CN104103652B - 具有穿过具有隔离区的触点蚀刻终止层耦合的金属触点的图像传感器 - Google Patents

具有穿过具有隔离区的触点蚀刻终止层耦合的金属触点的图像传感器 Download PDF

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Abstract

本发明涉及具有穿过具有隔离区的触点蚀刻终止层耦合的金属触点的图像传感器。图像传感器像素包含安置在半导体层中的一个或一个以上光电二极管。像素电路安置在所述半导体层中、耦合到所述一个或一个以上光电二极管。钝化层在所述像素电路和所述一个或一个以上光电二极管上方安置在所述半导体层附近。触点蚀刻终止层安置在所述钝化层上方。一个或一个以上金属触点穿过所述触点蚀刻终止层耦合到所述像素电路。在所述触点蚀刻终止层中界定一个或一个以上隔离区，所述隔离区将所述一个或一个以上金属触点耦合到所述像素电路所穿过的触点蚀刻终止层材料与所述一个或一个以上光电二极管隔离。

Description

具有穿过具有隔离区的触点蚀刻终止层耦合的金属触点的图 像传感器
技术领域
本发明大体涉及成像。更特定来说，本发明的实例涉及基于互补金属氧化物半导体的图像传感器。
背景技术
落到互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器上的具有高亮度水平的图像的电签名可保持内嵌在随后获取的图像的随后读出的电签名中。保持在图像传感器中的先前感测的图像的电签名一直称为“幻象假影”或“记忆效应”。此不想要的效果可由于静态图像(尤其是高强度或亮度的图像)向图像传感器的重复暴露而加剧。幻象图像的保留表示使随后获取的图像模糊不清且减小信噪比的噪声，且在存在正成像的移动的情况下可引起模糊。
记忆效应问题已发现尤其存在于已使用先进制造技术制造的CMOS图像传感器中，尤其是采用措施使金属互连密度最大化的CMOS图像传感器。举例来说，采用所谓的“无边界触点”的那些制造技术已发现与此问题的根本原因相关联。
发明内容
一种图像传感器像素包括：一个或一个以上光电二极管，其安置在半导体层中；像素电路，其安置在所述半导体层中、耦合到所述一个或一个以上光电二极管；钝化层，其在所述像素电路和所述一个或一个以上光电二极管上方安置在所述半导体层附近；触点蚀刻终止层，其安置在所述钝化层上方；一个或一个以上金属触点，其穿过所述触点蚀刻终止层耦合到所述像素电路；以及在所述触点蚀刻终止层中界定的一个或一个以上隔离区，其将所述一个或一个以上金属触点耦合到所述像素电路所穿过的触点蚀刻终止层材料与所述一个或一个以上光电二极管隔离。
一种成像系统包括：图像传感器像素的像素阵列，其中所述图像传感器像素中的每一者包含：一个或一个以上光电二极管，其安置在半导体层中；像素电路，其安置在所 述半导体层中、耦合到所述一个或一个以上光电二极管；钝化层，其在所述像素电路和所述一个或一个以上光电二极管上方安置在所述半导体层附近；触点蚀刻终止层，其安置在所述钝化层上方；一个或一个以上金属触点，其穿过所述触点蚀刻终止层耦合到所述像素电路；以及在所述触点蚀刻终止层中界定的一个或一个以上隔离区，其将所述一个或一个以上金属触点耦合到所述像素电路所穿过的触点蚀刻终止层材料与所述一个或一个以上光电二极管隔离；控制电路，其耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作；以及读出电路，其耦合到所述像素阵列以从多个像素读出图像数据。
附图说明
参看以下图式描述本发明的非限制性且非详尽实施例，图式中，除非另外指定，否则相同参考数字贯穿各图指代相同零件。
图1是说明根据本发明的教示包含实例像素阵列的成像系统的一个实例的图，所述实例像素阵列具有图像传感器像素，所述图像传感器像素具有穿过具有隔离区的触点蚀刻终止层耦合到像素电路的金属触点。
图2A说明具有图像传感器像素的像素阵列的一个实例的俯视图，所述图像传感器像素具有穿过触点蚀刻终止层耦合到像素电路的金属触点。
图2B说明根据本发明的教示的具有图像传感器像素的像素阵列的一个实例的俯视图，所述图像传感器像素具有穿过具有隔离区的触点蚀刻终止层耦合到像素电路的金属触点。
