CN104120386A - 沉积装置和制造有机发光二极管显示器的方法 - Google Patents
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Abstract
一种沉积装置和制造有机发光二极管显示器的方法，该沉积装置包括：沉积室；多个基底支架，包括被配置为将基底维持在沉积室中的第一基底位置的第一支架和被配置为将另一基底维持在沉积室中的第二基底位置的第二支架；沉积源，被设置在沉积室中，并被配置为供应沉积材料以涂覆到放置在第一和第二基底位置的基底上；沉积源传送机构，被配置为在第一方向上移动沉积源以与第一和第二基底中的一个相对；以及基底传送机构，被配置为在第二方向上将基底传送到第一基底位置或者从第一基底位置传送，并进一步被配置为在第二方向上将另一基底传送到第二基底位置或者从第二基底位置传送。
Description
技术领域
本公开涉及沉积装置、包括该沉积装置的沉积系统以及制造有机发光二极管显示器的方法。
背景技术
有机发光二极管（OLED）显示器是一种平板显示器，因为它具有自发光特性，并且不需要单独的光源，从而可以被制造得重量轻且薄。特别是，OLED显示器呈现了例如低功耗、高亮度、高响应速度的品质特性，因此，OLED显示器作为下一代显示装置而备受瞩目。
通常，OLED显示器包括有机发光元件，有机发光元件包括阳极、有机发光层和阴极。空穴和电子分别从阳极和阴极注入，形成激子，激子跃迁到基态，从而使有机发光二极管发光。
阳极和阴极可以由金属薄膜或透明导电性薄膜形成，有机发光层可以由至少一种有机薄膜形成。真空沉积法可被用来在有机发光二极管显示器的基底上形成这样的有机薄膜、金属薄膜等。通常，真空沉积法被用来形成有机薄膜、金属薄膜等。在包括沉积源的沉积装置中，沉积材料被插入到坩埚中，并被加热以将沉积材料沉积在基底上，从而形成薄膜。
在此背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对本发明背景的理解，因此其可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的一个方面提供了能加工大致平行的多个基底并最小化例如基底和沉积掩模的对准的加工待命时间和对准时间以实现高生产率的沉积装置、以及包括该沉积装置的沉积系统。
另外，本发明的另一方面提供了使用沉积装置和沉积系统的有机发光二极管显示器的制造方法。
根据示例性实施例的沉积装置包括：沉积室；多个基底支架，包括被配置为将基底维持在沉积室中的第一基底位置的第一支架和被配置为将另一基底维持在沉积室中的第二基底位置的第二支架；沉积源，被设置在沉积室中，并被配置为供应沉积材料以涂覆到放置在第一和第二基底位置的基底上；沉积源传送机构，被配置为在第一方向上移动沉积源以与第一和第二基底中的一个相对；基底传送机构，被配置为在第二方向上将基底传送到第一基底位置或者从第一基底位置传送，并进一步被配置为在第二方向上将另一基底传送到第二基底位置或者从第二基底位置传送。
沉积室可进一步包括被配置为将至少一个沉积掩模传送到被设置在第一基底位置和第一源位置之间的第一掩模位置和被设置在第二基底位置和第二源位置之间的第二掩模位置的掩模传送机构。
沉积室可进一步包括被附着到沉积室并被配置为储存至少一个沉积掩模的掩模储存室，掩模储存室与掩模传送机构相连。
掩模传送机构可被提供在沉积室的沿第一方向的一侧端中，并被配置为在掩模储存室和沉积室之间沿第一方向移动掩模。
沉积室可进一步包括与掩模储存室和沉积室相连并清洁沉积掩模的掩模清洁室。
掩模清洁室可以被提供在沉积室和掩模储存室之间。
沉积室可进一步包括被配置为将各基底和沉积掩模对齐的对准装置。
掩模传送机构可包括在第一方向上延伸的一对导轨，沉积掩模包括形成有遮挡部分和开口的掩模主体和通过固定掩模主体由导轨支撑的框架，沉积掩模的框架可以进一步包括围绕导轨的保护板。
