CN103995182A - 一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法 - Google Patents
一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103995182A CN103995182A CN201410215735.6A CN201410215735A CN103995182A CN 103995182 A CN103995182 A CN 103995182A CN 201410215735 A CN201410215735 A CN 201410215735A CN 103995182 A CN103995182 A CN 103995182A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- contact resistance
- thin grid
- resistance value
- grid line
- metal electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明公开了一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法,根据本发明能够精确反推出金属栅线与硅基底之间的接触电阻,且能够合理有效消除栅线之间的差异,使得所得接触电阻阻值更加准确、稳定,且能够更加精准的表征扩散工艺、银浆性能或者烧结任一参数变化,本发明方法步骤简单,操作方便,应用范围广,具有良好的经济效益。
Description
技术领域
本发明涉及光伏太阳能电池领域,具体涉及一种用于测试太阳电池中等间距金属电极与硅基底之间接触电阻的方法。
背景技术
太阳能作为最具潜力替代传统化石能源的能源之一,而太阳能电池是将太阳能辐射直接转化为电能的器件,由于太阳能电池无机械运动,使用寿命长,维护费用低等特点,是目前市场上最理想的光电转化设备,其中晶体硅电池由于其光电转化效率高,性能稳定等特点在太阳能市场上占据90%以上的份额。电池电性能中的串联电阻大小直接影响太阳能电池效率,而正银和硅片之间的接触电阻作为串联电阻的一部分常常起着至关重要的作用,接触电阻受到方块电阻的大小和分布、银浆性能和烧结参数的影响,目前,业内测试接触电阻一般采用Corescan,但Corescan只给出一个分布图,用来分析电池工艺中的异常检查。在电池新工艺过程中,扩散工艺、银浆性能或者烧结任一参数变化,一般都采用接触电阻的阻值来表征,所以晶体硅太阳电池片等间距的金属栅线和硅之间的接触电阻的阻值在浆料实验中起着重要的作用。
发明内容
发明目的:针对上述现有技术存在的问题和不足,本发明的目的是提供一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法,所得接触电阻阻值更加精准。
技术方案:为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案为一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法,包括以下步骤:
1.1、将待测电池片沿着垂直于细栅线方向切成若干条状样品;
1.2、 用探针测试两细栅线之间的电阻值,一探针位置不变,另一探针移到下一根细栅线位置继续测试两者间的电阻值,依次进行;
1.3、 根据公式Rtotal=Rsh×nx/W+2Rc(n=1,2…),其中,Rsh为发射结方阻值,可以通过直接测试得到,x为栅线之间的距离,W为样品宽度,n为栅线间距的数量,Rc为金属电极与硅基底表面的接触电阻值;
将步骤1.2中测得的电阻值和细栅线之间的间距作线性斜率模拟,根据模拟得出的直线纵截距可推出细栅与硅基底之间的接触电阻;
所述步骤1.3中的模拟直线线性斜率大于99.9%,所得接触电阻阻值合理。
作为本发明进一步的优化,所述步骤1.1中的样品包括不少于七根等间距等长度的细栅线,所述相邻栅线之间间距在0.5-20mm,且细栅线之间没有金属连接。
作为本发明的进一步优化,还包括以下步骤:
1.4、 重复步骤1.2 对两细栅线之间的电阻值进行测试;
1.5、 将步骤1.2所得电阻值与步骤1.4所得电阻值进行算数平均,所得算数平均值根据步骤1.3与细栅间距进行线性斜率拟合,根据拟合直线得出接触电阻阻值。
作为本发明的进一步优化,所述步骤1.4中的探针的初始测试位置和另一探针移动方向与步骤1.2 相反。
有益效果: 本发明与现有技术相比,其优点为:根据本发明能够精确反推出金属栅线与硅基底之间的接触电阻,且能够合理有效消除栅线之间的差异,使得所得接触电阻阻值更加准确、稳定,且能够更加精准的表征扩散工艺、银浆性能或者烧结任一参数变化,本发明方法步骤简单,操作方便, 应用范围广,具有良好的经济效益。
附图说明
图1为本发明测试接触电阻的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
实施例1:
将待测电池片用激光划片机沿着垂直于细栅线方向切成10mm宽的条形样品,保证条形样品上有七根细栅线,并且每根细栅不能有断栅,细栅线之间没有金属连接,用细小砂纸上将切好的样品侧面激光熔掉的地方进行打磨,防止测试过程中漏电。
如图1所示,用探针测试两细栅线之间的电阻值Rtotal,一探针位于第一根细栅处位置不变,另一探针移到下一根细栅线位置继续测试两者间的电阻值Rtotal,记录各个电阻值Rtotal和其对应的栅线之间间距,并根据上述数据进行线性斜率模拟,根据公式Rtotal=Rsh×nx/W+2Rc(n=1,2…)可得模拟直线的纵截距,所述纵截距为2*Rc,即可推出细栅与硅基底之间的接触电阻Rc,所述Rc值合理的前提是模拟直线的线性斜率大于99.9%。
为了消除细栅线之间差异导致接触电阻值不稳定的情况,重复上述方法,将被测样品从最后一根细栅开始重新测试,将本次所测数据与之前所测的电阻值Rtotal进行算数平均,所得平均值和栅线间距进行线性斜率拟合,所得直线的纵截距数值的一半即为细栅与硅基底之间的接触电阻Rc。
本实施例按照上述方法步骤对其他样品进行测试,最终得到八组数值,所得接触电阻值与拟合直线斜率如表1所示,拟合直线斜率为99.99%,即所得接触电阻值Rc是合理可信的,通过两次不同测试平均后,所得接触电阻阻值更加准确和稳定。
