CN104016422B - 一种Co3O4纳米线掺杂Sn的方法 - Google Patents

一种Co3O4纳米线掺杂Sn的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种Co3O4纳米线掺杂Sn的方法,该方法包括如下步骤:将Co3O4纳米线、油胺和油酸加入到有机溶剂中,加热至80-100℃,再加入SnCl2,反应1-3小时,得到掺杂Sn的Co3O4纳米线。本发明方法成功地将Sn元素掺入Co3O4中,该方法操作简单,对Co3O4形貌基本没有影响,掺杂Sn后能显著提高了Co3O4的导电性。

Description

一种Co3O4纳米线掺杂Sn的方法
技术领域
本发明属于无机纳米材料掺杂领域,具体涉及Co3O4纳米线掺杂Sn的方法。
背景技术
一维纳米结构,由于其有趣的特性和独特的应用,一直以来都是学者们深入研究的主题。Co3O4作为一种重要的过渡金属氧化物,由于其在催化剂、电化学性能、磁性材料、场发射材料,传感器等领域的广泛应用而被受关注。但是目前对具有不同形貌和尺寸的Co3O4材料的研究和应用已经在许多领域不能满足日益扩大的要求了。为了拓展Co3O4的性能,混杂或与其他元素进行掺杂的方法是合成Co3O4复合材料的一种有效途径。在近十年来已经合成了许多Co3O4复合材料,Co3O4复合材料可以表现出单个材料所不具备的新的化学和物理性质,而吸引了广泛的关注。
发明内容
本发明的目的是提供一种Co3O4纳米线掺杂Sn的方法。
本发明实现上述目的所采用的技术方案如下:
一种Co3O4纳米线掺杂Sn的方法,包括如下步骤:将Co3O4纳米线、油胺和油酸加入到有机溶剂中,加热至80-100℃,再加入SnCl2,反应1-3小时,得到掺杂Sn的Co3O4纳米线。
进一步,所述Co3O4纳米线、油胺和油酸的摩尔比为1:(6-8):(0.3-0.6)。
所述有机溶剂为二甲苯。
所述Co3O4纳米线通过包括如下步骤的方法得到:
将尿素加入到钴盐溶液中,然后于90-140℃反应6-12小时,得到前驱体;
前驱体再于200-400℃煅烧30-150分钟,即得到Co3O4纳米线。
进一步,所述尿素与钴盐的摩尔比为1:(1~5)。
进一步,所述钴盐为硝酸钴或氯化钴。
进一步,煅烧时的升温速率为1℃-3℃/min。
依上述方法得到的掺杂Sn的Co3O4纳米线,在掺杂反应时,SnCl2可按Co3O4纳米线摩尔量的0.1-5倍加入,优选按Co3O4纳米线摩尔量的1-3倍加入。
本发明方法成功地将Sn元素掺入Co3O4中,该方法操作简单,对Co3O4形貌基本没有影响,掺杂Sn后能显著提高了Co3O4的导电性。
附图说明
图1 为本发明的Co3O4纳米线的扫描电子显微镜图。
图2为本发明掺Sn后Co3O4纳米线的扫描电子显微镜图。
图3为本发明掺Sn后Co3O4纳米线的透射电子显微镜图。
图4为本发明掺Sn后Co3O4纳米线的能量色散X射线光谱图。
图5为本发明掺杂前后材料的X射线粉末衍射谱图。
图6为本发明掺杂前后材料的电化学阻抗图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明的内容,下面结合附图和具体的实施例对本发明再作进一步的说明。
实施例1
将0.3g Co(NO3)2·6H2O (1mmol)和0.06g CO(NH2)(1mmol)分别溶解在10mL二次蒸馏水中,形成均匀的溶液,在搅拌下将CO(NH2)2溶液逐滴地加入到Co(NO3)2溶液中,再将混合溶液转移至高压反应釜中。将高压反应釜放入烘箱中,控制反应温度为95℃,水热反应6小时后,取出高压反应釜,冷却30分钟。用450μm的混合纤维素膜过滤得到粉色沉淀,所得沉淀依次用二次蒸馏水和无水乙醇洗涤数次后在60℃干燥6小时,得到粉色的前驱体。再将粉色的前驱体放入管式炉中,温度以1℃/min的速度升至200℃,并在200℃保持30分钟,得到黑色的粉末,为Co3O4纳米线。
将0.05g Co3O4纳米线(0.2mmol)、480μL油胺(1.5mmol)和31μL油酸(0.1mmol)分散于3mL对二甲苯中,混合后加热至80℃,在磁力搅拌下向该溶液中加入200μL 1mol/L的SnCl2溶液,在80℃加热2小时后,离心分离得到产物,用无水乙醇洗涤数次,在60℃干燥6小时得到掺Sn的Co3O4纳米线。
实施例2
称量0.24g CoCl2·6H2O(1mmol)和0.3g CO(NH2)(5mmol)分别溶解在10mL二次蒸馏水中,形成均匀的溶液。在搅拌下将CO(NH2)溶液逐滴地加入到CoCl2溶液中,再将混合溶液转移至高压反应釜中。将高压反应釜放入烘箱中,控制反应温度为110℃,水热反应8小时后,取出高压反应釜,冷却30分钟。用450μm的混合纤维素膜过滤得到粉色沉淀,所得沉淀依次用二次蒸馏水和无水乙醇洗涤数次后在60℃干燥8小时,得到粉色的前驱体。再将粉色的前驱体放入管式炉中,温度以1℃/min的速度升至250℃,并在250℃保持60分钟,得到黑色的粉末,为Co3O4纳米线。
将0.05g Co3O4纳米线(0.2mmol)、385μL油胺(1.2mmol)和25μL油酸(0.08mmol)分散于3mL对二甲苯中混合后加热至90℃,在磁力搅拌下向该溶液中加入200μL 1.2mol/L的SnCl2溶液,在90℃加热1.5小时后,离心分离得到产物,用无水乙醇洗涤数次,在60℃干燥10小时得到掺Sn的Co3O4纳米线。
实施例3
称量0.3g Co(NO3)2·6H2O(1mmol)和0.3g CO(NH2)2(5mmol)分别溶解在10mL二次蒸馏水中,形成均匀的溶液。在搅拌下将CO(NH2)2溶液逐滴地加入到Co(NO3)2溶液中,再将混合溶液转移至高压反应釜中。将高压反应釜放入烘箱中,控制反应温度为120℃,水热反应8小时后,取出高压反应釜,冷却30分钟。用450μm的混合纤维素膜过滤得到粉色沉淀,所得沉淀依次用二次蒸馏水和无水乙醇洗涤数次后在60℃干燥10小时,得到粉色的前驱体。再将粉色的前驱体放入管式炉中,以2℃/min的速度,将温度升高至300℃,并在300℃保持100分钟,得到黑色的粉末,为Co3O4纳米线。
将0.05g Co3O4纳米线(0.2mmol),480μL油胺(1.5mmol)和31μL油酸(0.1mmol)分散于3mL对二甲苯中混合后加热至90℃,在磁力搅拌下向该溶液中加入200μL 1.4mol/L的SnCl2溶液,再在90℃加热2小时。通过离心分离得到产物,并用无水乙醇洗涤数次,在60℃干燥6小时得到掺Sn的Co3O4纳米线。
实施例4
称量0.24g CoCl2·6H2O(1mmol)和0.06g CO(NH2)2(1mmol)分别溶解在10mL二次蒸馏水中,形成均匀的溶液。在搅拌下将CO(NH2)2溶液逐滴地加入到CoCl2溶液中,再将混合溶液转移至高压反应釜中。将高压反应釜放入烘箱中,控制反应温度为130℃,水热反应10小时后,取出高压反应釜,冷却30分钟。用450μm的混合纤维素膜过滤得到粉色沉淀,所得沉淀依次用二次蒸馏水和无水乙醇洗涤数次后在70℃干燥6小时,得到粉色的前驱体。再将粉色的前驱体放入管式炉中,以2℃/min的速度,将温度升高至350℃,并在350℃保持120分钟,得到黑色的粉末,为Co3O4纳米线。
将0.05g Co3O4纳米线(0.2mmol),510μL油胺(1.6mmol)和31μL油酸(0.1mmol)分散于3mL对二甲苯中混合后加热至100℃,在磁力搅拌下向该溶液中加入200μL 1.6mol/L的SnCl2溶液,再在100℃加热1小时。通过离心分离得到产物,并用无水乙醇洗涤数次,在60℃干燥6小时得到掺Sn的Co3O4纳米线。
实施例5
称量0.15g Co(NO3)2·6H2O(0.5mmol)和0.06g CO(NH2)2(1mmol)分别溶解在10mL二次蒸馏水中,形成均匀的溶液。在搅拌下将CO(NH2)2溶液逐滴地加入到Co(NO3)2溶液中,再将混合溶液转移至耐高压反应釜中。将高压反应釜放入烘箱中,控制反应温度为140℃,水热反应12小时后,取出高压反应釜,冷却30分钟。用450μm的混合纤维素膜过滤得到粉色沉淀,所得沉淀依次用二次蒸馏水和无水乙醇洗涤数次后在70℃干燥8小时,得到粉色的前驱体。再将粉色的前驱体放入管式炉中,以3℃/min的速度,将温度升高至400℃,并在400℃保持150分钟,得到黑色的粉末,为Co3O4纳米线。
将0.05g Co3O4纳米线(0.2mmol),450μL油胺(1.4mmol)和19μL油酸(0.06mmol)分散于3mL对二甲苯中混合后加热至100℃,在磁力搅拌下向该溶液中加入200μL 2.0mol/L的SnCl2溶液,再在100℃加热2小时。通过离心分离得到产物,并用无水乙醇洗涤数次,在60℃干燥6小时得到掺Sn的Co3O4纳米线。
对比图1和图2可以看出,掺杂对于Co3O4纳米线的形貌基本没有影响,掺杂前后能保持一致。
由图3透射电子显微镜图中的透亮点可以看出,在掺Sn的Co3O4纳米线本体上具有孔隙结构。
从图4的能量色散X射线光谱图可以看出所制备的材料成功掺入了Sn元素(Cu元素信号来自于铜网)。
图5的X射线粉末衍射谱图。其中,曲线a和曲线b分别为Co3O4纳米线和掺Sn后的Co3O4纳米线。
采用相同量的Co3O4纳米线和掺Sn的Co3O4纳米线(以实施例1为例)按传统方法修饰玻碳电极,测试电化学阻抗,结果如图6所示,其中,曲线a、b、c分别为裸玻碳电极、Co3O4纳米线和掺Sn的Co3O4纳米线的电化学阻抗图。由图可见,曲线b的半圆直径大于曲线a的半圆直径,曲线c 的半圆直径小于曲线a的半圆直径,说明与Co3O4纳米线修饰后增加玻碳电极的电子传导阻力相比,掺Sn的Co3O4纳米线修饰到玻碳电极表面后却能减小了电子传导阻力,表明掺Sn能明显改善Co3O4纳米线的导电性能。
最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种Co3O4纳米线掺杂Sn的方法,包括如下步骤:将Co3O4纳米线、油胺和油酸加入到有机溶剂中,加热至80-100℃,再加入SnCl2,反应1-3小时,得到掺杂Sn的Co3O4纳米线。
2.根据权利要求1所述Co3O4纳米线掺杂Sn的方法,其特征在于,所述Co3O4纳米线、油胺和油酸的摩尔比为1:(6-8):(0.3-0.6)。
3.根据权利要求1所述Co3O4纳米线掺杂Sn的方法,其特征在于,所述有机溶剂为二甲苯。
4.根据权利要求1所述Co3O4纳米线掺杂Sn的方法,其特征在于,所述Co3O4纳米线通过包括如下步骤的方法得到:
将尿素加入到钴盐溶液中,然后于90-140℃反应6-12小时,得到前驱体;
前驱体再于200-400℃煅烧30-150分钟,即得到Co3O4纳米线。
5.根据权利要求4所述Co3O4纳米线掺杂Sn的方法,其特征在于,所述尿素与钴盐的摩尔比为1:(1~5)。
6.根据权利要求4或5所述Co3O4纳米线掺杂Sn的方法,其特征在于,所述钴盐为硝酸钴或氯化钴。
7.根据权利要求4所述Co3O4纳米线掺杂Sn的方法,其特征在于,煅烧时的升温速率为1-3℃/min。
8.一种依权利要求1所述方法制备得到的掺杂Sn的Co3O4纳米线,其中,反应时,SnCl2按Co3O4纳米线摩尔量的0.1-5倍加入。
9.根据权利要求8所述的掺杂Sn的Co3O4纳米线,其特征在于,反应时,SnCl2按Co3O4纳米线摩尔量的1-3倍加入。
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