CN102281061A - 基于相位调谐技术调谐lc振荡器频率的方法和电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于相位调谐技术调谐LC振荡器频率的方法和电路,其中一种可调谐的多相位输出环形振荡器包含了串连成环状结构的多级电路,其中每一级电路从前一级电路的输出信号中产生这一级电路的输出信号。该可调谐的多相位输出环形振荡器的每一级电路包含了多个跨导单元,每个单元从这级电路的输入信号的至少一部分中产生一个输出信号。每级电路还包含了至少一个相移模块用来给这级电路的输入信号的至少一部分施加至少一个相移;一个振荡器单元,其通过多个输出信号的总和来产生这一级电路的输出信号;以及用来改变所述多个输出信号中的至少一个以调谐这级电路输出信号相位的装置。
Description
技术领域
概括地来说,本发明涉及一种LC振荡器,具体地来说是涉及一种运用了调相调频技术的,具有多相位输出的LC振荡器。
背景技术
在有线传输和无线传输的通讯系统中,能产生低噪声时钟或者本地振荡(LO)信号的LC振荡器是一类十分关键的部件。而且现代的通讯系统往往需要多种相位的时钟或者是LO信号。比如说,零中频(zero-IF)的接收机需要同相位和正交相位(I&Q)的信号来调制和解调,I&Q信号也是,例如像weaver和hartley类型的镜像抑制接收机,工作的先决条件。此外,其他的应用,例如,相控阵雷达和半采样速率的时钟和数据恢复,同样需要多相位的时钟或者LO信号。
为了在不同频率的信道上接收或者发射信号,或是为了应对工艺、电压和温度的变化,在实际应用中,需要LC振荡器的频率是可调的。通常来说,电容调谐的方法包括变容二极管调谐和开关电容阵列,是最广泛地被应用来调节LC振荡器的振荡频率的。但是,这种电容调谐的方法却存在着很多缺陷。比如说,用来调谐频率的电容会严重地加载谐振腔的负荷,导致更低的工作频率和更高的功耗;调谐电容也会造成调幅噪声向调相噪声(AM-to-PM)转换,从而降低相位噪声的性能和损害振荡器的稳定性;此外,电容调谐的方法需要在深亚微米的CMOS技术中不能获得的足够大范围的调谐电压。
在另一方面,强大的CMOS缩微技术使设计和集成在毫米波(MMW)频段下的压控振荡器(VCOs)成为可能。相比射频(RF)的压控振荡器,因为更低劣的调谐电容的品质因数(Q),和由GHz/V量级的大的压控振荡器增益造成的严重AM-to-PM噪声转换,毫米波压控振荡器的频谱纯度严重地下降。此外,调谐电容的有效调谐比例和品质因数之间更为苛刻的折衷关系,以及在深亚微米CMOS技术中降低了的供电电压,使得电容调谐的方法对毫米波压控振荡器变得更加地无效。
在此,已知为品质因数的Q因数是一个描述电振荡器或谐振器欠阻尼程度或者相当于表征谐振器相对于其中心频率的带宽的无维参数。Q因数越高表示振荡器的能量损失相对于所存储的能量而言速度越慢。换句话说,振荡衰减越慢。另一方面,Q因数越高的振荡器阻尼越低,因此振荡时间越长。在电谐振系统中,Q因数由电路的电阻、电感和电容确定。
发明内容
本发明提供了一种无需使用电容调谐来调谐具有多相位输出的基于LC的环形振荡器的振荡频率的方法以及相关的设备。
概括地来说,这个方法提供了一种通过调谐相位来调谐基于LC的环形振荡器工作频率的技术,其无需在环形振荡器任何一级的LC谐振腔中使用可调谐的容性器件。具体地来说,这种相位调谐的LC环形振荡器包含了多级电路,每一级电路均含有一个差分电路。该振荡器的多级电路之间互相连接而形成了一个环状的结构,其中每一级电路中都有一个主要的LC谐振腔,其可以在各自的每一级电路中,提供一定量的固定相移。每一级电路都被装备了一个具有可调谐的或者等效于可调谐的相移的相位调谐(phase tuning,PT)单元,通过调谐这些单元的相移,在每一级电路中的主LC谐振腔的相移会被相应地改变,以使得整个环形振荡器的相位条件得到满足。因此,整个环形振荡器的工作频率可以被充分地调谐和控制。
通过适当地决定每一个相位调谐单元所提供的相移,可以使LC环形振荡器在以每一级电路中得主LC谐振腔的峰值频率为中心的一定的频率范围内工作。LC环形振荡器的振荡频率可以低于,高于或者基本上等于主LC谐振腔的峰值频率。此应用于LC环形振荡器的相位调谐的方法可以有效地克服传统电容调谐方法的很多缺点,其中包括了谐振腔品质因数的下降,AM-to-PM噪声转换,以及深亚微米CMOS电路中越来越小的供电电压对调频范围的限制。此外,LC环形振荡器的多级电路可以使用具有最佳的品质因数的LC谐振腔,对噪声进行多次地滤波。因此,本发明的调相调频的LC环形振荡器可以产生高频率、宽调频范围和低相位噪声的,具有多相位的输出信号。
作为更进一步的一个实施范例,一个调相调频的LC环形振荡器在一个0.13微米CMOS工艺被成功地实现,其可以产生在50GHz的、在10MHz偏移频率上有-127.8dBc/Hz相位噪声的、6.8%频率调谐范围的、-186.4dB品质因数(FoM)的、8相位的输出信号。在另一例实施范例中,一个同样用0.13微米CMOS工艺实现的调相调频LC环形振荡器,可以产生在60GHz的、在10MHz偏移频率上有-118.5dBc/Hz相位噪声的、9%频率调谐范围的、-180.5dB品质因数(FoM)的、4相位的输出信号。和传统的毫米波VCO集成电路相比,以上描述的调相调频LC环形振荡器可以提供更优越的相位噪声性能和更好的FoM。
