CN104216153B - 一种显示面板及其母板 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板及其显示母板。显示面板包括基板、像素阵列、至少一驱动电路、绝缘层及金属墙。基板具有显示区及非显示区，且非显示区具有驱动电路区及位于驱动电路区外侧的外侧区域。像素阵列及驱动电路分别位于显示区以及驱动电路区中。绝缘层配置在基板上位于非显示区中。金属墙位于绝缘层上且位于外侧区域中，其中金属墙的浦松比大于或等于0.32。

Description

一种显示面板及其母板

技术领域

本发明是有关于一种显示面板及其母板，且特别是有关于一种具有高可靠度的显示面板及其母板。

背景技术

随着光电与半导体技术的演进，带动了显示面板的蓬勃发展。在诸多显示器中，平面显示器近来已被广泛地使用，并取代阴极射线管显示器成为下一代显示器的主流。以液晶显示器为例，显示面板通常使用无机薄膜做成主动元件及被动元件，其中无机薄膜通常是由非晶硅、多晶硅、氧化硅及/或氮化硅等不具有延性的脆性材料所组成。因此，在显示面板受到拉伸应力作用时，无机薄膜中容易产生裂痕(crack)或剥落(peeling)，造成主动元件及/或被动元件损坏，进而影响显示面板的可靠度。尤其是，在将显示面板从其母板切割下来的过程中，由于容易在显示面板的切割边缘附近产生裂痕或剥落，这些裂痕或剥落可能会延伸至显示面板的工作区中，进而造成显示面板的可靠度下降。

发明内容

本发明提供一种显示面板及其母板，可提高显示面板的抗拉伸能力，从而可提高显示面板的可靠度。

本发明的显示面板包括基板、像素阵列、至少一个驱动电路、绝缘层及金属墙。基板具有显示区及非显示区，非显示区具有驱动电路区及位于驱动电路区外侧的外侧区域。像素阵列及驱动电路分别位于显示区以及驱动电路区中。绝缘层配置在基板上位于非显示区中。金属墙位于绝缘层上且位于外侧区域中，其中金属墙的浦松比(Poisson’s ratio)大于或等于0.32。

其中，该基板的边缘具有多条裂痕或多个剥落斑点，且该些裂痕或该些剥落斑点终止于该金属墙。

其中，更包括：一缓冲层，位于该基板上；以及一半导体层，位于该缓冲层上，该绝缘层位于该半导体层上，其中该半导体层位于该外侧区域中且不延伸至该驱动电路区内。

其中，该绝缘层具有一开口，该金属墙填入该开口内。

其中，该开口暴露出该半导体层，该金属墙填入该开口内以与该半导体层接触。

其中，该开口更延伸至部分的该半导体层中，该金属墙填入该开口内以与该半导体层接触。

其中，该开口更贯穿该半导体层以暴露出该缓冲层，该金属墙填入该开口内以与该缓冲层接触。

其中，该开口为一沟槽式开口或是具有单一侧壁的开放式开口。

其中，更包括一缓冲层，位于该基板上，该绝缘层位于该缓冲层上且具有一开口，该金属墙填入该开口内。

其中，该开口贯穿该绝缘层以暴露出该缓冲层，该金属墙填入该开口内以与该缓冲层接触。

其中，该开口贯穿该绝缘层且该开口延伸至部分的该缓冲层中，该金属墙填入该开口内以与该缓冲层接触。

其中，该开口为一沟槽式开口或是具有单一侧壁的开放式开口。

其中，该金属墙的材料包括钛(Ti)、钽(Ta)、铜(Cu)、铝(Al)、钒(V)、银(Ag)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)或是上述的组合。

其中，更包括至少一内环金属墙，位于该绝缘层上且位于该外侧区域中，该金属墙环绕该至少一内环金属墙。

其中，该金属墙为单层金属结构或多层金属堆栈结构。

其中，该金属墙为Ti/Al/Ti或是Mo/Al/Mo的多层金属堆栈结构。

其中，该金属墙为具有蜂巢孔洞图案的金属墙、具有网格图案的金属墙、或者具有多孔图案的金属墙。

本发明的显示母板包括母基板，且母基板具有至少一显示单元区及切割区。切割区为显示单元区之外的区域。显示单元区具有显示面板，且显示面板包括基板、像素阵列、至少一个驱动电路、绝缘层及金属墙。基板具有显示区及非显示区，非显示区具有驱动电路区及位于驱动电路区外侧的外侧区域。像素阵列及驱动电路分别位于显示区以及驱动电路区中。绝缘层配置在基板上位于非显示区中。金属墙位于绝缘层上且位于外侧区域中，其中金属墙的浦松比大于或等于0.32。