根据示例性实施例的沉积系统包括多个沉积装置，其每一个包括沉积室以及被提供在两个直接相邻的沉积室之间并连接两个直接相邻的沉积室的多个传送室。
沉积系统可进一步包括被配置为将至少一个掩模传送到被设置在第一基底位置和第一源位置之间的第一掩模位置和被设置在第二基底位置和第二源位置之间的第二掩模位置的掩模传送机构。
沉积系统可以被配置成协调基底传送机构和掩模传送机构，使得当基底从传送室被提供到沉积室时，基底沿第二方向被传送，沉积掩模沿和第二方向交叉的第一方向被传送。
传送室可容纳基底传送机构。
沉积室可进一步包括被连接到传送室的缓冲室。在这种情况下，基底传送部分可包括机械手结构。
根据示例性实施例的一种制造有机发光二极管显示器的方法包括：提供沉积装置；将第一基底和第二基底独立地传送到沉积室中，以将第一基底放置在第一基底位置，并将第二基底放置在第二基底位置；将第一沉积掩模和第二沉积掩模提供到沉积室中；将第一基底和第一沉积掩模对准在第一对准地点；将沉积源传送到第一对准地点；将沉积材料涂覆到第一基底；将第二基底和第二沉积掩模对在第二对准地点准；将沉积源传送到第二对准地点；以及将沉积材料涂覆到第二基底。
可以在沉积材料被涂覆到第一基底的同时进行到第二对准地点的对准。
有机发光二极管显示器的制造方法可以进一步包括，在喷射沉积材料到第一基底之后，从沉积室排出第一基底。
根据另一示例性实施例的一种有机发光二极管显示器的制造方法包括：提供沉积装置；将第一基底和第二基底独立地传送到沉积室中，以将第一基底放置在第一基底位置，并将第二基底放置在第二基底位置；将第一沉积掩模和第二沉积掩模提供到沉积室中；将第一基底和第一沉积掩模对准在第一对准地点；将沉积源传送到第一对准地点；将沉积材料涂覆到第一基底；将第二基底和第二沉积掩模对准在第二对准地点；将沉积源传送到第二对准地点；以及将沉积材料涂覆到第二基底。在沉积材料被涂覆到第一基底的同时，第二基底和第二掩模被传送，以被对准在第二对准地点。在沉积材料被涂覆到第一基底之后，第一基底被从沉积室排出。
多个沉积装置可以包括第一和第二沉积装置，其中在第一和第二沉积装置中使用的沉积材料彼此显著不同。
多个沉积装置可以包括第一和第二沉积装置，其中在第一沉积装置中使用的沉积掩模和在第二沉积装置中使用的沉积掩模彼此显著不同。
根据本发明的示例性实施例，可以通过被提供在每个沉积室中的单个沉积源，在被提供在多个沉积室的每一个中的多个加工线中顺序执行薄膜加工，从而能够节约成本，并能够提高生产率。
此外，通过在加工线上针对基底执行基底传送以及基底和掩模的对准，同时在另一个加工线中在基底上执行薄膜沉积加工，可以缩短待命时间，从而进一步提高生产率。
附图说明
图1是根据第一示例性实施例的沉积系统的俯视平面图。
图2是根据第一示例性实施例的沉积系统的沉积室的示意性侧视图。
图3是根据第一示例性实施例的沉积系统的沉积室的局部放大图。
图4是根据第一示例性实施例的沉积系统的局部放大图。
图5和图6是根据第一示例性实施例的沉积系统的基底传送部分的俯视平面图。
图7是根据第二示例性实施例的沉积系统的俯视平面图。
图8是根据第三示例性实施例的沉积系统的沉积室的示意性侧视图。
图9A至图9C是根据示例性实施例的有机发光二极管（OLED）显示器的制造方法的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述沉积室、包括该沉积室的沉积系统以及有机发光二极管显示器的制造方法。然而，本发明并不限于以下公开的示例性实施例，而是有许多变化，提供下文中描述的示例性实施例是为了使本发明的公开完整，并且对本领域普通技术人员完全告知本发明的范围。在附图中，相似的附图标记指代相似的元件。