在本发明的另一个可供选择的实施例中,提供了一种调谐多相位输出的LC振荡器频率的方法,其中该振荡器包括串连成环状结构的多级电路,并且每一级电路从前一级电路的输出信号中产生这一级电路的输出信号。这个方法包括:给一级电路的输入信号的至少一部分中施加一个相移;从这一级电路的输入信号中被相移的部分和未被相移的部分产生第一输出信号和第二输出信号,然后合并第一输出信号和第二输出信号来形成这一级电路的输出信号;并且通过改变第一输出信号和第二输出信号中的至少一个来调节这一级电路的输出信号的相位。
依照另外一个可供选择的实施方案,提供一种用于调谐多相位输出LC振荡器频率的方法,其中该多相位输出LC振荡器包括串连成环状结构的多级电路,并且每一级电路从前一级电路的输出信号中产生这一级电路的输出信号。这个方法包含,给一级电路的输入信号的至少一部分中施加至少一个相移;合并多个输出信号来形成这一级电路的输出信号;然后通过改变所述多个输出信号中的至少一个来调节这一级电路的输出信号的相位。
依照本发明的另外一个可供选择的实施方案,提供了一种可调谐的多相位输出环形振荡器。该振荡器包括串连成环状结构的多级电路。每一级电路利用前一级电路的输出信号产生这一级电路的输出信号,并且包括多个跨导单元、至少一个相移模块、一个振荡器单位、和用于调节这一级电路的输出信号的相位的装置。所述的每一个跨导单元利用这一级电路的输入信号的至少一部分来产生一个输出信号。所述至少一个相移模块给这一级电路的输入信号的至少一部分中施加至少一个相移。所述振荡器单元从多个跨导单元的输出信号的结合中产生这一级电路的输出信号。所述的用于调节这一级电路的输出信号的相位的装置包括用于改变所述多个跨导单元输出信号中的至少一个的装置。
附图说明
图1A描绘了一个依照本发明的示例性实施例的8相位输出LC振荡器的电路图;
图1B展示了图1A中所描述的LC振荡器中的LC谐振腔的频率响应;
图2A、2B、2C和2D描述了本发明所运用的具有可调相移的跨导电路的各种实现方法;
图3A描述了利用相位内插来产生可变相移的跨导电路的另一种实现方法;
图3B阐释了图3A中所描述的注入到LC谐振腔中的电流的矢量图;
图4A和4B分别描述了本发明所运用的具有固定相移的增益级的实现方法;
图5A描绘了另一个依照本发明的示例性实施例的4相位输出LC振荡器电路图;
图5B描述了一个依照图5A的实现方法的具有可调相移的跨导电路图;
图5C阐释了注入到图5B中所描述的LC谐振腔中的电流的矢量图;
图6分别展示了具备50GHz、8相位输出的和60GHz、4相位输出的两个调相调频LC振荡器原型的芯片图像;
图7描述了一个依照本发明的另一个实施例的多相位LC振荡器的电路图;
图8描述了一个依照本发明的再一个实施例的多相位LC振荡器电路图;
图9描述了依照本发明的各种实施例的调节多相位输出环形振荡器频率的方法的流程图。
具体实施方式
概括地说,这里所描述的发明提供了一种调节多相位输出环形振荡器频率的方法,该多相位输出环形振荡器包含了串连成环状结构的多级电路。依照本发明的各种不同的实施例,在各级电路的输入信号中引入一个相移,通过调谐输入信号的相移来来调节输出信号的相位,因而调谐环形振荡器的工作频率。
依照图9中所描述的一些可选择的实施方案,提供一种方法10来调谐多相位环形振荡器的工作频率。依照这种实施方案,当环形振荡器的各级接收到一个输入信号(11)时,至少有一个相移被施加给这个输入信号的至少一部分(12)。从输入信号中被相移的那部分产生了多个输出信号(13)。然后多个输出信号被结合在一起构成这一级电路的输出(14),其被用来当做下一级电路的输入。通过改变多个输出信号中的至少一个,来调节这级输出信号的相位,因而环形振荡器的工作频率可以被相应地调谐(15)。
在更进一步的实施方案中,通过一些可变的电路器件(其中包含一个或多个可调电容和一个或多个可调电阻),特定的相移可以在输入信号输入到各级电路之前引入到输入信号中去。通过调节这些可变的电路器件来调节每一级的相移,因而振荡器的工作频率可以被相应地调谐。
在另外一种实施方案中,在多相位振荡器的各级电路中,一个固定的相移可以被引入到输入信号中来产生第一输出信号。另外,一部分没有经过相移的输入信号可以用来产生第二输出信号。这第一和第二输出信号可以被合并来产生这一级电路的输出信号,其中这个输出信号是第一和第二输出信号的矢量合成。这一级电路输出信号的相移,因而也是振荡器的工作频率,可以通过调节第一和第二输出信号中的至少一个信号的幅度和相位,来被相应地调谐。
在再一种实施方案中,在每一级电路里,第一固定的相移可以被引入到输入信号的第一部分中来产生第一输出信号,并且第二固定的相移可以被引入到输入信号的第二部分中来产生第二输出信号。第一输出信号和第二输出信号可以被合并来产生这一级电路的输出信号,其中这个输出信号是第一输出信号和第二输出信号的矢量合成。这一级电路输出信号的相移因而也是振荡器的工作频率,可以通过调节第一和第二输出信号幅度中的至少一个,来被相应地调谐。
在又一种实施方案中,在每一级电路里,输入的信号可以被分成多个部分,各个不同的相移可以被分别引入到输入信号的各个部分中。多个均由被相移了的输入信号的各个部分产生的输出信号,可以被合成来产生这一级电路的输出信号,其中这个输出信号是多个输出信号的矢量合成。这一级电路输出信号的相移因而也是振荡器的工作频率,可以通过调节多个输出信号幅度中的至少一个,来被相应地调谐。