其中，该金属墙的材料包括钛(Ti)、钽(Ta)、铜(Cu)、铝(Al)、钒(V)、银(Ag)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)或是上述的组合。

其中，更包括至少一内环金属墙，位于该绝缘层上且位于该外侧区域中，其特征在于，该金属墙环绕该至少一内环金属墙。

基于上述，在本发明的显示面板中，由于在驱动电路区外侧的外侧区域配置有金属墙，且金属墙的浦松比大于或等于0.32，因此金属墙可提高显示面板的抗拉伸能力。尤其是，在将具有多个显示面板的显示母板切割为单一的显示面板时，金属墙可防止切割时在切割边际所产生的裂痕及/或剥落向显示区延伸，从而可避免在显示区中产生裂痕及或剥落而造成金属断线或基板损坏，且因此可提高显示面板可靠度。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明的一实施例的显示母板的上视图。

图2为本发明一实施例的显示面板的上视图。

图3为图2实施例的显示面板的另一态样的上视图。

图4为图2的显示面板中的像素结构的剖面示意图。

图5A至图5C为本发明显示面板的金属墙的局部区域的平面放大图。

图6为本发明另一实施例的显示面板的上视图。

图7为图6实施例的显示面板的另一态样的上视图。

图8为根据本发明第一实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。

图9为根据本发明第二实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。

图10为根据本发明第三实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。

图11为根据本发明第四实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。

图12为根据本发明第五实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。

图13为根据本发明第六实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。

图14为根据本发明第七实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。

图15为根据本发明第八实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。

图16为根据本发明第九实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。

图17为根据本发明第十实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。

其中，附图标记；

10：显示母板

11：母基板

12：显示单元区

14：切割区

100、105、200、300、400、500：显示面板

600、700、800、900、1000：显示面板

110：基板

111a：裂痕

111b：剥落斑点

112：显示区

113：像素阵列

114：非显示区

116：驱动电路区

117：驱动电路

118：外侧区域

119：驱动电路单元

120：缓冲层

130：半导体层

140、440、540：绝缘层

640、740、840、940、1040：绝缘层

140a：第一子绝缘层

140b：第二子绝缘层

445、545、645、745、945、1045：开口

150、250、350、450、550：金属墙

650、750、850、950、1050：金属墙

152、154：内环金属墙

160：平坦层

350a、350b、350c：金属层

A-A'：线

CH：通道区

D：漏极区

DL1～DLm：数据线

DM：漏极金属

G：栅极

P：像素结构

PT：像素主动元件

PE：像素电极

S：源极区

SL1～SLn：扫描线

SM：源极金属

I：区域

具体实施方式

图1为本发明的一实施例的显示母板的上视图。请先参照图1，显示母板10包括母基板11，且母基板11具有至少一个显示单元区12及切割区14。每一个显示单元区12各自包括一个显示面板100。在图1中，虽然绘示有六个显示单元区12，但本发明不以此为限。在其它实施例中，本发明可具有任意数目的显示单元区12。切割区14是用来使两个相邻的显示单元区12彼此隔开的区域、或者用来使边缘的显示单元区12与母基板11彼此隔开的区域，因此切割区14为显示单元区12之外的区域。换句话说，为了在切割工艺中能顺利地将各个显示面板100从显示母板10中单独地分离出来，因此切割区14可配置在两个相邻的显示单元区12之间以及围绕在多个显示单元区12外侧的任意区域中。在本发明中，可借由例如是激光切割工艺或一般的刀片切割工艺来对切割区14进行切割从而将各个显示面板100从显示母板10中单独地分离出来，但本发明不以此为限。此外，虽然未绘示，但在上述的切割过程中，可能会在切割区14中产生多条裂痕及/或多个剥落斑点，且这些裂痕及/或剥落斑点会从切割边缘向显示面板100的内部延伸。

图2为本发明一实施例的显示面板的上视图，其中图2为将图1的显示母板进行切割后所得到的一个显示面板的上视图。请参照图2，显示面板100包括基板110、像素阵列113、至少一个驱动电路117以及金属墙150。基板110具有显示区112及非显示区114，且非显示区114具有驱动电路区116以及位于驱动电路区116外侧的外侧区域118。

