CN104204818B - 用于半导体测试的横向驱动探针 - Google Patents

Abstract

一种用于测试半导体器件的方法。该方法包括沿垂直方向朝半导体器件上的电气结构移动探针来将探针置于电气结构旁边。探针的尖端被置于低于电气结构的最外围的高度的位置。该方法还包括沿横向方向朝电气结构移动探针来接触电气结构。探针尖端机械地且电气地接合所述电气结构。

Description

用于半导体测试的横向驱动探针

技术领域

本公开一般涉及半导体器件测试领域，更具体地涉及用于半导体测试的探针卡的领域。

背景技术

包括立式探针和悬臂式探针的当前探针设计受到设计和制造二者上的限制。注意事项包括输入/输出通道、接地、和电源/电接触点的不断增长的数量，以及不断降低的阵列间距大小。这些限制或考虑的出现主要是由于目前的探针设计需要通过探针与半导体焊接凸点或焊球以机械的方式相接合，该探针即使在初始接触后还继续沿着基本上垂直于半导体器件表面的方向移动。这种持续的移动通常称为垂直过载(overdriven)并用来确保每个探针接触相应的接触点而不管局部的非平面性等等因素。一旦初始接触被建立，一些探针设计(例如，悬臂式探针)可提供探针的可预测量的横向移动以刻划所接触的电焊盘(pad)来改善接触。其他探针设计(例如，立式探针)不依赖于刻划来确保充分的探针接触，而是依赖于在目标电气结构的表面处形成凹入(indentation)。

测试半导体器件上的焊接凸块和焊球对于两种探针配置是挑战性的，特别是当可用于测试的表面基本上是半球形时。悬臂式探针的尖端会在球面的后沿处(例如，基本上是顶点与赤道之间的中间位置)与焊接凸块和焊球相接合，局部的斜面会阻止探针尖端对球面进行有效地刻划，导致探针尖端滑动并偏离凸块。该滑动或偏离还可称为溜开。当使用较短长度的探针轴时这种X和/或Y轴线中的溜开或偏离更为普遍。在另一场景中，在焊接凸块的前沿处与焊接凸块相接合的探针尖端挖入凸块表面而不仅仅是刻划它。结果，这些探针所经受的反作用力会在方向和幅度上与预期的使用有较大不同，并可导致探针的过早疲劳和故障。

其他重要的挑战是关于个体焊接凸块的局部非平面性(高度差异)和半导体芯片的水准测量等。考虑到平面的变化，立式或悬臂式探针可以被设计来适应大范围的垂直过载值，来确保半导体芯片上的可靠电接触(那些与它们各自的焊接凸块进行物理接触的探针需要随着探针卡继续沿半导体芯片移动以允许其他探针最终接触到它们各自的焊接凸块而吸收一定量的过载)。然而，在平面内沿着探针的柄部的运动总是伴随着任何垂直尖端运动。随着焊接凸块之间的间距变得越来越小，每个个体探针的实体(real-estate)和可用的空间体积也越来越小。因此，在沿着探针柄部的任何位置与其直接相邻的焊接凸块机械接合之前，探针的横向移动量会相应地缩小。另外，由于分配给每个探针的空间缩小，构造一种允许较大过载同时将沿着探针任何一点处的应力水平维持在材料的最大屈服应力的机械设计变得越来越困难。

如本文所述，立式和悬臂式探针面临各种不利因素。探针需要来提供充分的垂直过载来确保与间距变得越来越小的半导体器件的想要的电接触和机械接触。同时还要限制在操作中吸收应力的、分配给探针本身材料的总体积。最后，保证在半导体阵列上的每个点有良好的电接触和机械接触(例如，来解决局部非平面性)所需要的较高量的垂直过载也会导致过早的磨损或疲劳。

发明内容

本发明的实施例提供了对于用探针卡测试半导体器件中固有的挑战的解决方案。在根据本发明的一个实施例的方法中，公开了用来测试半导体器件的方法。该方法包括沿垂直方向朝着半导体器件上的电气结构移动探针来将探针置于电气结构旁边。探针的针尖被置于低于电气结构最外围的高度的位置。该方法还包括：沿横向方向朝着电气结构移动探针来接触电气结构。探针尖端机械地且电气地接合电气结构。