现在回到图1A,其描述了含有多级电路620的一个多相位输出LC振荡器600的电路图。每一级电路620包括一个LC谐振腔110和一个相位调谐单元610,后者拥有一对差分输入端和一对差分输出端。整个振荡器的多级电路被串联起来形成一个环状的结构,其中最后一级的输出端被连接到第一级的输入端。
每一个LC谐振腔110包含了两个分别连接于一个共用电压源Vdd和相位调谐单元610的两个差分输出端之间的基本LC振荡器。每一个基本的LC振荡器包含了并联的电感101/102和电容103/104。
在工作时,环形振荡器600产生一个环绕回路连续传播的开关瞬态,因而产生振荡。为了得到稳定的振荡,有两个条件必须要满足。第一,整个回路总共的电压增益至少要为1,这样在延回路传播时振荡信号才能不衰减或者渐渐消失。第二,整个回路总共的相位移动需要为零、或则概括地说为2π*M,这里M可以为任意的整数,这样在延回路传播一圈后振荡信号才能和自身同步,从而让自身保持稳定。
当所有级的电路620都基本上相同时,为了满足增益条件和相位条件,每一级电路620需要提供至少为1的增益和(π+2π*M)/N的相移,这里N代表了振荡器的级数,而这个额外的π是因为如图1A所示的最后一级和第一级电路之间的交叉连接。
在各级电路620中,输入的电压信号首先由跨导单元610转换成一个电流信号,然后在输出端由LC谐振腔110转换回电压信号。当相移单元601提供的相移分量为零时,依照相位条件,每级电路620的输出信号的总相移都由LC谐振腔来提供。因此,振荡器会工作在能使得LC谐振腔的相移为(π+2π*M)/N的某个频率。因为这里的M有多种选择,所以有可能存在不止一个能满足相位条件的频率。最后的结果是,整个振荡器会被调整然后工作在LC谐振腔110的阻抗为最大时的那个频率,从而来优化振荡器的增益条件。
依照图1A所示的4级振荡器的实施方案,在每一级电路620中,因为在跨导510之前施加了一个额外的相移601,每一级电路的相位条件就相对应地变为通过改变的值,由LC谐振腔110提供的相移θ的值就会被相应地改变,因而改变振荡频率。该4级振荡器的信号相位。如图1B所示,当时,LC谐振腔110不需要提供任何的相移,来使振荡器600工作在LC谐振腔的峰值频率。另一方面,如果被减小到-π/2,振荡器的工作频率也会被相应地减小到ωosc2,这也是单调的频率调谐范围的边界条件。
图2A-D描述了具有图1A中所示的可调相移的跨导单元610的各种具体实施方案。具体地讲,图2A和2B详细地展示了通过在跨导510之前配置可调电容701和702,和/或可调电阻703和704,来调谐相位延迟的实施方案。
因为由无源器件造成的损耗会影响整个振荡器的增益条件,额外的有源器件(例如晶体管705和706)可以和可变电容和电阻配合起来使用,形成一增益级电路710,如图2C所示。注意,在这个实施方案中,可调电阻703和704会对振荡器贡献噪声,而且由RC滤波器提供的相移是负的。
在如图2D所示的实施方案,图2C中的可调电阻可用可调电感707和708来替代,来使振荡器600工作在主LC谐振腔110的峰值频率的周围。另外,降低品质因数的电阻721和722可以并联加入到谐振腔700d中。
图3A提供了跨导单元610的另一种实施方案。在这个方案中,一个由固定相移模块830所提供的固定的相移β,被用来引入一个由跨导晶体管804和805产生的经过延迟的电流i1。如图3B所示,通过将经过延迟的电流i1与由跨导晶体管801和802所产生的没有经过延迟的电流i0的合并,总电流it的延迟可以通过调谐直流电流I0和I1来控制,其中I0和I1被用来分别给晶体管对804和805,以及801和802施加偏压。如图3B所示,电流i0、i1和it都是输出电流的矢量表达,每一个电流可以通过幅度和相位来决定。在图3B中,这些电流都用他们的矢量表达来描述,其中,这些电流之间相对的相移可以通过相对应的矢量之间夹角来决定。如图3B所示,通过LC谐振腔的总电流it是所述被相移了的电流输出i1和未被相移的电流输出i0的矢量合成。输出电流it的相位可以通过调节电流i0和/或i1的幅度来调谐。因此,这可以通过改变电流源803和/或806的大小来完成。举例来说,对于一个4级的调相调频振荡器,为了得到最大单调的频率调谐范围,LC谐振腔的相移θ应该在-π/4和π/4之间任意可调,因此相移需要在0和-π/2之间任意可调。结果,在800中固定的相移β需要被大约设置为-π/2。因为跨导单元800不需要任何可调的无源器件,这种方案可以降低AM-to-PM的噪声转变,提供更好的相位噪声性能,并且频率调谐的范围不受供电电压的限制。
固定相移模块830有着和图2C和2D中的相位调谐模块710和720相类似的结构。图4A展示了固定相移模块830的一种实施方案,其中,输入电压被施加到跨导晶体管905和906上,然后被转换成电流信号,后者通过流入由固定电阻901和902以及固定电容903和904组成的差分RC滤波器。依照这种实施方案,在单元800中这个施加到输入信号中的初始的固定相移β实际上是一个相位延迟,其由RC滤波器的器件参数决定。