图3为图2实施例的显示面板的另一态样的上视图。请参照图3，将显示面板100从图1的显示母板10切割出来后，可能会因为切割工艺所产生的拉伸应力而在基板110的边缘形成多条裂痕111a或多个剥落斑点111b，其中剥落斑点111b例如是基板110的表面剥落后所形成的斑点。裂痕111a或剥落斑点111b可由基板110的边缘向内部延伸，且裂痕111a或剥落斑点111b终止于金属墙150。此外，虽然在本实施例中，此些裂痕111a或剥落斑点111b是由切割工艺中的拉伸应力所造成的，但当显示面板100受到其它的应力作用时，也可能会在基板110的边缘产生相似的裂痕或剥落斑点。

请再次参照图2，像素阵列113配置在基板110上且位于显示区112中。像素阵列113包括多条扫描线SL1～SLn、多条数据线DL1～DLm以及多个像素结构P。扫描线SL1～SLn与数据线DL1～DLm彼此交越设置，且扫描线SL1～SLn与数据线DL1～DLm之间夹有绝缘层。换言之，扫描线SL1～SLn的延伸方向与数据线DL1～DLm的延伸方向不平行，较佳的是，扫描线SL1～SLn的延伸方向与数据线DL1～DLm的延伸方向垂直。基于导电性的考虑，扫描线SL1～SLn与数据线DL1～DLm一般是使用金属材料。然而，本发明不限于此，根据其它实施例，扫描线SL1～SLn与数据线DL1～DLm也可以使用其它导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料、或是金属材料与其它导电材料的堆栈层。像素结构P包括像素主动元件PT以及像素电极PE，其中像素主动元件PT与对应的一条扫描线SL1～SLn及对应的一条数据线DL1～DLm电性连接，且像素主动元件PT与像素电极PE电性连接。以下将以像素结构P的剖面示意图对像素结构P做进一步的说明。

图4为图2的显示面板中的像素结构的剖面示意图。请参照图4，以剖面图来看，像素结构P包括基板110、缓冲层120、绝缘层140、平坦层160、像素主动元件PT及像素电极PE。缓冲层120配置在基板110上且可为无机材料所构成的无机薄膜，且构成缓冲层120的材料通常可为绝缘材料。绝缘层140配置在缓冲层120上，且绝缘层140可包括第一子绝缘层140a及第二子绝缘层140b。第一子绝缘层140a及第二子绝缘层140b的材料例如是氧化硅、氮化硅或其它绝缘材料。平坦层160配置在绝缘层140上，且平坦层160的材料可包括各种适用的有机材料。像素主动元件PT可例如是低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)，且像素主动元件PT可包括半导体层SE、源极金属SM、漏极金属DM与门极G。半导体层SE配置在缓冲层120上，且半导体层SE的材料例如是多晶硅、非晶硅、金属氧化物半导体或是其它半导体材料。半导体层SE可包括源极区S、漏极区D及通道区CH。部分的源极金属SM及漏极金属DM配置在绝缘层140上，而其它部分的源极金属SM及漏极金属DM贯穿第一子绝缘层140a且分别与源极区S及漏极区D的半导体层SE接触。另外，虽然在本实施例中，将像素主动元件PT绘示为LTPS-TFT，但在其它实施例中，像素主动元件PT也可能是其它种类的晶体管。

请再次参照图2，至少一个驱动电路117配置在基板110上且位于驱动电路区116中。各个驱动电路117包括多个驱动电路单元119，且各驱动电路单元119与像素阵列113中的其中一条数据线DLm或其中一条扫描线SLn电性连接。在图2中，虽然只在像素阵列的左侧及下侧绘示有两个驱动电路，但本发明并不以此为限，在其它实施例中，本发明可具有一个或两个以上的驱动电路。

金属墙150配置在基板110上且位于外侧区域118中。在本实施例中，金属墙150可例如是环状的金属墙，其位于外侧区域118中且围绕非显示区114。另外，虽然图2中并未绘示，但在本发明中，至少部分金属墙150配置在绝缘层上，从而避免金属墙150与基板110上的其它导电膜层电性连接而造成显示面板100短路。