另外，除非明确描述为相反，词语“包括”及其变型将被理解为暗示包括所陈述的元件但不排除任何其它元件。另外，词语“上”意味着定位在对象部分的上方或下方，而并不必然意味着定位在对象部分的基于重力方向的上侧。
为了使用真空沉积法形成有机薄膜、金属薄膜等，比如簇型沉积系统、直列沉积系统等的沉积系统可以被使用。直列沉积系统是其中基底装载室、基底卸载室和设置在基底装载室与基底卸载室之间的多个沉积室被布置成一列的沉积系统，并具有相比簇型沉积系统缩短了加工时间的优点。
图1是根据第一示例性实施例的沉积系统的俯视平面图，图2是根据第一示例性实施例的沉积室的示意性侧视图，图3是根据第一示例性实施例的沉积室的局部分解透视图。
参考图1，根据第一示例性实施例的沉积系统包括多个沉积室100和多个传送室300。
沉积室100是用于形成基底122的薄膜的装置，并对应于形成在基底122上的薄膜的数目而被提供多个。
例如，当形成在基底122上的显示装置是有机发光二极管（OLED）显示器时，发光层ELM被形成，空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、电子传输层ETL和电子注入层可以被进一步形成。另外，用作阴极或阳极的金属薄膜或透明导电性薄膜可以被进一步形成在基底122上。薄膜在不同的沉积室100中被形成，因此，根据本示例性实施例的沉积室100的数目对应于有机薄膜、金属薄膜等的数目。
参考图2，每个沉积室100包括腔室主体110、基底固定部分120、沉积源130、沉积源传送部分140和掩模传送部分150。
腔室主体110限定形成在其中的内部空间，并在该空间中执行用于在基底122上形成薄膜的加工。通过从该空间排出气体减小内压的真空泵（未示出）以及通过向腔室主体的内部空间注入持续气体来增加腔室主体中的内压的通风装置（未示出）可以被进一步提供。
基底122（122a、122b）被传送到腔室主体110的内部空间中，并由基底固定部分120（120a和120b）固定为和沉积源130的喷嘴相对。用于将基底122搬运到腔室主体110的内部空间中并从腔室主体110排出基底122的工序和结构将在后面描述。
基底固定部分或基底支架120具有易于安装和拆卸基底112以便在沉积材料的薄膜被形成并且然后在处理结束后从腔室主体110的内部空间排出基底122时稳定地固定基底122的结构。
基底固定部分120a和120b被提供为多个，以在一个沉积加工期间在沉积室100中处理多个基底。多个基底固定部分120a和120b分别固定或保持多个基底122a和122b，并且可以将基底维持在它们的沉积站。在实施例中，基底支架120a和120b可被固定在沉积站。在替代实施例中，基底支架120a和120b可以是可移动的，以传送基底到沉积站并停止在沉积站，以将所传送的基底保持在沉积站。
在本示例性实施例中，基底固定部分120示例性地由两个固定部分形成，也就是第一基底固定部分120a和第二基底固定部分120b，但这不是限制性的。第一基底固定部分120a和第二基底固定部分120b固定分别与之对应的第一基底122a和第二基底122b。并且第一基底固定部分120a和第二基底固定部分120b可以被设置为彼此大致平行并沿第一方向（即x轴方向）被布置，使得各自基底122a和122b和沉积源130相对。
此外，在针对基底122a和122b的沉积加工期间，第一基底固定部分120a和第二基底固定部分120b可被设置为彼此隔开，在它们之间在第一方向上插入间隙，从而防止在沉积第一基底时沉积材料被附着到正在等待沉积的第二基底上。
参考图3，作为用于排出沉积材料以在基底122上进行沉积的装置，沉积源130被提供有用于容纳诸如有机材料的沉积材料的空间（未示出），喷射沉积材料的喷嘴134被形成在沉积源130的被设置为和基底122相对的一侧上。