图4B展示了固定相移模块830的另一种实施方案,其中,900a中的RC滤波器被替换成含有固定电感911和912、固定电容903和904、以及降低品质因数的电阻913和914的一个LC谐振腔。这个LC谐振腔要使得调相调频振荡器总是工作在主LC谐振腔的峰值频率附近。依照这种实施方案,这个由电路900b提供的固定相移β可以是正或是负,其由电感911/912和电容903/904的LC乘积是小于或者是大于图1A中所示的101/102和103/104的LC乘积来决定。在实施方案900a和900b中,尾部电流源907和917都是可调谐的,这样可以使得800中经过延迟的电流i1的幅度更加可控,从而有助于此调相调频振荡器的相位内插。
图5A描述了具备同步和正交相位(I&Q)的多相位输出振荡器(PT Q-VCO)的另一种实施方案。差分的调相单元1010a或1010b将输入的电压信号转换成一个具有可控相移的电流信号,然后后者被注入到LC谐振腔110中去。包括调相单元和LC谐振腔的各级电路被连接成一个环形结构,其中包含了一个交叉连接1012。依照此两级振荡器的实施方案,每一级电路须提供一个π/2+π*M的相移。为了让振荡器能对称地工作在LC谐振腔110的峰值频率的左右,并且有一个90度调谐范围,LC谐振腔的相移θ需要在-π/4和π/4之间任意可调,因此由调相单元1010a和1010b提供的相移需要在-π/4和-3π/4之间任意可调。
在图5B中描述了调相单元1010a和1010b的实施方案。依照这个方案,通过引入两个固定的相移,比如β1=-π/4和β2=-π/2,总电流it的相移可以通过相位内插的方法从-π/4调谐到-3π/4。图5C更进一步地描述了此相位内插的运算,其中,由晶体管1001和1002提供的电流i0,与晶体管1003和1004提供的电流i1合并在一起,来产生一个总电流it,其相移由β1、β2以及电流i0和i1的幅度来决定。
在此实施方案中,固定相移β1和β2的值取决于调相调频振荡器的级数,其中β2决定振荡器的相位调谐范围,β1提供初始的相移量,以使得相位调谐的范围能均匀地分布在LC谐振腔110的峰值频率两旁。举例来说,在此调相调频正交压控振荡器(Q-VCO)中,β2被设置为接近-π/2,其可以通过一个二阶的LC谐振腔来实现,β1被设置为-π/4,因而电流it的相移可以从-π/4调节到-π3/4,一个90度的调谐范围可以对称地分布在-π/2周围。所以此调相调频Q-VCO可以在具有最佳LC谐振腔品质因数的区域中工作。固定相移β1和β2的电路实现可以基本上和图4A和4B中所描述的实现方式类似。
图6展示了用0.13微米CMOS技术制成的图1A所示的4级振荡器(half-Q-VCO)和图5A所示的2级振荡器(Q-VCO)的芯片影像,其中电路800和900b被集成到了振荡器电路中。在图6中,HQ-VCO和Q-VCO分别占用了0.36mm2和0.20mm2面积的芯片。当差分控制的偏置电流从-0.9mA调节到0.9mA时,HQ-VCO可以连续地从48.6GHz调谐到52GHz,同时从0.8V的电源电压中总计消耗32mW到48mW的功率。Q-VCO可以连续地从56GHz调谐到61.3GHz,同时从0.8V的电源电压中总计消耗了30mW到37mW的功率。在3MHz偏移频率时,HQ-VCO和Q-VCO的相位噪声分别从-110.2dBc/Hz变化到-116.3dBc/Hz,从-104.8dBc/Hz变化到-110.1dBc/Hz。对于如图6所示的两个VCO电路,最低的相位噪声都是在VCO工作在中心频率时测量到的,此时谐振腔的品质因数是最大的。用测量到的在10MHz偏移频率的-127.8dBc/Hz和-118.5dBc/Hz的相位噪声来计算,所述的调相调频的4级振荡器和2级振荡器分别在50GHz和60GHz的频率上取得了-186.4dB和-180.5dB的品质因数(FoM)。
图7展示了依照另外一个实施方案的调相调频LC振荡器1200。振荡器1200包含了连接成环形的从1210a到1210n的多级电路,其中每一级电路都有一对差分输入端和一对差分输出端。在环形中一级的输出端连接到下一级的输入端。从最后一级1210n的输出端到第一级1210a的输入端的连接被交叉,然而,其他的连接都是直的。从1210a到1210n的每一级都有一个相位调谐单元(1201a到1201n),其在输入和输出信号之间施加一个可控的相移。每一级电路进一步地包含了一个可以响应于经过相移的输入信号来产生相应的输出信号的跨导单元(1202a到1202n),以及一个将所注入的电流转换成输出电压信号的LC谐振腔(1203a到1203n)。概括地说,在每个LC谐振腔的输出节点处产生了两个输出信号,输出信号的相位以每级360*1/2N度地从0度递增到360(2N-1)/2N度,其中N代表了振荡器的级数。因为每一级所提供的相移是固定的,并且在实际应用中基本上等于180/N度,因此,通过调相单元来改变施加的相移,可以改变每一个LC谐振腔的相移,因而相应地改变整个环形振荡器的工作频率。