图3A说明包含在具有图像传感器像素的实例像素阵列中的半导体衬底层的一个实例的横截面图，所述图像传感器像素具有穿过触点蚀刻终止层耦合到像素电路的金属触点。
图3B说明根据本发明的教示的包含在具有图像传感器像素的实例像素阵列中的半导体衬底层的一个实例的横截面图，所述图像传感器像素具有穿过具有隔离区的触点蚀刻终止层耦合到像素电路的金属触点。
对应的参考符号贯穿图式的若干视图指示对应组件。熟练的技术人员将了解，图中的元件仅为了简洁和清晰而说明且不一定按比例绘制。举例来说，图中一些元件的尺寸可相对于其它元件有所夸示以帮助提高对本发明的各个实施例的理解。并且商业可行环境中有用或必要的常见但众所周知的元件通常未描绘以便促进对本发明的这些各种实施例的顺畅理解。
具体实施方式
在以下描述中，陈述许多特定细节以便提供对本发明的详尽理解。然而，所属领域的一般技术人员将了解，不需要采用特定细节来实践本发明。在其它例子中，未详细描述众所周知的材料或方法以免混淆本发明。
贯穿本说明书对“一个实施例”、“一实施例”、“一个实例”或“一实例”的参考意味着，结合实施例或实例描述的特定特征、结构或特性包含在本发明的至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在各处的短语“在一个实施例中”、“在一实施例中”、“一个实例”或“一实例”的出现不一定全部指代同一实施例或实例。此外，在一个或一个以上实施例或实例中，特定特征、结构或特性可以任何适宜的组合和/或子组合的形式进行组合。特定特征、结构或特性可包含在集成电路、电子电路、组合逻辑电路，或提供所描述功能性的其它适宜的组件中。另外，应了解，同此提供的图式是出于对所属领域的一般技术人员进行阐释的目的，且图式不一定按比例绘制。
根据本发明的教示的实例提出互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器中的记忆效应的根本原因中的影响因素，且提供用以减少或消除包含蚀刻终止层的CMOS图像传感器中的记忆效应的解决方案。根据本发明的教示的实例CMOS图像传感器包含实例触点蚀刻终止层，其使得CMOS图像传感器中具有减小的记忆效应或无记忆效应的无边界触点元件成为可能。特定来说，代替在图像传感器的整个表面上提供连续的触点蚀刻终止层，(金属触点穿过触点蚀刻终止层耦合到像素电路的情况除外)，根据本发明教示的实例图像传感器包含包括具有隔离区的触点蚀刻终止层的图像传感器像素。举例来说，在一个实例中，图像传感器像素包含安置在半导体层中的一个或一个以上光电二极管。像素电路安置在半导体层中、耦合到所述一个或一个以上光电二极管。钝化层在像素电路以及所述一个或一个以上光电二极管上方安置在半导体层附近。触点蚀刻终止层安置在钝化层上方。一个或一个以上金属触点穿过触点蚀刻终止层耦合到像素电路。在触点蚀刻终止层中界定一个或一个以上隔离区，其将金属触点以及所述一个或一个以上金属触点耦合到像素电路所穿过的触点蚀刻终止层材料与所述一个或一个以上光电二极管隔离。通过隔离金属触点以及所述金属触点耦合到像素电路所穿过的触点蚀刻终止层材料，触点蚀刻终止层中光电二极管区与金属触点之间的应力路径实质上被消除，这减小了根据本发明教示的图像传感器中的记忆效应。
为了说明，图1是说明根据本发明的教示包含实例像素阵列102的成像系统100的一个实例的图，实例像素阵列102具有拥有隔离区的触点蚀刻终止层。如所描绘的实例 中所示，成像系统100包含耦合到控制电路108和读出电路104的像素阵列102，读出电路104耦合到功能逻辑106。
在一个实例中，像素阵列102是成像传感器或像素(例如，像素P1、P2...、Pn)的二维(2D)阵列。在一个实例中，每一像素为CMOS成像像素。如所说明，每一像素布置到行(例如，行R1到Ry)和列(例如，列C1到Cx)中以获取人、地方、物体等的图像数据，所述图像数据可接着用于呈现人、地方、物体等的2D图像。
