CN104122714A - 一种液晶显示器的阵列基板 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种液晶显示器的阵列基板。该阵列基板包括：基板、多条栅极线、多个薄膜晶体管、多个像素电极、公共电极和多条辅助金属线。多条栅极线形成在基板表面，多条资料线与栅极线交叉以限定多个像素单元，多个薄膜晶体管位于栅极线与资料线的交叉处。多个像素电极与薄膜晶体管电连接，公共电极覆盖该基板除薄膜晶体管之外的区域。多条辅助金属线与栅极线部分重叠并与资料线位于同一膜层。该公共电极透过接触孔与该辅助金属线电连接，可以有效降低该公共电极的阻值。

Description

一种液晶显示器的阵列基板

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器，尤其涉及一种液晶显示器的阵列基板。

背景技术

作为液晶显示器的显示方式，以往扭曲向列(Twisted Nematic，TN)方式一直被广泛使用，但是该方式在显示原理上，对视场角存在限制。

作为解决该问题的方法，横向电场方式已为众所周知，例如平面内开关(In Plane Switching，IPS)方式和边缘场开关 (Fringe Field Switching，FFS)方式。该横向电场方式在阵列基板上形成像素电极和公共电极，对该像素电极和该公共电极之间施加电压，使之产生与该阵列基板大致平行的电场，在与该阵列基板面基本平行的面内驱动液晶分子。

现有技术的一种IPS型液晶显示器的阵列基板中，公共电极位于最上层，作为上电极，像素电极则位于公共电极下方，作为下电极。通常，公共电极为一整面透明电极，覆盖该阵列基板。但是，这种公共电极的阻值较高，容易造成公共电极的电压不稳定。

发明内容

为此，提供一种能降低公共电极阻值的液晶显示器阵列基板实为必要。

根据本发明的一个方面，提供一种液晶显示器的阵列基板，包括：基板；形成在基板表面的多条栅极线；多条资料线与栅极线交叉以限定多个像素单元；多个薄膜晶体管，位于栅极线与资料线的交叉处；多个像素电极，与薄膜晶体管电连接；公共电极，覆盖该基板除薄膜晶体管之外的区域；以及多条辅助金属线，与栅极线部分重叠并与资料线位于同一膜层，该公共电极透过接触孔与该辅助金属线电连接。

相较于现有技术，根据本发明提供的阵列基板，由于在栅极线上方设置了辅助金属线，使该公共电极通过接触孔与该辅助金属线电连接，可有效降低该公共电极的阻值，提高该公共电极电压的稳定性。

附图说明

图1为本发明提供的液晶显示器阵列基板的俯视图。

图2为图1中所示的液晶显示器阵列基板沿线Ⅱ-Ⅱ的剖示图。

主要元件符号说明

阵列基板	100
		栅极线	GL
资料线	DL
		公共电极线	CL
基板	10
		栅极	11
栅极绝缘层	12
		通道层	13
源极	14
		漏极	15
像素电极	16
		钝化层	18
通孔	18c
		公共电极	19
开口	19a
		狭缝	19b
TFT	20

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

将参照附图表述根据本发明的实施例用于液晶显示器的阵列基板。

图1是本发明实施例的液晶显示器阵列基板100的俯视图。图2是本发明的实施例液晶显示器分别沿着图1中线Ⅱ-Ⅱ的剖示图。本实施方式中液晶显示器可以是IPS型液晶显示器，或者是FFS型液晶显示器。如图1所示，该阵列基板100包括：基板10、多条栅极线GL、多条资料线DL、多个薄膜晶体管（TFT）20、多个像素电极16和公共电极19。

该栅极线GL形成在基板10表面，彼此平行并朝第一方向延伸。该资料线DL与该栅极线GL交叉以限定多个像素单元。该TFT 20形成在栅极线GL和资料线DL的交叉处。该像素电极16作为下电极，与该TFT 20相连接，该像素电极16为平板状电极，但不限于此。

该公共电极19作为上电极，覆盖该基板上除TFT 20以外的区域。如图1所示，该公共电极19还包括一开口19a露出TFT 20。该公共电极19在像素单元内包括多条平行排列的狭缝（slit）19b。该狭缝19b大致为“<”字型，但不限于此。该狭缝19b还可以是条形或其它形状。该阵列基板100还包括多条公共电极线CL，该公共电极线CL位于该基板10上，并与该栅极线GL平行排列。

公共电极线CL和公共电极19向每个像素单元提供参考电压，例如公共电压。由于该公共电极19与该像素电极16重叠，且该公共电极19具有多个狭缝19b，因此，在该公共电极19和该像素电极16之间会形成平行电场，以驱动液晶旋转。