图8提供了应用调相调频技术的LC振荡器的另一种实施方案。和振荡器1200类似,振荡器1300还包含了环状连接的多级电路,其中最后一级与第一级之间的连接被交叉。依照此实施方案,每一级电路(例如,1310a)有多个相移单元(例如,1301a1至1301aN),每个单元在输入信号与输出信号之间提供了一个固定的相移。每一级还包含了多个具有可调谐跨导的跨导单元(例如,1302a1至1302aN),以及一个LC谐振腔,该LC谐振腔将来自跨导单元的输出电流合并然后生成这级电路的输出电压。在每级电路中,具有不同的累积相移的输入电压被加载到不同的跨导单元上。通过控制每个跨导单元(例如,1302a1~1302aN)的跨导,然后合并所有注入到LC谐振腔的电流,可以控制输出总电流的相位,因而可以调谐振荡器的工作频率。
在此所有被引用的参考文献(包括出版物、专利申请以及专利)以引文方式并入此文,如同每一个参考文献都以引文方式被单独和专门地指出并入并且在此被完整地陈述一样。
在本发明的描述中(特别是在以下的权利要求的叙述中),除非在文中被明确地指出或明显与上下文的意思相违背,所有词汇“一”、“一个”、“此”、“这个”以及类似的字眼都指的是同时包含了单个和多个。除非被特别地说明,文中所有的词汇“由构成”、“包含”、“包括”、“有”“拥有”和“具有”应当解释为开放式术语(也就是说其代表的是“包括,但不限于”的意思)。除非被明确地指出,文中数值范围的描述仅仅是为了作为一种简便的方法,来单独提出范围之内的各个数值,并且每一个单独的数值都可以并入说明书中,如同在此单独陈述一样。除非被明确地指出或明显与上下文的意思相违背,文中所描述的所有方法或方案都可以按照其他任何恰当的顺序来描述。除非被明确地要求,在此任意和所有的举例,或者是举例所运用的词汇(像“比如说”),仅仅是为了更好地阐明本发明,而不是为了对这项发明的范围进行任何的限制。在此文的具体说明中,没有任何的词汇可以理解成对实现发明必不可少的任何未要求的元素。
在此,描述了本发明优选的实施方案,其中包括发明者所知道的实现本发明的最佳方案。在阅读了以上描述之后,对于所述领域的技术人员,这些优选实施例的各种变型将变得显然。发明者希望所述领域的技术人员可以适当地使用这些变型,并且发明者想要本发明在实际应用中实现而不局限于文中的描述。相应地,正如适用的法律所允许的那样,本发明包括在以下附加的权利要求中陈述的主题的所有变型和实质等效的内容。此外,除非被明确地指出或明显与上下文的意思相违背,在所有可能的变化之中的,以上所描述的基本要素的各种组合都在本发明的范围之内。
Claims (17)
1.一种用于调谐多相位输出LC振荡器的频率的方法,其中,该多相位输出LC振荡器包含了串连成环状结构的多级电路,并且每一级电路从前一级电路的输出信号中产生这一级电路的输出信号,这种方法包括:
给这一级电路的输入信号的至少一部分施加一个相移;
利用这一级电路的输入信号中的被相移了的部分和未被相移的部分分别产生第一输出信号和第二输出信号;
把第一输出信号和第二输出信号结合起来形成这一级的输出信号;并且
通过改变第一输出信号和第二输出信号中的至少一个来调节这一级电路的输出信号的相位。
2.根据权利要求1中所述的方法,其中,相移是通过一个相位延迟电路来施加的。
3.根据权利要求2中所述的方法,其中,所述相位延迟电路至少包含了串联连接的一个电阻器和一个电容器,并且所述电阻器和所述电容器中的至少一个是可调谐的,以便给这一级电路的输入信号中施加所述相移。
4.根据权利要求1中所述的方法,其中,通过改变第一输出信号和第二输出信号的幅度和相位中的至少一个,来调谐这一级电路的输出信号的相位。
5.一种用于调谐多相位输出LC振荡器的频率的方法,其中,该多相位输出LC振荡器包含了串连成环状结构的多级电路,并且每一级电路从前一级电路的输出信号中产生这一级电路的输出信号,这种方法包括:
给这一级电路的输入信号的至少一部分中施加至少一个相移;
把多个输出信号结合起来形成这一级电路的输出信号;并且
通过改变所述多个输出信号中的至少一个来调节这一级电路的输出信号的相位。
6.根据权利要求5中所述的方法,其中这一级电路的输出是所述多个输出信号的矢量合成。
7.根据权利要求6中所述的方法,其进一步包括通过改变至少施加给这一级电路的输入信号中的相移,来调谐这一级电路的输出信号的相移。
8.根据权利要求6中所述的方法,其进一步包括通过改变所述多个输出信号的幅度中的至少一个,来调谐这一级电路的输出信号的相移。
9.根据权利要求8中所述的方法,其中所述多个输出中的每一个都通过各自的由一个可变电流源进行偏置的一对差分晶体管来产生,该方法进一步包括通过调整各自的可变电流源的大小来调谐多个输出信号幅度中的至少一个。
10.一种可调谐的多相位输出环形振荡器,其包括串连成环状结构的多级电路,每一级电路从前一级电路的输出信号中产生这一级电路的输出信号,其中该可调谐的多相位输出环形振荡器的每一级包括:
多个跨导单元,每一个跨导单元都从这一级电路的输入信号的至少一部分产生一个输出信号;
至少一个相移模块,其用来给这一级电路的输入信号的至少一部分中施加至少一个相移;
一个振荡器单元,其用来从多个输出信号的结合中产生这一级电路的输出信号;以及
用来改变所述多个输出信号中的至少一个以调谐这一级电路的输出信号的相位的装置。
11.根据权利要求10中所述的振荡器,其中,这一级电路的输出信号是所述多个输出信号的矢量合成
12.根据权利要求11中所述的振荡器,其中,用来改变所述多个输出信号中的至少一个以调谐这一级电路的输出信号的相位的装置包括用于改变所述至少一个相移模块所施加的至少一个相移的装置。
13.根据权利要求12中所述的振荡器,其中用于改变至少一个相移的装置包括可调电阻器、可调电容器和可调电感器中的至少一个。
