CN104183745A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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冯小明
陈吉星
王平
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括第一基板和第二基板、第一有机发光单元和第二有机发光单元、透明隔离层以及封装胶。本发明透明隔离层设置在第一有机发光单元上，包括依次层叠的干涉介质层和绝缘层，干涉介质层为一层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜，绝缘层的材质为一氧化硅。该有机电致发光器件中间的透明隔离层的存在使有机发光单元的出射光产生最大光干涉，增加了光的强度，并提高了光的透过率。发光颜色稳定，发光效率高。本发明还公开了一种有机电致发光器件的制备方法，制备方法简单。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emitting Diode，以下简称OLED)，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
通常，双面发光显示的OLED装置采用两个OLED发光单元，通过粘合剂背靠背贴合在一起形成发光，但是该种结构较复杂，同时增加OLED装置的重量和厚度。也有研究采用一个公用基板，将两个OLED发光装置设置于基板的两侧，这种结构能够使OLED器件朝两个出光面方向出光，但是为了实现封装效果，还必须在OLED器件上覆盖两个封装盖板，仍然需要至少3个玻璃材质的基板，增加OLED装置的重量和厚度，此外，在其表面制备电极后，透过率进一步下降，影响出光效率。
发明内容
为了解决上述问题，本发明旨在提供一种光色稳定、穿透式有机电致发光器件。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括：
第一基板；
第一有机发光单元，设置在所述第一基板上，包括依次层叠的第一阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极；
透明隔离层，设置在所述第一阴极上，包括设置在所述第一阴极上的干涉介质层和设置在所述干涉介质层上的绝缘层，所述干涉介质层为一层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜，所述绝缘层的材质为一氧化硅；
第二基板；
第二有机发光单元，设置在所述第二基板上，包括依次层叠的第二阳极、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极；及
封装胶，覆在所述第一基板和第二基板上，所述第一基板通过封装胶粘结于所述第二基板形成封闭区间，且所述第一有机发光单元和第二有机发光单元容置于所述封闭区间内。
透明隔离层包括依次层叠的干涉介质层和绝缘层。
干涉介质层设置在第一阴极上。
干涉介质层的材质在可见光范围内具有较高的透过率，为一层硫化合物薄膜，硫化锌（ZnS）或硒化锌（ZnSe）熔点较低、折射率较高，对有机发光单元的出射光产生最大光干涉，增加光的强度，且可以通过真空热阻蒸发来制备。
具体地，干涉介质层为一层硫化锌（ZnS）薄膜或硒化锌（ZnSe）薄膜。
优选地，干涉介质层进一步包括设置在硫化锌薄膜或硒化锌薄膜上的金属薄膜和设置在金属薄膜上的第二硫化锌薄膜或硒化锌薄膜，即干涉介质层为依次层叠的硫化锌薄膜或硒化锌薄膜、金属薄膜、第二硫化锌薄膜或硒化锌薄膜。
第二硫化锌薄膜或硒化锌薄膜的材质为硫化锌或硒化锌。
在两层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜之间设置一层金属薄膜，金属薄膜将两层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜分隔，使每层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜的上下两面均发生光的反射，发生两组干涉现象，在硫化锌薄膜或硒化锌薄膜与金属薄膜形成两个光反射界面，在这两个反射界面形成的反射光线掺杂干涉相消，从而降低了反射率而提高了透过率。
绝缘层设置在干涉介质层上。
进一步优选地，金属薄膜的材质为银（Ag）、铝（Al）或镁（Mg）。
进一步优选地，金属薄膜的厚度为8～15nm。
绝缘层的材质为绝缘材质，避免电极直接接触造成短路。并且绝缘层的材质熔点低、透光性较好。
本发明中，绝缘层的材质为一氧化硅。
优选地，绝缘层的厚度为500～2000nm。
第一基板和第二基板均为透明材质。透明的基板不会影响器件的出光。优选地，第一基板和第二基板均为透明玻璃。
优选地，第一基板和第二基板的厚度均为0.1～1mm。
第一有机发光单元和第二有机发光单元分别设置在第一基板和第二基板上。
第一有机发光单元和第二有机发光单元均包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，两个发光单元可以分别发出不同的发射光，且可采用两个各自独立的驱动装置进行控制。
具体地，在本发明中，第一有机发光单元包括依次层叠的第一阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极；第二有机发光单元包括依次层叠的第二阳极、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极。
第一阳极直接设置在第一基板上。
优选地，第一阳极的材质为透明导电氧化物薄膜，选自铟锡氧化物（ITO）。
优选地，第一阳极的厚度为100nm。
优选地，第一空穴注入层的材质为酞菁铜（CuPc）。
优选地，第一空穴注入层的厚度为10nm。
优选地，第一空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)。
优选地，第一空穴传输层的厚度为30nm。
第一发光层的材质可采用本领域所常用的有机发光小分子材料。
优选地，第一发光层的材质为掺杂有客体材料的红光主体材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或双（2-（苯并[b]噻吩-2-基）吡啶）（乙酰丙酮）合铱Ir(btp)2(acac)，所述红光主体材料为8-羟基喹啉铝(Alq3)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)或4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)，所述客体材料在红光主体材料中的掺杂质量分数为1%～10%。
也优选地，第一发光层的材质为荧光发光材料或掺杂有磷光材料的蓝光主体材料，所述荧光发光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）或4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯（DPAVBi），所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）或双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）；所述蓝光主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)；所述磷光材料在蓝光主体材料中的掺杂质量分数为2%～20%
优选地，第一发光层的厚度为10～20nm。
优选地，第一电子传输层的材质为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
优选地，第一电子传输层的厚度为30nm。
优选地，第一电子注入层的材质为氟化锂（LiF）。
优选地，第一电子注入层的厚度为0.5nm。
优选地，第一阴极的材质为银（Ag）。
优选地，第一阴极的厚度为20nm。
第二阳极直接设置在第二基板上。
优选地，第二阳极的材质为透明导电氧化物薄膜，选自铟锡氧化物（ITO）。
优选地，第二阳极的厚度为100nm。
优选地，第二空穴注入层的材质为酞菁铜（CuPc）。
优选地，第二空穴注入层的厚度为10nm。
优选地，第二空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)。
优选地，第二空穴传输层的厚度为30nm。
第二发光层的材质可采用本领域所常用的有机发光小分子材料。
优选地，第二发光层的材质为掺杂有客体材料的红光主体材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或双（2-（苯并[b]噻吩-2-基）吡啶）（乙酰丙酮）合铱Ir(btp)2(acac)，所述红光主体材料为8-羟基喹啉铝(Alq3)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)或4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)，所述客体材料在红光主体材料中的掺杂质量分数为1%～10%。
也优选地，第二发光层的材质为荧光发光材料或掺杂有磷光材料的蓝光主体材料，所述荧光发光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）或4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯（DPAVBi），所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）或双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）；所述蓝光主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)；所述磷光材料在蓝光主体材料中的掺杂质量分数为2%～20%
优选地，第二发光层的厚度为10nm。
优选地，第二电子传输层的材质为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
优选地，第二电子传输层的厚度为30nm。
优选地，第二电子注入层的材质为氟化锂（LiF）。
优选地，第二电子注入层的厚度为0.5nm。
优选地，第二阴极的材质为银（Ag）。
优选地，第二阴极的厚度为20nm。
本发明使用封装胶涂布在第一基板和第二基板上，以将第一基板粘结于第二基板形成封闭区间，使第一有机发光单元和第二有机发光单元容置于该封闭区间内。封装后，第二有机发光单元和透明隔离层之间发生物理接触，或存在空隙。
封装胶对可见光具有超过90%的透过率。优选地，封装胶为可固化材料，选自光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。
透明隔离层的存在使有机发光单元的出射光产生最大光干涉，增加了光的强度，并提高了光的透过率。本发明两个有机发光单元可发出不同的发射光，也可发光相同的发射光，两个单元的发射光最后均可通过透明隔离层进行混合，形成混合光发射，两个发光单元均可通过两个独立的驱动装置进行控制，使得到的光具有较好的可控性和稳定性。有机发光单元设置在基板上，该基板可以防止水氧对有机电致发光器件的腐蚀，提高器件的使用寿命，且不会影响有机电致发光器件的发光。
本发明的有机电致发光器件在不使用时，由于基板、阳极、阴极、透明隔离层均属于透明材质，有机发光单元中的有机物形成的薄膜也属于透明材质，因此整个器件的外观是透明的，可以作为透明件使用，在通电进行使用时，两个发光面均可进行发光，形成360度的全方位照明。
第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供清洁的第一基板和第二基板；
（2）在所述第一基板上制备第一有机发光单元，步骤为在所述第一基板上磁控溅射第一阳极，所述溅射条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2，然后在所述第一阳极上依次热阻蒸镀制备第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极，得到设置在所述第一基板上的所述第一有机发光单元，所述热阻蒸镀的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，第一空穴注入层和第一电子注入层的蒸镀速率为0.1～1nm/s，第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层的蒸镀速率为0.01～1nm/s，第一阴极的蒸镀速率为0.2～2nm/s；
（3）在所述第一阴极上热阻蒸镀制备透明隔离层，包括设置在所述第一阴极上的干涉介质层和设置在所述干涉介质层上的绝缘层，所述干涉介质层为一层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜，所述绝缘层的材质为一氧化硅，所述热阻蒸镀的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
（4）在所述第二基板上热阻蒸镀制备第二有机发光单元，步骤为在所述第二基板上磁控溅射第二阳极，所述溅射条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2，然后在所述第二阳极上依次热阻蒸镀制备第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极，得到设置在所述第二基板上的所述第二有机发光单元，所述热阻蒸镀的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，第二空穴注入层和第二电子注入层的蒸镀速率为0.1～1nm/s，第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层的蒸镀速率为0.01～1nm/s，第二阴极的蒸镀速率为0.2～2nm/s；
（5）用封装胶将所述第一基板粘结于第二基板形成封闭区间，且所述第一有机发光单元和第二有机发光单元容置于所述封闭区间内。
步骤（1）中，选用的第一基板和第二基板均为透明材质。透明的基板不会影响器件的出光。优选地，第一基板和第二基板均为透明玻璃。
具体地，第一基板和第二基板通过以下方法清洗：将第一基板和第二基板分别放入含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，之后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，再用氮气吹干，得到清洁的第一基板和第二基板。
优选地，第一基板和第二基板的厚度均为0.1～1mm。
步骤（2）中，在第一基板上制备第一有机发光单元，先磁控溅射第一阳极，然后依次热阻蒸镀制备第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极。
溅射条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2。
热阻蒸镀的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，第一空穴注入层和第一电子注入层的蒸镀速率为0.1～1nm/s，第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层的蒸镀速率为0.01～1nm/s，第一阴极的蒸镀速率为0.2～2nm/s。
优选地，第一阳极的材质为透明导电氧化物薄膜，选自铟锡氧化物（ITO）。
优选地，第一阳极的厚度为100nm。
优选地，第一空穴注入层的材质为酞菁铜（CuPc）。
优选地，第一空穴注入层的厚度为10nm。
优选地，第一空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)。
优选地，第一空穴传输层的厚度为30nm。
第一发光层的材质可采用本领域所常用的有机发光小分子材料。
优选地，第一发光层的材质为掺杂有客体材料的红光主体材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或双（2-（苯并[b]噻吩-2-基）吡啶）（乙酰丙酮）合铱Ir(btp)2(acac)，所述红光主体材料为8-羟基喹啉铝(Alq3)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)或4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)，所述客体材料在红光主体材料中的掺杂质量分数为1%～10%。
也优选地，第一发光层的材质为荧光发光材料或掺杂有磷光材料的蓝光主体材料，所述荧光发光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）或4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯（DPAVBi），所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）或双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）；所述蓝光主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)；所述磷光材料在蓝光主体材料中的掺杂质量分数为2%～20%
优选地，第一发光层的厚度为10nm。
优选地，第一电子传输层的材质为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
优选地，第一电子传输层的厚度为30nm。
优选地，第一电子注入层的材质为氟化锂（LiF）。
优选地，第一电子注入层的厚度为0.5nm。
优选地，第一阴极的材质为银（Ag）。
优选地，第一阴极的厚度为20nm。
步骤（3）中，将透明隔离层蒸镀在第一阴极上，包括依次层叠的干涉介质层和绝缘层。
干涉介质层的材质在可见光范围内具有较高的透过率，为一层硫化合物薄膜，硫化锌（ZnS）或硒化锌（ZnSe）熔点较低、折射率较高，对有机发光单元的出射光产生最大光干涉，增加光的强度，且可以通过真空热阻蒸发来制备。
具体地，干涉介质层为一层硫化锌（ZnS）薄膜或硒化锌（ZnSe）薄膜。
优选地，干涉介质层进一步包括设置在硫化锌薄膜或硒化锌薄膜上的金属薄膜和设置在金属薄膜上的第二硫化锌薄膜或硒化锌薄膜，即干涉介质层为依次层叠的硫化锌薄膜或硒化锌薄膜、金属薄膜、第二硫化锌薄膜或硒化锌薄膜。
第二硫化锌薄膜或硒化锌薄膜的材质为硫化锌或硒化锌。
在两层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜之间设置一层金属薄膜，金属薄膜将两层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜分隔，使每层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜的上下两面均发生光的反射，发生两组干涉现象，在硫化锌薄膜或硒化锌薄膜与金属薄膜形成两个光反射界面，在这两个反射界面形成的反射光线掺杂干涉相消，从而降低了反射率而提高了透过率。
硫化锌薄膜或硒化锌薄膜、以及金属薄膜均通过热阻蒸镀设置。
热阻蒸镀硫化锌薄膜或硒化锌薄膜的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，速率0.1～1nm/s。
优选地，热阻蒸镀金属薄膜的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，速率0.2～2nm/s。
进一步优选地，金属薄膜的材质为银（Ag）、铝（Al）或镁（Mg）。
进一步优选地，金属薄膜的厚度为8～15nm。
绝缘层的材质为绝缘材质，避免电极直接接触造成短路。并且绝缘层的材质熔点低、透光性较好。
绝缘层通过热阻蒸镀设置在干涉介质层上。
热阻蒸镀绝缘层的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，速率0.1～1nm/s。
本发明中，绝缘层的材质为一氧化硅。
优选地，绝缘层的厚度为500～2000nm。
步骤（4）中，在第二基板上制备第二有机发光单元，先磁控溅射第二阳极，然后依次热阻蒸镀制备第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极。
溅射条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2。
热阻蒸镀的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，第二空穴注入层和第二电子注入层的蒸镀速率为0.1～1nm/s，第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层的蒸镀速率为0.01～1nm/s，第二阴极的蒸镀速率为0.2～2nm/s。
优选地，第二阳极的材质为透明导电氧化物薄膜，选自铟锡氧化物（ITO）。
优选地，第二阳极的厚度为100nm。
优选地，第二空穴注入层的材质为酞菁铜（CuPc）。
优选地，第二空穴注入层的厚度为10nm。
优选地，第二空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)。
优选地，第二空穴传输层的厚度为30nm。
第二发光层的材质可采用本领域所常用的有机发光小分子材料。
优选地，第二发光层的材质为掺杂有客体材料的红光主体材料，所述客体材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或双（2-（苯并[b]噻吩-2-基）吡啶）（乙酰丙酮）合铱Ir(btp)2(acac)，所述红光主体材料为8-羟基喹啉铝(Alq3)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)或4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)，所述客体材料在红光主体材料中的掺杂质量分数为1%～10%。
也优选地，第二发光层的材质为荧光发光材料或掺杂有磷光材料的蓝光主体材料，所述荧光发光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi）或4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯（DPAVBi），所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）或双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）；所述蓝光主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）或4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)；所述磷光材料在蓝光主体材料中的掺杂质量分数为2%～20%
优选地，第二发光层的厚度为10nm。
优选地，第二电子传输层的材质为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
优选地，第二电子传输层的厚度为30nm。
优选地，第二电子注入层的材质为氟化锂（LiF）。
优选地，第二电子注入层的厚度为0.5nm。
优选地，第二阴极的材质为银（Ag）。
优选地，第二阴极的厚度为20nm。
步骤（5）中，使用封装胶涂布在第一基板和第二基板上，以将第一基板粘结于第二基板形成封闭区间，使第一有机发光单元和第二有机发光单元容置于该封闭区间内。封装后，第二有机发光单元和透明隔离层之间发生物理接触，或存在空隙。
封装胶对可见光具有超过90%的透过率。优选地，封装胶为可固化材料，选自光固化聚丙烯酸树脂或光固化环氧树脂。
透明隔离层的存在使有机发光单元的出射光产生最大光干涉，增加了光的强度，并提高了光的透过率。本发明两个有机发光单元可发出不同的发射光，也可发光相同的发射光，两个单元的发射光最后均可通过透明隔离层进行混合，形成混合光发射，两个发光单元均可通过两个独立的驱动装置进行控制，使得到的光具有较好的可控性和稳定性。有机发光单元设置在基板上，该基板可以防止水氧对有机电致发光器件的腐蚀，提高器件的使用寿命，且不会影响有机电致发光器件的发光。
本发明的有机电致发光器件在不使用时，由于基板、阳极、阴极、透明隔离层均属于透明材质，有机发光单元中的有机物形成的薄膜也属于透明材质，因此整个器件的外观是透明的，可以作为透明件使用，在通电进行使用时，两个发光面均可进行发光，形成360度的全方位照明。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
（1）透明隔离层的存在使有机发光单元的出射光产生最大光干涉，增加了光的强度，并提高了光的透过率；
（2）两个发光单元均可通过两个独立的驱动装置进行控制，使得到的光具有较好的可控性和稳定性，不存在多个发光层之间能量转移的问题，均一度好；
（3）器件在不通电的时候，呈现透明的状态，可以作为透明件来使用，极大地拓宽了该器件的使用领域。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明有机电致发光器件透明隔离层的结构示意图；
图3是本发明有机电致发光器件第一发光单元的结构示意图；
图4是本发明有机电致发光器件第二发光单元的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供厚度为0.1mm的玻璃作为第一基板和第二基板，将第一基板和第二基板分别放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；
（2）在第一基板上制备第一有机发光单元：
（a）在真空度为1×10-5Pa的溅射镀膜室中，在第一基板上磁控溅射透明导电氧化物薄膜ITO作为第一阳极，厚度为100nm，溅射条件为加速电压300V，磁场50G，功率密度1W/cm2；
（b）在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在第一阳极上依次热阻蒸镀制备第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极，得到设置在第一基板上的第一有机发光单元；
具体地，第一空穴注入层的材质为CuPc，厚度为10nm；第一空穴传输层的材质为NPB，厚度为30nm；第一发光层的材质为DCJTB掺杂在Alq3中，DCJTB的掺杂质量分数为1%，厚度为10nm；第一电子传输层的材质为TPBi，厚度为30nm；第一电子注入层的材质为LiF，厚度为0.5nm；第一阴极的材质为Ag，厚度为20nm，结构具体表示为ITO(100nm)/CuPc(10nm)/NPB(30nm)/DCJTB:Alq3(1%,10nm)/TPBi(30nm)/LiF(0.5nm)/Ag(20nm)；（注：斜杠“/”表示层状结构，DCJTB:Alq3中的冒号“：”表示混合，下同）
其中，CuPc和LiF的蒸镀速率为0.1nm/s，NPB、DCJTB掺杂在Alq3中形成的混合物和TPBi的蒸镀速率为0.01nm/s，Ag的蒸镀速率为0.2nm/s；
（3）在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在第一阴极上热阻蒸镀制备透明隔离层：
在金属Ag阴极上依次蒸镀厚度为40nm的ZnS薄膜、15nm的Ag薄膜和40nm的ZnS薄膜，然后蒸镀厚度为500nm的SiO作为绝缘层，形成透明隔离层；其中，蒸镀Ag的速率为0.2nm/s，蒸镀ZnS和SiO的速率为0.1nm/s；
（4）在第二基板上制备第二有机发光单元：
（a）在真空度为1×10-5Pa的溅射镀膜室中，在第二基板上磁控溅射透明导电氧化物薄膜ITO作为第二阳极，厚度为100nm，溅射条件为加速电压300V，磁场50G，功率密度1W/cm2；
（b）在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在第二阳极上依次热阻蒸镀制备第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极，得到设置在第二基板上的第二有机发光单元；
具体地，第二空穴注入层的材质为CuPc，厚度为10nm；第二空穴传输层的材质为NPB，厚度为30nm；第二发光层的材质为FIrpic掺杂在TPBi中，FIrpic的质量分数为10%，厚度为20nm；第二电子传输层的材质为Bphen，厚度为30nm；第一电子注入层的材质为LiF，厚度为0.5nm；第一阴极的材质为Ag，厚度为20nm，结构具体表示为ITO(100nm)/CuPc（10nm）/NPB(30nm)/FIrpic:TPBi(10%,20nm)/Bphen(30nm)/LiF(0.5nm)/Ag(20nm)；
其中，CuPc和LiF的蒸镀速率为0.1nm/s，NPB、FIrpic掺杂在TPBi中形成的混合物和Bphen的蒸镀速率为0.01nm/s，Ag的蒸镀速率为0.2nm/s；
（5）用光固化聚丙烯酸树脂将第一基板粘结于第二基板形成封闭区间，且第一有机发光单元和第二有机发光单元容置于封闭区间内。
图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件包括第一基板10、设置在第一基板10上的第一有机发光单元20，设置在第一有机发光单元20上的透明隔离层30，第二基板40、设置在第二基板40上的第二有机发光单元50，以及封装胶60。
图2为本实施例制备的有机电致发光器件中透明隔离层的结构示意图，透明隔离层30包括依次层叠的干涉介质层301和绝缘层302。
图3为本实施例制备的有机电致发光器件中第一有机发光单元的结构示意图，第一有机发光单元20包括依次层叠的第一阳极201、第一空穴注入层202、第一空穴传输层203、第一发光层204、第一电子传输层205、第一电子注入层206和第一阴极207。
图4为本实施例制备的有机电致发光器件中第二有机发光单元的结构示意图，第二有机发光单元50包括依次层叠的第二阳极501、第二空穴注入层502、第二空穴传输层503、第二发光层504、第二电子传输层505、第二电子注入层506和第二阴极507。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供厚度为1mm的玻璃作为第一基板和第二基板，将第一基板和第二基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干；
（2）在第一基板上制备第一有机发光单元：
（a）在真空度为1×10-3Pa的溅射镀膜室中，在第一基板上磁控溅射透明导电氧化物薄膜ITO作为第一阳极，厚度为100nm，溅射条件为加速电压800V，磁场200G，功率密度40W/cm2；
（b）在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在第一阳极上依次热阻蒸镀制备第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极，得到设置在第一基板上的第一有机发光单元；
具体地，第一空穴注入层的材质为CuPc，厚度为10nm；第一空穴传输层的材质为NPB，厚度为30nm；第一发光层的材质为Ir(ppy)3掺杂在TPBi中，Ir(ppy)3的掺杂质量分数为10%，厚度为10nm；第一电子传输层的材质为TPBi，厚度为30nm；第一电子注入层的材质为LiF，厚度为0.5nm；第一阴极的材质为Ag，厚度为20nm，结构具体表示为ITO(100nm)/CuPc(10nm)/NPB(30nm)/Ir(ppy)3:TPBi(10%,10nm)/TPBi(30nm)/LiF(0.5nm)/Ag(20nm)；
其中，CuPc和LiF的蒸镀速率为1nm/s，NPB、Ir(ppy)3掺杂在TPBi中形成的混合物和TPBi的蒸镀速率为1nm/s，Ag的蒸镀速率为2nm/s；
（3）在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在第一阴极上热阻蒸镀制备透明隔离层：
在金属Au阴极上依次蒸镀厚度为80nm的ZnSe薄膜、8nm的Ag薄膜和80nm的ZnSe薄膜，然后蒸镀厚度为2000nm的SiO作为绝缘层，形成透明隔离层；
（4）在第二基板上制备第二有机发光单元：
（a）在真空度为1×10-3Pa的溅射镀膜室中，在第二基板上磁控溅射透明导电氧化物薄膜ITO作为第二阳极，厚度100nm，溅射条件为加速电压800V，磁场200G，功率密度40W/cm2；
（b）在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在第二阳极上依次热阻蒸镀制备第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极，得到设置在第二基板上的第二有机发光单元；
具体地，第二空穴注入层的材质为CuPc，厚度为10nm；第二空穴传输层的材质为NPB，厚度为30nm；第二发光层的材质为Ir(ppy)3掺杂在TPBi中，Ir(ppy)3的掺杂质量分数为10%，厚度为10nm；第二电子传输层的材质为TPBi，厚度为30nm；第一电子注入层的材质为LiF，厚度为0.5nm；第一阴极的材质为Ag，厚度为20nm，结构具体表示为ITO(100nm)/CuPc（10nm）/NPB(30nm)/Ir(ppy)3:TPBi(10%,10nm)/TPBi(30nm)/LiF(0.5nm)/Ag(20nm)；
其中，CuPc和LiF的蒸镀速率为1nm/s，NPB、Ir(ppy)3掺杂在TPBi中形成的混合物和TPBi的蒸镀速率为1nm/s，Ag的蒸镀速率为2nm/s；
（5）用光固化环氧树脂将第一基板粘结于第二基板形成封闭区间，且第一有机发光单元和第二有机发光单元容置于封闭区间内。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：
第一基板；
第一有机发光单元，设置在所述第一基板上，包括依次层叠的第一阳极、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极；
透明隔离层，设置在所述第一阴极上，包括设置在所述第一阴极上的干涉介质层和设置在所述干涉介质层上的绝缘层，所述干涉介质层为一层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜，所述绝缘层的材质为一氧化硅；
第二基板；
第二有机发光单元，设置在所述第二基板上，包括依次层叠的第二阳极、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极；及
封装胶，覆在所述第一基板和第二基板上，所述第一基板通过封装胶粘结于所述第二基板形成封闭区间，且所述第一有机发光单元和第二有机发光单元容置于所述封闭区间内。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述干涉介质层进一步包括设置在所述硫化锌薄膜或硒化锌薄膜上的金属薄膜和设置在所述金属薄膜上的第二硫化锌薄膜或硒化锌薄膜。
3.如权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属薄膜的材质为银、铝或镁。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一基板和第二基板的材质为透明玻璃。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装胶对可见光的透过率大于90%。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
（1）提供清洁的第一基板和第二基板；
（2）在所述第一基板上制备第一有机发光单元，步骤为在所述第一基板上磁控溅射第一阳极，所述溅射条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2，然后在所述第一阳极上依次热阻蒸镀制备第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一阴极，得到设置在所述第一基板上的所述第一有机发光单元，所述热阻蒸镀的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，第一空穴注入层和第一电子注入层的蒸镀速率为0.1～1nm/s，第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层的蒸镀速率为0.01～1nm/s，第一阴极的蒸镀速率为0.2～2nm/s；
（3）在所述第一阴极上热阻蒸镀制备透明隔离层，包括设置在所述第一阴极上的干涉介质层和设置在所述干涉介质层上的绝缘层，所述干涉介质层为一层硫化锌薄膜或硒化锌薄膜，所述绝缘层的材质为一氧化硅，所述热阻蒸镀的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
（4）在所述第二基板上热阻蒸镀制备第二有机发光单元，步骤为在所述第二基板上磁控溅射第二阳极，所述溅射条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2，然后在所述第二阳极上依次热阻蒸镀制备第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二阴极，得到设置在所述第二基板上的所述第二有机发光单元，所述热阻蒸镀的条件为压强1×10-5～1×10-3Pa，第二空穴注入层和第二电子注入层的蒸镀速率为0.1～1nm/s，第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层的蒸镀速率为0.01～1nm/s，第二阴极的蒸镀速率为0.2～2nm/s；
（5）用封装胶将所述第一基板粘结于第二基板形成封闭区间，且所述第一有机发光单元和第二有机发光单元容置于所述封闭区间内。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述干涉介质层进一步包括设置在硫化锌薄膜或硒化锌薄膜上的金属薄膜和设置在所述金属薄膜上的第二硫化锌薄膜或硒化锌薄膜。
8.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜的材质为银、铝或镁。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一基板和第二基板的材质为透明玻璃。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装胶对可见光的透过率大于90%。
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