表1 接触电阻阻值与模拟直线斜率
样品标号 | No.1 | No.2 | No.3 | No.4 | No.5 | No.6 | No.7 | No.8 | AVE | STD |
接触电阻值 | 0.16 | 0.15 | 0.18 | 0.12 | 0.17 | 0.16 | 0.18 | 0.16 | 0.16 | 2.05% |
斜率 | 0.9999 | 0.9999 | 0.9999 | 0.9999 | 0.9999 | 0.9999 | 0.9999 | 0.9999 | 0.9999 | 0 |
Claims (4)
1.一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法,其特征在于:包括以下步骤:
1.1、将待测电池片沿着垂直于细栅线方向切成若干条状样品;
1.2、 用探针测试两细栅线之间的电阻值(Rtotal),一探针位置不变,另一探针移到下一根细栅线位置继续测试两者间的电阻值,依次进行;
1.3、 根据公式Rtotal=Rsh×nx/W+2Rc(n=1,2…),其中,Rsh为发射结方阻值,可以通过直接测试得到,x为栅线之间的距离,W为样品宽度,n为栅线间距的数量,Rc为金属电极与硅基底表面的接触电阻值;
将步骤1.2中测得的电阻值(Rtotal)和细栅线之间的间距(nx)作线性斜率模拟,根据模拟得出的直线纵截距可推出细栅与硅基底之间的接触电阻(Rc);
所述步骤1.3中的模拟直线线性斜率大于99.9%,所得接触电阻阻值合理。
2.根据权利要求1所述的一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法,其特征在于:所述步骤1.1中的样品包括不少于七根等间距等长度的细栅线,所述相邻栅线之间间距在0.5-20mm,且细栅线之间没有金属连接。
3.根据权利要求1所述的一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法,其特征在于:还包括以下步骤:
1.4、 重复步骤1.2 对两细栅线之间的电阻值(Rtotal)进行测试;
1.5、 将步骤1.2所得电阻值(Rtotal)与步骤1.4所得电阻值(Rtotal)进行算数平均,所得算数平均值根据步骤1.3与细栅间距(nx)进行线性斜率拟合,根据拟合直线得出接触电阻阻值(Rc)。
4.根据权利要求3所述的一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法,其特征在于:所述步骤1.4中探针的初始测试位置和另一探针移动方向与步骤1.2 相反。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410215735.6A CN103995182A (zh) | 2014-05-21 | 2014-05-21 | 一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410215735.6A CN103995182A (zh) | 2014-05-21 | 2014-05-21 | 一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103995182A true CN103995182A (zh) | 2014-08-20 |
Family
ID=51309400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410215735.6A Pending CN103995182A (zh) | 2014-05-21 | 2014-05-21 | 一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103995182A (zh) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104316771A (zh) * | 2014-11-20 | 2015-01-28 | 上海仪电电子股份有限公司 | 碳化硅器件的欧姆接触测试方法 |
CN104407224A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-03-11 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 半导体-金属接触电阻率检测方法、阵列基板 |
CN105118792A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-12-02 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种金属电极和硅基底之间接触电阻的测试方法 |
CN105223420A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-01-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于测量接触电阻的tft及接触电阻的测量方法 |
CN105675989A (zh) * | 2014-11-21 | 2016-06-15 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 测试互联条与太阳能电池主栅线接触电阻的方法 |
CN106353598A (zh) * | 2015-07-20 | 2017-01-25 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 太阳能电池用正面银浆性能的测试评估方法 |
CN108054158A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-05-18 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池片及其制备方法和网版以及方阻和/或接触电阻率的测量方法 |
CN109884392A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 一种银铝浆交界处电阻值测试方法与测试装置 |