在一个实例中，在每一像素已获取其图像数据或图像电荷之后，图像数据由读出电路104读出且接着传递到功能逻辑106。在各种实例中，读出电路104可包含放大电路、模/数(ADC)转换电路或其它。功能逻辑106可简单地存储图像数据，或甚至通过应用后图像效应(例如，裁剪、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它)来操纵图像数据。在一个实例中，读出电路104可沿着读出列线(已图解说明)一次读出一行图像数据，或可使用例如串行读出或同时对所有像素的完全并行读出等多种其它技术(未图解说明)来读出图像数据。
在一个实例中，控制电路108耦合到像素阵列102以控制像素阵列102的操作特性。举例来说，控制电路108可产生用于控制图像获取的快门信号。在一个实例中，快门信号是用于同时启用像素阵列102内的所有像素以在单一获取窗口期间同时俘获其相应图像数据的全局快门信号。在另一实例中，快门信号是滚动快门信号，使得每一行、列或像素群组在连续获取窗口期间被循序地启用。
图2A说明图像传感器像素的实例像素阵列202的半导体衬底210的一个实例的俯视图。应了解，在一个实例中，像素阵列202是提供图1的像素阵列202的一个实例的增加的细节的说明。如图2A中描绘的实例中所示，像素阵列202包含图像传感器像素的阵列，其包含多个光电二极管(PD)和金属触点214，金属触点214穿过触点蚀刻终止层耦合到与布置在半导体层210中的光电二极管相关联的像素电路。在各种实例中，每一像素可包含一个或一个以上光电二极管(例如，212A和/或212B)以及一个或一个以上金属触点214。在图2A中描绘的实例中，图像传感器像素中的一者包含光电二极管212A和光电二极管212B，以及一个或一个以上金属触点214，金属触点214耦合到半导体衬底210中的相关联像素电路。在另一实例中，应了解，图像传感器像素可包含仅一个光电二极管。在一个实例中，金属触点214耦合到可包含例如(但不限于)转移晶体管、浮动扩散等像素电路元件的像素电路。在一个实例中，一个或一个以上图像传感器像素还可包含或共享到电压转换浮动二极管和放大器晶体管的电荷。
如下文将更详细论述，在一个实例中，触点蚀刻终止层安置在沉积在像素阵列202上方的钝化层上方。触点蚀刻终止层的沉积是可在提供无边界触点时利用的制造技术，所述无边界触点可用于增加像素阵列202中的金属互连密度。在一个实例中，根据本发明的教示，在触点蚀刻终止层中界定隔离区，所述隔离区实质上消除触点蚀刻终止层中在光电二极管区与金属触点之间以及到金属触点耦合所穿过的触点蚀刻终止层材料的应力路径。
为了说明，图2B说明根据本发明的教示的具有图像传感器像素的像素阵列202的一个实例的俯视图，所述图像传感器像素具有穿过具有隔离区216的触点蚀刻终止层耦合的金属触点214。应了解，图2B的像素阵列202与图2A的像素阵列202共享类似性，且下文参考的类似命名和编号的元件如上文描述而耦合且起作用。如实例中展示且下文将更详细论述，在像素阵列202的图像传感器像素的触点蚀刻终止层中界定如例如图2B中说明的隔离区216，所述隔离区根据本发明的教示将金属触点214以及金属触点214耦合到相关联像素电路所穿过的触点蚀刻终止层材料与包含光电二极管212A和光电二极管212B的光电二极管隔离。特定来说，根据本发明的教示，用隔离区216实质上消除触点蚀刻终止层中在光电二极管212A和212B与金属触点214之间的应力路径。应了解，根据本发明的教示，通过借助在如图所示的触点蚀刻终止层中界定隔离区216来改变像素阵列202的结构，实现像素上的额外电和/或机械效应，其减少像素阵列202中的幻象假影或记忆效应。
为了说明，图3A展示根据本发明的教示包含在CMOS图像传感器的实例像素阵列302中的半导体衬底层310的一个实例的横截面图。应注意，在一个实例中，图3A的像素阵列302是沿着图2A的像素阵列202的线A-A′的横截面图。如所描绘的实例中展示，像素阵列302包含半导体衬底层310，其包含(例如)硅，光电二极管312区安置在其中。在所述实例中，光电二极管312区可为安置在半导体310中的唯一的光电二极管区或多个光电二极管区中的一者，所述多个光电二极管区包含在像素阵列302的图像传感器像素中。如所描绘的实例中展示，存在安置在半导体衬底层310中的浅沟槽隔离(STI)318区，其将光电二极管312区与半导体衬底层310中的相邻像素电路分离。
如所描绘的实例中展示，钝化层320在像素电路和像素阵列302的光电二极管312上方沉积在半导体衬底层310附近。在一个实例中，钝化层320可包含例如基于氧化硅的电介质层等绝缘材料。在所说明的实例中，像素电路展示为包含多晶硅区326，其在一个实例中表示多晶硅栅极结构等。当然应了解，像素电路可包含其它电路结构，例如(但不限于)转移晶体管、浮动扩散、放大器晶体管等。在所描绘的实例中，多晶硅区326展示为被钝化层320的氧化物材料围绕。
图3A还说明触点蚀刻终止层322安置在钝化层320上方，钝化层320沉积在半导体衬底层310中的像素阵列302的像素电路和光电二极管312上方。在一个实例中，当提供待在像素阵列302中制造的无边界触点时利用触点蚀刻终止层322。如此，触点蚀刻终止层322用于保护下伏结构以免在用于形成触点开口的干式蚀刻工艺期间受到损坏。因此，蚀刻终止层322具有比例如基于氧化硅的电介质层慢的蚀刻速率。
图3A还说明安置在触点蚀刻终止层322上方的电介质层324，触点蚀刻终止层322沉积在钝化层320上方，钝化层320如图所示沉积在半导体衬底层310上方。在一个实例中，电介质层324是金属互连层324，其可包含例如硼磷硅玻璃等绝缘材料。
图3A还展示金属触点314穿过触点蚀刻终止层322耦合到像素电路。在一个实例中，金属触点314穿过触点蚀刻终止层322且穿过电介质层324耦合到像素电路的多晶硅区326。在一个实例中，金属触点314是包含在像素阵列302的实例图像传感器像素中的多个金属触点314中的一者。
在图3A中描绘的实例中，应注意，触点蚀刻终止层322在光电二极管312区到金属触点314之间是连续的。因此，图3A展示在触点蚀刻终止层322中在光电二极管312区与金属触点314之间以及在光电二极管312区与金属触点314耦合到像素电路的多晶硅区326所穿过的触点蚀刻终止层322材料之间存在应力路径328。
触点蚀刻终止层322包含基于氮化硅的电介质，其包含(例如)氮氧化硅或碳化硅等。在一个实例中，触点蚀刻终止层322可使用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)来沉积，所述PECVD采用电驱动的等离子体来分解例如硅烷(SiH4)、氨气(NH4)和氧气(02)等源气体，以提供硅、氮和氧的源来用于形成氮化硅和/或氮氧化硅。
在一个实例中，所得的触点蚀刻终止层322可因此通过包含归因于原子之间的残余氢或较差形成的晶体键合(例如，Si-Si键或Si-H键)而引起的显著量的移动电荷来表征。在一个实例中，所得的触点蚀刻终止层322还通过具有与选定沉积工艺参数或选定相对量的反应气体相关联的残余机械应力来表征。
触点蚀刻终止层322的PECVD氮化硅和/或氮氧化硅中的移动电荷可由例如放置在触点蚀刻终止层322上的电场等电力来移动，这可引起例如光电二极管区312和/或包含在像素阵列302的像素中的像素电路等附近半导体区中的不想要的效应。举例来说，包含在像素阵列302的像素中的像素电路中所包含的晶体管的源极-漏极电阻可通过更改下伏轻度掺杂源极或漏极区的耗尽特性而受触点蚀刻终止层322的上覆PECVD氮化硅中的移动电荷影响来实现。另外，应注意，触点蚀刻终止层322的PECVD氮化硅和/或氮氧化硅与例如二氧化硅膜等其它膜之间的界面能够将通常在各种原子之间的断裂键 中的电荷保持在界面处。
此外，应注意，还可通过暴露于可见光而在触点蚀刻终止层322的PECVD氮化硅和/或氮氧化硅中引发净正电荷累积，这可当像素阵列302的光电二极管312区被照射时发生。特定来说，与Si-Si和Si-H晶体结构的声子模式相关联的能量可参与电载波的光学激励。声子为与晶体结构相关联的性质，且因此可能与触点蚀刻终止层322的PECVD氮化硅和/或氮氧化硅的应力性质有关。
触点蚀刻终止层322的PECVD氮化硅和/或氮氧化硅的所有上文概述的电荷相关特性可在附近的半导体区中引起不想要的效应，且因此促成像素阵列302中的不想要的幻象假影或记忆效应。
为了解决可由触点蚀刻终止层322引起的像素阵列302中的不想要的幻象假影或记忆效应，根据本发明的教示，可在触点蚀刻终止层322中界定一个或一个以上隔离区以通过实质上消除触点蚀刻终止层322中在光电二极管312区到金属触点314之间的应力路径328而减轻一些应力。