14.根据权利要求11中所述的振荡器,其中,用于改变所述多个输出信号中的至少一个以调谐这一级电路的输出信号的相位的装置包括用于改变所述多个输出信号幅度中的至少一个的装置。
15.根据权利要求14中所述的振荡器,其中,每一个跨导单元包括由一个电流源进行偏置的一对差分晶体管,并且所述电流源中的至少一个是可变的。
16.根据权利要求15中所述的振荡器,其中,用于改变所述多个输出信号幅度中的至少一个的装置包括这至少一个可变电流源。
17.根据权利要求10中所述的振荡器,其中,所述振荡器单元包括并联连接的至少一个电感器和至少一个电容器。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104285375A (zh) * | 2012-03-19 | 2015-01-14 | 英特尔公司 | 自偏置振荡器 |
CN106357237A (zh) * | 2015-07-13 | 2017-01-25 | 美国莱迪思半导体公司 | 具有宽频率范围的高分辨率振荡器 |
CN107395167A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-11-24 | 东南大学 | 宽带可调节实时延时线电路 |
CN110875724A (zh) * | 2018-08-29 | 2020-03-10 | 联发科技(新加坡)私人有限公司 | 具有可调阻抗的匹配网络电路及其调谐方法 |
US10903823B2 (en) | 2018-09-29 | 2021-01-26 | Qualcomm Incorporated | Oscillation signal production |
CN113054951A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-06-29 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 一种有源谐振负载电路及时钟树驱动电路 |
CN113517887A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-10-19 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 一种谐振负载电路及应用芯片中的驱动电路 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8395456B2 (en) * | 2009-02-04 | 2013-03-12 | Sand 9, Inc. | Variable phase amplifier circuit and method of use |
WO2012153448A1 (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | パナソニック株式会社 | Rc発振回路 |
CN103283143A (zh) * | 2011-06-06 | 2013-09-04 | 松下电器产业株式会社 | Rc振荡电路 |
US8810329B2 (en) * | 2011-08-09 | 2014-08-19 | Nabil M. Sinoussi | Temperature-stable LC oscillators and methods of oscillation at temperature null phase |
EP2600544B1 (en) | 2011-11-30 | 2014-10-15 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (publ) | Technique for crosstalk reduction |
US8890634B2 (en) * | 2012-10-26 | 2014-11-18 | Mstar Semiconductor, Inc. | Multiplexed configurable sigma delta modulators for noise shaping in a 25-percent duty cycle digital transmitter |
US9106234B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-08-11 | Qualcomm Incorporated | Programmable frequency divider for local oscillator generation |
US9397673B2 (en) | 2014-04-23 | 2016-07-19 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Oscillator crosstalk compensation |
US9407274B2 (en) | 2014-04-29 | 2016-08-02 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Local oscillator interference cancellation |