CN111487465A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-08-04 | 桂林电子科技大学 | 探针间距校准方法、接触电阻率和界面电阻率的测试方法 |
CN112802768A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-14 | 北京燕东微电子科技有限公司 | 半导体结构及其测试方法 |
CN112838020A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 北京燕东微电子科技有限公司 | 背面金属化工艺的监控方法 |
CN113759176A (zh) * | 2020-06-05 | 2021-12-07 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 导电胶与金属电极的接触电阻率的测试方法 |
CN115096946A (zh) * | 2022-06-20 | 2022-09-23 | 南京固体器件有限公司 | 氧化铝htcc金属化方阻和过孔阻值的测试方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277769A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-11-13 | Nec Electronics Corp | プローブ抵抗値測定方法、プローブ抵抗値測定用パッドを有する半導体装置 |
CN101859720A (zh) * | 2010-04-15 | 2010-10-13 | 中山大学 | 一种测量晶体硅太阳能电池表面接触电阻率的方法 |
CN103018564A (zh) * | 2013-01-05 | 2013-04-03 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 一种测试成品电池片扩散层电阻的方法 |
CN103197147A (zh) * | 2013-03-28 | 2013-07-10 | 顺德中山大学太阳能研究院 | 一种太阳能电池多功能接触电阻自动测量仪及其测量系统 |
JP2013175666A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Tohoku Univ | Si結晶の結晶品質評価方法及び結晶品質評価装置 |
-
2014
- 2014-05-21 CN CN201410215735.6A patent/CN103995182A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277769A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-11-13 | Nec Electronics Corp | プローブ抵抗値測定方法、プローブ抵抗値測定用パッドを有する半導体装置 |
CN101859720A (zh) * | 2010-04-15 | 2010-10-13 | 中山大学 | 一种测量晶体硅太阳能电池表面接触电阻率的方法 |
JP2013175666A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Tohoku Univ | Si結晶の結晶品質評価方法及び結晶品質評価装置 |
CN103018564A (zh) * | 2013-01-05 | 2013-04-03 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 一种测试成品电池片扩散层电阻的方法 |
CN103197147A (zh) * | 2013-03-28 | 2013-07-10 | 顺德中山大学太阳能研究院 | 一种太阳能电池多功能接触电阻自动测量仪及其测量系统 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104316771A (zh) * | 2014-11-20 | 2015-01-28 | 上海仪电电子股份有限公司 | 碳化硅器件的欧姆接触测试方法 |
CN104316771B (zh) * | 2014-11-20 | 2017-07-28 | 上海仪电电子股份有限公司 | 碳化硅器件的欧姆接触测试方法 |
CN105675989A (zh) * | 2014-11-21 | 2016-06-15 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 测试互联条与太阳能电池主栅线接触电阻的方法 |
CN104407224A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-03-11 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 半导体-金属接触电阻率检测方法、阵列基板 |
CN105118792B (zh) * | 2015-07-15 | 2018-02-16 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种金属电极和硅基底之间接触电阻的测试方法 |
CN105118792A (zh) * | 2015-07-15 | 2015-12-02 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种金属电极和硅基底之间接触电阻的测试方法 |
CN106353598A (zh) * | 2015-07-20 | 2017-01-25 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 太阳能电池用正面银浆性能的测试评估方法 |
WO2017054251A1 (zh) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于测量接触电阻的tft及接触电阻的测量方法 |
CN105223420A (zh) * | 2015-09-28 | 2016-01-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于测量接触电阻的tft及接触电阻的测量方法 |
CN109884392A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 一种银铝浆交界处电阻值测试方法与测试装置 |
CN108054158A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-05-18 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池片及其制备方法和网版以及方阻和/或接触电阻率的测量方法 |
CN111487465A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-08-04 | 桂林电子科技大学 | 探针间距校准方法、接触电阻率和界面电阻率的测试方法 |
CN111487465B (zh) * | 2020-03-25 | 2022-08-26 | 桂林电子科技大学 | 探针间距校准方法、接触电阻率和界面电阻率的测试方法 |
CN113759176A (zh) * | 2020-06-05 | 2021-12-07 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 导电胶与金属电极的接触电阻率的测试方法 |
CN112802768A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-14 | 北京燕东微电子科技有限公司 | 半导体结构及其测试方法 |
CN112838020A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 北京燕东微电子科技有限公司 | 背面金属化工艺的监控方法 |
CN112802768B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-08-23 | 北京燕东微电子科技有限公司 | 半导体结构及其测试方法 |
CN115096946A (zh) * | 2022-06-20 | 2022-09-23 | 南京固体器件有限公司 | 氧化铝htcc金属化方阻和过孔阻值的测试方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103995182A (zh) | 一种测试金属电极与硅基底之间接触电阻的方法 | |
CN101859720B (zh) | 一种测量晶体硅太阳能电池表面接触电阻率的方法 | |
CN107229824B (zh) | 光伏电站发电单元功率曲线建模方法及装置 | |
Makrides et al. | Degradation of different photovoltaic technologies under field conditions | |
CN103543356A (zh) | 一种光伏发电系统发电效率的测定方法及设备 | |
Tahri et al. | Monitoring and evaluation of photovoltaic system | |
CN113074784A (zh) | 水面光伏发电系统电气性能及环境场的监测装置及方法 | |
CN203719602U (zh) | 一种光伏焊带弯曲度测量装置 | |
CN105914257A (zh) | 一种基于数据分析的晶体硅电池生产过程监控方法 | |
CN103472430A (zh) | 太阳模拟器辐照不均匀度和不稳定度测试系统 | |
CN111370341B (zh) | 晶体硅电池界面复合速率的测试方法 | |
CN106712714B (zh) | 一种串并联失配损失在线测试方法 | |
JP2015094601A (ja) | 太陽電池セル用出力測定治具及び太陽電池セルの出力測定方法 | |
Budanov et al. | Development of a solar element model using the method of fractal geometry theory | |
CN109671639B (zh) | 一种测试电池金属电极与焊带焊接后可靠性的方法 | |
Roth et al. | In-depth analysis of transient errors of inline IV measurements | |
CN203376402U (zh) | 一种边缘电阻测试台 | |
CN103018564B (zh) | 一种测试成品电池片扩散层电阻的方法 | |
Sunanda et al. | Impact of shading net on photovoltaic cells performance | |
Horio et al. | Impact of average photon-energy coefficient of solar spectrum on the short circuit current of photovoltaic modules | |
Pietruszko et al. | Analysis of the performance of grid connected photovoltaic system | |
CN215677119U (zh) | 水面光伏发电系统电气性能及环境场的监测装置 | |
CN203426337U (zh) | 锚线长度定尺修正装置 | |
Ammari et al. | In-situ soiling evaluation and cleaning schedules optimization for several PV technologies under desert climate | |
CN106813897A (zh) | 一种太阳模拟器检测装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140820 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |