CN103972171A - 基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，包括1）定位识别；2）切槽自动对位；3）激光透切；4）正面贴膜；5）UV照射；6）芯片反置；7）背面贴膜；8）再次反置；9）脱正面膜，9个步骤，芯片的正面向上的切割模式，能够有效地保护好芯片表面已经置好的凸球，并防止芯片表面被划伤，从正面进行激光透切，能有效地将切割熔渣从背面的工作盘缝隙中排出保证芯片正面无异物，从而提高切割质量，防止因熔渣连接到芯片电路而导致失效，提高出品合格率，采用激光切割头，无需更换刀头，携带能量70W，切割速度100mm/s，能够保证切割出的芯片边缘不出现毛刺，效果佳，代替了传统的切割工艺，具有良好的应用前景。

Description

基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺
技术领域
本发明涉及一种基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，属于液体硅印刷技术领域。
背景技术
目前，通过液体硅印刷工艺代替原有的固体硅材料制集成电路芯片，能够大大的节能制作成本和硅能源的使用，液体硅印刷制作集成电路芯片工艺，还能大大简化集成电路芯片的制作工艺，提高工作效率，是当前国内外研究的发展方向，在液体硅印刷过程中，采用不锈钢基底代替原有的SiO2基底，能够进一步节省成本，但是，用于切割SiO2基底的传统的切割工艺，已经适合不锈钢基底的切割，由于使用传统的金刚石刀片硬度不够，无法进行切割，刀头很容易损坏，需要经常更换，降低切割效率，而且，传统的切割工艺，会使不锈钢基底的边缘存在毛刺，达不到芯片设计的要求，是当前液体硅印刷领域急需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是克服现有的切割工艺，不能切割基于液体硅印刷的不锈钢基底，刀头很容易损坏、切割效率低、切割边缘存在毛刺的问题。本发明提供的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：
一种基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，其特征在于：液体硅印刷的芯片等间隔排列在不锈钢底板的正面，将不锈钢底板放置到切割台上，对不锈钢底板正面的芯片进行切割的工艺，具体包括以下步骤，
步骤（1），定位识别，将不锈钢底板在校正平台上自动进行方位定位识别；
步骤（2），切槽自动对位，将定位识别后的不锈钢底板在切割平台上进行水平切割对位；
步骤（3），激光透切，激光切割头分别沿不锈钢底板上的芯片X方向和Y方向的切割槽对不锈钢底板从正面向背面方向进行透切，将不锈钢底板上的各芯片进行分离开，所述激光切割头携带能量为60-80W，切割速度为90-110mm/s；
步骤（4），正面贴膜，将不锈钢底板放置到贴膜工作平台上，在不锈钢底板的正面贴一层UV膜；
步骤（5），UV照射，将正面贴膜的不锈钢底板放入UV照射设备，去除正面UV膜的粘性；
步骤（6），芯片反置，将已去除粘性的正面贴膜的不锈钢底板反置在贴膜工作平台上；
步骤（7），背面贴膜，在不锈钢底板的背面粘贴一层吸片膜；
步骤（8），再次反置，将背面贴膜的不锈钢底板的正面朝上；
步骤（9），脱正面膜，将不锈钢底板正面的UV膜取下，完成芯片切割。
前述的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，其特征在于：所述切割平台为真空平台。
前述的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，其特征在于：步骤（2），切槽自动对位的方法为，通过位于不锈钢底板正、背面的摄像头，对不锈钢底板上的芯片进行定位，控制激光切割头的位置。
前述的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，其特征在于：步骤（4）激光切割头携带能量为70W，切割速度为100mm/s。