请同时参照图2，该TFT 20包括栅极11、通道层13、源极14和漏极15。其中，该栅极11位于该基板10上，与该栅极线GL相连并位于同一层。在本实施方式中，该栅极11部分凸出于栅极线GL之外，但并不限于此。该栅极11也包括在该栅极线GL中。该通道层13位于该栅极11上方。该源极14和该漏极15分别位于该通道层13的两侧并彼此分离。一并参考图1。该像素电极16与该漏极15部分重叠并电连接。

该阵列基板100还包括栅极绝缘层12，覆盖该栅极11、该栅极线GL、该公共电极线CL和该基板10。该栅极绝缘层12位于该通道层13和该栅极11之间。该像素电极16位于该栅极绝缘层12的上方。

该阵列基板100还包括钝化层18。该钝化层18覆盖该TFT 20、该像素电极16和该辅助金属线17。该公共电极19位于该钝化层18上方，与公共电极线CL连接。

如图1所示，该公共电极19是一整面透明电极，其材质一般为氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO）。在该实施例中，该公共电极19的材质为ITO。由于ITO的片电阻为70Ω，阻值较大。

为了降低该公共电极19的阻值，本发明在栅极线GL上方设置了辅助金属线17。该辅助金属线17与该栅极线GL部分重叠，并与该资料线DL、该源极14和该漏极15位于同一层。该辅助金属线17优选与资料线DL、、该源极14和该漏极15的材质相同，该辅助金属线17的材质为金属，比如铝、铜、钼，也以是多层结构，比如钼铝钼结构，钼铝结构或者是多层铝结构，但不限于此。以钼铝结构为例，该辅助金属线17的片电阻为0.2Ω。因此，该公共电极19可透过接触孔18c与该辅助金属线17电连接，可以有效地降低该公共电极19的阻值。该接触孔18c位于该钝化层18中，贯穿该钝化层18以至少暴露出部分该辅助金属线17，以将公共电极19和该辅助金属线17电连接。

该辅助金属线17可位于每个像素单元中，即位于每个像素单元对应的栅极线GL上方。在每个像素单元中，该辅助金属线17大致平行于该栅极线GL设置。由于该辅助金属线17与该栅极线GL重叠，并不会影响该阵列基板100的开口率。并且，该辅助线与资料线DL、该源极14和该漏极15的材质相同，并位于同一层，可在制作资料线DL、该源极14和该漏极15时一并形成该辅助金属线17，而不会增加该阵列基板100的制造流程。例如，在制作通道层13之后，在该通道层13和该栅极绝缘层12上方沉积一层金属层，再利用光蚀刻制程，一并制造出该资料线DL、该源极14、该漏极15和该辅助金属层17。

以上仅为本发明的一个实施例，本发明还可设计该像素电极16具有多个狭缝，而该公共电极19为平板状电极，不具有狭缝；或者设计该像素电极16和该公共电极19均具有多个狭缝。换句话说，至少像素电极16和公共电极19中的一种具有多个狭缝，使两者之间能产生水平电场。

总之，本发明提供的液晶显示器的阵列基板100，由于在栅极线GL上方设置了辅助金属线17，使该公共电极19通过接触孔18c与该辅助金属线17电连接，可有效降低该公共电极19的阻值，提高该公共电极19电压的稳定性。

本领域的普通技术人员应当理解，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种液晶显示器的阵列基板，包括：

基板；

形成在基板表面的多条栅极线；

多条资料线与栅极线交叉以限定多个像素单元；

多个薄膜晶体管，位于栅极线与资料线的交叉处；

多个像素电极，与薄膜晶体管电连接；

公共电极，覆盖该基板除薄膜晶体管之外的区域；以及

多条辅助金属线，与栅极线部分重叠并与资料线位于同一膜层，该公共电极透过接触孔与该辅助金属线电连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：每个像素单元中，该辅助金属线大致平行栅极线设置于每个像素单元中。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：该辅助金属线与该资料线、该源极和该漏极的材质相同。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：该辅助金属线与该资料线、该源极和该漏极同时形成。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：该薄膜晶体管包括位于基板上的栅极、位于栅极上方的通道层，以及位于通道层两侧并彼此分离的源极和漏极。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：该阵列基板还包括栅极绝缘层，覆盖该栅极、该栅极线和该基板。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：该阵列基板还包括钝化层，覆盖该薄膜晶体管、该像素电极和该辅助金属线。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：该接触孔贯穿该钝化层以露出至少部分该辅助金属线。

9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：该阵列基板还包括多条公共电极线，该公共电极线位于该基板上，并与该栅极线平行排列。

10.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：该公共电极包括多个平行排列的狭缝。