US9641164B2 (en) * | 2014-06-24 | 2017-05-02 | Technische Universiteit Delft | Quadrature LC tank digitally controlled ring oscillator |
US9257999B1 (en) | 2014-08-01 | 2016-02-09 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Compensating for a known modulated interferer to a controlled oscillator of a phase-locked loop |
US10082528B2 (en) * | 2015-05-13 | 2018-09-25 | Mediatek Inc. | Power detector |
US9735732B1 (en) * | 2016-06-09 | 2017-08-15 | International Business Machines Corporation | Coupled oscillators |
US10382015B2 (en) * | 2017-06-01 | 2019-08-13 | City University Of Hong Kong | Phase-tuning oscillators |
US10862423B2 (en) * | 2018-01-25 | 2020-12-08 | University College Dublin | Multi-stage sub-THz frequency generator incorporating injection locking |
US11349520B2 (en) | 2019-04-21 | 2022-05-31 | Siklu Communication ltd. | Generation of millimeter-wave frequencies for microwave systems |
WO2021001040A1 (en) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Ring oscillator with resonance circuits |
US10917076B1 (en) * | 2019-08-02 | 2021-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ring oscillator and method for controlling start-up of ring oscillator |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6650188B1 (en) * | 2001-08-09 | 2003-11-18 | Lattice Semiconductor Corporation | Coupling for LC-based VCO |
US20060055472A1 (en) * | 2004-06-17 | 2006-03-16 | Stmicroelectronics S.R.I. | Phase shifting coupling technique for multi-phase LC tank based oscillators |
CN1750395A (zh) * | 2004-09-16 | 2006-03-22 | 松下电器产业株式会社 | 移相装置 |
US20080265963A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Cascaded phase shifter |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5418497A (en) | 1994-07-05 | 1995-05-23 | Motorola, Inc. | Low voltage VCO having two oscillator circuits of different frequencies |
GB9618901D0 (en) | 1996-09-10 | 1996-10-23 | Phoenix Vlsi Consultants Ltd | Phase-tuned ring oscillator |
US6204733B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-03-20 | Vitesse Semiconductor Corp. | Multiple-phase-interpolation LC voltage-controlled oscillator |
US6690243B1 (en) | 2001-06-07 | 2004-02-10 | Cypress Semiconductor Corp. | Multi-phase voltage-controlled oscillator at modulated, operating frequency |