金属墙150可由单层或多层的金属材料或合金材料所构成，且金属墙的浦松比大于或等于0.32。举例而言，金属墙150的材料可包括钛(Ti)、钽(Ta)、铜(Cu)、铝(Al)、钒(V)、银(Ag)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)或是上述的组合。在本发明中，浦松比定义为当一材料受拉伸或压缩力时，该材料的横向变形量与纵向变形量的比值。本发明所属技术领域具有通常知识者应理解的是，浦松比与各机械模数间具有关系式其中v为浦松比、G为剪切模数、且E为杨氏系数。

由于金属墙150的浦松比大于或等于0.32，且金属墙150配置在显示面板100的外侧区域118中，因此当显示面板100受到应力作用边缘产生裂痕111a或剥落斑点111b时，金属墙150可使得裂痕111a或剥落斑点111b终止于金属墙150的外侧而不延伸进入显示面板100内的显示区112及驱动电路区116中，从而可提高显示面板100的可靠度。

图5A至图5C为本发明显示面板的金属墙的局部区域的平面放大图，其中图5A至图5C所绘示的区域例如是图2中的区域I。请参照图5A至图5C，金属墙150可为具有蜂巢孔洞图案的金属墙(如图5A所示)、具有网格图案的金属墙(如图5B所示)、或者具有多孔图案的金属墙(如图5C所示)，从而改变裂痕及/或剥落的延伸方向。更清楚地说，当裂痕及/或剥落由显示面板的外部区域向其内部延伸而接触到金属墙150时，由于金属墙150可具有不同的图案，且金属墙150可根据其图案对裂痕及/或剥落施加不同方向的应力，故金属墙150可改变裂痕及/或剥落的延伸方向，以阻止裂痕及/或剥落斑点延伸至显示面板的内部。

图6为本发明另一实施例的显示面板的上视图。请同时参照图2及图6，图6的显示面板105与图2的显示面板100大致相同，惟两者的差异在于：显示面板105更包括内环金属墙152及154，且金属墙150环绕内环金属墙152及154。与金属墙150相似，内环金属墙152及154配置在该绝缘层上且位于该外侧区域118中。另外，虽然在图6中将内环金属墙的数目绘示为两个，但本发明也可包括一个、或者两个以上的内环金属墙。换句话说，本发明的显示面板可包括至少一个内环金属墙。

图7为图6实施例的显示面板的另一态样的上视图。请参照图7，与显示面板100相似，显示面板105可能会受到切割时产生的拉伸应力或其它的应力的作用而在基板110的边缘产生多个裂痕111a或多个剥落斑点111b，其中这些裂痕111a或剥落斑点111b可能会向显示面板105的内部延伸。在本实施例中，由于显示面板105包括环状的金属墙150及内环金属墙152及154，因此当裂痕111a或剥落斑点111b向显示面板105的内部延伸时，除了最外围的金属墙150以外，内环金属墙152及154也可阻止裂痕111a或剥落斑点111b的延伸，故可进一步地提高显示面板105的可靠度。另外，由于内环金属墙152及154的功用为辅助金属墙150以防止裂痕111a或剥落斑点111b延伸，故本发明不对内环金属墙152及154的蒲松比做特别的限制，而可使用任意适合的金属做为内环金属墙152及154。另外，金属墙150、内环金属墙152及内环金属墙154的三者的材料可彼此相同、不相同或不完全相同。

此外，相似于图5A至图5C所绘示的金属墙的态样，图6(或图7)的显示面板105中的内环金属墙152及154可各自具有蜂巢孔洞图案、网格图案或者多孔图案，且内环金属墙152及154的图案可彼此相同或不相同。此外，金属墙150与内环金属墙152及154的图案也可彼此相同、不相同或不完全相同。换句话说，可将金属墙150和内环金属墙152及154各自形成为具有不同的图案，以防止各种裂痕及/或剥落斑点延伸至显示面板内部；或者可将金属墙150和内环金属墙152及154形成为具有相同的图案，以针对特定的裂痕及/或剥落斑点散至显示面板内部，从而增加显示面板105的可靠度。

以下将提供各种实施例来更清楚地说明本发明的显示面板的结构。应理解的是，虽然本发明被示范性地绘示为以下实施例，但本发明并不以此为限。

第一实施例

图8为根据本发明第一实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图，其中图8沿图2的线A-A'所截取的剖面图。请同时参照图2及图8，显示面板100的外部区域118可包括基板110、缓冲层120、半导体层130、绝缘层140及金属墙150。基板110的材料可为有机聚合物、玻璃、石英、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。