沉积材料容纳空间可以由具有优良的散热性的诸如氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）等的陶瓷材料形成，这不是限制性的。沉积材料容纳空间可以由具有优良的散热性和耐热性的各种材料形成。
加热器（未示出）可以被形成为以紧密附着方式围绕沉积材料容纳空间的外表面，加热器加热所容纳的沉积材料，以蒸发沉积材料。
如图3所示，沉积源130可被提供为在和第一方向交叉的第二方向（即y轴方向）上延伸的线性沉积源。在实施例中，x轴方向和y轴方向大致彼此垂直。在这种情况下，线性沉积源可以对应于和其相对的基底的长度延伸。
控制或限制沉积材料的喷射角度的角度控制构件136可以被形成在喷嘴134的外周区域。如图3所示，角度控制构件136沿线性沉积源130的长度方向延伸，以通过控制从喷嘴134喷射的沉积材料的沉积角度使得有机材料均匀地喷射在基底122上，并防止沉积材料附着到在该沉积加工中没有进行沉积加工的其它基底。
作为用于传送沉积源130的装置，沉积源传送部分或沉积源传送机构140移动沉积源130以与基底122a和122b之一相对。沉积源传送部分140使得单个沉积源130能够被依次放置到多个基底122a和122b。
当对第一基底122a执行沉积加工时，沉积源130通过沉积源传送部分140被设置在和第一基底122a相对的位置。当完成对第一基底122a的沉积加工时，沉积源130通过沉积源传送部分140被设置在和第二基底122b相对的位置，以执行沉积加工。
多个沉积掩模160包括两个沉积掩模160a和160b，并且被提供为用于形成基底122上的有机薄膜的图案的装置。在沉积掩模中，开口被形成在阻止有机材料沉积的遮挡部分之间，使得有机材料通过开口被沉积在基底122上。
沉积掩模160被设置在基底122的待在其上形成有机薄膜的图案的一个表面的下方。在本示例性实施例中，在一个腔室中针对两个基底122执行沉积加工，因此使用两个沉积掩模160a和160b。
两个沉积掩模160a和160b由掩模传送部分或掩模传送机构150传送并放置为对应于基底122a和122b。作为用于将沉积掩模160a和160b布置在分别对应于基底122a和122b的掩模位置处的装置，掩模传送部分150可大致平行于第一方向（x轴方向）传送沉积掩模160a和160b。
掩模传送部分150包括如图3所示在第一方向（x轴方向）延伸并沿第二方向（y轴方向）以预定间隙隔开的一对导轨152以及沿一对导轨152的长度方向布置并接触沉积掩模的多个辊154。
当沉积掩模160被传送时，由辊154减少了沉积掩模160和导轨152之间的摩擦，使得沉积掩模160可以被平滑地传送。
在这种情况下，沉积掩模160被设置在一对导轨152之间。沉积掩模160包括遮挡部分和开口被形成在该处的掩模主体162、以及固定掩模主体162并由导轨152支撑的框架164。
沉积掩模160可以进一步包括从框架164的一侧延伸的保护板166，以防止沉积材料附着到导轨152。也就是，保护板166在和喷嘴134相对的一侧延伸，以覆盖导轨152。
在本示例性实施例中，掩模传送部分150被示为导轨，但这不是限制性的。掩模传送部分150可以具有各种形状，只要沉积掩模160被传送到一个方向并被布置在预定位置。此外，沉积掩模160可以具有各种形状，只要它由掩模传送部分150支撑并沿掩模传送部分150传送。
再次参考图2，掩模储存室或掩模储存器200可以被进一步包括，以在腔室主体110的一侧储存沉积掩模160。掩模储存室200根据每个沉积室100中形成的有机薄膜、金属薄膜等的类型储存所需的沉积掩模160，并在沉积加工期间朝腔室主体110的内部空间排出沉积掩模160。
掩模储存室200和掩模传送部分150连接，以将从掩模储存室200排出的沉积掩模160安装到掩模传送部分150。
在这种情况下，沉积掩模160可以使用掩模传送支架（未示出）被安装到掩模传送部分150。