在根据本公开的一个实施例的装置中，公开了用来对半导体器件进行电测试的装置。该装置包括探针卡，探针卡包括探针。该探针包括垂直柄部和探针尖端。探针卡可操作来将探针置于半导体器件上方从而使得：探针被置于半导体器件的电气结构的旁边并且探针的探针尖端被置于低于电气结构的最外围的高度的位置。探针卡还可操作来：沿横向方法朝着电气结构移动探针来接触电气结构。探针尖端可操作用来与相应的电气结构机械地且电气地接合。

在根据本发明的一个实施例的计算机系统中，公开了一种计算机可读介质，其中包含有使计算机系统执行用来测试半导体器件的方法的计算机可读程序代码。该方法包括沿垂直方向朝着半导体器件上的电气结构移动探针来将探针置于电气结构的旁边。探针的尖端被置于低于电气结构的最外围的高度的位置。该方法还包括沿横向方向朝着电气结构移动探针来接触电气结构。探针尖端机械地且电气地接合电气结构。

附图说明

从下面结合附图详细的描述中会对本发明的实施例有更好的理解，附图中相似的参考符号表示相似的元件，并且其中：

图1根据本发明的实施例示出了包括多个探针的示例性探针卡的示意截面；

图2A根据本发明的实施例示出了示例性探针卡的示意截面，该示例性探针卡包括位于半导体器件的多个组件上方的多个探针；

图2B根据本发明的实施例示出了示例性探针卡的示意截面，该示例性探针卡包括位于半导体器件的多个组件旁边的多个探针；

图3A根据本发明的实施例示出了移动到与半导体器件的组件相对位置的示例性探针的示意截面；

图3B根据本发明的实施例示出了示例性探针卡的示意截面，该示例性探针卡包括移动到与半导体器件的相应组件相对位置的多个探针；

图4A根据本发明的实施例示出了移动到与半导体器件的组件相对且顶部位置的示例性探针的示意截面；

图4B根据本发明的实施例示出了示例性探针卡的示意截面，该示例性探针卡包括移动到与半导体器件的组件相对且顶部位置的多个探针；

图5根据本发明的实施例示出了移动离开半导体器件的组件的示例性探针的示意截面；

图6根据本发明的实施例示出了多个示例性探针轴的示意截面；

图7A和7B根据本发明实施例示出了探针的示意性3D视图；

图8根据本发明的实施例示出了探针尖端的示意性3D视图；

图9根据本发明的实施例示出了探针的示意性3D视图；

图10A和10B根据本发明的实施例示出了探针的示意视图；

图11A根据本发明的实施例示出了与声波擦动器成对的示例性探针卡的截面；

图11B根据本发明的实施例示出了相对于电气结构的表面进行声波擦动的示例性探针尖端的截面图；以及

图12根据本发明的实施例示出了流程图，该流程图描述了横向过载的方法的步骤。

具体实施方式

现在将具体参考本发明的优选实施例，其示例被示出在附图中。虽然本发明会结合优选实施例来进行描述，但是应当理解的是它们并不旨在将发明限制到这些实施例。相反，本发明意在被包括在覆盖由所附权利要求限定的本发明的精神和范围内的替换、修改和等效物。此外，在本发明的实施例的以下详细描述中，为了提供对本发明的透彻理解而提出了大量的细节。然而，本领域的普通技术人员将认识到可在没有这些具体细节的情况下实践本发明。在其他实例中，已知的方法、程序、组件和电路未被详细描述，以避免不必要地模糊了本发明实施例的各个方面。本发明实施例所示的附图是半图示的，并且没有按比例绘制，尤其是为了清晰地呈现出某些尺寸在附图中被夸大示出。类似地，虽然为了便于描述，附图中的视图通常显示出类似的方向，但是大部分对图的描述是随意的。一般来说，本发明可以任何方向操作。

