CN104193339A - 一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法 - Google Patents

一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。其技术方案是:先将64~85wt%的卤化物粉、4~15wt%的氧化锆粉、2~5wt%的氧化硅粉、2~6wt%的氧化硼粉、0.3~1.1wt%的炭粉和6~10wt%的镁粉混合均匀,机压成型;再将成型后的坯体置于电炉中,在氩气气氛和升温速率为2~8℃/min的条件下升温至1000~1250℃,保温2~6小时,将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤,然后放入浓度为1.0~4.0mol/L的盐酸中浸泡3~8小时,过滤,用去离子水清洗,在80℃条件下干燥11~24小时,粉碎,即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。本发明具有反应温度低、反应时间短、过程易于控制、工艺简单、产率高的特点;其制品分散性好、颗粒团聚小、成分均匀、纯度高和产业化前景大。

Description

一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法
技术领域
本发明属于无机非金属材料超细复合粉体技术领域。具体涉及一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。
背景技术
ZrB2-SiC陶瓷材料具有耐高温、抗氧化烧蚀、抗冲刷、室温及高温力学性能良好等优异性能,是超高温应用领域最具潜力的候选材料,有望用于高超声速长时飞行、大气层再入、跨大气层飞行、火箭推进系统及熔炼电极、熔炼坩埚等极端热化学环境中。当前,ZrB2-SiC陶瓷的制备主要是以ZrB2粉和SiC粉为原料,经机械混合、高温烧结而成。该种方法容易在混料过程中引入杂质,同时,由于ZrB2粉和SiC粉的活性较低,需要较高的烧成温度。采用ZrB2-SiC复合粉体为原料制备ZrB2-SiC陶瓷可以很好地解决上述问题。研究表明,原料粉体晶粒越细小,所制备陶瓷材料的硬度、抗弯强度、断裂韧性等常温和高温力学性能越优良。纳米陶瓷甚至被认为是解决结构陶瓷材料脆性差、韧性和强度低等缺陷的战略途径。因而,具有良好性能的高纯、超细ZrB2-SiC复合粉体是制备高性能ZrB2/SiC超高温陶瓷的基础。
ZrB2-SiC超细复合粉体的制备方法主要有碳热还原法、自蔓延高温合成法和放电等离子反应法等。这些方法虽有其明显的优点,但也都存在一定的不足。
碳热还原法是以氧化锆、硼酸、硅溶胶为原料、以炭黑为还原剂、在电炉中加热至1300℃以上合成ZrB2-SiC超细复合粉体的方法。该法操作简单、原料取材广泛。但是,往往需要高的热处理温度、反应时间长,生成的ZrB2-SiC超细复合粉体径分布不均匀、团聚严重。自蔓延高温合成法(SHS)是一种依赖物质反应自身放热,在极短的时间合成目标产物的工艺。自蔓延高温合成法具有设备简单、能耗低、高效、反应时间短的优点,但是该方法所得粉体颗粒粗大、团聚严重且反应过程难以控制。放电等离子烧结法(SPS)是近些年来倍受重视的一种材料制备新技术。放电等离子反应法具有升温速度快、反应时间短、冷却迅速以及节能环保等优点。但是,反应过程、产物结构及性能不易控制,且产物纯度不高、团聚严重,同时设备投入大,难以形成规模化生产。
综上所述,现有的硼化锆-碳化锆超细复合粉体的制备技术存在的不足是:成本高、反应温度高、过程不易控制、工艺过程复杂、产率低、合成粉体的纯度较低、粉体颗粒粒径分布不均匀和粉体颗粒容易团聚等,极大地限制了硼化锆-碳化锆超细复合粉体的产业化生产。
发明内容
本发明旨在克服现有技术的不足,目的是提供一种反应温度低、成本低、合成工艺简单、过程易于控制、产率高的硼化锆-碳化硅超细复合粉体的制备方法。用该方法制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体活性高、颗粒团聚小、粉体粒径分布均匀、纯度高和产业化生产的前景大。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:先将64~85wt%的卤化物粉、4~15wt%的氧化锆粉、2~5wt%的氧化硅粉、2~6wt%的氧化硼粉、0.3~1.1wt%的炭粉和6~10wt%的镁粉混合均匀,机压成型;再将成型后的坯体置于电炉中,在氩气气氛和升温速率为2~8℃/min的条件下升温至1000~1250℃,保温2~6小时,得到烧成后的坯体;然后将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤,洗涤后放入浓度为1.0~4.0mol/L的盐酸中浸泡3~8小时,过滤,用去离子水清洗,在80℃条件下干燥11~24小时,粉碎,即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。
所述卤化物粉为氯化钾粉和氯化钠粉的混合物;氯化钾和氯化钠均为工业纯或均为分析纯,氯化钾和氯化钠的粒径均≤200μm。
所述氧化锆粉中的ZrO2含量≥99wt%,粒径≤100μm。
所述氧化硅粉中的SiO2含量≥95wt%,粒径≤100μm。
所述氧化硼粉中的B2O3含量≥99wt%,粒径≤100μm。
所述碳粉中的C含量≥98wt%,粒径≤200μm。
所述金属镁粉中的Mg含量≥99wt%,粒径≤150μm。
由于采用上述技术方案,本发明与现有技术相比具有如下积极效果:
1、本发明在熔融盐中实现反应物原子尺度的混合,使反应成分在液相中的流动性增强,扩散速率显著提高,能有效控制反应进程、降低反应温度和缩短反应时间;
2、本发明通过熔盐法能更容易地控制晶体颗粒的形状和尺寸,所制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体粒度为0.1~1.0μm,各组分配比准确,成分均匀,无偏析;
3、本发明在反应过程以及随后的清洗过程中,有利于杂质的清除,形成高纯的反应物,无杂相;
4、本发明的原料来源广泛和价格低廉,生产成本低,具有很大的产业化前景;
5、本发明制备的产物的颗粒均匀分散于熔融盐中,避免了相互连接,使得颗粒分散性好,极大地降低了溶解洗涤后团聚现象的发生。
因此,本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、过程易于控制、产率高的特点;所制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体结晶好、无杂相、活性高、颗粒团聚小、粉体粒度为0.1~1.0μm且分布均匀、纯度高和产业化生产的前景大。
具体实施方式
下面以具体实施方式对本发明做进一步的描述,并非对其保护范围的限制。
为避免重复,先将本具体实施方式所涉及的原料统一描述如下,实施例中不再赘述:
所述氯化钾和氯化钠的粒径均≤200μm。
所述氧化锆粉中的ZrO2含量≥99wt%,粒径≤100μm。
所述氧化硅粉中的SiO2含量≥95wt%,粒径≤100μm。
所述氧化硼粉中的B2O3含量≥99wt%,粒径≤100μm。
所述碳粉中的C含量≥98wt%,粒径≤200μm。
所述金属镁粉中的Mg含量≥99wt%,粒径≤150μm。
实施例1
一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。先将80~85wt%的卤化物粉、4~7wt%的氧化锆粉、2~3.5wt%的氧化硅粉、2~3wt%的氧化硼粉、0.3~0.6wt%的炭粉和6~7.5wt%的镁粉混合均匀,机压成型;再将成型后的坯体置于电炉中,在氩气气氛和升温速率为2~4℃/min的条件下升温至1100~1200℃,保温2~4小时,得到烧成后的坯体;然后将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤,洗涤后放入浓度为1.0~2.5mol/L的盐酸中浸泡3~5小时,过滤,用去离子水清洗,在80℃条件下干燥11~24小时,粉碎,即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。
本实施例中卤化物为30~60wt%氯化钾和40~70wt%氯化钠的混合物,氯化钾和氯化钠均为工业纯;本实施例所制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体纯度高,颗粒无团聚,粒度为0.5~0.8μm。
实施例2
一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。先将78~83wt%的卤化物粉、6~10wt%的氧化锆粉、2~3.5wt%的氧化硅粉、2.5~4wt%的氧化硼粉、0.3~0.6wt%的炭粉和6~7wt%的镁粉混合均匀,机压成型;再将成型后的坯体置于电炉中,在氩气气氛和升温速率为2~4℃/min的条件下升温至1100~1250℃,保温3~5小时,得到烧成后的坯体;然后将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤,洗涤后放入浓度为3.0~3.5mol/L的盐酸中浸泡4~6小时,过滤,用去离子水清洗,在80℃条件下干燥11~24小时,粉碎,即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。
本实施例中卤化物为35~65wt%氯化钾和35~65wt%氯化钠的混合物,氯化钾和氯化钠均为分析纯;本实施例所制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体纯度高,颗粒无团聚,粒度为0.2~0.6μm。
实施例3
一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。先将69~77wt%的卤化物粉、8~13wt%的氧化锆粉、3~4.5wt%的氧化硅粉、3~5wt%的氧化硼粉、0.5~0.8wt%的炭粉和7~8.5wt%的镁粉混合均匀,机压成型;再将成型后的坯体置于电炉中,在氩气气氛和升温速率为3~5℃/min的条件下升温至1100~1200℃,保温3~5小时,得到烧成后的坯体;然后将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤,洗涤后放入浓度为3.5~4.0mol/L的盐酸中浸泡5~7小时,过滤,用去离子水清洗,在80℃条件下干燥11~24小时,粉碎,即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。
本实施例中卤化物为40~70wt%氯化钾和30~60wt%氯化钠的混合物,氯化钾和氯化钠均为工业纯;本实施例所制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体纯度高,颗粒无团聚,粒度为0.3~0.9μm。
实施例4
一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。先将72~79wt%的卤化物粉、7~12wt%的氧化锆粉、3~4.5wt%的氧化硅粉、3~5wt%的氧化硼粉、0.5~0.8wt%的炭粉和7~9wt%的镁粉混合均匀,机压成型;再将成型后的坯体置于电炉中,在氩气气氛和升温速率为3~5℃/min的条件下升温至1150~1250℃,保温5~6小时,得到烧成后的坯体;然后将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤,洗涤后放入浓度为2.0~2.5mol/L的盐酸中浸泡3~5小时,过滤,用去离子水清洗,在80℃条件下干燥11~24小时,粉碎,即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。
本实施例中卤化物为45~75wt%氯化钾和25~55wt%氯化钠的混合物,氯化钾和氯化钠均为分析纯;本实施例所制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体超细纯度高,颗粒无团聚,粒度为0.4~1.0μm。
实施例5
一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。先将66~72wt%的卤化物粉、10~14wt%的氧化锆粉、4~5wt%的氧化硅粉、4~5.5wt%的氧化硼粉、0.8~1.1wt%的炭粉和8~9.5wt%的镁粉混合均匀,机压成型;再将成型后的坯体置于电炉中,在氩气气氛和升温速率为5~8℃/min的条件下升温至1150~1250℃,保温5~6小时,得到烧成后的坯体;然后将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤,洗涤后放入浓度为1.0~2.5mol/L的盐酸中浸泡6~8小时,过滤,用去离子水清洗,在80℃条件下干燥11~24小时,粉碎,即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。
本实施例中卤化物为50~80wt%氯化钾和20~50wt%氯化钠的混合物,氯化钾和氯化钠均为工业纯;本实施例所制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体纯度高,颗粒无团聚,粒度为0.1~0.6μm。
实施例6
一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。先将64~70wt%的卤化物粉、11~15wt%的氧化锆粉、4~5wt%的氧化硅粉、5~6wt%的氧化硼粉、0.9~1.1wt%的炭粉和8.5~10wt%的镁粉混合均匀,机压成型;再将成型后的坯体置于电炉中,在氩气气氛和升温速率为2~4℃/min的条件下升温至1100~1200℃,保温2~4小时,得到烧成后的坯体;然后将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤,洗涤后放入浓度为2.5~3.0mol/L的盐酸中浸泡4~6小时,过滤,用去离子水清洗,在80℃条件下干燥11~24小时,粉碎,即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。
本实施例中卤化物为55~85wt%氯化钾和15~45wt%氯化钠的混合物,氯化钾和氯化钠均为分析纯;本实施例所制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体纯度高,颗粒无团聚,粒度为0.3~0.7μm。
本具体实施方式与现有技术相比具有如下积极效果和突出特点:
1、本具体实施方式在熔融盐中实现反应物原子尺度的混合,使反应成分在液相中的流动性增强,扩散速率显著提高;能有效控制反应进程、降低反应温度和缩短反应时间;
2、本具体实施方式通过熔盐法能更容易地控制晶体颗粒的形状和尺寸,硼化锆-碳化硅超细复合粉体的粒度为0.1~1.0μm。合成产物各组分配比准确,成分均匀,无偏析;
3、本具体实施方式在反应过程以及随后的清洗过程中,有利于杂质的清除,形成高纯的反应物,无杂相;
4、本具体实施方式的原料来源广泛和价格低廉,生产成本低,具有很大的产业化生产前景;
5、本具体实施方式制备的产物的颗粒均匀分散于熔融盐中,避免了相互连接,使得颗粒分散性很好,极大地降低了溶解洗涤后团聚现象的发生;
因此,本具体实施方式具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、过程易于控制、产率高的特点;所制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体结晶好、无杂相、活性高、颗粒团聚小、粉体粒度为0.1~1.0μm且分布均匀、纯度高和产业化生产的前景大。

Claims (8)

1.一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体的制备方法,其特征在于先将64~85wt%的卤化物粉、4~15wt%的氧化锆粉、2~5wt%的氧化硅粉、2~6wt%的氧化硼粉、0.3~1.1wt%的炭粉和6~10wt%的镁粉混合均匀,机压成型;再将成型后的坯体置于电炉中,在氩气气氛和升温速率为2~8℃/min的条件下升温至1000~1250℃,保温2~6小时,得到烧成后的坯体;然后将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤,洗涤后放入浓度为1.0~4.0mol/L的盐酸中浸泡3~8小时,过滤,用去离子水清洗,在80℃条件下干燥11~24小时,粉碎,即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。
2.根据权利要求1硼化锆-碳化硅超细复合粉体的制备方法,其特征在于所述卤化物粉为氯化钾粉和氯化钠粉的混合物;氯化钾和氯化钠均为工业纯或均为分析纯,氯化钾和氯化钠的粒径均≤200μm。
3.根据权利要求1硼化锆-碳化硅超细复合粉体的制备方法,其特征在于所述氧化锆粉中的ZrO2含量≥99wt%,粒径≤100μm。
4.根据权利要求1硼化锆-碳化硅超细复合粉体的制备方法,其特征在于所述氧化硅粉中的SiO2含量≥95wt%,粒径≤100μm。
5.根据权利要求1硼化锆-碳化硅超细复合粉体的制备方法,其特征在于所述氧化硼粉中的B2O3含量≥99wt%,粒径≤100μm。
6.根据权利要求1硼化锆-碳化硅超细复合粉体的制备方法,其特征在于所述碳粉中的C含量≥98wt%,粒径≤200μm。
7.根据权利要求1硼化锆-碳化硅超细复合粉体的制备方法,其特征在于所述金属镁粉中的Mg含量≥99wt%,粒径≤150μm。
8.一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体,其特征在于所述硼化锆-碳化硅超细复合粉体是根据权利要求1~7项中任一项所述硼化锆-碳化硅超细复合粉体的制备方法所制备的硼化锆-碳化硅超细复合粉体。
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