为了将基底122a和122b与沉积掩模160a和160b分别布置在预定位置，第一对准部分170a和第二对准部分170b可以被形成在腔室主体110的一侧。第一对准部分170a对准第一基底122a和第一沉积掩模160a，第二对准部分170b对准第二基底122b和第二沉积掩模160b。
图4是根据第一示例性实施例的沉积室的局部放大侧视图。
掩模储存室200和掩模传送部分150连接，以在沉积加工结束之后通过掩模传送部分150将沉积掩模160从腔室主体110的内部空间传送到掩模储存室200中。此外，储存在掩模储存室200中的沉积掩模160被再次搬运到腔室主体110，以进行沉积加工。
如图1所示，根据示例性实施例的沉积系统包括多个沉积室100和被设置在沉积室100之间以连接相邻的沉积室100的多个传送室300。
在实施例中，通过沿沉积室100和传送室300连接的方向（例如y轴方向）传送来提供基底122，沿和基底122的传送方向交叉的另一方向（例如x轴方向）提供沉积掩模160。
如图1所示，当沉积室100与传送室300沿第二方向（y轴方向）被布置成一列时，基底122可以沿腔室的对准方向被传送。当两个基底122a和122b在单个沉积室中100被处理时，两个基底122a和122b可以被提供为大致平行于腔室对准方向（参考图1的AL和BL）。
图5和图6是根据第一示例性实施例的基底传送部分的示例性变型的俯视平面图。
传送室300包括从相邻的沉积室排出基底122并搬运所排出的基底122到另一沉积室中的基底传送部分或基底传送机构310a。如图5所示，基底传送部分310a可以被形成为机械手的形状。机械手被插入到完成了沉积加工的沉积室1001中，并夹住基底122，然后将夹住的基底122安装在将要进行下一个沉积加工的另一相邻沉积室1002中的基底固定部分120中。
此外，如图6所示，基底传送部分310b可以使用滑动方法来形成。基底传送部分310b包括基底122被安装或放置在其上的基底托盘312以及基底托盘312沿其滑动的滑动引导件314。在基底托盘312被插入到完成了沉积加工的沉积室1001中然后基底122被安装在基底托盘312上之后，基底122被安装到将要进行下一个沉积加工的另一相邻沉积室1002中的基底固定部分120。
此外，根据示例性实施例的沉积系统可以进一步包括基底装载室400和基底卸载室500。基底122通过基底装载室400被装载到沉积系统中，沉积材料在每个沉积室100中被沉积，以在基底122上形成有机薄膜，然后基底122通过基底卸载室500被卸载。
闸阀可被提供在基底装载室400和沉积室100之间，另一闸阀可被提供在沉积室100和基底卸载室500之间。每个闸阀被提供在沉积室100中的一个与直接相邻的传送室300之间。这样的闸阀在基底122被传送时打开，在执行有机材料沉积加工时关闭，使得有机材料沉积加工可以在真空状态下执行。
图7是根据第二示例性实施例的沉积系统的俯视平面图。
参考图7，根据本示例性实施例的沉积系统进一步包括在传送室300的一侧与传送室300相连的缓冲室320。当在沉积室100或传送室300中基底122被损坏或出现问题时，基底122可以被传送到缓冲室320中然后被储存。
为了不打扰基底122的传送，缓冲室320被提供为在和基底122的传送路径隔开的位置处和传送室300相连。当传送室300的基底传送部分310被提供为机械手的形状时，缓冲室320被提供为和被形成为机械手的形状的基底传送部分310相邻，以暂时储存基底，因此，可以降低大批量生产期间可能出现的时间损失。
在根据本示例性实施例的沉积系统中，除了缓冲室320之外的其它结构可以和第一示例性实施例的结构相同。
图8是根据第三示例性实施例的沉积系统的沉积室的示意性侧视图。
参考图8，在根据本示例性实施例的沉积系统中，与掩模储存室200和腔室主体110的内部相连并清洁沉积掩模160的掩模清洁室210被形成在掩模储存室200的下端部。