符号和术语

下面的详细描述的某些部分是以程序、步骤、逻辑块、处理和对于计算机存储器内的数据位的操作的其他符号表示来呈现的。这些描述和表示是数据处理领域的技术人员用来向本领域的其他技术人员最有效地传达他们工作的实质的方式。程序、计算机执行的步骤、逻辑块、处理等在这里并且一般被设想为导向所期望的结果的步骤或指令的自相一致的序列。该步骤是需要对物理量进行物理操作的步骤。通常，虽然不是必要的，这些物理量采取能够在计算机系统中被存储、传送、组合、比较、以及以其他方式进行操纵的电信号或磁信号的形式。有时将这些信号称为比特、值、元素、符号、字符、术语、数字等等已经被证明是方便的，主要是为了常用的原因。

然而应当记住的是，所有这些术语和类似的术语要与适当的物理量相关联，并仅仅是应用于这些物理量的便捷标签。除非以其他方式从下面的论述中明显特别声明，否则应当理解：在本发明中，采用诸如“处理”或“访问”或“执行”或“存储”或“呈现”等等术语的论述指代的是计算机系统或类似电子计算设备中的动作和处理，该动作和处理将计算机系统的寄存器和存储器以及其他计算机可读介质内被表示为物理(电子)量的数据操作和转换为计算机系统的存储器或寄存器或其他这样的信息存储、传输或显示设备内类似地表示为物理量的其他数据。当组件在若干实施例中出现时，使用相同的标号表示该组件与在初始实施例中所示的组件相同。

半导体测试中的横向过载

本发明的示例性实施例提供了对于设计与操作探针中固有的不断增加的挑战的解决方案，该探针用来测试半导体器件上间距不断缩小的焊接凸块、焊球和焊接柱，其中此类结构的顶点可变地达到半导体芯片上方的几微米到几十微米。本公开的各种实施例提供了示例性的探针设计和示例性的操作模式以及当前的横向驱动探针设计，该示例性的操作模式可有效地避免对于如上所述的妥协的需求，并且该横向驱动探针设计不依赖于垂直运动(垂直过载)来与焊接凸块、焊球和焊接柱机械且电气地接合。如下详细所讨论的，横向驱动测试探针对焊接凸块、焊球或焊接柱的高度变化免疫，因为该横向驱动测试探针以机械的方式与焊球、焊接球面、焊接凸块或焊接柱的边缘、侧壁、或最外围相接合，并且在探针的示例性横向过载移动期间朝向焊球、焊接球面、焊接凸块或焊接柱的中心移动。

焊接凸块、焊接球面或焊接柱等示例性的平面中尺寸通常可以由光刻技术设置，该技术在位置和形状的可复现性上提供了较高的精确度。在一个示例性实施例，包括多个探针的探针卡可被制造在目标半导体器件的亚微米镜像的精度内。如下所述，该探针卡可被对准为具有相对目标半导体器件的偏移，并随后降低以将探针卡的探针放置到焊接凸块、焊接球面或焊接柱等之间，并随后通过移位探针卡使探针横向移位以接触相应的目标焊接凸块、焊接球面或焊接柱，接着是进一步的横向移位以沿着各自的目标焊接凸块、焊接球面或焊接柱并朝向它们的中心滑动探针尖端。在一个示例实施例中，当与立式探针所需的垂直过载的范围相比时，建立焊接凸块或焊接柱阵列中可靠的电接触和机械接触所需的水平或横向过载的范围是很小的。在一个示例实施例中，焊接凸块和焊接柱的X轴和Y轴的位置相比于焊接凸块或焊接柱的垂直高度更为均衡。直接结果是，沿着示例性探针柄部的应力会被减小，便于设计和制造二者，还延长了测试探针的寿命。

在一个示例实施例中，带有能够横向过载的探针的探针卡，其总体长度比带有用于垂直过载的探针的探针卡的总体长度更短。在一个实施例中，采用横向过载的探针卡可能不需要像采用垂直过载的探针卡那样多的过载。因此，在使用横向过载的探针卡中使用的探针会比在使用垂直过载的探针卡中使用的探针实际上更短。这种较短的探针具有更小的阻力和感应系数。

图1示出了示例性探针卡100的一部分的截面。探针卡包括基底102和多个探针104。在一个实施例中，探针卡100包括探针104的阵列，该阵列被布置成矩阵图案来接触很多相应的接触元件，比如焊接凸块、焊球或焊接柱等。在一个实施例中，探针104的阵列被布置成与在半导体器件上形成的焊接凸块、焊球或焊接柱的图案相镜像的图案。

如图1中所示，示例性探针104包括探针尖端106。在一个实施例中，探针104是针式探针，在另一个实施例中，探针104是微机电系统(MEMS)探针。在一个实施例中，探针104是通过光刻技术由硅石中刻蚀得到的。如本文所述，在一个实施例中，探针104不是像弹簧或手风琴一样弯曲来提供垂直过载，而是将像胡须或刷子一样弯曲来提供针对目标焊接凸块、焊球或焊接柱等的横向过载。

图2A示出了运用横向驱动探针104的测试序列的示例性第一阶段。探针和电气结构的尺寸、空间和方向已经为了清晰的目的而被夸大。虽然示例探针卡100可包括成百上千个探针104，每个探针个体地接触相应的电气结构204(例如，焊接凸块、焊球或焊接柱等)，但本文为了清晰的目的示出了一组三个的探针104和相应的电气结构204。如图2A所示，在探针卡100在半导体器件200上方被对准了横向偏移之后，探针卡100可被降低以将探针104带入到用于与相应的电气结构204最终接触的位置。在一个实施例中，如图2A所示，探针104沿由箭头206表示的方向朝着半导体器件200的目标电气结构204和周围的半导体区域202垂直地移动。在一个示例实施例中，探针104的尖端106被精确定位在离目标电气结构204几微米的位置，这是由如箭头208表示的横向偏移决定的。在一个实施例中，电气结构204是焊接凸块、焊球或焊接柱等。在一个实施例中，如本文所述，半导体区域202是相邻电气结构204之间的空间，在此可插入探针104。在一个实施例中，如果仅是探针尖端106延伸进入电气结构204之间的半导体区域202，那么探针尖端距离目标电气结构204的最大间隔或横向偏移是相邻电气结构204之间的间隔或距离减去探针轴或探针尖端106的直径。

在一个示例实施例中，探针尖端106是形状为用于相邻电气结构204之间的插入的棱锥。在另一实施例中，探针尖端106与探针104的轴有相同的直径或截面(例如，具有矩形截面的探针尖端)。因此，探针104可具有小于相邻电气结构204之间间隔的直径，来容纳矩形探针尖端(当探针尖端106具有与探针轴相同的截面时)。在一个示例性实施例中，在半导体器件形成为具有50微米的间距并且包括25微米直径的电气结构204中，相邻电气结构204之间的示例性间隔大约是12微米，并且探针104的截面小于12微米。探针104、探针尖端106和电气结构204的尺寸和大小以及它们的位置和方向，为了清晰的目的没有按比例绘制并被夸大示出。

图2B示出了当探针106已经到达基本上低于目标电气结构204的最外围的高度的位置时的第一阶段的示例性结束。如图2B所示，探针尖端106悬停在半导体表面202上方几微米的位置并低于目标电气结构204最外围的最大高度，并远离电气结构204最外围几微米，这是由上文所述的横向偏移所决定的。

图3A示出了示例性的横向移动阶段。为了清晰的目的，仅示出了单个探针104和单个电气结构204。垂直放置的探针104沿着基本上平行于半导体器件200的表面朝着电气结构204移动，来接触电气结构204的表面，如图3A所示。该移动的大体方向如箭头306所示。在此接合处，如图3A所示，探针尖端106已经与电气结构204机械地接合并且在有利条件下与电气结构204电气地接合。如本文所述，为了确保探针卡100的所有探针104已经接触到了它们相应的电气结构204，在探针尖端106与电气结构104之间的第一次机械接触之后，探针卡100将继续横向移动并且上述探针104将施加相对于电气结构204的力，所施加的力与横向过载量成比例。图3B示出了如图3A所示的、已经被横向移位以接触相应的电气结构204的多个探针104。然而，如本文所述，如果电气结构204在位置上或者外围尺寸上有X/Y轴的变化，探针尖端106可能不能够接触错位或畸形的电气结构204，需要进一步横向移动探针卡100。

