CN103996759A - Led外延层生长方法及led外延层 - Google Patents

Led外延层生长方法及led外延层 Download PDF

Info

Publication number
CN103996759A
CN103996759A CN201410263498.0A CN201410263498A CN103996759A CN 103996759 A CN103996759 A CN 103996759A CN 201410263498 A CN201410263498 A CN 201410263498A CN 103996759 A CN103996759 A CN 103996759A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
growth
gan
gan layer
type gan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410263498.0A
Other languages
English (en)
Inventor
农明涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd
Original Assignee
Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd filed Critical Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd
Priority to CN201410263498.0A priority Critical patent/CN103996759A/zh
Publication of CN103996759A publication Critical patent/CN103996759A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种LED外延层生长方法及LED外延层，生长P型GaN层步骤为：A、在温度为900-950℃，反应腔压力在200-600mbar的反应室内，通入NH3、Cp2Mg，关闭TMGa，做10-20秒掺Mg预处理；B、通入TMGa，关掉Cp2Mg，生长20-40秒GaN层，GaN厚度为5-10nm；重复步骤A、B10-20次，直至P型GaN层的总厚度为80-200nm。本申请使用delta掺杂生长p型GaN层，改善p型GaN层的结晶质量降低位错密度，提高P-GaN空穴浓度及其迁移率，为LED器件发光有源区提供更多的空穴-电子对，提高复合几率，提升亮度，从而改善LED器件的光电性能。

Description

LED外延层生长方法及LED外延层
技术领域
本发明涉及LED外延设计技术领域，特别地，涉及一种使用delta掺杂的方法生长p型GaN层的LED外延层生长方法及LED外延层。
背景技术
LED被广泛应用在显示屏、传感器、通讯、照明等广泛领域。作为核心半导体器件的GaN基蓝光LED能与荧光粉结合制造白光，在照明方面有很大的吸引力。
掺Mg:GaN材料(P-GaN)已经被广泛应该在GaN基发光二极管(LED)产品上，为了不破坏有源层的InGaN材料，p型GaN层一般在较低温度下生长，导致其晶体质量下降，补偿效应加重，致使LED器件电压上升、亮度下降、抗静电能力(ESD)变差。
发明内容
本发明目的在于提供一种使用delta掺杂的方法生长p型GaN层的LED外延层生长方法及制得的LED外延层，以提高P-GaN空穴浓度及其迁移率，从而改善LED器件的光电性能。
为实现上述目的，一种LED外延层生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，
所述生长P型GaN层步骤为：
A、在温度为900-950℃，反应腔压力在200-600mbar的反应室内，通入30000-45000sccm的NH3、600-1800sccm的Cp2Mg，关闭TMGa，做10-20秒掺Mg预处理；
B、通入20-60sccm的TMGa，关掉Cp2Mg，生长20-40秒GaN，GaN厚度为5-10nm，
重复步骤A、B10-20次，直至P型GaN层的总厚度为80-200nm；
Mg的掺杂浓度1E+19-1E+20atom/cm3。
优选的，所述生长P型GaN层步骤之后包括生长低温掺镁InGaN层：
温度650-680℃，反应腔压力维持在300-500mbar，通入NH3、TMGa、TMIn和Cp2Mg，持续生长2-5nm的低温掺镁InGaN层；Mg的掺杂浓度1E+20-1E+21atom/cm3。
优选的，所述生长有源层MQW步骤为：
反应腔压力维持在300-400mbar，
C、降温至700-750℃，生长厚度为2.5-3.2nm的InxGa(1-x)N阱层，x＝0.015-0.25，In的掺杂浓度为1E+20至5E+20atom/cm3；
D、升高温度至800-850℃，生长厚度为8-12nm的GaN垒层；
重复生长步骤C和D，制得周期数为10-15的InxGa(1-x)N/GaN超晶格量子阱层。
本发明还公开了上述的LED外延层生长方法制得的LED外延层，包括delta掺杂P型GaN层，所述delta掺杂P型GaN层的总厚度为80-200nm：
GaN厚度为5-10nm，Mg的掺杂浓度1E+19-1E+20atom/cm3。
本发明具有以下有益效果：
传统的P-GaN生长是同时通入Ga源和Mg源实现，在生长过程中，Mg原子取代GaN形成Ga-N-Mg-N-Ga堆垛位错，随着掺Mg:GaN持续生长，位错不断延伸并增多，导致GaN表面平整性变差，影响LED器件的光电特性。
本申请使用delta掺杂生长p型GaN层，掺杂生长过程中，Mg的掺入是在GaN的中断期间完成的，Ga-N-Mg-N-Ga堆垛位错不易蔓延，而随后GaN生长过程中没有Mg杂质的引入，堆垛位错不会继续蔓延、也不会形成新的堆垛位错，改善p型GaN层的结晶质量降低位错密度，减少自补偿效应，提高P-GaN空穴浓度及其迁移率，为LED器件发光有源区提供更多的空穴-电子对，提高复合几率，提升亮度，从而改善LED器件的光电性能。
并且，本发明制备的p型GaN层的PR值高，说明GaN表面相当平整，P型GaN层与ITO的接触良好，有利于LED器件P电极的电流扩散，降低了LED器件的工作电压。另外，本发明制备的P-GaN层缺陷密度小、晶体质量高，提高了LED器件的抗静电能力(ESD)。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是本发明对比实施例的结构示意图；
图2是本发明实施例的结构示意图；
图3是本发明实施例与对比实施例的PR值对比图；
图4是本发明实施例与对比实施例的ESD对比图；
图5是本发明实施例与对比实施例的亮度对比图；
图6是本发明实施例与对比实施例的电压对比图；
其中，1、衬底，2、低温缓冲GaN层，3、非掺杂GaN层，4、掺Si的GaN层，5、MQW有源层，6、P型AlGaN层，7、P型GaN层，8、InGaN接触层，9、delta掺杂P型GaN层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
以下分别说明采用以现有传统方法制备样品1的对比实施例一，和采用本发明生长方法制备样品2的实施例一，再将两种方法得到样品1和样品2进行性能检测比较。
对比实施例一、
参见图1，本发明运用MOCVD来生长高亮度GaN基LED外延片。采用高纯H2或高纯N2或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，金属有机源三甲基镓(TMGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，N型掺杂剂为硅烷(SiH4)，三甲基铝(TMAl)作为铝源，P型掺杂剂为二茂镁(CP2Mg)，衬底为(0001)面蓝宝石，反应压力在100mbar到800mbar之间。
1、在1000-1100℃，反应腔压力维持在150-200mbar的氢气气氛下高温处理蓝宝石衬底5-10分钟；
2、降温至550-750℃下，反应腔压力维持在300-600mbar，通入NH3和TMGa，在蓝宝石衬底上生长厚度为30-60nm的低温缓冲层GaN；
3、升高温度到1100-1300℃下，反应腔压力维持在200-400mbar，通入NH3和TMGa，持续生长2-4μm的非掺杂GaN；
4、通入NH3、TMGa和SiH4，持续生长掺杂Si的N型GaN，Si掺杂浓度5E+18-1E+19atom/cm3，总厚度控制在2-4μm；
5、周期性生长有源层MQW，反应腔压力维持在300-400mbar，低温700-750℃，通入NH3、TEGa和TMIn，生长掺杂In的2.8-3.5nm的InxGa(1-x)N(x＝0.15-0.25)层，In的掺杂浓度为1E+20-3E+20atom/cm3，高温800-850℃通入NH3和TEGa，生长10-15nmGaN层，InxGa(1-x)N/GaN周期数为10-12；
6、再升高温度到900-1000℃，反应腔压力维持在200-300mbar，通入NH3、TMGa、TMAl和Cp2Mg，持续生长20-50nm的P型AlGaN层，Al的掺杂浓度1E+20-3E+20atom/cm3，Mg的掺杂浓度5E+18-1E+19atom/cm3；
7、再升高温度到1000-1100℃，反应腔压力维持在600-900mbar，通入NH3、TMGa和Cp2Mg，持续生长100-200nm的掺镁的P型GaN层，Mg的掺杂浓度1E+19-1E+20atom/cm3；
8、最后将反应室压力控制在400-600mbar，降温至700-800℃，保温10-20min，接着炉内冷却。
实施例一、
参见图2，本发明运用AixtronMOCVD来生长高亮度GaN基LED外延片。采用高纯H2或高纯N2或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，金属有机源三甲基镓(TMGa)、三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，N型掺杂剂为硅烷(SiH4)，三甲基铝(TMAl)作为铝源，P型掺杂剂为二茂镁(CP2Mg)，衬底为(0001)面蓝宝石，反应压力在100mbar到800mbar之间。
一种LED外延层生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlInGaN层、生长P型GaN层步骤，其操作方式为：
1、将蓝宝石衬底放置于MOCVD反应室里，在温度在1000-1300℃、反应腔压力维持在50-150mbar的H2气氛下，高温处理蓝宝石衬底5-10分钟，如图二1层；
2、待高温处理完，反应室降温至550-650℃范围内，通入TMGa和NH3，压力控制在600mbar-900mbar，在蓝宝石衬底上生长厚度为20-50nm厚的低温缓冲层GaN，如图二2层；
3、升高温度至1000-1200℃，反应腔压力维持在150-600mbar，在低温缓冲层上生长厚度为2-4um的非掺杂GaN层，如图二3层；
4、通入TMGa和NH3、SiH4，在图一3层上生长厚度为2-4um的掺Si的N型GaN层，掺杂浓度控制在5E+18-2E+19atom/cm3，如图二4层；
5、周期性生长有缘层MQW；压力控制在300mbar-400mbar,(1)降温至700-750℃，生长厚度为2.5-3.2nm的InxGa(1-x)N(x＝0.015-0.25)阱层，In的掺杂浓度为1E+20至5E+20atom/cm3；(2)升高温度至800-850℃，生长厚度为8-12nm的GaN垒层；重复生长步骤(1)和(2)，制得周期数为10-15的InxGa(1-x)N/GaN超晶格量子阱层；如图二5层；
6、升高温度到800-900℃，反应腔压力维持在200-400mbar，持续生长20-50nm的P型AlGaN层，Al掺杂浓度1E+20-3E+20atom/cm3，Mg掺杂浓度5E+18-1E+19atom/cm3；
7、再升高温度到900-950℃，反应腔压力维持在200-600mbar，(1)通入30000-45000sccm的NH3、600-1800sccm的CP2Mg，并关掉TMGa做10-20秒掺Mg预处理，(2)然后关掉CP2Mg，通入20-60sccm的TMGa，生长20-40秒GaN，其厚度控制在5-10nm，重复步骤(1)和(2)生长10-20次，制得总厚度为80-200nm的P型GaN层，Mg的掺杂浓度为1E+19-1E+20atom/cm3；
本步骤中，TMGa的关闭与CP2Mg的通入可以同时进行，CP2Mg的关闭与TMGa的通入也可以同时进行。
8、降温至650-680℃时生长厚度为2-5nm的低温掺镁InGaN层，Mg的掺杂浓度为1E20～1E21atom/cm3；
9、升温至700-800℃，压力保持在600-800mbsr，在N2气氛下活化20-30分钟，接着炉内冷却。
然后，采用对比实施例一描述的方法制备样品1，采用实施例一描述的方法制备样品2；样品1和样品2在相同的前工艺条件下镀ITO层2300约埃，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极约1500埃，相同的条件下镀保护层SiO2约500埃，然后在相同的条件下将样品研磨切割成762μm*762μm(30mi*30mil)的芯片颗粒，然后样品1和样品2在相同位置各自挑选150颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。然后采用积分球在驱动电流350mA条件下测试样品1和样品2的光电性能。
将积分球获得的光电性能数据进行分析对比，对比结果请参考附图三至图六，具体数值可参见下表一。
表一 样品1与样品2的光电性能参数对比表
光电参数 PR值 亮度/mw 电压VF ESD
样品1 16.8 218.6 3.36 88％
样品2 17.5 232.2 3.24 96％
参见图2，本发明还提供了一种根据上述LED外延层生长方法制得的LED外延层，依次包括衬底1、低温缓冲GaN层2、非掺杂GaN层3、掺Si的GaN层4、MQW有源层5、P型AlGaN层6、delta掺杂P型GaN层9和InGaN接触层8，其中，所述delta掺杂P型GaN层9的总厚度为80-200nm：GaN厚度为5-10nm，Mg的掺杂浓度为1E+19-1E+20atom/cm3。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种LED外延层生长方法，其特征在于，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，
所述生长P型GaN层步骤为：
A、在温度为900-950℃，反应腔压力在200-600mbar的反应室内，通入30000-45000sccm的NH3、600-1800sccm的Cp2Mg，关闭TMGa，做10-20秒掺Mg预处理；
B、通入20-60sccm的TMGa，关掉Cp2Mg，生长20-40秒GaN，GaN厚度为5-10nm，
重复步骤A、B10-20次，直至P型GaN层的总厚度为80-200nm；
Mg的掺杂浓度1E+19-1E+20atom/cm3。
2.根据权利要求1所述的一种LED外延层生长方法，其特征在于，所述生长P型GaN层步骤之后包括生长低温掺镁InGaN层：
温度650-680℃，反应腔压力维持在300-500mbar，通入NH3、TMGa、TMIn和Cp2Mg，持续生长2-5nm的低温掺镁InGaN层；Mg的掺杂浓度1E+20-1E+21atom/cm3。
3.根据权利要求1所述的一种LED外延层生长方法，其特征在于，所述生长有源层MQW步骤为：
反应腔压力维持在300-400mbar，
C、降温至700-750℃，生长厚度为2.5-3.2nm的InxGa(1-x)N阱层，x＝0.015-0.25，In的掺杂浓度为1E+20至5E+20atom/cm3；
D、升高温度至800-850℃，生长厚度为8-12nm的GaN垒层；
重复生长步骤C和D，制得周期数为10-15的InxGa(1-x)N/GaN超晶格量子阱层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的LED外延层生长方法制得的LED外延层，其特征在于，在P型AlGaN层和InGaN接触层之间包括delta掺杂P型GaN层，所述delta掺杂P型GaN层的总厚度为80-200nm：
GaN厚度为5-10nm，Mg的掺杂浓度1E+19-1E+20atom/cm3。
CN201410263498.0A 2014-06-13 2014-06-13 Led外延层生长方法及led外延层 Pending CN103996759A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410263498.0A CN103996759A (zh) 2014-06-13 2014-06-13 Led外延层生长方法及led外延层

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410263498.0A CN103996759A (zh) 2014-06-13 2014-06-13 Led外延层生长方法及led外延层

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103996759A true CN103996759A (zh) 2014-08-20

Family

ID=51310859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410263498.0A Pending CN103996759A (zh) 2014-06-13 2014-06-13 Led外延层生长方法及led外延层

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103996759A (zh)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104241463A (zh) * 2014-08-28 2014-12-24 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管外延片生长方法
CN104392916A (zh) * 2014-11-17 2015-03-04 中国科学院半导体研究所 制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法
CN104966767A (zh) * 2015-03-30 2015-10-07 华灿光电(苏州）有限公司 一种GaN基发光二极管外延片的生长方法
CN105070653A (zh) * 2015-08-18 2015-11-18 湘能华磊光电股份有限公司 一种增强器件抗静电能力的led外延生长方法
CN105185885A (zh) * 2015-06-24 2015-12-23 聚灿光电科技股份有限公司 Led芯片及其制备方法
CN106449811A (zh) * 2016-10-28 2017-02-22 华南理工大学 生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜及其制备方法
CN106784184A (zh) * 2016-12-21 2017-05-31 湘能华磊光电股份有限公司 复合P型GaN层的LED外延结构及其制备方法
CN106848025A (zh) * 2016-12-13 2017-06-13 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片的生长方法
CN109449268A (zh) * 2018-10-31 2019-03-08 湘能华磊光电股份有限公司 一种降低P型GaN层电阻率的LED外延结构及其生长方法
CN109461797A (zh) * 2018-10-31 2019-03-12 湘能华磊光电股份有限公司 一种具有低电阻率p型层的led外延结构及其生长方法
CN111276585A (zh) * 2020-01-26 2020-06-12 孙蕾蕾 汽车照明光源光效提高方法
CN111710762A (zh) * 2020-06-28 2020-09-25 中国科学院半导体研究所 具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件
CN112768570A (zh) * 2020-12-31 2021-05-07 华灿光电（浙江）有限公司 氮化镓基发光二极管外延片的制造方法
CN113451451A (zh) * 2020-08-20 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led外延层及其电流扩展层的生长方法、led芯片

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100616516B1 (ko) * 2003-12-18 2006-08-29 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN101661878A (zh) * 2009-09-08 2010-03-03 中山大学 一种双元素delta掺杂生长P型GaN基材料的方法
CN103367594A (zh) * 2013-07-26 2013-10-23 东南大学 一种发光二极管及其制备方法
CN103413877A (zh) * 2013-08-16 2013-11-27 湘能华磊光电股份有限公司 外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构
CN103560187A (zh) * 2013-11-15 2014-02-05 湘能华磊光电股份有限公司 含有超晶格势垒层的led结构外延生长方法及其结构

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100616516B1 (ko) * 2003-12-18 2006-08-29 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN101661878A (zh) * 2009-09-08 2010-03-03 中山大学 一种双元素delta掺杂生长P型GaN基材料的方法
CN103367594A (zh) * 2013-07-26 2013-10-23 东南大学 一种发光二极管及其制备方法
CN103413877A (zh) * 2013-08-16 2013-11-27 湘能华磊光电股份有限公司 外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构
CN103560187A (zh) * 2013-11-15 2014-02-05 湘能华磊光电股份有限公司 含有超晶格势垒层的led结构外延生长方法及其结构

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104241463B (zh) * 2014-08-28 2017-05-10 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管外延片生长方法
CN104241463A (zh) * 2014-08-28 2014-12-24 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管外延片生长方法
CN104392916A (zh) * 2014-11-17 2015-03-04 中国科学院半导体研究所 制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法
CN104966767A (zh) * 2015-03-30 2015-10-07 华灿光电(苏州）有限公司 一种GaN基发光二极管外延片的生长方法
CN104966767B (zh) * 2015-03-30 2018-01-09 华灿光电(苏州）有限公司 一种GaN基发光二极管外延片的生长方法
CN105185885A (zh) * 2015-06-24 2015-12-23 聚灿光电科技股份有限公司 Led芯片及其制备方法
CN105070653B (zh) * 2015-08-18 2017-11-07 湘能华磊光电股份有限公司 一种增强器件抗静电能力的led外延生长方法
CN105070653A (zh) * 2015-08-18 2015-11-18 湘能华磊光电股份有限公司 一种增强器件抗静电能力的led外延生长方法
CN106449811A (zh) * 2016-10-28 2017-02-22 华南理工大学 生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜及其制备方法
CN106848025A (zh) * 2016-12-13 2017-06-13 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片的生长方法
CN106848025B (zh) * 2016-12-13 2019-04-12 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片的生长方法
CN106784184A (zh) * 2016-12-21 2017-05-31 湘能华磊光电股份有限公司 复合P型GaN层的LED外延结构及其制备方法
CN109449268A (zh) * 2018-10-31 2019-03-08 湘能华磊光电股份有限公司 一种降低P型GaN层电阻率的LED外延结构及其生长方法
CN109461797A (zh) * 2018-10-31 2019-03-12 湘能华磊光电股份有限公司 一种具有低电阻率p型层的led外延结构及其生长方法
CN111276585A (zh) * 2020-01-26 2020-06-12 孙蕾蕾 汽车照明光源光效提高方法
CN111710762A (zh) * 2020-06-28 2020-09-25 中国科学院半导体研究所 具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件
CN113451451A (zh) * 2020-08-20 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led外延层及其电流扩展层的生长方法、led芯片
CN113451451B (zh) * 2020-08-20 2022-09-13 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led外延层及其电流扩展层的生长方法、led芯片
CN112768570A (zh) * 2020-12-31 2021-05-07 华灿光电（浙江）有限公司 氮化镓基发光二极管外延片的制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103996759A (zh) Led外延层生长方法及led外延层
CN106784210B (zh) 一种发光二极管的外延片及其制作方法
CN106410005B (zh) 一种氮化镓基led外延片及其生长方法
CN104009136B (zh) 提高发光效率的led外延层生长方法及led外延层
CN105633235B (zh) 一种n型GaN结构的GaN基LED外延结构及生长方法
CN104157746A (zh) 新型量子阱势垒层的led外延生长方法及外延层
CN111223764A (zh) 一种提高辐射复合效率的led外延生长方法
CN100470865C (zh) 一种提高氮化镓基led芯片抗静电能力的外延片生长方法
CN115188863B (zh) 发光二极管外延片及其制备方法
CN108831974B (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109411573B (zh) 一种led外延结构生长方法
CN103811601A (zh) 一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法
CN106159048A (zh) 一种发光二极管外延片及其生长方法
CN114284406A (zh) 一种氮化物发光二极管的制备方法
CN103943740B (zh) 增加发光效率的led外延层生长方法及led外延层
CN105957927B (zh) 一种发光二极管外延片的生长方法
CN111370540A (zh) 一种提高发光效率的led外延生长方法
CN113328015B (zh) 提高亮度的发光二极管芯片制作方法
CN110620168A (zh) 一种led外延生长方法
CN112941490B (zh) Led外延量子阱生长方法
CN112687770A (zh) Led外延生长方法
CN105870266B (zh) 电子阻挡层结构的生长方法及含此结构的led外延结构
CN110379895B (zh) Led外延生长方法
CN104966767B (zh) 一种GaN基发光二极管外延片的生长方法
CN111952418A (zh) 一种提升发光效率的led多量子阱层生长方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140820