本发明的有益效果是：本发明的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，包括1）定位识别；2）切槽自动对位；3）激光透切；4）正面贴膜；5）UV照射；6）芯片反置；7）背面贴膜；8）再次反置；9）脱正面膜，9个步骤，芯片的正面向上的切割模式，能够有效地保护好芯片表面已经置好的凸球，并防止芯片表面被划伤，从正面进行激光透切，能有效地将切割熔渣从背面的工作盘缝隙中排出保证芯片正面无异物，从而提高切割质量，防止因熔渣连接到芯片电路而导致失效，提高出品合格率，采用激光切割头，无线更换刀头，携带能量70W，切割速度100mm/s，能够保证切割出的芯片边缘不出现毛刺，效果佳，代替了传统的切割工艺，具有良好的应用前景。
附图说明
图1是本发明的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺的流程图。
具体实施方式
下面将结合说明书附图，对本发明作进一步说明。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，液体硅印刷的芯片等间隔排列在不锈钢底板的正面，将不锈钢底板放置到切割台上，对不锈钢底板正面的芯片进行切割的工艺，本发明采用芯片正面向上的切割模式，能够有效地保护好芯片表面已经置好的凸球，并防止芯片表面被划伤，如图1所示，具体包括以下步骤，
步骤（1），定位识别，将不锈钢底板在校正平台上自动进行方位定位识别；
步骤（2），切槽自动对位，将定位识别后的不锈钢底板在切割平台上进行水平切割对位，自动对位的方法为通过位于不锈钢底板正、背面的摄像头，对不锈钢底板上的芯片进行定位，控制激光切割头的位置，本切割平台为真空平台，真空平台的凸台尺寸和不锈钢底板上的芯片的单颗芯粒尺寸一致，真空通路一直通到凸台上，凸台之间缝隙宽度和不锈钢芯片的切割槽宽度一致，当定位后的芯片放置在真空平台上后， 真空开启后能有效地吸附不锈钢底板的背面，保证不锈钢底板正面在切割平台上的平整度，激光切割头在固定焦距下透切芯片时才能保证透切的一致性，当各芯片颗粒被分切开后，凸台也能有效地将单颗芯片吸附，能有效地避免单颗芯粒飞落的情况；
步骤（3），激光透切，激光切割头分别沿不锈钢底板上的芯片X方向和Y方向的切割槽对不锈钢底板从正面向背面方向进行透切，将不锈钢底板上的各芯片进行分离开，激光切割头携带能量为60-80W，切割速度为90-110mm/s，优选携带能量为70W，切割速度为100mm/s，能够保证切割出的芯片边缘不出现毛刺，效果佳，提高芯片出品的质量，采用激光切割，无线更换刀头，使用方便，从正面进行激光透切，能有效地将切割熔渣从背面的工作盘缝隙中排出保证芯片正面无异物，从而提高切割质量，防止因熔渣连接到芯片电路而导致失效，提高出品合格率；
步骤（4），正面贴膜，将不锈钢底板放置到贴膜工作平台上，在不锈钢底板的正面贴一层UV膜；
步骤（5），UV照射，将正面贴膜的不锈钢底板放入UV照射设备，去除正面UV膜的粘性；
步骤（6），芯片反置，将已去除粘性的正面贴膜的不锈钢底板反置在贴膜工作平台上；
步骤（7），背面贴膜，在不锈钢底板的背面粘贴一层吸片膜；
步骤（8），再次反置，将背面贴膜的不锈钢底板的正面朝上；
步骤（9），脱正面膜，将不锈钢底板正面的UV膜取下，完成芯片切割。
综上所述，本发明的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，包括1）定位识别；2）切槽自动对位；3）激光透切；4）正面贴膜；5）UV照射；6）芯片反置；7）背面贴膜；8）再次反置；9）脱正面膜，9个步骤，芯片的正面向上的切割模式，能够有效地保护好芯片表面已经置好的凸球，并防止芯片表面被划伤，从正面进行激光透切，能有效地将切割熔渣从背面的工作盘缝隙中排出保证芯片正面无异物，从而提高切割质量，防止因熔渣连接到芯片电路而导致失效，提高出品合格率，采用激光切割头，无线更换刀头，携带能量70W，切割速度100mm/s，能够保证切割出的芯片边缘不出现毛刺，效果佳，代替了传统的切割工艺，具有良好的应用前景。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (4)

1.基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，其特征在于：液体硅印刷的芯片等间隔排列在不锈钢底板的正面，将不锈钢底板放置到切割台上，对不锈钢底板正面的芯片进行切割的工艺，具体包括以下步骤，
步骤（1），定位识别，将不锈钢底板在校正平台上自动进行方位定位识别；
步骤（2），切槽自动对位，将定位识别后的不锈钢底板在切割平台上进行水平切割对位；
步骤（3），激光透切，激光切割头分别沿不锈钢底板上的芯片X方向和Y方向的切割槽对不锈钢底板从正面向背面方向进行透切，将不锈钢底板上的各芯片进行分离开，所述激光切割头携带能量为60-80W，切割速度为90-110mm/s；
步骤（4），正面贴膜，将不锈钢底板放置到贴膜工作平台上，在不锈钢底板的正面贴一层UV膜；
步骤（5），UV照射，将正面贴膜的不锈钢底板放入UV照射设备，去除正面UV膜的粘性；
步骤（6），芯片反置，将已去除粘性的正面贴膜的不锈钢底板反置在贴膜工作平台上；
步骤（7），背面贴膜，在不锈钢底板的背面粘贴一层吸片膜；
步骤（8），再次反置，将背面贴膜的不锈钢底板的正面朝上；
步骤（9），脱正面膜，将不锈钢底板正面的UV膜取下，完成芯片切割。
2.根据权利要求1所述的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，其特征在于：所述切割平台为真空平台。
3.根据权利要求1所述的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，其特征在于：步骤（2），切槽自动对位的方法为，通过位于不锈钢底板正、背面的摄像头，对不锈钢底板上的芯片进行定位，控制激光切割头的位置。
4.根据权利要求1所述的基于液体硅印刷的不锈钢基底的芯片切割工艺，其特征在于：步骤（4）激光切割头携带能量为70W，切割速度为100mm/s。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105304540A (zh) * 2015-09-22 2016-02-03 常州星海电子有限公司 一种无定位线背切玻璃钝化芯片的方法
CN106531689A (zh) * 2015-09-15 2017-03-22 上海微世半导体有限公司 玻璃钝化硅晶圆的背面切割对位线的制作方法及设备
CN108145320A (zh) * 2017-12-29 2018-06-12 南京联信自动化科技有限公司 一种数码产品装饰贴膜的切割方法
CN108231678A (zh) * 2017-12-28 2018-06-29 武汉驿路通科技股份有限公司 一种平面波导型光分路器芯片切割工艺
CN112122797A (zh) * 2020-09-24 2020-12-25 松山湖材料实验室 激光加工熔渣去除方法、系统、计算机设备及可读存储介质

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004082020A1 (en) * 2003-03-13 2004-09-23 Epitactix Pty Ltd. Via and trench structures for semiconductor substrates bonded to metallic substrates
JP2005086160A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN101123216A (zh) * 2006-08-10 2008-02-13 探微科技股份有限公司 维持管芯间距的晶片的切割方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004082020A1 (en) * 2003-03-13 2004-09-23 Epitactix Pty Ltd. Via and trench structures for semiconductor substrates bonded to metallic substrates
JP2005086160A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN101123216A (zh) * 2006-08-10 2008-02-13 探微科技股份有限公司 维持管芯间距的晶片的切割方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106531689A (zh) * 2015-09-15 2017-03-22 上海微世半导体有限公司 玻璃钝化硅晶圆的背面切割对位线的制作方法及设备
CN106531689B (zh) * 2015-09-15 2018-12-14 上海微世半导体有限公司 玻璃钝化硅晶圆的背面切割对位线的制作方法及设备
CN105304540A (zh) * 2015-09-22 2016-02-03 常州星海电子有限公司 一种无定位线背切玻璃钝化芯片的方法
CN108231678A (zh) * 2017-12-28 2018-06-29 武汉驿路通科技股份有限公司 一种平面波导型光分路器芯片切割工艺
CN108231678B (zh) * 2017-12-28 2020-10-27 武汉驿路通科技股份有限公司 一种平面波导型光分路器芯片切割工艺
CN108145320A (zh) * 2017-12-29 2018-06-12 南京联信自动化科技有限公司 一种数码产品装饰贴膜的切割方法
CN112122797A (zh) * 2020-09-24 2020-12-25 松山湖材料实验室 激光加工熔渣去除方法、系统、计算机设备及可读存储介质

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Denomination of invention: Chip cutting process of stainless steel substrate based on liquid silicon printing

Effective date of registration: 20210913

Granted publication date: 20170201

Pledgee: Jingjiang Branch of Bank of China Ltd.

Pledgor: HY-LINK SCIENCE&TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Registration number: Y2021980009245

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