图4A示出了横向移动阶段的示例性继续，在该继续期间探针尖端106已经朝着电气结构204的中心移动(跟随箭头408)同时逐步地增加相对于初始接触点的高度。如本文所述，探针尖端106朝着电气结构204的中心的继续移动伴随着规定量的横向过载。在一个实施例中，如图3A和图4A所示，针形探针104可像胡须运动的形式弯曲。随着探针卡100被横向调节，探针卡100的每个探针104会基本上同时接触相应的电气结构204(接触的实际时间会根据探针卡100的电气结构204的任何X/Y轴变化而变换)。图4B示出了多个探针104，该多个探针104如图4A所示的那样，已经被横向地移位以根据所应用的横向过载量向相应的电气结构204的中心移动。

在一个示例性实施例中，电气结构204可以是直径25微米的焊接凸块或焊接柱。如图4A中所示，横向过载可引起探针尖端106沿着电气结构204的表面从边缘向电气结构204的中心划动。例如，探针尖端106可沿表面划动大约12微米以被放置在电气结构204的中心附近。因此，当示例性探针104在接触了具有25微米直径的结构204之后经受了想要的横向过载时，示例性探针104仅需弯曲12微米或更小。横向弯曲的这样的示例性的量(针对横向过载所需的量)可少于由于局部非平面性和倾斜的半导体器件220所需的垂直弯曲的量(针对垂直过载所需的量)。如本文所述，多个探针104可以被制造为具有与半导体器件200的电气结构204的X/Y轴精度同等的X/Y轴精度(以减小确保探针尖端到目标电气结构的一致接触所必要的横向过载所需的量)。例如，在一个实施例中，局部非平面和半导体器件倾斜的范围可以是示例性的50微米，这需要大于50微米的示例性垂直过载来确保所有的探针尖端106以机械和电的方式与相应的电气结构204紧密配合，同时电气结构204的X/Y轴(在位置和截面二者中)的错位的范围是示例性的10微米，需要大于10微米的示例性横向过载来确保所有的探针尖端106以机械和电的方式与相应的电气结构204紧密配合。

图5示出了测试序列的示例性最终阶段。如图5所示，当对半导体器件200的测试完成时，探针卡100(以及接触相应电气结构204的多个探针104)可以从与半导体器件200的接触中移除。如图5所示，探针104(通过撤回探针卡100)沿着基本垂直于半导体器件200表面的方向506从半导体器件200中撤去。

图6示出了示例性的横向驱动探针设计，其中探针的柄部是垂直柱体。在一个示例中，垂直柱体的截面是圆604A。在另一个示例中，截面可以是三角604B，方形604C，矩形604D，或椭圆604E。在一个实施例中，探针卡的示例探针是按照基于光刻、电镀和抛光的工艺构建而成的。

图7A示出了示例探针700，包括探针尖端706、垂直柄部704、水平横梁708、和支脚710。在一个实施例中，探针尖端706沿着基本上平行于水平横梁708的长轴的路径712向电气结构204(例如，焊接凸块、焊接球体或焊接柱等)移动，使得水平横梁708根据横向过载的方向沿着路径716向前或是向后弯曲。换句话说，当探针尖端706沿着路径712接触电气结构204的表面时，如图3A所示，水平横梁708根据横向过载的方向向前或是向后弯曲。例如，当探针700被定位在目标电气结构204的左边时，水平横梁708会朝向支脚710向前弯曲，并当探针700被定位在目标电气结构204的右边时，水平横梁708会向后弯曲远离支脚710。

图7B示出了第二个实施例，其中探针尖端706沿着基本上垂直于水平横梁708路径714向电气结构204移动。在此第二种方法中，水平横梁708在示例横向过载期间经历扭转(如箭头718所示)。换句话说，当探针尖端706沿着路径714接触电气结构204的表面时，如图3A所示，水平横梁708经历扭转718，扭转的方向取决于相应的横向过载的方向(取决于横向过载的方向是顺时针或是逆时针扭转)。

在图8中，示例性探针尖端800具有三角形的截面。这种三角形的截面还被示出在图1、图2A、图2B、图3A、图3B、图4A、图4B、和图5中。然而，在其他实施例中，图1、图2A、图2B、图3A、图3B、图4A、图4B、和图5中示出的探针104可包括具有矩形截面的探针尖端106，该矩形截面与探针104的垂直柄部的截面类似，如图7A和图7B所示。

图9示出了示例性探针900，其包括固定在带有匹配支脚910的两端的扭转横梁908。探针900还包括探针尖端906和附着于扭转横梁908的垂直柄部904。探针尖端906沿着基本上垂直于扭转横梁908的长轴的路径912向电气结构204移动。如图9所示，在与电气结构204初始接触后横向过载被应用于探针尖端906时，箭头914所示的扭转根据箭头912所示的横向过载方向被应用于扭转横梁908。

在一个实施例中，在图10A中所示，探针1000是蛇形的，其带有三个或更多个的垂直部分或垂直横梁1002、支脚1004、和探针尖端1006。在另一个实施例中，在图10B中所示，探针1050是蛇形的，其带有三个或更多个的水平部分或横梁1008、支脚1004、和探针尖端1006。蛇形探针1000、1050可应用MEMS技术构建，该MEMS技术例如是光刻、电镀和抛光、以及牺牲材料的后续去除。

图11A示出了示例性探针卡100，如图1所示，添加了声波擦动单元(sonicscrubbing unit)1102。在一个示例实施例中，在探针卡100的多个探针104具有了施加于它们的横向过载量之后，为了确保探针尖端106和相应电气结构204之间的充分电接触和机械接触，声波擦动单元1102可以被激活选定的持续时间。在一个实施例中，声波擦动单元1102激活了10ms。如图11B所示，当声波擦动单元1102激活时，个体探针尖端106会移动或擦动经过电气结构204的一部分。示例性声波擦动过程中探针尖端106的擦动运动跟随图11B中的箭头1104。在一个实施例中，示例声波擦动过程中探针尖端106的运动在X轴或Y轴内发生。

图12示出了用于测试半导体器件的示例方法的步骤。在图12的步骤1202中，探针104以垂直方向朝着半导体器件上的电气结构204移动，来将探针104放置到电气结构204旁边。在图12的步骤1204中，探针尖端106被放置在低于电气结构204的最外围的高度的位置。在图2B中示出了这种探针尖端106的位置，其中探针尖端106被放置在低于电气结构204的最外围的高度的位置。

在图12的步骤1206中，探针104以横向方向朝着半导体器件上的电气结构204移动来接触电气结构204。在图3A中示出了这种运动。在图12的步骤1208中，通过沿着电气结构204的表面划动探针尖端106，探针尖端106与电气结构204的表面相接合。这种接触是通过所应用的横向过载量来实现的，该横向过载沿电气结构204的表面移动探针尖端106。横向过载确保探针卡100的所有探针104与它们相应的电气结构之间足够的机械和电上的接触或接合。在图4A和图4B中示出了这种横向过载。

虽然某些优选实施例和方法在本文被公开，但是本领域技术人员从上述公开中清楚地知道：在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对这些实施例和方法进行变更和修改。本发明旨在应当仅被限制为所附权利要求以及适用法律的规则和原则所要求的范围。

Claims (19)

1.一种用于测试半导体器件的方法，所述方法包括：

沿垂直方向朝半导体器件上的电气结构移动探针来将所述探针置于所述电气结构旁边，其中所述探针的尖端被置于低于所述电气结构的最外围的高度的位置；以及

沿横向方向朝所述电气结构移动所述探针来接触所述电气结构，其中探针尖端机械地且电气地接合所述电气结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述探针尖端和所述电气结构之间的第一次机械接触后，所述探针尖端对所述电气结构施加力，所施加的力与横向过载的量成比例，其中所述横向过载是所述探针的横向移动的量。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：在与所述电气结构的接触之后，移动所述探针尖端通过所述电气结构的上表面并且离开所述电气结构的最外围。

4.如权利要求1所述的方法，其中将所述探针置于所述电气结构旁边具体为所述探针尖端基本上被置于由所述电气结构的最外围与相邻电气结构的最外围所定义的空间的中间。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：沿基本垂直于所述半导体器件的上表面的方向从所述电气结构撤去所述探针。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述探针的柄部是垂直柱体，该垂直柱体具有圆形的、三角形的、方形的、矩形的、或椭圆形的截面。

7.如权利要求1所述的方法，其中在所述探针尖端接触所述电气结构之后横向移动所述探针导致所述探针的柄部中的张力。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述探针尖端与所述电气结构进行接触之后，相对于所述电气结构声波地擦动所述探针尖端以将所述探针尖端与所述电气结构机械地且电气地接合。

9.一种用于对半导体器件进行电气测试的装置，所述装置包括：

探针卡，该探针卡包括探针，其中所述探针包括垂直柄部和探针尖端；

其中所述探针卡可操作来将所述探针放置在半导体器件上方，从而使得：所述探针被置于所述半导体器件的电气结构旁边并且所述探针的探针尖端被置于低于所述电气结构的最外围的高度的位置；

其中所述探针卡还可操作来沿横向方向朝所述电气结构移动所述探针来接触所述电气结构，并且其中所述探针尖端可操作以机械地且电气地接合所述电气结构。

10.如权利要求9所述的装置，其中所述探针卡还可操作来：在所述探针尖端与所述电气结构之间的第一次机械接触之后，用所述探针尖端对所述电气结构施加力，所施加的力与横向过载的量成比例，并且其中所述横向过载是所述探针的横向移动的量。

11.如权利要求9所述的装置，其中所述探针尖端基本上被置于由所述电气结构的最外围与相邻电气结构的最外围所定义的空间的中间。

12.如权利要求9所述的装置，其中所述探针卡还可操作来：沿基本垂直于所述半导体器件的上表面的方向从所述电气结构撤去所述探针。

13.如权利要求9所述的装置，其中所述探针的垂直柄部包括垂直柱体，该垂直柱体包括圆形的、三角形的、方形的、矩形的、或椭圆形的截面。

14.如权利要求9所述的装置，其中所述探针卡还可操作来：通过在接触所述电气结构之后，沿横向方向朝所述电气结构移动所述探针来将所述探针的垂直柄部置于张力状态。

15.如权利要求9所述的装置，还包括声波单元，所述声波单元可操作来：在所述探针尖端与所述电气结构进行接触之后，相对于所述电气结构声波地擦动所述探针尖端以将所述探针尖端与所述电气结构机械地且电气地接合。

16.如权利要求9所述的装置，其中所述探针还包括水平横梁和至少一个支脚，其中所述柄部被连接到所述水平横梁并且所述水平横梁被连接到所述至少一个支脚上，所述至少一个支脚被连接至所述装置的探针卡。

17.如权利要求16所述的装置，其中在所述探针尖端接触所述电气结构之后，当所述探针尖端沿着基本垂直于水平横梁的路径朝着所述电气结构的上表面且离开所述电气结构的最外围沿横向方向移动时，所述水平横梁弯曲。

18.如权利要求16所述的装置，其中在所述探针尖端接触所述电气结构之后，当所述探针尖端沿着基本垂直于水平横梁的路径朝着所述电气结构的上表面且离开所述电气结构的最外围沿横向方向移动时，所述水平横梁扭转。

19.如权利要求9所述的装置，其中所述探针尖端包括三角形的截面。