US7342462B1 (en) | 2006-08-03 | 2008-03-11 | Agere Systems, Inc. | Quadrature LC voltage controlled oscillator with opposed bias and coupling control stages |
-
2010
- 2010-06-08 US US12/796,493 patent/US8339208B2/en active Active
- 2010-06-11 CN CN201010200870.5A patent/CN102281061B/zh active Active
- 2010-06-28 TW TW099120984A patent/TWI528706B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6650188B1 (en) * | 2001-08-09 | 2003-11-18 | Lattice Semiconductor Corporation | Coupling for LC-based VCO |
US20060055472A1 (en) * | 2004-06-17 | 2006-03-16 | Stmicroelectronics S.R.I. | Phase shifting coupling technique for multi-phase LC tank based oscillators |
CN1750395A (zh) * | 2004-09-16 | 2006-03-22 | 松下电器产业株式会社 | 移相装置 |
US20080265963A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Cascaded phase shifter |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104285375A (zh) * | 2012-03-19 | 2015-01-14 | 英特尔公司 | 自偏置振荡器 |
US9490823B2 (en) | 2012-03-19 | 2016-11-08 | Intel Corporation | Self-biased oscillator |
CN104285375B (zh) * | 2012-03-19 | 2018-07-10 | 英特尔公司 | 自偏置振荡器 |
CN106357237A (zh) * | 2015-07-13 | 2017-01-25 | 美国莱迪思半导体公司 | 具有宽频率范围的高分辨率振荡器 |
CN106357237B (zh) * | 2015-07-13 | 2021-10-01 | 美国莱迪思半导体公司 | 具有宽频率范围的高分辨率振荡器 |
CN107395167A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-11-24 | 东南大学 | 宽带可调节实时延时线电路 |
CN107395167B (zh) * | 2017-07-10 | 2020-07-31 | 东南大学 | 宽带可调节实时延时线电路 |
CN110875724A (zh) * | 2018-08-29 | 2020-03-10 | 联发科技(新加坡)私人有限公司 | 具有可调阻抗的匹配网络电路及其调谐方法 |
US10903823B2 (en) | 2018-09-29 | 2021-01-26 | Qualcomm Incorporated | Oscillation signal production |
CN113054951A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-06-29 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 一种有源谐振负载电路及时钟树驱动电路 |
CN113517887A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-10-19 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 一种谐振负载电路及应用芯片中的驱动电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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TWI528706B (zh) | 2016-04-01 |
US20110298549A1 (en) | 2011-12-08 |
CN102281061B (zh) | 2016-07-27 |
US8339208B2 (en) | 2012-12-25 |
TW201145803A (en) | 2011-12-16 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |