的输出节点的节点。
19.如权利要求17所述的装置，其中所述电阻设备具有由控制信号可控制的电阻。
20.如权利要求17所述的装置，其中所述放大器是反相器或运算放大器(OPAMP)。
21.一种系统，包括：
无线天线；以及
处理器，其可操作来经由所述无线天线与其它设备通信，所述处理器包括振荡器，所述振荡器包括；
第一微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第一微分器具有输出节点和输入节点；以及
第二微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第二微分器具有耦合到所述第一微分器的输出节点的输入节点，并具有耦合到所述第一微分器的输入节点的输出节点。
22.如权利要求21所述的系统，其中所述振荡器是根据装置权利要求2到15中的任一项。
23.如权利要求21所述的系统，还包括显示单元。
24.一种系统，包括：
无线天线；以及
处理器，其可操作来经由所述无线天线与其它设备通信，所述处理器包括振荡器，所述振荡器包括；
第一微分器；以及
第二微分器，其耦合到所述第一微分器以形成振荡器，所述振荡器具有与所述第一微分器和所述第二微分器的电源无关的振荡频率。
25.如权利要求24所述的系统，其中所述振荡器是根据装置权利要求16到20中的任一项。
26.如权利要求24所述的系统，还包括显示单元。
27.一种电路，包括：
相位检测器，其比较参考时钟信号和反馈信号的相位；以及
振荡器，其直接或间接地产生所述反馈信号，所述振荡器包括：
第一微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第一微分器具有输出节点和输入节点；以及
第二微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第二微分器具有耦合到所述第一微分器的输出节点的输入节点，并具有耦合到所述第一微分器的输入节点的输出节点。
28.如权利要求27所述的电路，其中所述振荡器是根据装置权利要求1到15中的任一项。
29.一种电路，包括：
相位检测器，其比较参考时钟信号和反馈信号的相位；以及
振荡器，其直接或间接地产生所述反馈信号，所述振荡器包括：
第一微分器；以及
第二微分器，其耦合到所述第一微分器以形成振荡器，所述振荡器具有与所述第一微分器和第二微分器的电源无关的振荡频率。
30.如权利要求29所述的电路，其中所述振荡器是根据装置权利要求16到20中的任一项。
CN201280071591.0A 2012-03-19 2012-03-19 自偏置振荡器 Active CN104285375B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2012/029647 WO2013141837A1 (en) 2012-03-19 2012-03-19 Self-biased oscillator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104285375A true CN104285375A (zh) 2015-01-14
CN104285375B CN104285375B (zh) 2018-07-10

Family

ID=49223112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280071591.0A Active CN104285375B (zh) 2012-03-19 2012-03-19 自偏置振荡器

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9490823B2 (zh)
CN (1) CN104285375B (zh)
WO (1) WO2013141837A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108781070A (zh) * 2016-03-02 2018-11-09 高通股份有限公司 可变频率rc振荡器
CN117060921A (zh) * 2023-08-15 2023-11-14 合芯科技(苏州)有限公司 差分压控环路振荡器及频率调节方法、电子电路

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102527386B1 (ko) 2018-07-13 2023-04-28 삼성전자주식회사 전류 미러를 포함하는 디지털 제어 오실레이터

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4547749A (en) * 1983-12-29 1985-10-15 Motorola, Inc. Voltage and temperature compensated FET ring oscillator
WO2004027979A1 (en) * 2002-09-23 2004-04-01 Ericsson Inc. Integrated, digitally-controlled crystal oscillator
US20080036512A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Keiichi Yamamoto Signal delay circuit and driver circuit, signal transmission module, and signal transmission system using signal delay circuit
CN102281061A (zh) * 2010-06-08 2011-12-14 香港科技大学 基于相位调谐技术调谐lc振荡器频率的方法和电路

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3800241A (en) * 1972-09-20 1974-03-26 Fluke J Mfg Co Inc Voltage peak sampled amplitude controlled phase shift oscillator
US5576647A (en) * 1995-06-22 1996-11-19 Marvell Technology Group, Ltd. Charge pump for phase lock loop
US5673005A (en) * 1995-08-18 1997-09-30 International Business Machine Corporation Time standard circuit with delay line oscillator
US5955929A (en) * 1996-08-27 1999-09-21 Silicon Image, Inc. Voltage-controlled oscillator resistant to supply voltage noise
JPH1188127A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Texas Instr Japan Ltd 発振回路
US6717478B1 (en) * 2001-04-09 2004-04-06 Silicon Image Multi-phase voltage controlled oscillator (VCO) with common mode control
US6535071B2 (en) * 2001-05-17 2003-03-18 Micron Technology, Inc. CMOS voltage controlled phase shift oscillator
US6765448B2 (en) 2002-10-30 2004-07-20 Qualcomm Incorporated Self-biased VCO
US7342462B1 (en) * 2006-08-03 2008-03-11 Agere Systems, Inc. Quadrature LC voltage controlled oscillator with opposed bias and coupling control stages
JP2008054134A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd リング発振器及びそれを備えた半導体集積回路及び電子機器
JP4908284B2 (ja) * 2007-03-28 2012-04-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電圧制御発振器
EP2081291A1 (en) 2008-01-18 2009-07-22 Seiko Epson Corporation Biasing circuit and method for voltage controlled oscillators
US8031011B2 (en) * 2008-06-27 2011-10-04 Altera Corporation Digitally controlled oscillators
US7961057B2 (en) 2008-08-28 2011-06-14 Mediatek Singapore Pte Ltd Voltage controlled oscillator
JP5171603B2 (ja) * 2008-12-25 2013-03-27 株式会社東芝 Ｐｌｌ回路、及び無線機
JP2011024039A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Toshiba Corp 局部発振器
US20110267148A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Wilinx Corporation Multiphase VCO Circuits and Methods with Wide Tuning Range
KR20120100248A (ko) * 2011-03-03 2012-09-12 삼성전자주식회사 디지털 제어 발진기

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4547749A (en) * 1983-12-29 1985-10-15 Motorola, Inc. Voltage and temperature compensated FET ring oscillator
WO2004027979A1 (en) * 2002-09-23 2004-04-01 Ericsson Inc. Integrated, digitally-controlled crystal oscillator
US20080036512A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Keiichi Yamamoto Signal delay circuit and driver circuit, signal transmission module, and signal transmission system using signal delay circuit
CN102281061A (zh) * 2010-06-08 2011-12-14 香港科技大学 基于相位调谐技术调谐lc振荡器频率的方法和电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
EI MOURABIT等: "Cmos ring oscillators with enhanced frequency operation", 《22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108781070A (zh) * 2016-03-02 2018-11-09 高通股份有限公司 可变频率rc振荡器
CN117060921A (zh) * 2023-08-15 2023-11-14 合芯科技(苏州)有限公司 差分压控环路振荡器及频率调节方法、电子电路
CN117060921B (zh) * 2023-08-15 2024-06-11 合芯科技(苏州)有限公司 差分压控环路振荡器及频率调节方法、电子电路

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013141837A1 (en) 2013-09-26
CN104285375B (zh) 2018-07-10
US9490823B2 (en) 2016-11-08
US20130271227A1 (en) 2013-10-17
US20170194974A1 (en) 2017-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10389301B2 (en) Method and apparatus for reconfigurable multicore oscillator
KR101620391B1 (ko) 충전 펌프 노드 전압 레벨들을 안정화하는 시스템 및 방법
US11495382B2 (en) High Q-factor inductor
CN104242876A (zh) 用于大量制造的管芯上可微调无源部件
CN105683855A (zh) 用于扩展电路频率范围并且用于超频或降频的装置及方法
US20060119444A1 (en) Phase locked loop with a switch capacitor resistor in the loop filter
JP2024073587A (ja) クロック及び電圧の自律セキュリティ及び機能安全のための装置
CN103944515A (zh) 数字控制的振荡器的频率调谐和步控制
JP2017529690A (ja) Ｑ値が改善されたオンダイインダクタ
TW202010263A (zh) 用於迴路電路之基於電壓調節器的迴路濾波器以及迴路濾波方法
US8638173B2 (en) System and method of calibrating a phase-locked loop while maintaining lock
US20200274491A1 (en) Crystal oscillator interconnect architecture with noise immunity
CN104285375A (zh) 自偏置振荡器
US11188117B2 (en) Low latency analog adaptive clocking
CN105122649A (zh) 高速双模分频器
CN103580607A (zh) 一种压控振荡器电路
CN104300972A (zh) 一种粗调和细调相结合的环形压控振荡器电路
CN105162461B (zh) 用于在环形振荡器中减小周期性抖动的装置
CN209805792U (zh) 锁相环频率综合器
US8664991B1 (en) Apparatus and methods for phase-locked loops
US9768788B2 (en) Phase-locked loop with lower power charge pump
CN110875738B (zh) 晶体振荡器控制电路以及相关的振荡器装置
TW201635716A (zh) 電源產生電路、頻率產生電路與頻率控制系統
US6806759B2 (en) Tri-state charge pump
WO2015074184A1 (zh) 一种可变压控灵敏度的压控振荡器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant