CN104124388A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的透光基底、反射层、介质层、阳极、发光层及阴极，所述透光基底具有覆盖面，所述反射层包括多个分散在所述覆盖面的表面的反射区，所述覆盖面包括被所述反射区覆盖的遮光区及被所述介质层覆盖的透光区，所述反射层的材料选自铝、银、铂及镍中的至少一种，所述介质层覆盖所述反射区及所述透光基底的透光区，所述介质层的材料选自二氧化硅、一氧化硅及氮化硅化合物中的至少一种，所述阳极的材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种，所述阴极的材料选自银、铝、钐及镱中的至少一种。上述有机电致发光器件双面发光且结构简单。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从反射层注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从第二阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
现有的OLED大部分只能将光从第二阳极或者反射层的一侧取出，制得底发射或顶发射OLED装置。双面发光显示的OLED装置，通常采用透明的阳极和阴极使得可以双面出光。然而由于阳极材料和阴极材料的透光率存在差异，使得现有的双面发光显示的OLED装置两侧的发光强度差别较大。
发明内容
基于此，有必要提供一种双面发光且两个出光面发光强度较为均匀的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的透光基底、反射层、介质层、阳极、发光层及阴极，所述透光基底具有覆盖面，所述反射层包括多个分散在所述覆盖面的表面的反射区，所述覆盖面包括被所述反射区覆盖的遮光区及被所述介质层覆盖的透光区，所述反射层的材料选自铝、银、铂及镍中的至少一种，所述介质层覆盖所述反射区及所述透光基底的透光区，所述介质层的材料选自二氧化硅、一氧化硅及氮化硅化合物中的至少一种，所述阳极的材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种，所述阴极的材料选自银、铝、钐及镱中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述反射层的厚度为50nm～100nm，所述介质层的厚度为50nm～100nm，所述阳极的厚度为70nm～200nm，所述阴极的厚度为20nm～40nm。
在其中一个实施例中，所述遮光区的面积与所述覆盖面的面积之比为20:100～60:100。
在其中一个实施例中，所述反射区及所述透光区均为长条状，所述反射区与所述透光区交替排布。
在其中一个实施例中，所述反射区及所述透光区均为正方形，所述反射区与所述透光区交替排布，且每一个反射区的至少两条边与相邻的透光区的边贴合，每一个反射区的至少一个角与另一个反射区的一角相抵接。
在其中一个实施例中，所述反射区为正方形，所述多个反射区间隔排布且每一个反射区与其他反射区互不连接。
在其中一个实施例中，所述反射区为不规则形状，所述反射区在所述覆盖面表面随机分布。
在其中一个实施例中，所述反射区为网状。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在透光基底的覆盖面与蒸发源之间设置具有开孔的掩膜板，然后通过蒸发反射层材料，在透光基底的覆盖面制备反射层，所述反射层包括多个分散在所述覆盖面的表面的反射区，所述覆盖面包括透光区及被所述反射区覆盖的遮光区，所述反射层的材料选自铝、银、铂及镍中的至少一种；
在所述反射区表面及所述透光区表面制备介质层，所述介质层的材料选自二氧化硅、一氧化硅及氮化硅化合物中的至少一种；
在所述介质层表面制备阳极，所述阳极的材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种；
在所述阳极的表面制备发光层；及
在所述发光层的表面制备阴极，所述阴极的材料选自银、铝、钐及镱中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述遮光区的面积与所述覆盖面的面积之比为20:100～60:100。
上述有机电致发光器件及其制备方法，阳极的材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种，阴极的材料为半透明的材料，从而有机电致发光器件可以从阴极及透光基底两个面出光，阴极的透光率低于阳极的透光率，通过在透光基底的遮光区上设置反射层，反射层可以对光线进行反射，减少从透光基底出射的光线，增加从阴极出光的量，从而补偿了阴极和阳极透光率的差异，使得有机电致发光器件可以双面出光且两个出光面的发光强度较为均匀。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的反射层与透光基底的组合示意图；
图3为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图4为另一实施方式的有机电致发光器件的反射层与透光基底的组合示意图；
图5为另一实施方式的有机电致发光器件的反射层与透光基底的组合示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的透光基底10、反射层20、介质层30、阳极40、发光层50及阴极60。
透光基底10的材料为玻璃。透光基底10具有覆盖面12。透光基底10与覆盖面12相对于的一个表面为第一出光面14。
请同时参阅图2，反射层20形成于透光基底10的表面。反射层20的材料选自铝（Al）、银（Ag）、铂（Pt）及镍（Ni）中的至少一种。反射层20的厚度为50nm～100nm。反射层20包括多个分散在覆盖面12的反射区22，从而将覆盖面12的表面分为没有被反射区22覆盖的透光区122及被反射区22覆盖的遮光区124。遮光区124的面积与覆盖面12的面积之比为20:100～60:100。
反射区22为长条状。透光区122也为长条状。优选的，反射区22的宽度为1cm～10cm。反射区22与透光区122交替排布。本实施方式中，反射区22与透光区122的形状及大小均相同，当然在其他实施例中，反射区22与透光区的形状及大小也可以不同。
介质层30形成于反射层20表面。介质层30覆盖反射层20的反射区22及覆盖面12的透光区122，且介质层30为连续的薄膜。介质层30的材料选自二氧化硅（SiO2）、一氧化硅（SiO）及氮化硅化合物（SiNx）中的至少一种。氮化硅化合物是一种非计量比的化合物，即X的值是不确定的，可以有多种比值，但是组成该化合物的元素只有Si和N两种，如四氮化三硅（Si3N4）。介质层30的厚度为50nm～100nm。介质层30用于将反射层20与阳极40进行绝缘隔离，同时介质层30为连续的薄膜，方便后续膜层的制备。由于反射层20的反射区22仅仅覆盖覆盖面12的遮光区124，透光区122没有被反射层20覆盖，因此介质层30覆盖透光区122的区域相对于覆盖反射区22凹陷，从而在介质层30表面形成凹陷（图未标）。
阳极40形成于介质层30表面。阳极40的材料选自铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铝锌氧化物（AZO）及镓锌氧化物（GZO）中的至少一种。阳极40的厚度为70nm～200nm。
发光层50形成于阳极40的表面。发光层50的材质为本领域的有机电致发光器件的常用材质。
阴极60形成于发光层50的表面。阴极60的材料选自银（Ag）、铝（Al）、钐（Sm）及镱（Yb）中的至少一种。阴极60的厚度为20nm～40nm。阴极60的表面为第二出光面62，第二出光面62为曲面。
由于介质层30表面有凹陷，因此层叠在介质层30表面的阳极40、发光层50及阴极60的表面均形成有凹陷。
需要说明的是，根据需要还可以再阳极40与发光层50之间及发光层50与阴极60之间设置其他功能层。比如在阳极40与发光层50之间可设置空穴注入层酞菁铜（CuPc），空穴传输层N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，在发光层50与阴极60之间设置电子传输层1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，电子注入层氟化锂（LiF）。
上述有机电致发光器件100，阳极40的材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种，阴极60的材料为半透明的材料，从而有机电致发光器件100可以从阴极60的第二出光面62及透光基底10的第一出光面14出光，阴极60的透光率为50%～70%，低于阳极40的透光率（大于80%），通过在透光基底10的遮光区124上设置反射层20，反射层20可以对光线进行反射，减少从透光基底10的第一出光面14出射的光线，增加从阴极60的第二出光面62出射的光线，从而补偿了阴极60和阳极40透光率的差异，使得有机电致发光器件100可以双面出光且两个出光面的发光强度较为均匀。
请同时参阅图3，一实施方式的有机电致发光器件100的制备方法，包括以下步骤：
步骤S110、在透光基底的覆盖面与蒸发源之间设置具有开孔的掩膜板，然后通过蒸发反射层材料，在透光基底的覆盖面制备反射层20。
透光基底10的材料为玻璃。透光基底10具有覆盖面12。透光基底10与覆盖面12相对于的一个表面为第一出光面14。
本实施方式中，在透光基底10表面形成反射层20之前先对透光基底10进行前处理，前处理包括：将透光基底10放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
反射层20的材料选自铝（Al）、银（Ag）、铂（Pt）及镍（Ni）中的至少一种。蒸发源内的材料为反射层材料。反射层20的厚度为50nm～100nm。反射层20包括多个分散在覆盖面12的反射区22，从而将覆盖面12的表面分为没有被反射区22覆盖的透光区122及被反射区22覆盖的遮光区124。遮光区124的面积与覆盖面12的面积之比为20:100～60:100。
反射区22为长条状。透光区122也为长条状。优选的，反射区22的宽度为1cm～10cm。反射区22与透光区122交替排布。本实施方式中，反射区22与透光区122的形状及大小均相同，当然在其他实施例中，反射区22与透光区的形状及大小也可以不同。
步骤S120、在反射区22表面及透光区122表面制备介质层20。
介质层30形成于反射层20表面。介质层30覆盖反射层20的反射区22及覆盖面12的透光区122，且介质层30为连续的薄膜。介质层30的材料选自二氧化硅（SiO2）、一氧化硅（SiO）及氮化硅化合物（SiNx）中的至少一种。氮化硅化合物是一种非计量比的化合物，即X的值是不确定的，可以有多种比值，但是组成该化合物的元素只有Si和N两种，如四氮化三硅（Si3N4）。介质层30的厚度为50nm～100nm。介质层30用于将反射层20与阳极40进行绝缘隔离，同时介质层30为连续的薄膜，方便后续膜层的制备。由于反射层20的反射区22仅仅覆盖覆盖面12的遮光区124，透光区122没有被反射层20覆盖，因此介质层30覆盖透光区122的区域相对于覆盖反射区22凹陷，从而在介质层30表面形成凹陷（图未标）。
步骤S130、在介质层30表面制备阳极40。
阳极40的材料选自铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铝锌氧化物（AZO）及镓锌氧化物（GZO）中的至少一种。阳极40的厚度为70nm～200nm。
步骤S140、在阳极40的表面制备发光层50。
发光层50的材质为本领域的有机电致发光器件的常用材质。
步骤S150、在发光层50的表面制备阴极60。
阴极60的材料选自银（Ag）、铝（Al）、钐（Sm）及镱（Yb）中的至少一种。阴极60的厚度为20nm～40nm。阴极60的表面为第二出光面62，第二出光面62为曲面。
由于介质层30表面有凹陷，因此层叠在介质层30表面的阳极40、发光层50及阴极60的表面均形成有凹陷。
需要说明的是，根据需要还可以在阳极40与发光层50之间及发光层50与阴极60之间设置其他功能层。
上述有机电致发光器件的制备方法较为简单。
请参阅图4，本发明另一实施方式的有机电致发光器件200与有机电致发光器件100的结构大致相同，其不同在于：有机电致发光器件200的反射区22a为正方形，多个反射区22a间隔排布且每一个反射区22a与其他反射区22a互不连接，透光区122a的数量为一，且为一个整体。本实施方式中，反射区22a的边长为1cm～3cm，反射区22a的总面积与透光区122a的总面积之比为20:100。
请参阅图5，本发明另一实施方式的有机电致发光器件300与有机电致发光器件100的结构大致相同，其不同在于：有机电致发光器件300的反射区22b及透光区122b均为正方形，反射区22b与透光区122b交替排布，且每一个反射区22b的一角与至少一个反射区22b的一角相抵接，每一个反射区22b的至少两条边与相邻的透光区122b的边贴合。本实施方式中，反射区22b及透光区122b的边长为1cm～5cm，反射区22b的总面积与透光区122b的总面积之比为50:100。
需要说明的是，反射区的形状还可以为不规则形状，随机排布在覆盖面的表面，只要能对部分光线产生反射补偿阴极和阳极透光率的差异即可。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的透光基底、反射层、介质层、阳极、发光层及阴极，所述透光基底具有覆盖面，所述反射层包括多个分散在所述覆盖面的表面的反射区，所述覆盖面包括被所述反射区覆盖的遮光区及被所述介质层覆盖的透光区，所述反射层的材料选自铝、银、铂及镍中的至少一种，所述介质层覆盖所述反射区及所述透光基底的透光区，所述介质层的材料选自二氧化硅、一氧化硅及氮化硅化合物中的至少一种，所述阳极的材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种，所述阴极的材料选自银、铝、钐及镱中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述反射层的厚度为50nm～100nm，所述介质层的厚度为50nm～100nm，所述阳极的厚度为70nm～200nm，所述阴极的厚度为20nm～40nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述遮光区的面积与所述覆盖面的面积之比为20:100～60:100。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述反射区及所述透光区均为长条状，所述反射区与所述透光区交替排布。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述反射区及所述透光区均为正方形，所述反射区与所述透光区交替排布，且每一个反射区的至少两条边与相邻的透光区的边贴合，每一个反射区的至少一个角与另一个反射区的一角相抵接。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述反射区为正方形，所述多个反射区间隔排布且每一个反射区与其他反射区互不连接。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述反射区为不规则形状，所述反射区在所述覆盖面表面随机分布。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述反射区为网状。
9.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在透光基底的覆盖面与蒸发源之间设置具有开孔的掩膜板，然后通过蒸发反射层材料，在透光基底的覆盖面制备反射层，所述反射层包括多个分散在所述覆盖面的表面的反射区，所述覆盖面包括透光区及被所述反射区覆盖的遮光区，所述反射层的材料选自铝、银、铂及镍中的至少一种；
在所述反射区表面及所述透光区表面制备介质层，所述介质层的材料选自二氧化硅、一氧化硅及氮化硅化合物中的至少一种；
在所述介质层表面制备阳极，所述阳极的材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种；
在所述阳极的表面制备发光层；及
在所述发光层的表面制备阴极，所述阴极的材料选自银、铝、钐及镱中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述遮光区的面积与所述覆盖面的面积之比为20:100～60:100。
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