掩模清洁室210是用于在沉积掩模160重复数次沉积加工之后清洁被附着到沉积掩模的沉积材料的装置，可以使用等离子体或紫外（UV）线清洁沉积掩模160。
闸阀被分别提供在基底储存室200和腔室主体110之间、掩模清洁室210和腔室主体110之间以及掩模储存室200和掩模清洁室210之间，闸阀在沉积掩模160沿掩模传送部分150被传送时打开，并且闸阀在沉积掩模160的传送结束之后关闭。
掩模清洁室210和掩模传送部分150相连，因此在沉积加工之后从腔室主体110的内部空间传送的沉积掩模160可以通过掩模传送部分150被搬运到掩模清洁室210中。此外，在掩模清洁室210中清洁后的沉积掩模160被搬运回到腔室主体110的内部空间中，以进行下一个沉积加工。
掩模传送部分150可以被移动，从而与掩模储存室200或掩模清洁室210相连。例如，在图8中，掩模传送部分150被示为与掩模清洁室210相连，但掩模传送部分150可以通过被向上传送与掩模储存室200相连。
在根据本示例性实施例的沉积系统中，除了和掩模清洁室210相关的结构之外的结构和第一示例性实施例的结构相同，可以像第二示例性实施例中一样提供缓冲室。
在下文中，通过示出了根据第一示例性实施例的沉积系统来描述操作和制造方法，但是根据第二或第三示例性实施例的沉积系统或者根据示例性变型的沉积系统也是适用的。
图9A至图9C是顺序示出根据示例性实施例的OLED显示器的制造方法的示意图。
参照附图，根据示例性实施例的OLED显示器的制造方法包括：提供沉积源、放置掩模、对准第一基底、传送沉积源、沉积第一基底、对准第二基底、传送沉积源和沉积第二基底。
首先，如图9A所示，喷射沉积材料的沉积源130被提供在沉积室100中。第一基底122a被插入到沉积室100中。第二基底122b独立于第一基底122a的传送被插入到沉积室100中。在实施例中，第二基底122b可以在沉积第一基底122a时被插入到沉积室100中。
第一基底122a和第二基底122b沿沉积室100和传送室300被布置（参考图1的AL和BL）的第二方向（y轴方向）大致平行地被插入。第一基底122a和第二基底122b可以被布置为彼此大致平行，在它们之间沿着与第一基底122a和第二基底122b的传送方向交叉的第一方向插入有间隙。
第一沉积掩模160a和第二沉积掩模160b被传送到沉积室100中。容纳在掩模储存室200中的沉积掩模160a和160b被排出并安装在掩模传送部分150上，然后沉积掩模160a和160b被传送到预定位置。
也就是，第一沉积掩模160a被传送到对应于第一基底122a的位置，第二沉积掩模160b被传送到对应于第二基底122b的位置。第一基底122a和第一沉积掩模160a通过第一对准部分170a被对准在预定的第一对准地点。在实施例中，在第一和第二基底被传送到沉积室100中之前，第一沉积掩模160a和第二沉积掩模160b被分别传送到沉积室100中。可替代地，在第一和第二基底被传送到沉积室100中之后，第一沉积掩模160a和第二沉积掩模160b被分别传送到沉积室100中。
沉积源130被传送到第一对准地点，然后，如图9B所示，容纳在沉积源130的容纳空间中的沉积材料被加热以被蒸发，然后被喷向第一基底122a。
第二基底122b和第二沉积掩模160b通过第二对准部分170b被对准在预定的第二对准地点。第二基底122b和第二沉积掩模160b在第二对准地点的对准可以在沉积材料被喷射到第一基底122a的同时进行。由于在沉积材料被喷射到第一基底122a的同时第二基底122b被对准，加工时间可以缩短。
当针对第一基底122a的沉积加工完成时，如图9C所示，沉积源130被传送到第二对准地点，然后沉积材料被喷向第二基底122b。
在针对第一基底122a的沉积加工完成后并在针对第二基底122b的沉积加工开始前，第一基底122b可以被排放到沉积室100的外部。在针对第二基底122b的沉积加工期间，第一基底122a通过穿过传送室300被传送到下一沉积室，可以被准备用于下一沉积加工。因此，加工时间可缩短。
在针对第二基底122b的沉积加工完成之后，第二基底122b也可以通过被传送到下一沉积室而被准备用于下一加工。通过在每个沉积室中执行上述沉积加工的沉积步骤，多层有机薄膜可以被形成在基底122a和122b中。
尽管已经结合目前被认为是实用的示例性实施例描述了本发明，应当理解，本发明不限于公开的实施例，而是相反，意在覆盖包括在附加权利要求的精神和范围内的各种变型和等同方案。
Claims (7)
1.一种沉积装置，包括：
沉积室；
多个基底支架，包括被配置为将基底维持在所述沉积室中的第一基底位置的第一支架和被配置为将另一基底维持在所述沉积室中的第二基底位置的第二支架；
沉积源，被设置在所述沉积室中，并被配置为供应沉积材料以涂覆到放置在所述第一基底位置和所述第二基底位置的基底上；
沉积源传送机构，被配置为在第一方向上移动所述沉积源以与所述第一基底和所述第二基底中的一个相对；和
基底传送机构，被配置为在第二方向上将基底传送到所述第一基底位置或者从所述第一基底位置传送，并进一步被配置为在所述第二方向上将另一基底传送到所述第二基底位置或者从所述第二基底位置传送。
2.一种制造有机发光二极管显示器的方法，该方法包括：
提供权利要求1所述的沉积装置，
将第一基底和第二基底独立地传送到所述沉积室中，以将所述第一基底放置在所述第一基底位置，并将所述第二基底放置在所述第二基底位置；
将第一沉积掩模和第二沉积掩模提供到所述沉积室中；
将所述第一基底和所述第一沉积掩模对准在第一对准地点；
将所述沉积源传送到所述第一对准地点；
将沉积材料涂覆到所述第一基底；
将所述第二基底和所述第二沉积掩模对准在第二对准地点；
将所述沉积源传送到所述第二对准地点；和
将所述沉积材料涂覆到所述第二基底。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述沉积材料被涂覆到所述第一基底的同时，所述第二基底和所述第二沉积掩模被传送以被对准在所述第二对准地点。
4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括，在将所述沉积材料涂覆到所述第一基底之后，从所述沉积室排出所述第一基底。
5.一种制造有机发光二极管显示器的方法，该方法包括：
提供被彼此连接的多个权利要求1所述的沉积装置，
其中，对于所述沉积装置中的每一个，该方法包括，
将第一基底和第二基底独立地传送到所述沉积室中，以将所述第一基底放置在所述第一基底位置，并将所述第二基底放置在所述第二基底位置；
将第一沉积掩模和第二沉积掩模提供到所述沉积室中；
将所述第一基底和所述第一沉积掩模对准在第一对准地点；
将所述沉积源传送到所述第一对准地点；
将沉积材料涂覆到所述第一基底；
将所述第二基底和所述第二沉积掩模对准在第二对准地点；
将所述沉积源传送到所述第二对准地点；和
将所述沉积材料涂覆到所述第二基底，
其中在所述沉积材料被涂覆到所述第一基底的同时，所述第二基底和所述第二沉积掩模被传送以被对准在所述第二对准地点，
其中在所述沉积材料被涂覆到所述第一基底之后，所述第一基底被从所述沉积室排出。
6.根据权利要求5所述的方法，其中多个所述沉积装置包括第一沉积装置和第二沉积装置，其中在所述第一沉积装置和所述第二沉积装置中使用的所述沉积材料彼此不同。
7.根据权利要求5所述的方法，其中多个所述沉积装置包括第一沉积装置和第二沉积装置，其中在所述第一沉积装置中使用的所述沉积掩模和在所述第二沉积装置中使用的所述沉积掩模彼此不同。
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