缓冲层120可配置在基板110上且可为无机材料所构成的无机薄膜。举例而言，缓冲层120可例如是由氧化硅及氮化硅的无机薄膜，其厚度可约为350纳米(nm)，其中氧化硅的厚度约为300纳米，而氮化硅的厚度约为50纳米。除了外侧区域118以外，缓冲层120更可配置于显示面板110的其它区域中而为构成主动元件及/或被动元件的膜层之一。换句话说，外侧区域118中的缓冲层120可为在其它区域中形成主动元件及/或被动元件后所自然保留的膜层。举例而言，外侧区域118中的缓冲层120与图4的像素结构P中的缓冲层120可为相同工艺所形成的相同膜层。因此，在显示区中形成像素结构时，不需要额外的工艺即可同时在外侧区域118中形成缓冲层120。

半导体层130可配置在缓冲层120上。在显示面板110的非显示区114中，半导体层130可仅位于外侧区域118中而不延伸至驱动电路区116中，从而驱动电路117不会与半导体层130电性连接而造成短路的问题。此外，半导体层130的材料例如是多晶硅、非晶硅、金属氧化物半导体或是其它半导体材料，其厚度约为10纳米到200纳米。值得一提地是，在本发明中，半导体层130可为选择性配置。亦即，在其它实施例中，显示面板110的外侧区域118可不具有半导体层130。另外，可在相同的工艺中，同时形成半导体层130与图4的像素结构P中的半导体层SE。亦即，在显示区中形成像素结构时，不需要额外的工艺即可同时在外侧区域118中形成半导体层130。

绝缘层140配置在半导体层130上而位于基板110的非显示区114中。绝缘层140可例如是由氧化硅及氮化硅所组成的无机薄膜且厚度可约为600纳米。举例而言，绝缘层140可例如是由约为300纳米的氧化硅及约为300纳米的氮化硅所构成的无机薄膜。除了外侧区域118以外，绝缘层140更可配置于显示面板110的其它区域中而为构成主动元件及/或被动元件的膜层之一。亦即，外侧区域118中的绝缘层140可为在其它区域中形成主动元件及/或被动元件后所自然保留的膜层。举例而言，外侧区域118中的绝缘层140与图4的像素结构P中的绝缘层140可为相同工艺所形成的相同膜层。因此，在显示区中形成像素结构时，不需要额外的工艺即可同时在外侧区域118中形成绝缘层140。

金属墙150配置在绝缘层140上且位于该外侧区域118中。金属墙150的浦松比大于或等于0.32，且其厚度例如是约为50纳米到1000纳米。金属墙150的材料可包括钛(Ti)、钽(Ta)、铜(Cu)、铝(Al)、钒(V)、银(Ag)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)或是上述的组合。在本实施例中，虽然金属墙150可为单层金属结构，但本发明不以此为限，在其它实施例中，金属墙150也可为多层金属堆栈结构。另外，可在相同的工艺中，同时形成金属墙150与图4的像素结构P中的源极金属SM及漏极金属DM。亦即，在显示区中形成像素结构时，不需要额外的工艺即可同时在外侧区域118中形成金属墙150。

在本实施例中，由于金属墙的浦松比大于或等于0.32，因此将金属墙配置在显示面板的外侧区域时，可增加显示面板的抗拉伸能力，从而防止裂痕或剥落延伸至显示区或驱动电路区中。此外，由于金属墙的材料及形成方法与显示面板中的主动元件/被动元件中的金属膜层可相同，因此可不需要花费额外的工艺步骤即可形成上述金属墙。

第二实施例

图9为根据本发明第二实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。请同时参照图8及图9，第二实施例的显示面板200的结构与第一实施例相似，惟两者之间的差异在于：显示面板200中的金属墙250是直接配置在缓冲层120上。换句话说，在显示面板200的外部区域中，可直接于基板110配置缓冲层120做为绝缘层，而不另外配置半导体层及额外的绝缘层，因此金属墙250可直接配置在做为绝缘层的缓冲层120上。值得一提地是，由于缓冲层120通常可为无机材料所构成的无机薄膜且具有电绝缘性质，故将金属墙250直接配置在缓冲层120上时，金属墙250也不会和其它导电膜层形成电性连接而造成短路。