为了说明，图3B说明根据本发明的教示的包含在具有图像传感器像素的实例像素阵列302中的半导体衬底层310的一个实例的横截面图，所述图像传感器像素具有穿过具有隔离区316的触点蚀刻终止层322耦合的金属触点314。应注意，在一个实例中，图3B的像素阵列302是沿着图2B的像素阵列202的线B-B′的横截面图。应了解，图3B的像素阵列302与图3A的像素阵列302共享类似性，且下文参考的类似命名和编号的元件如上文描述而耦合且起作用。
如图3B中描绘的实例中所示，在触点蚀刻终止层322中界定一个或一个以上隔离区316。如此，金属触点314以及金属触点314耦合到像素电路所穿过的周围触点蚀刻终止层322材料与相邻的光电二极管312区隔离。特定来说，根据本发明的教示，在触点蚀刻终止层322中界定的所述一个或一个以上隔离区316实质上消除触点蚀刻终止层322中在所述一个或一个以上金属触点314与像素阵列302的图像传感器像素的所述一个或一个以上相邻光电二极管312区之间的应力路径。在一个实例中，如先前描述，通过移除或蚀刻去除如在金属触点314与光电二极管312区之间所示的触点蚀刻终止层322材料(如图所示)以实质上消除应力路径328，而在触点蚀刻终止层322中界定隔离区316。在一个实例中，根据本发明的教示，触点蚀刻终止层322材料的移除或蚀刻去除减轻触点蚀刻终止层322中的至少一些应力。
根据本发明的教示，通过如图所示移除触点蚀刻终止层322材料且在触点蚀刻终止层322中界定隔离区316，像素阵列302中的记忆效应被减小或消除。特定来说，如图 所示在触点蚀刻终止层322中界定的隔离区316可减小像素阵列302中的记忆效应，因为原本存在于蚀刻终止层322中的应力已通过移除部分316而释放，这因此减小蚀刻终止层322被光学激励且通过蚀刻终止层322内的电荷俘获或在蚀刻终止层322与邻近膜(包含例如钝化层320)的界面处保持幻象假影图像的倾向性。另外，应注意，根据本发明的教示，还可在像素阵列302中减小记忆效应，因为当从蚀刻终止层322移除部分316时执行的开沟槽可导致蚀刻终止层322内移动电荷的总体减少，这也减小像素阵列302中的记忆效应。
本发明的所说明实例的以上描述(包含摘要中描述的内容)不希望为详尽的或限于所揭示的精确形式。虽然本文出于说明性目的描述本发明的特定实施例和实例，但可在不脱离本发明的较广精神和范围的情况下进行各种等效修改。事实上，应了解，特定实例电压、电流、频率、功率范围值、时间等是出于阐释的目的而提供，且根据本发明的教示，在其它实施例和实例中也可采用其它值。

Claims (21)

1.一种图像传感器像素，其包括：
一个或多个光电二极管，其安置在半导体层中；
像素电路，其安置在所述半导体层中、耦合到所述一个或多个光电二极管；
钝化层，其在所述像素电路和所述一个或多个光电二极管上方安置在所述半导体层附近；
单一触点蚀刻终止层，其安置在所述钝化层上方，其中所述单一触点蚀刻终止层界定一个或多个隔离区，其中在所述单一触点蚀刻终止层中界定的所述一个或多个隔离区中不存在所述单一触点蚀刻终止层的材料；
一个或多个金属触点，其穿过所述单一触点蚀刻终止层的第一部分耦合到所述像素电路，其中所述单一触点蚀刻终止层的第二部分安置在所述一个或多个光电二极管的光电二极管区域中；
其中在所述单一触点蚀刻终止层中界定的所述一个或多个隔离区将所述单一触点蚀刻终止层的所述第一部分与所述单一触点蚀刻终止层的所述第二部分隔离，其中所述单一触点蚀刻终止层的所述第二部分是平坦的，且其中所述一个或多个隔离区与所述单一触点蚀刻终止层的所述第二部分共面，其中所述一个或多个隔离区围绕每个光电二极管上方的所述第二部分的部分。
2.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中在所述单一触点蚀刻终止层中界定的所述一个或多个隔离区实质上消除了所述单一触点蚀刻终止层中所述单一触点蚀刻终止层的所述第一部分和所述单一触点蚀刻终止层的所述第二部分之间的应力路径。
3.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中在所述单一触点蚀刻终止层中界定所述一个或多个隔离区，其中在所述单一触点蚀刻终止层的所述第一部分和所述单一触点蚀刻终止层的所述第二部分之间移除所述单一触点蚀刻终止层的所述材料。
4.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述一个或多个金属触点包括无边界触点。
5.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述单一触点蚀刻终止层包括氮化物。
6.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述单一触点蚀刻终止层包括氮氧化硅。
7.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述钝化层包括氧化物。
8.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其进一步包括安置在所述单一触点蚀刻终止层上方的电介质层。
9.根据权利要求8所述的图像传感器像素，其中所述电介质层包括硼磷硅玻璃。
10.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述图像传感器像素被包括在互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器中。
11.一种成像系统，其包括：
图像传感器像素的像素阵列，其中所述图像传感器像素中的每一者包含：
一个或多个光电二极管，其安置在半导体层中；
像素电路，其安置在所述半导体层中、耦合到所述一个或多个光电二极管；
钝化层，其在所述像素电路和所述一个或多个光电二极管上方安置在所述半导体层附近；
单一触点蚀刻终止层，其安置在所述钝化层上方，其中所述单一触点蚀刻终止层界定一个或多个隔离区，其中在所述单一触点蚀刻终止层中界定的所述一个或多个隔离区中不存在所述单一触点蚀刻终止层的材料；
一个或多个金属触点，其穿过所述单一触点蚀刻终止层的第一部分耦合到所述像素电路，其中所述单一触点蚀刻终止层的第二部分安置在所述一个或多个光电二极管的光电二极管区域中；
其中在所述单一触点蚀刻终止层中界定的所述一个或多个隔离区将所述单一触点蚀刻终止层的所述第一部分与所述单一触点蚀刻终止层的所述第二部分隔离，其中所述单一触点蚀刻终止层的所述第二部分是平坦的，且其中所述一个或多个隔离区与所述单一触点蚀刻终止层的所述第二部分共面，其中所述一个或多个隔离区围绕每个光电二极管上方的所述第二部分的部分；
控制电路，其耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作；以及
读出电路，其耦合到所述像素阵列以从多个像素读出图像数据。
12.根据权利要求11所述的成像系统，其进一步包括耦合到所述读出电路以存储从所述图像传感器像素读出的所述图像数据的功能逻辑。
13.根据权利要求11所述的成像系统，其中在所述单一触点蚀刻终止层中界定的所述一个或多个隔离区实质上消除了所述单一触点蚀刻终止层中所述单一触点蚀刻终止层的所述第一部分和所述单一触点蚀刻终止层的所述第二部分之间的应力路径。
14.根据权利要求11所述的成像系统，其中在所述单一触点蚀刻终止层中界定所述一个或多个隔离区，其中在所述单一触点蚀刻终止层的所述第一部分和所述单一触点蚀刻终止层的所述第二部分之间移除所述单一触点蚀刻终止层的所述材料。
15.根据权利要求11所述的成像系统，其中所述一个或多个金属触点包括无边界触点。
16.根据权利要求11所述的成像系统，其中所述单一触点蚀刻终止层包括氮化物。
17.根据权利要求11所述的成像系统，其中所述单一触点蚀刻终止层包括氮氧化硅。
18.根据权利要求11所述的成像系统，其中所述钝化层包括氧化物。
19.根据权利要求11所述的成像系统，其进一步包括安置在所述单一触点蚀刻终止层上方的电介质层。
20.根据权利要求19所述的成像系统，其中所述电介质层包括硼磷硅玻璃。
21.根据权利要求11所述的成像系统，其中所述图像传感器像素被包括在互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器中。
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