JP2013175666A - Si結晶の結晶品質評価方法及び結晶品質評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】4探針抵抗値測定法を用い、その4探針間の各間隔をSi結晶の厚さよりも大きく選定するとともに、両端の探針間に流す電流を徐々に増加させる変調電流とする太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法であって、横軸を変調電流値、縦軸を抵抗値とするグラフを用いて太陽電池用Si結晶の結晶品質を評価する。
【選択図】図1
Description
通常、太陽電池を作製する前に、Si結晶の品質評価が行われ、太陽電池として良好な特性を示すと判断された結晶のみが太陽電池の基板として用いられている。
また、太陽電池用p型Si結晶基板の抵抗率は、通常1〜2Ω・cmの抵抗率の基板が利用されている(非特許文献1参照)。
また、4探針法による抵抗率の測定値は、Si結晶を太陽電池用基板として利用するために設計された所望の抵抗率となっているかを判定するための手法として利用されており、Si結晶中の転位や結晶粒界などの欠陥を反映した結晶品質評価法としては利用されていない。
さらに、原料や成長装置に起因する酸素やりん(P)などの不純物及び成長条件に起因する空孔や空孔複合体が存在し、それらはn型ドーパントと同等の性質を持つため、結果的に、p型ドーパントとして結晶成長時に添加されるボロン(B)と、原料や成長装置から結晶中に取り込まれるりん(P)や酸素などのn型ドーパントが混在した結晶となっている。
図10は、現実のSi結晶を用いて、既存の太陽電池エミッタ技術により作製した太陽電池回路である。空間的に不均質なSi結晶では、空間的に異なる並列抵抗と直列抵抗が含まれた太陽電池回路になってしまい、開放電圧(Voc)とフィリングファクター(FF)を低下させ、最終的に変換効率を低下させる。
なお、太陽電池エネルギー変換効率は、発明者が提案しているδエミッタ技術を用いた太陽電池製作技術から得た変換効率を基準とする(特許文献4参照)。
図11の右図は、δエミッタ技術により作製したpn接合におけるバンド構造である。
図14は、δエミッタ技術を、多結晶(MC)、単結晶、表面にナノフォトニック結晶(PC)を装着した単結晶に適応して得られた太陽電池特性である。
一般的な4探針抵抗率測定法では、特許文献1に記載されているように、Si結晶に4つの探針を加圧接触させて、外側の1つの探針に一定電流を供給することで、Si結晶に流れる電流I[A]と探針間の電位差V[V]を測定して、探針間の間隔S[cm]を用いて下記の式よりSi結晶の抵抗率ρ[Ω・cm]が求められている。
ρ=2πSV/I
また、太陽電池用のSi結晶の結晶品質評価方法において、従来の結晶品質評価法である少数キャリアライフタイム測定法や拡散長測定法は、品質評価値と太陽電池変換効率との相関が得られないという問題を抱えている。
(1)4探針抵抗値測定法を用い、その4探針間の各間隔をSi結晶の厚さよりも大きく選定するとともに、両端の探針間に流す電流を徐々に増加させる変調電流とする太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法であって、
横軸を変調電流値、縦軸を抵抗値とするグラフを用いて太陽電池用Si結晶の結晶品質を評価することを特徴とする、太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法。
(2)4探針抵抗値測定法を用い、その4探針間の各間隔をSi結晶の厚さよりも大きく選定するとともに、両端の探針間に流す電流を徐々に増加させる変調電流とする太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法であって、
横軸を変調電流値、縦軸を抵抗値とするグラフを描いた際に、抵抗値が一定の値に飽和して電流値Isを示した後にさらに電流値を増加させても抵抗値が飽和したまま一定となるSi結晶をTypeI結晶、また、抵抗値が一定の値に飽和して電流値Isを示した後にさらに電流値を増加させていくと急激に抵抗値が増加する閾値電流Ithが存在するSi結晶をTypeII結晶と大別することを特徴とする、太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法。
(3)上記TypeI結晶はIsの値を、また、上記TypeII結晶はIth−Isの値を、太陽電池のエネルギー変換効率を決めるパラメータとすることを特徴とする、(2)に記載の太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法。
(4)上記TypeI結晶では、Isの値が小さいほど太陽電池のエネルギー変換効率が高くなり、上記TypeII結晶では、Ith−Isの値が大きいほど太陽電池のエネルギー変換効率が高くなることを特徴とする、(3)に記載の太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法。
(5)(1)乃至(4)のいずれかに記載の太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法を実施するための結晶品質評価装置。
また、本発明によれば、単結晶・多結晶・モノライク結晶など各種Si結晶に対して、結晶中の均質性に起因した品質によりTypeI結晶とTypeII結晶に判別させることができ、それぞれの結晶に対して品質評価値から太陽電池のエネルギー変換効率を高精度に予測することができる。
本発明によるCMR測定法により、高精度かつ高速に結晶品質を評価でき、さらにCMR測定値から太陽電池のエネルギー変換効率を正確に予測することが可能となる。
本発明による、電流変調4探針抵抗値測定技術について、以下に説明する。
図1に示すように、Si結晶の厚み(t)より探針間の間隔(d)が広い間隔を持つ4探針抵抗値測定装置を基本として、両端探針間に連続的に電流量を変化させた変調電流を流す。この時、電流量を変化させることにより、太陽電池の変換効率に影響を及ぼすSi結晶基板の諸不均質問題(大統一した欠陥分布・空間的なドメイン・np混在など)に起因した両端探針間の電力線の密度変化又はその対称性・非対称性が発生するため、太陽電池変換効率に寄与する実効抵抗値(実効少数キャリアの数)の範囲を求めることができる。
本発明によるCMRパターンにおいて、太陽電池のエネルギー変換効率を決めるパラメータは、TypeI結晶に対しては、飽和(実効)抵抗値までの飽和電流値Isとし、TypeII結晶に対しては、抵抗値が急速に増大する閾値電流値Ithと飽和電流値Isの差Ith−Isとする。
よって、本発明によるCMR法によって得られる結晶品質評価値を用いれば、太陽電池製造技術の評価も行うことが可能となる。
Isの値と太陽電池エネルギー変換効率は比例関係を示しており、本発明によるCMR法によりTypeI結晶に判別された結晶に対しては、Isの値と太陽電池エネルギー変換効率の間に相関があることは明らかである。
図8は、欠陥の不均質分布を含んだTypeIIの単結晶に対して、熱処理による欠陥の増殖又は再配列などの悪化を避けるため、更なる低温である815℃(δPro Emitter)で行った場合の変換効率とIth−Isとの相関を示したグラフである。この場合、直線の傾きが変わり、全体の変換効率も向上されるが比例関係は保ったままとなる。つまり、本発明に係るCMR法による結晶品質判定法で得られるIth−Isとエネルギー変換効率の関係を表したグラフの傾きは、太陽電池作製技術を反映して変化するため、結晶品質評価のみならず、太陽電池製造プロセスの評価としても強力な評価方法となることは明らかである。
Claims (5)
- 4探針抵抗値測定法を用い、その4探針間の各間隔をSi結晶の厚さよりも大きく選定するとともに、両端の探針間に流す電流を徐々に増加させる変調電流とする太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法であって、
横軸を変調電流値、縦軸を抵抗値とするグラフを用いて太陽電池用Si結晶の結晶品質を評価することを特徴とする、太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法。 - 4探針抵抗値測定法を用い、その4探針間の各間隔をSi結晶の厚さよりも大きく選定するとともに、両端の探針間に流す電流を徐々に増加させる変調電流とする太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法であって、
横軸を変調電流値、縦軸を抵抗値とするグラフを描いた際に、抵抗値が一定の値に飽和して電流値Isを示した後にさらに電流値を増加させても抵抗値が飽和したまま一定となるSi結晶をTypeI結晶、また、抵抗値が一定の値に飽和して電流値Isを示した後にさらに電流値を増加させていくと急激に抵抗値が増加する閾値電流Ithが存在するSi結晶をTypeII結晶と大別することを特徴とする、太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法。 - 上記TypeI結晶はIsの値を、また、上記TypeII結晶はIth−Isの値を、太陽電池のエネルギー変換効率を決めるパラメータとすることを特徴とする、請求項2に記載の太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法。
- 上記TypeI結晶では、Isの値が小さいほど太陽電池のエネルギー変換効率が高くなり、上記TypeII結晶では、Ith−Isの値が大きいほど太陽電池のエネルギー変換効率が高くなることを特徴とする、請求項3に記載の太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法を実施するための結晶品質評価装置。
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