第三实施例

图10为根据本发明第三实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。请同时参照图8及图10，第三实施例的显示面板300的结构与第一实施例大部分相同，惟两者之间的差异在于：显示面板300的金属墙350为多层金属堆栈结构。

请参照图10，举例而言，金属墙350可由金属层350a、金属层350b及金属层350c所构成的金属堆栈结构，其中金属层350a/金属层350b/金属层350c可例如是Ti/Al/Ti或是Mo/Al/Mo的多层金属堆栈结构。值得一提地是，只要金属墙350内所有金属层的平均浦松比大于0.32，则金属墙350也可包括浦松比小于0.32的金属层(例如是Mo)。举例而言，在金属墙350为Mo/Al/Mo的金属堆栈结构的实施例中，只要Al金属层的厚度占有金属墙350整体厚度的50％以上，就能够使得金属墙350的浦松比大于0.32，从而落于本发明的范围之中。另外，在其它实施例中，金属墙350也可包括三层以外的多层金属堆栈结构，例如是两层、或四层以上的金属层。

在本实施例中，由于金属墙可为多层金属堆栈结构且可包括延性较低的金属层，故可配合显示面板中通常用于形成金属层的各种工艺来制造金属墙，且因此金属墙不需耗费额外的金属工艺，从而可降低制造成本且使得工艺简单化。

第四实施例

图11为根据本发明第四实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。请同时参照图8及图11，第四实施例的显示面板400的结构与第一实施例大部分相同，惟两者之间的差异在于：显示面板400的绝缘层440具有开口445，且金属墙450填入开口445内，其中开口445可为介于绝缘膜440的两个侧壁之间的沟槽式开口。另外，亦可参照第三实施例，将本实施例中的金属墙450形成为多层金属堆栈结构。

第五实施例

图12为根据本发明第五实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。请同时参照图11及图12，第五实施例的显示面板500的结构与第四实施例大部分相同，惟两者之间的差异在于：开口445延伸至部分的半导体层130中，且金属墙550填入开口545内以与半导体层130接触。

第六实施例

图13为根据本发明第六实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。请同时参照图11及图13，第六实施例的显示面板600的结构与第四实施例大部分相同，惟两者之间的差异在于：开口645更贯穿半导体层130以暴露出缓冲层120，金属墙650填入开口645内以与缓冲层120接触。

在第四实施例至第六实施例中，可借由例如是干式蚀刻以在绝缘层中形成开口，且可通过控制蚀刻工艺的蚀刻条件来控制开口的深度。举例而言，在图11的第四实施例中，开口445暴露出的半导体层130的上表面；在图12的第五实施例中，可通过延长蚀刻工艺的时间以增加开口545的深度，进而使得开口545可延伸至部分的半导体层130中；而在图13的第六实施例中，可使得开口645贯穿半导体层130而暴露出缓冲层120。值得一提地是，由于绝缘层及缓冲层的材料(例如是氧化硅及/或氧化硅)不同于半导体层的材料(例如是多晶硅及非晶硅)，因此利用各膜层材料之间蚀刻选择比(etching selectivity)，即可易于判定开口的深度。

对应于各开口深度的不同，金属墙可具有不同的配置方式。举例而言，在图11的第四实施例中，开口445暴露出半导体层130的上表面，故金属墙450填入开口445内而与半导体层130接触；在图12的第五实施例中，由于开口545可延伸至部分的半导体层130中，故金属墙550可填入开口545内而与被部分蚀刻的半导体层130接触；而在图13的第六实施例中，由于开口645贯穿半导体层130而暴露出缓冲层120，故金属墙650与被开口645所暴露出的缓冲层120接触。

在上述实施例中，由于通过蚀刻工艺在绝缘层中形成开口，因此可减少绝缘层的厚度，从而提高显示面板的抗拉伸能力。换句话说，由于本实施例可减少无机薄膜的厚度，故可进一步地提高显示面板的抗拉伸能力。此外，由于本实施例的开口是形成绝缘层之中，因此当裂痕或剥落从显示面板的外侧向其内部延伸时，绝缘层中的金属墙可有效地阻挡裂痕及/或剥落沿着绝缘层(或无机薄膜)延伸至显示面板内部。

第七实施例

图14为根据本发明第七实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。请同时参照图8及图14，第七实施例的显示面板700的结构与第一实施例大部分相同，惟两者之间的差异在于：显示面板700的绝缘层740具有开口745，且金属墙750填入开口745内，其中绝缘层740的开口745为由具有单一侧壁的开放式开口。此外，亦可参照第三实施例，将本实施例中的金属墙450形成为具有多层金属堆栈结构的金属墙。

在第七实施例中，绝缘层740具有开口745，且开口745可为由绝缘膜740的一侧壁的所形成的具有单一侧壁的开放式开口。此外，可通过控制蚀刻条件及利用各膜层之间的蚀刻选择比来控制开口745的深度，从而使得开口745可经控制以暴露出半导体层130的上表面、或者可延伸至部分的半导体层130中、或者可贯穿半导体层130而暴露出缓冲层120。

如图14所示，虽然在本实例中将开口745绘示为暴露出半导体层130的上表面且金属墙750填入开口745内而与半导体层130接触，但是本发明不以此为限。在其它实施例中，由于开口745可延伸至部分的半导体层130中或者可贯穿半导体层130而暴露出缓冲层120，因此，金属墙750可填入开口745内而与被部分蚀刻的半导体层130接触或者与被开口745所暴露的缓冲层120接触。

在本实施例中，由于通过蚀刻工艺所形成的开放式开口可大面积地减薄绝缘层的厚度，故可进一步的提高基板的抗拉伸强度。此外，由于可将金属墙直接形成在绝缘层相对于显示区的外侧侧壁上，故当显示面板的外侧产生的裂痕及/或剥落时，裂痕及/或剥落可只与金属墙接触而不与绝缘层接触，进而金属墙可阻止裂痕及/或剥落斑点通过绝缘层延伸至显示面板内侧的显示区及驱动电路区中。

第八实施例

图15为根据本发明第八实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。请同时参照图8及图15，第八实施例的显示面板800的结构与第一实施例大部分相同，惟两者之间的差异在于：显示面板800的绝缘层840可直接配置在缓冲层120上。另外，亦可参照第三实施例，将本实施例中的金属墙850形成为具有多层金属堆栈结构的金属墙。

在本实施例中，显示面板800的外部区域的绝缘层840直接配置在缓冲层120上，故显示面板800不会由于外部区域中的半导体层与显示区中或驱动电路区中的其它导电膜层电性连接而产生短路的问题。

第九实施例

图16为根据本发明第九实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。请同时参照图8及图16，第九实施例的显示面板900的结构与第一实施例大部分相同，惟两者之间的差异在于：显示面板900的绝缘层940可直接配置在缓冲层120上；以及，绝缘层940具有开口945，且金属墙950填入开口945内，其中开口945可为介于绝缘膜940的两个侧壁之间的沟槽式开口。另外，亦可参照第三实施例，将本实施例中的金属墙950形成为具有多层金属堆栈结构的金属墙。

在第九实施例中，由于在显示面板900的外部区域中并没有配置半导体层，故绝缘层940的开口945可直接暴露出缓冲层120的上表面，且金属墙950可填入开口945中以与缓冲层120的上表面接触，然而本发明不以此为限。更清楚地说，在其它实施例中，可通过控制蚀刻工艺的蚀刻条件来控制开口945的深度，进而使得开口945可延伸至部分的缓冲层120中，且因此金属墙950可填入开口945内以与被部分蚀刻的缓冲层120接触。

第十实施例

图17为根据本发明第十实施例的显示面板的部分外部区域的剖面图。请同时参照图8及图17，第十实施例的显示面板1000的结构与第一实施例大部分相同，惟两者之间的差异在于：显示面板1000的绝缘层1040可直接配置在缓冲层120上；以及，绝缘层1040具有开口1045，且金属墙1050填入开口1045内，其中开口1045可为由绝缘膜1040的一侧壁的所形成的具有单一侧壁的开放式开口。另外，亦可参照第三实施例，将本实施例中的金属墙1050形成为具有多层金属堆栈结构的金属墙。

在第十实施例中，由于在显示面板1000的外部区域中并没有配置半导体层，故绝缘层1040的开口1045可直接暴露出缓冲层120的上表面，且金属墙1050可填入开口1045中以与缓冲层120的上表面接触。此外，可通过控制蚀刻条件来控制开口1045的深度，从而使得开口1045可经控制以延伸至部分的出缓冲层120中，进而金属层1050可填入开口1045内而与被部分蚀刻的缓冲层120接触。

在第八实施例至第十实施例中，由于在显示面板的外部区域并未配置有半导体层，故显示面板不会由于外部区域中的半导体层与显示区或驱动电路区中的其它导电膜层电性连接而产生短路的问题，从而可进一步地提升显示面板的可靠度。

综上所述，本发明的显示面板在其外部区域中配置金属墙，且金属墙的浦松比大于或等于0.32，因此当显示面板受到应力作用而在基板边缘产生裂痕及/或剥落时，裂痕及/或剥落会被金属墙阻挡而无法延伸至显示面板内部。尤其是，在将显示面板从其母板切割下来的工艺中，金属墙可防止裂痕及/或剥落延伸至显示面板的工作区域，进而提高显示面板的可靠度。此外，本发明更可通过增加金属墙的数目、以及改变金属墙与其它膜层之间的配置关系，进一步提升显示面板的抗拉伸能力。最后，由于金属墙的材料及形成方法与显示面板中的主动元件/被动元件中的金属膜层相同，因此不需要花费额外的工艺步骤即可形成本发明的金属墙。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (20)

1.一种显示面板，其中，包括：

一基板，该基板具有一显示区以及一非显示区，该非显示区具有一驱动电路区以及位于该驱动电路区外侧的一外侧区域；

一像素阵列以及至少一驱动电路，分别位于该显示区以及该驱动电路区中；

一绝缘层，配置在该基板上且位于该非显示区中；以及

一金属墙，位于该绝缘层上且位于该外侧区域中，其中该金属墙的浦松比大于或等于0.32。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该基板的边缘具有多条裂痕或多个剥落斑点，且该些裂痕或该些剥落斑点终止于该金属墙。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：

一缓冲层，位于该基板上；以及

一半导体层，位于该缓冲层上，该绝缘层位于该半导体层上，其中该半导体层位于该外侧区域中且不延伸至该驱动电路区内。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，该绝缘层具有一开口，该金属墙填入该开口内。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该开口暴露出该半导体层，该金属墙填入该开口内以与该半导体层接触。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该开口更延伸至部分的该半导体层中，该金属墙填入该开口内以与该半导体层接触。

7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该开口更贯穿该半导体层以暴露出该缓冲层，该金属墙填入该开口内以与该缓冲层接触。

8.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该开口为一沟槽式开口或是具有单一侧壁的开放式开口。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括一缓冲层，位于该基板上，该绝缘层位于该缓冲层上且具有一开口，该金属墙填入该开口内。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，该开口贯穿该绝缘层以暴露出该缓冲层，该金属墙填入该开口内以与该缓冲层接触。

11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，该开口贯穿该绝缘层且该开口延伸至部分的该缓冲层中，该金属墙填入该开口内以与该缓冲层接触。

12.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，该开口为一沟槽式开口或是具有单一侧壁的开放式开口。

13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该金属墙的材料包括钛(Ti)、钽(Ta)、铜(Cu)、铝(Al)、钒(V)、银(Ag)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)或是上述材料的组合。

14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括至少一内环金属墙，位于该绝缘层上且位于该外侧区域中，该金属墙环绕该至少一内环金属墙。

15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该金属墙为单层金属结构或多层金属堆栈结构。

16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该金属墙为Ti/Al/Ti或是Mo/Al/Mo的多层金属堆栈结构。

17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该金属墙为具有蜂巢孔洞图案的金属墙、具有网格图案的金属墙、或者具有多孔图案的金属墙。

18.一种显示母板，其特征在于，包括：

一母基板，具有至少一显示单元区及一切割区，该切割区为该至少一显示单元区之外的区域，且各该显示单元区具有一显示面板，该些显示面板各自包括：

一基板，该基板具有一显示区以及一非显示区，该非显示区具有一驱动电路区以及位于该驱动电路区外侧的一外侧区域；

一像素阵列以及至少一驱动电路，分别位于该显示区以及该驱动电路区中；

一绝缘层，配置在该基板上且位于该非显示区中；以及

一金属墙，位于该绝缘层上且位于该外侧区域中，该金属墙的浦松比大于或等于0.32。

19.根据权利要求18所述的显示母板，其特征在于，该金属墙的材料包括钛(Ti)、钽(Ta)、铜(Cu)、铝(Al)、钒(V)、银(Ag)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)或是上述材料的组合。

20.根据权利要求18所述的显示母板，其特征在于，更包括至少一内环金属墙，位于该绝缘层上且位于该外侧区域中，其特征在于，该金属墙环绕该至少一内环金属墙。